Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126654) > Сторінка 182 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
9000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.66 грн
6000+6.70 грн
9000+6.35 грн
15000+5.59 грн
21000+5.38 грн
30000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.88 грн
6000+6.00 грн
9000+5.68 грн
15000+5.00 грн
21000+4.80 грн
30000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CL6327HTSA1 BSL308CL6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6906XTSA1 BSS126H6906XTSA1 Infineon Technologies BSS126_Rev2.0_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.23 грн
6000+17.08 грн
9000+16.35 грн
15000+14.58 грн
21000+14.12 грн
30000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies BSS131_V2.5+G.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013104bf65993eeb Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
9000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.36 грн
6000+6.43 грн
9000+6.10 грн
15000+5.37 грн
21000+5.16 грн
30000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.22 грн
9000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
9000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
9000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
6000+4.81 грн
9000+4.39 грн
15000+3.99 грн
21000+3.86 грн
30000+3.73 грн
75000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.29 грн
9000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS7728N.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.61 грн
9000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
9000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS84P_Rev2.6_.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SLHTSA1 BTS3800SLHTSA1 Infineon Technologies Infineon-BTS3800SL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0af2a361e Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SCT595
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 800mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 41V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 350mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.99 грн
6000+24.42 грн
9000+24.11 грн
15000+22.31 грн
21000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3U4ULCE6327XTSA1 ESD3V3U4ULCE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD3V3U4ULC.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC TSLP-9-1
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V (Typ)
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: PG-TSLP-9-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.4pF @ 1MHz
Applications: Ethernet, HDMI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 Infineon Technologies ESD5V0L1B-02V.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 25VC PGSC7921
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 Infineon Technologies ESD5V0S1U-02V.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 14.5V PGSC7921
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 66W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.33 грн
6000+6.40 грн
9000+6.07 грн
15000+5.34 грн
21000+5.13 грн
30000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V3S1B02LSE6327XTSA1 ESD5V3S1B02LSE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD5V3S1B-02LS.pdf Description: TVS DIODE 5.3VWM 26VC PGTSSLP21
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 17pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V3S1U02LSE6327XTSA1 ESD5V3S1U02LSE6327XTSA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: TVS DIODE 5.3VWM 15VC TSSLP-2-1
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 Infineon Technologies ESD5V5U5ULC_ESD_Transient_Protection_Diode_Infineon.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304331a821aa0131b36e85a20560 Description: TVS DIODE 5.5VWM 12VC PGSC746
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8V0R1B02ELSE6327XTSA1 ESD8V0R1B02ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD8V0R1B_Series.pdf Description: TVS DIODE 14VWM 28VC TSSLP-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 4pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD2035E6327HTSA1 ILD2035E6327HTSA1 Infineon Technologies ILD2035.pdf Description: IC LED DRVR RGLTR 350MA SC74-3D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 120kHz
Type: DC DC Regulator
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 350mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: SC-74-3D
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 22V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4 Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3 Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP215F1701XTMA1 KP215F1701XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP215F1701-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af6a900a30b34 Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP216H1416XTMA1 KP216H1416XTMA1 Infineon Technologies KP216H1416_DS_Rev_+1.1.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af6b321c40b4a Description: SENSOR 21.76PSIA 4.5V DSOF8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: 8-SMD Module
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Port Style: No Port
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Applications: Board Mount
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Accuracy: ±0.345PSI (±2.38kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 7.25PSI ~ 21.76PSI (50kPa ~ 150kPa)
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP219N3621XTMA1 KP219N3621XTMA1 Infineon Technologies KP219N3621_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432b5786da012b57a13ed40013 Description: SENSOR 14.79PSIA 4.95V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.25 V ~ 4.95 V
Operating Pressure: 2.18PSI ~ 14.79PSI (15kPa ~ 102kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.652PSI (±4.5kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Port Style: No Port
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP235XTMA1 KP235XTMA1 Infineon Technologies KP235_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af67ba47c0b0f Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Operating Pressure: 5.8PSI ~ 16.68PSI (40kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.348PSI (±2.4kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+236.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP236XTMA1 KP236XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP236-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af67dbdc20b14 Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8-16
Part Status: Active
Port Style: No Port
Applications: Board Mount
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Accuracy: ±0.29PSI (±2kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 5.8PSI ~ 16.68PSI (40kPa ~ 115kPa)
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: 8-SMD Module
