Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119469) > Сторінка 190 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies BSS131_V2.5+G.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013104bf65993eeb Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.70 грн
20+15.37 грн
100+9.66 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.39 грн
12+26.17 грн
100+16.75 грн
500+11.89 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6906XTSA1 BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.32 грн
10+45.75 грн
100+29.98 грн
500+21.74 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169L6906HTSA1 BSS169L6906HTSA1 Infineon Technologies BSS169.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.92 грн
22+14.10 грн
100+6.13 грн
500+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.14 грн
22+14.10 грн
100+8.83 грн
500+6.14 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.26 грн
19+16.42 грн
100+10.33 грн
500+7.23 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.37 грн
17+17.85 грн
100+11.27 грн
500+7.89 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.93 грн
17+18.60 грн
100+11.77 грн
500+8.25 грн
1000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.48 грн
20+15.52 грн
100+9.75 грн
500+6.80 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.04 грн
18+16.72 грн
100+10.54 грн
500+7.37 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 358724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.25 грн
25+12.07 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.25 грн
25+12.00 грн
100+7.50 грн
500+5.19 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 373309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.48 грн
20+15.60 грн
100+9.81 грн
500+6.84 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.82 грн
18+16.80 грн
100+10.56 грн
500+7.38 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.37 грн
17+17.85 грн
100+11.27 грн
500+7.91 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4 Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002N H6327 SN7002N H6327 Infineon Technologies SN7002N_Rev2.6_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSI BSC0901NSI Infineon Technologies BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSI BSC0904NSI Infineon Technologies BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3 G Infineon Technologies BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03MSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC883N03MS_G.pdf Description: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF030NE2LQ BSF030NE2LQ Infineon Technologies BSF030NE2LQ_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a8f0792588 Description: MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
на замовлення 18003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSF077N06NT3GXUMA1 BSF077N06NT3GXUMA1 Infineon Technologies BSF077N06NT3_G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SP H BSO301SP H Infineon Technologies BSO301SP_Rev1+32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d226cd5d68ac Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LS BSZ018NE2LS Infineon Technologies BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 G IPB037N06N3 G Infineon Technologies IPB037N06N3+G+_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c252b10018&fileId=db3a304317a7483601182c2d4f447647 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N06L3GATMA1 IPB049N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPx049,52N06L3_G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB097N08N3 G IPB097N08N3 G Infineon Technologies IPP_I_B100N08N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e071f53b82619 Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CP IPB60R385CP Infineon Technologies IPB60R385CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e836749df Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R950C6 IPB60R950C6 Infineon Technologies IPB60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a8282c217d66 Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFD IPB65R660CFD Infineon Technologies IPA65R660CFD2.41.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4e912003c&fileId=db3a30432e0bea21012e14dccc656df9 Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO263
на замовлення 21116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 G IPD068P03L3 G Infineon Technologies Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6 IPD60R520C6 Infineon Technologies Infineon-IPD60R520C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eeb469c71164a Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6 IPD65R600C6 Infineon Technologies Infineon-IPD65R600C6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433f1b26e8013f2ceafdee37c4 Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3 G Infineon Technologies BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002N H6327 SN7002N H6327 Infineon Technologies SN7002N_Rev2.6_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.70 грн
10+64.95 грн
100+43.24 грн
500+31.83 грн
1000+29.01 грн
2000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 19318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.82 грн
10+123.14 грн
100+84.58 грн
500+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IFX8117MEVHTMA1 IFX8117MEVHTMA1 Infineon Technologies Infineon-IFX8117-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30432a7fedfc012aad7cf26c0b0d&ack=t Description: IC REG LDO ADJ 1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX24401TE V50 IFX24401TE V50 Infineon Technologies Infineon-IFX24401-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a30431ff988150120802bce1d257a&fileId=db3a304320d39d590120f61fb4d269d5&ack=t Description: IC REG LDO 5V 0.3A TO252-5
на замовлення 5521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IFX8117MEVHTMA1 IFX8117MEVHTMA1 Infineon Technologies Infineon-IFX8117-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30432a7fedfc012aad7cf26c0b0d&ack=t Description: IC REG LDO ADJ 1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX8117MEV50HTMA1 IFX8117MEV50HTMA1 Infineon Technologies Description: IC REG LINEAR 5V 1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX91041EJV33XUMA1 IFX91041EJV33XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IFX91041-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890115039cf70d0bf0&fileId=db3a304320d39d59012153afb91a0548&ack=t Description: IC REG BUCK 3.3V 1.8A DSO-8-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 370kHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX91041EJV50XUMA1 IFX91041EJV50XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IFX91041-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890115039cf70d0bf0&fileId=db3a304320d39d59012153afb91a0548&ack=t Description: IC REG BUCK 5V 1.8A DSO-8-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 370kHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX24401TE V50 IFX24401TE V50 Infineon Technologies Infineon-IFX24401-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a30431ff988150120802bce1d257a&fileId=db3a304320d39d590120f61fb4d269d5&ack=t Description: IC REG LDO 5V 0.3A TO252-5
