Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149637) > Сторінка 209 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY8C5866LTI-LP022 CY8C5866LTI-LP022 Infineon Technologies Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9 Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5666LTI-LP005 CY8C5666LTI-LP005 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.28 грн
10+819.11 грн
25+766.03 грн
80+703.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5866AXI-LP021 CY8C5866AXI-LP021 Infineon Technologies Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9 Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5867LTI-LP028 CY8C5867LTI-LP028 Infineon Technologies Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9 Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1537.45 грн
10+1189.55 грн
25+1116.76 грн
80+1044.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5667LTI-LP041 CY8C5667LTI-LP041 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1164.19 грн
10+892.42 грн
25+835.32 грн
100+770.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5666AXI-LP004 CY8C5666AXI-LP004 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1092.66 грн
10+835.73 грн
25+781.68 грн
90+718.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5667AXI-LP040 CY8C5667AXI-LP040 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.36 грн
10+1137.30 грн
25+1064.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF IR4321MTRPBF Infineon Technologies ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819 Description: IC AMP CLASS D MONO 90W 22QFN
Features: Depop, Differential Inputs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerVQFN
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Max Output Power x Channels @ Load: 90W x 1 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 22-QFN (3x4)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+143.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IR4322MTRPBF IR4322MTRPBF Infineon Technologies ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d Description: IC AMP CLASS D STEREO 100W 44QFN
Features: Depop
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-PowerVFQFN
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Supply: 46V
Max Output Power x Channels @ Load: 100W x 2 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 44-PQFN (7x7)
Part Status: Active
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.08 грн
10+330.15 грн
25+304.87 грн
100+260.00 грн
250+247.55 грн
500+240.05 грн
1000+230.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF IR4321MTRPBF Infineon Technologies ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819 Description: IC AMP CLASS D MONO 90W 22QFN
Features: Depop, Differential Inputs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerVQFN
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Max Output Power x Channels @ Load: 90W x 1 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 22-QFN (3x4)
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.11 грн
10+247.41 грн
25+233.84 грн
100+190.21 грн
250+180.45 грн
500+161.92 грн
1000+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRS44273L-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e9c18ca0cff Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.2V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: SOT-23-5
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.86 грн
10+32.06 грн
25+28.79 грн
100+23.60 грн
250+21.98 грн
500+21.00 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.74 грн
10+121.77 грн
100+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVN012S-TPBF PVN012S-TPBF Infineon Technologies pvn012.pdf?fileId=5546d462533600a401535683f185294d Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2.5 A
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 6-SMT
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.89 грн
10+512.40 грн
25+489.28 грн
50+443.43 грн
100+428.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBF IRFH4201TRPBF Infineon Technologies irfh4201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a3f1c1e7c Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBF IRFH4210TRPBF Infineon Technologies irfh4210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a571f1e82 Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213DTRPBF IRFH4213DTRPBF Infineon Technologies irfh4213dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a5db31e84 Description: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBF IRFH4213TRPBF Infineon Technologies irfh4213pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a66431e86 Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4226TRPBF IRFHM4226TRPBF Infineon Technologies irfhm4226pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ffabf1f2d Description: MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBF IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 63W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBF IRFH4201TRPBF Infineon Technologies irfh4201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a3f1c1e7c Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBF IRFH4210TRPBF Infineon Technologies irfh4210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a571f1e82 Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBF IRFH4213TRPBF Infineon Technologies irfh4213pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a66431e86 Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBF IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 63W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.85 грн
10+145.36 грн
100+100.86 грн
500+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies IPx50R1K4CE.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1 IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies IPx50R3K0CE.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies IPx50R1K4CE.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1 IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies IPx50R3K0CE.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.43 грн
50+82.24 грн
100+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4504F144F512ABXQMA1 XMC4504F144F512ABXQMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC4500-DS-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e1b56cbe0123 Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 32x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-18
Number of I/O: 91
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3847MTRPBF IR3847MTRPBF Infineon Technologies ir3847m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5711917f1 Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 25A PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3891MTRPBF IR3891MTRPBF Infineon Technologies ir3891m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5c3a9180b Description: IC REG BUCK ADJ 4A DL PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPA60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.61 грн
50+95.99 грн
100+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6 IPD60R600P6 Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R950CEBKMA1 IPU50R950CEBKMA1 Infineon Technologies IPx50R950CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R190P6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.92 грн
30+139.68 грн