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+195.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP236N6165XTMA2 KP236N6165XTMA2 Infineon Technologies KP236N6165_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af68133600b1a Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA220081MV4XUMA1 Infineon Technologies ptfa220081m-v4_ds_05.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a3043271faefd0127b603d2543329 Description: FET RF LDMOS 8W SON10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA220121MV4XUMA1 Infineon Technologies ptfa220121m-v4_ds_08.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a3043243b5f170124722c0b341900 Description: FET RF LDMOS 10W SON10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTMA180402FL V1 R250 Infineon Technologies ptma180402efl-v1_ds_08.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a304317a7483601183a5310e6580d Description: IC AMP RF LDMOS 40W H34265-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002N H6327 SN7002N H6327 Infineon Technologies SN7002N_Rev2.6_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA070601FV4XWSA1 PTFA070601FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA070601E,F.pdf Description: FET RF LDMOS 60W H37265-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA071701FV4XWSA1 PTFA071701FV4XWSA1 Infineon Technologies ptfa077101ef-v4_ds_rev03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095d3b01ef&fileId=db3a304320d39d5901215d514b0e273d Description: FET RF LDMOS 170W H37248-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFB191501FV1XWSA1 PTFB191501FV1XWSA1 Infineon Technologies PTFB191501E-F+V1+Datasheet+Rev02.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a30432313ff5e0123a472bfdd277f Description: FET RF LDMOS 150W H37248-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFB210801FAV1XWSA1 PTFB210801FAV1XWSA1 Infineon Technologies ptfb210801fa_ds_01.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a30433072cd8f0130beef05e41d24 Description: FET RF LDMOS 80W H37265-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFB211501FV1XWSA1 PTFB211501FV1XWSA1 Infineon Technologies Description: FET FR LDMOS 150W H37248-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA041501FV4XWSA1 PTFA041501FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA041501E,F.pdf Description: FET RF LDMOS 150W H37248-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1 BUZ30AHXKSA1 Infineon Technologies Buz30A+H+Rev+2.5.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a304325305e6d012596c75fb1290b Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31HXKSA1 BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies BUZ31_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31L H BUZ31L H Infineon Technologies BUZ%2031LH.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73HXKSA1 BUZ73HXKSA1 Infineon Technologies BUZ73_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73H3046XKSA1 BUZ73H3046XKSA1 Infineon Technologies BUZ73_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73A H BUZ73A H Infineon Technologies BUZ73A_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73A H3046 BUZ73A H3046 Infineon Technologies BUZ73A_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73ALHXKSA1 BUZ73ALHXKSA1 Infineon Technologies BUZ73AL_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73LHXKSA1 BUZ73LHXKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.13 грн
9000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.66 грн
6000+6.70 грн
9000+6.35 грн
15000+5.59 грн
21000+5.38 грн
30000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0
BSD235NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.88 грн
6000+6.00 грн
9000+5.68 грн
15000+5.00 грн
21000+4.80 грн
30000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CL6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSL308CL6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6906XTSA1 BSS126_Rev2.0_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601310483af163eba
BSS126H6906XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.23 грн
6000+17.08 грн
9000+16.35 грн
15000+14.58 грн
21000+14.12 грн
30000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131_V2.5+G.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013104bf65993eeb
BSS131H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 Infineon-BSS169-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108f39406004c
BSS169H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.24 грн
9000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.36 грн
6000+6.43 грн
9000+6.10 грн
15000+5.37 грн
21000+5.16 грн
30000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.22 грн
9000+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.08 грн
9000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.56 грн
9000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.35 грн
6000+4.81 грн
9000+4.39 грн
15000+3.99 грн
21000+3.86 грн
30000+3.73 грн
75000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16
BSS316NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.29 грн
9000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.96 грн
9000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728N.pdf
BSS7728NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.61 грн
9000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P%20H6327.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.25 грн
9000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA1 BSS84P_Rev2.6_.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549
BSS84PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f
BSV236SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SLHTSA1 Infineon-BTS3800SL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0af2a361e
BTS3800SLHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SCT595
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 800mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 41V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 350mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.99 грн
6000+24.42 грн
9000+24.11 грн
15000+22.31 грн
21000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3U4ULCE6327XTSA1 ESD3V3U4ULC.pdf
ESD3V3U4ULCE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC TSLP-9-1
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V (Typ)
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: PG-TSLP-9-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.4pF @ 1MHz
Applications: Ethernet, HDMI
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 ESD5V0L1B-02V.pdf
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5VWM 25VC PGSC7921
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 ESD5V0S1U-02V.pdf
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5VWM 14.5V PGSC7921
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 66W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.33 грн
6000+6.40 грн
9000+6.07 грн
15000+5.34 грн
21000+5.13 грн
30000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V3S1B02LSE6327XTSA1 ESD5V3S1B-02LS.pdf
ESD5V3S1B02LSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.3VWM 26VC PGTSSLP21
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 17pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V3S1U02LSE6327XTSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