на замовлення 5521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IFX91041EJVXUMA1 IFX91041EJVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IFX91041-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890115039cf70d0bf0&fileId=db3a304320d39d59012153afb91a0548&ack=t Description: IC REG BUCK ADJ 1.8A DSO-8-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 370kHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 16V
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1021SJ IFX1021SJ Infineon Technologies Infineon-IFX1021-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011edadb13813703&fileId=db3a304332b626b80132cf46319e674e&ack=t Description: IC TXRX LIN BUS 8DSO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX21004TNV51AKSA1 IFX21004TNV51AKSA1 Infineon Technologies IFX21004TN_V51.pdf Description: IC REG LINEAR 5V/15V TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA, 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: PG-TO220-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V, 15V
Part Status: Obsolete
PSRR: 55dB (100Hz), 50dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 10V @ 100mA, 6V @ 30mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 3.5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBF IRFSL4510PBF Infineon Technologies IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510PBF IRFR4510PBF Infineon Technologies irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Description: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TR1PBF IRF7946TR1PBF Infineon Technologies irf7946pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cc0a41d43 Description: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Infineon Technologies irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.29 грн
50+104.87 грн
100+94.76 грн
500+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF Infineon Technologies irfb7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616ace51e57 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.30 грн
50+66.94 грн
100+60.00 грн
500+44.85 грн
1000+41.17 грн
2000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF Infineon Technologies irfb7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535619d9811e64 Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.94 грн
50+54.78 грн
100+48.87 грн
500+36.14 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF IRFP7430PBF Infineon Technologies irfp7430pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562ca5682025 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.91 грн
25+146.18 грн
100+119.52 грн
500+92.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510PBF IRFS4510PBF Infineon Technologies IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4510GPBF IRFI4510GPBF Infineon Technologies irfi4510gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562433551f88 Description: MOSFET N CH 100V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2998 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Infineon Technologies irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Description: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.21 грн
4000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131_V2.5+G.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013104bf65993eeb
BSS131H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.70 грн
20+15.37 грн
100+9.66 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.39 грн
12+26.17 грн
100+16.75 грн
500+11.89 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6906XTSA1 Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036
BSS159NH6906XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.32 грн
10+45.75 грн
100+29.98 грн
500+21.74 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169L6906HTSA1 BSS169.pdf
BSS169L6906HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.92 грн
22+14.10 грн
100+6.13 грн
500+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 187069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.14 грн
22+14.10 грн
100+8.83 грн
500+6.14 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f6860601311833f57144fb
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.26 грн
19+16.42 грн
100+10.33 грн
500+7.23 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
BSS306NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.37 грн
17+17.85 грн
100+11.27 грн
500+7.89 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.93 грн
17+18.60 грн
100+11.77 грн
500+8.25 грн
1000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.48 грн
20+15.52 грн
100+9.75 грн
500+6.80 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 75509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.04 грн
18+16.72 грн
100+10.54 грн
500+7.37 грн
1000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16
BSS316NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 358724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.25 грн
25+12.07 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.25 грн
25+12.00 грн
100+7.50 грн
500+5.19 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 373309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.48 грн
20+15.60 грн
100+9.81 грн
500+6.84 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P%20H6327.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.82 грн
18+16.80 грн
100+10.56 грн
500+7.38 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f
BSV236SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.37 грн
17+17.85 грн
100+11.27 грн
500+7.91 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R299CPAUMA1 IPL60R299CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801285d1c1c8e27f4
IPL60R299CPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002N H6327 SN7002N_Rev2.6_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002N H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSI BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067
BSC0901NSI
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0904NSI BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef
BSC0904NSI
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
BSC22DN20NS3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03MSGATMA1 BSC883N03MS_G.pdf
BSC883N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF030NE2LQ BSF030NE2LQ_Rev+2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e398416012e47a8f0792588
BSF030NE2LQ
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
на замовлення 18003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSF077N06NT3GXUMA1 BSF077N06NT3_G.pdf
BSF077N06NT3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SP H BSO301SP_Rev1+32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d226cd5d68ac
BSO301SP H
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LS BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc
BSZ018NE2LS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