120+114.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6 IPD60R600P6 Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA 715N7 E6330 Infineon Technologies BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA 715N7 E6330 Infineon Technologies BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 231N7 E6330 BGA 231N7 E6330 Infineon Technologies BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 231N7 E6330 BGA 231N7 E6330 Infineon Technologies BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA 825L6S E6327 Infineon Technologies BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6 Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA 825L6S E6327 Infineon Technologies BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6 Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA 715N7 E6330 Infineon Technologies BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA231N7E6330XTSA1 BGA231N7E6330XTSA1 Infineon Technologies BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA 825L6S E6327 Infineon Technologies BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6 Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65211-24LTXI CY7C65211-24LTXI Infineon Technologies Infineon-CY7C65211_USB-Serial_Single-Channel_(UART_I2C_SPI)_Bridge_with_CapSense_and_BCD-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eca9336437a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_ Description: IC USB TO SERIAL BRIDGE 24QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Function: Bridge, USB to I2C
Interface: UART
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Current - Supply: 20mA
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.36 грн
10+176.00 грн
25+161.32 грн
100+136.27 грн
490+124.83 грн
980+121.23 грн
1470+117.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65215-32LTXI CY7C65215-32LTXI Infineon Technologies download Description: IC USB TO SERIAL BRIDGE 32QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Function: Bridge, USB to I2C
Interface: UART
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Current - Supply: 20mA
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.83 грн
10+177.66 грн
25+162.97 грн
100+137.80 грн
490+126.34 грн
980+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21867STRPBF IRS21867STRPBF Infineon Technologies Infineon-IRS21867S-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e24fc670c35 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: CMOS, TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 22ns, 18ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 21137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.48 грн
10+97.14 грн
25+88.51 грн
100+74.11 грн
250+69.84 грн
500+67.26 грн
1000+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LS-TPBF PVT312LS-TPBF Infineon Technologies pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Description: SSR RELAY SPST-NO 170MA 0-250V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 170 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 6-SMT
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 250 V
On-State Resistance (Max): 15 Ohms
на замовлення 23867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.51 грн
10+315.50 грн
25+301.26 грн
50+273.07 грн
100+263.70 грн
250+251.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 description Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 12517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.57 грн
10+40.77 грн
100+33.37 грн
500+27.60 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies BSB015N04NX3_G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a03bbfcd7aac Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.41 грн
10+95.64 грн
100+70.79 грн
500+53.17 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 30586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.57 грн
10+108.70 грн
100+79.45 грн
500+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832 Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
на замовлення 9942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.90 грн
10+79.57 грн
100+53.52 грн
500+39.75 грн
1000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5866LTI-LP022 Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9
CY8C5866LTI-LP022
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5666LTI-LP005 download
CY8C5666LTI-LP005
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1071.28 грн
10+819.11 грн
25+766.03 грн
80+703.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5866AXI-LP021 Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9
CY8C5866AXI-LP021
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5867LTI-LP028 Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9
CY8C5867LTI-LP028
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 1x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1537.45 грн
10+1189.55 грн
25+1116.76 грн
80+1044.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5667LTI-LP041 download
CY8C5667LTI-LP041
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1164.19 грн
10+892.42 грн
25+835.32 грн
100+770.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5666AXI-LP004 download
CY8C5666AXI-LP004
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1092.66 грн
10+835.73 грн
25+781.68 грн
90+718.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5667AXI-LP040 download
CY8C5667AXI-LP040
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1482.36 грн
10+1137.30 грн
25+1064.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819
IR4321MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D MONO 90W 22QFN
Features: Depop, Differential Inputs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerVQFN
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Max Output Power x Channels @ Load: 90W x 1 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 22-QFN (3x4)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+143.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IR4322MTRPBF ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d
IR4322MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D STEREO 100W 44QFN
Features: Depop
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-PowerVFQFN
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Supply: 46V
Max Output Power x Channels @ Load: 100W x 2 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 44-PQFN (7x7)
Part Status: Active
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.08 грн
10+330.15 грн
25+304.87 грн
100+260.00 грн
250+247.55 грн
500+240.05 грн
1000+230.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819
IR4321MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D MONO 90W 22QFN
Features: Depop, Differential Inputs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerVQFN
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Max Output Power x Channels @ Load: 90W x 1 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 22-QFN (3x4)
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.11 грн
10+247.41 грн
25+233.84 грн
100+190.21 грн
250+180.45 грн
500+161.92 грн
1000+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF Infineon-IRS44273L-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e9c18ca0cff
IRS44273LTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.2V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: SOT-23-5
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.86 грн
10+32.06 грн
25+28.79 грн
100+23.60 грн
250+21.98 грн
500+21.00 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.74 грн
10+121.77 грн
100+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVN012S-TPBF pvn012.pdf?fileId=5546d462533600a401535683f185294d
PVN012S-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2.5 A
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 6-SMT
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.89 грн
10+512.40 грн
25+489.28 грн
50+443.43 грн
100+428.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBF irfh4201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a3f1c1e7c