ESD5V3S1U02LSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.3VWM 15VC TSSLP-2-1
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 ESD5V5U5ULC_ESD_Transient_Protection_Diode_Infineon.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304331a821aa0131b36e85a20560
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 12VC PGSC746
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Unidirectional Channels: 5
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8V0R1B02ELSE6327XTSA1 ESD8V0R1B_Series.pdf
ESD8V0R1B02ELSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 14VWM 28VC TSSLP-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 4pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD2035E6327HTSA1 ILD2035.pdf
ILD2035E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR RGLTR 350MA SC74-3D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 120kHz
Type: DC DC Regulator
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 350mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: SC-74-3D
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 22V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba
IPL60R199CPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+98.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4
IPL60R299CPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R385CPAUMA1 IPL60R385CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d06e55327e3
IPL60R385CPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP215F1701XTMA1 Infineon-KP215F1701-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af6a900a30b34
KP215F1701XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP216H1416XTMA1 KP216H1416_DS_Rev_+1.1.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af6b321c40b4a
KP216H1416XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 21.76PSIA 4.5V DSOF8
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: 8-SMD Module
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Port Style: No Port
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Applications: Board Mount
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Accuracy: ±0.345PSI (±2.38kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 7.25PSI ~ 21.76PSI (50kPa ~ 150kPa)
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP219N3621XTMA1 KP219N3621_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432b5786da012b57a13ed40013
KP219N3621XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 14.79PSIA 4.95V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.25 V ~ 4.95 V
Operating Pressure: 2.18PSI ~ 14.79PSI (15kPa ~ 102kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.652PSI (±4.5kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Port Style: No Port
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP235XTMA1 KP235_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af67ba47c0b0f
KP235XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Operating Pressure: 5.8PSI ~ 16.68PSI (40kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.348PSI (±2.4kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+236.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP236XTMA1 Infineon-KP236-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af67dbdc20b14
KP236XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8-16
Part Status: Active
Port Style: No Port
Applications: Board Mount
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Accuracy: ±0.29PSI (±2kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Pressure: 5.8PSI ~ 16.68PSI (40kPa ~ 115kPa)
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: 8-SMD Module
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+195.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP236N6165XTMA2 KP236N6165_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af68133600b1a
KP236N6165XTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8-16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA220081MV4XUMA1 ptfa220081m-v4_ds_05.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a3043271faefd0127b603d2543329
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF LDMOS 8W SON10
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA220121MV4XUMA1 ptfa220121m-v4_ds_08.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a3043243b5f170124722c0b341900
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF LDMOS 10W SON10
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTMA180402FL V1 R250 ptma180402efl-v1_ds_08.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a304317a7483601183a5310e6580d
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS 40W H34265-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002N H6327 SN7002N_Rev2.6_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002N H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA070601FV4XWSA1 PTFA070601E,F.pdf
PTFA070601FV4XWSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF LDMOS 60W H37265-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA071701FV4XWSA1 ptfa077101ef-v4_ds_rev03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095d3b01ef&fileId=db3a304320d39d5901215d514b0e273d
PTFA071701FV4XWSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF LDMOS 170W H37248-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFB191501FV1XWSA1 PTFB191501E-F+V1+Datasheet+Rev02.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a30432313ff5e0123a472bfdd277f
PTFB191501FV1XWSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF LDMOS 150W H37248-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFB210801FAV1XWSA1 ptfb210801fa_ds_01.pdf?folderId=db3a304312fcb1bc01131b00814e17cf&fileId=db3a30433072cd8f0130beef05e41d24
PTFB210801FAV1XWSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF LDMOS 80W H37265-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFB211501FV1XWSA1
PTFB211501FV1XWSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET FR LDMOS 150W H37248-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTFA041501FV4XWSA1 PTFA041501E,F.pdf
PTFA041501FV4XWSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF LDMOS 150W H37248-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1 Buz30A+H+Rev+2.5.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a304325305e6d012596c75fb1290b
BUZ30AHXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31HXKSA1 BUZ31_H.pdf
BUZ31HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31L H BUZ%2031LH.pdf
BUZ31L H
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73HXKSA1 BUZ73_H.pdf
BUZ73HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73H3046XKSA1 BUZ73_H.pdf
BUZ73H3046XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73A H BUZ73A_H.pdf
BUZ73A H
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73A H3046 BUZ73A_H.pdf
BUZ73A H3046
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73ALHXKSA1 BUZ73AL_H.pdf
BUZ73ALHXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ73LHXKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BUZ73LHXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]