на замовлення 22633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3 G IPB037N06N3+G+_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c252b10018&fileId=db3a304317a7483601182c2d4f447647
IPB037N06N3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N06L3GATMA1 IPx049,52N06L3_G.pdf
IPB049N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB097N08N3 G IPP_I_B100N08N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e071f53b82619
IPB097N08N3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R385CP IPB60R385CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e836749df
IPB60R385CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R950C6 IPB60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a8282c217d66
IPB60R950C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFD IPA65R660CFD2.41.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4e912003c&fileId=db3a30432e0bea21012e14dccc656df9
IPB65R660CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO263
на замовлення 21116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 G Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R520C6 Infineon-IPD60R520C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013eeb469c71164a
IPD60R520C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6 Infineon-IPD65R600C6-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433f1b26e8013f2ceafdee37c4
IPD65R600C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
BSB165N15NZ3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002N H6327 SN7002N_Rev2.6_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002N H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
на замовлення 5339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120c83fdcd7326c
BSC084P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.70 грн
10+64.95 грн
100+43.24 грн
500+31.83 грн
1000+29.01 грн
2000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 19318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.82 грн
10+123.14 грн
100+84.58 грн
500+63.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IFX8117MEVHTMA1 Infineon-IFX8117-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30432a7fedfc012aad7cf26c0b0d&ack=t
IFX8117MEVHTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LDO ADJ 1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX24401TE V50 Infineon-IFX24401-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a30431ff988150120802bce1d257a&fileId=db3a304320d39d590120f61fb4d269d5&ack=t
IFX24401TE V50
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LDO 5V 0.3A TO252-5
на замовлення 5521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IFX8117MEVHTMA1 Infineon-IFX8117-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30432a7fedfc012aad7cf26c0b0d&ack=t
IFX8117MEVHTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LDO ADJ 1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX8117MEV50HTMA1
IFX8117MEV50HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 1A SOT223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX91041EJV33XUMA1 Infineon-IFX91041-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890115039cf70d0bf0&fileId=db3a304320d39d59012153afb91a0548&ack=t
IFX91041EJV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 3.3V 1.8A DSO-8-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 370kHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX91041EJV50XUMA1 Infineon-IFX91041-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890115039cf70d0bf0&fileId=db3a304320d39d59012153afb91a0548&ack=t
IFX91041EJV50XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 5V 1.8A DSO-8-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 370kHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX24401TE V50 Infineon-IFX24401-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a30431ff988150120802bce1d257a&fileId=db3a304320d39d590120f61fb4d269d5&ack=t
IFX24401TE V50
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LDO 5V 0.3A TO252-5
на замовлення 5521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IFX91041EJVXUMA1 Infineon-IFX91041-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890115039cf70d0bf0&fileId=db3a304320d39d59012153afb91a0548&ack=t
IFX91041EJVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 1.8A DSO-8-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 370kHz
Voltage - Input (Max): 45V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 16V
Voltage - Input (Min): 4.75V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1021SJ Infineon-IFX1021-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011edadb13813703&fileId=db3a304332b626b80132cf46319e674e&ack=t
IFX1021SJ
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TXRX LIN BUS 8DSO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX21004TNV51AKSA1 IFX21004TN_V51.pdf
IFX21004TNV51AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V/15V TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 100mA, 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: PG-TO220-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V, 15V
Part Status: Obsolete
PSRR: 55dB (100Hz), 50dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 10V @ 100mA, 6V @ 30mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 3.5 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4510PBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFSL4510PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1
IRFR4510PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TR1PBF irf7946pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cc0a41d43
IRF7946TR1PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55
IRFB7434PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.29 грн
50+104.87 грн
100+94.76 грн
500+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF irfb7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616ace51e57
IRFB7437PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.30 грн
50+66.94 грн
100+60.00 грн
500+44.85 грн
1000+41.17 грн
2000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF irfb7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535619d9811e64
IRFB7446PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.94 грн
50+54.78 грн
100+48.87 грн
500+36.14 грн
1000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF irfp7430pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562ca5682025
IRFP7430PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.91 грн
25+146.18 грн
100+119.52 грн
500+92.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40
IRFB4510PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510PBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFS4510PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4510GPBF irfi4510gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562433551f88
IRFI4510GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 100V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2998 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1
IRFR4510TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.21 грн
4000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]