IRFH4201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBF irfh4210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a571f1e82
IRFH4210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213DTRPBF irfh4213dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a5db31e84
IRFH4213DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBF irfh4213pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a66431e86
IRFH4213TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4226TRPBF irfhm4226pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ffabf1f2d
IRFHM4226TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBF irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c
IRFH4251DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 63W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBF irfh4201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a3f1c1e7c
IRFH4201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBF irfh4210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a571f1e82
IRFH4210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBF irfh4213pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a66431e86
IRFH4213TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBF irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c
IRFH4251DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 63W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e
IRFH4253DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e
IRFH4253DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.85 грн
10+145.36 грн
100+100.86 грн
500+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPx50R1K4CE.pdf
IPD50R1K4CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1 IPx50R3K0CE.pdf
IPD50R3K0CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPx50R1K4CE.pdf
IPD50R1K4CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1 IPx50R3K0CE.pdf
IPD50R3K0CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb
IPP50R190CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.43 грн
50+82.24 грн
100+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4504F144F512ABXQMA1 Infineon-XMC4500-DS-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e1b56cbe0123
XMC4504F144F512ABXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 32x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-18
Number of I/O: 91
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3847MTRPBF ir3847m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5711917f1
IR3847MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 25A PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3891MTRPBF ir3891m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5c3a9180b
IR3891MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 4A DL PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 DS_IPA60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.61 грн
50+95.99 грн
100+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPA60R600P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6 DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPD60R600P6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1 DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPP60R600P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R950CEBKMA1 IPx50R950CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064
IPU50R950CEBKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 Infineon-IPX60R190P6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.92 грн
30+139.68 грн
120+114.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6 DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPD60R600P6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb
BGA 715N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb
BGA 715N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 231N7 E6330 BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d
BGA 231N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 231N7 E6330 BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d
BGA 231N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6
BGA 825L6S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6
BGA 825L6S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb
BGA 715N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA231N7E6330XTSA1 BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d
BGA231N7E6330XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6
BGA 825L6S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65211-24LTXI Infineon-CY7C65211_USB-Serial_Single-Channel_(UART_I2C_SPI)_Bridge_with_CapSense_and_BCD-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eca9336437a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_
CY7C65211-24LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB TO SERIAL BRIDGE 24QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Function: Bridge, USB to I2C
Interface: UART
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Current - Supply: 20mA
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.36 грн
10+176.00 грн
25+161.32 грн
100+136.27 грн
490+124.83 грн
980+121.23 грн
1470+117.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65215-32LTXI download
CY7C65215-32LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB TO SERIAL BRIDGE 32QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Function: Bridge, USB to I2C
Interface: UART
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Current - Supply: 20mA
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.83 грн
10+177.66 грн
25+162.97 грн
100+137.80 грн
490+126.34 грн
980+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21867STRPBF Infineon-IRS21867S-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e24fc670c35
IRS21867STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: CMOS, TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 22ns, 18ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 21137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.48 грн
10+97.14 грн
25+88.51 грн
100+74.11 грн
250+69.84 грн
500+67.26 грн
1000+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LS-TPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
PVT312LS-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 170MA 0-250V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 170 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 6-SMT
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 250 V
On-State Resistance (Max): 15 Ohms
на замовлення 23867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.51 грн
10+315.50 грн
25+301.26 грн
50+273.07 грн
100+263.70 грн
250+251.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 12517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.57 грн
10+40.77 грн
100+33.37 грн
500+27.60 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3_G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a03bbfcd7aac
BSB015N04NX3GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4
BSC010N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 13559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.41 грн
10+95.64 грн
100+70.79 грн
500+53.17 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4
BSC010N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 30586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.57 грн
10+108.70 грн
100+79.45 грн
500+60.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1 Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832
BSC019N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
на замовлення 9942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.90 грн
10+79.57 грн
100+53.52 грн
500+39.75 грн
1000+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]