Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149637) > Сторінка 207 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY8C5667LTI-LP041 CY8C5667LTI-LP041 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1189.13 грн
10+911.54 грн
25+853.22 грн
100+786.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5666AXI-LP004 CY8C5666AXI-LP004 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.07 грн
10+853.64 грн
25+798.42 грн
90+733.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5667AXI-LP040 CY8C5667AXI-LP040 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1514.12 грн
10+1161.66 грн
25+1087.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF IR4321MTRPBF Infineon Technologies ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819 Description: IC AMP CLASS D MONO 90W 22QFN
Features: Depop, Differential Inputs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerVQFN
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Max Output Power x Channels @ Load: 90W x 1 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 22-QFN (3x4)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+146.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IR4322MTRPBF IR4322MTRPBF Infineon Technologies ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d Description: IC AMP CLASS D STEREO 100W 44QFN
Features: Depop
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-PowerVFQFN
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Supply: 46V
Max Output Power x Channels @ Load: 100W x 2 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 44-PQFN (7x7)
Part Status: Active
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.68 грн
10+337.22 грн
25+311.41 грн
100+265.57 грн
250+252.86 грн
500+245.19 грн
1000+234.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF IR4321MTRPBF Infineon Technologies ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819 Description: IC AMP CLASS D MONO 90W 22QFN
Features: Depop, Differential Inputs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerVQFN
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Max Output Power x Channels @ Load: 90W x 1 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 22-QFN (3x4)
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.24 грн
10+252.71 грн
25+238.85 грн
100+194.28 грн
250+184.32 грн
500+165.39 грн
1000+137.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRS44273L-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e9c18ca0cff Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.2V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: SOT-23-5
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
10+33.16 грн
25+29.79 грн
100+24.42 грн
250+22.75 грн
500+21.74 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.91 грн
10+127.29 грн
100+87.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVN012S-TPBF PVN012S-TPBF Infineon Technologies pvn012.pdf?fileId=5546d462533600a401535683f185294d Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2.5 A
Supplier Device Package: 6-SMT
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.68 грн
10+523.38 грн
25+499.76 грн
50+452.93 грн
100+437.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBF IRFH4201TRPBF Infineon Technologies irfh4201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a3f1c1e7c Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBF IRFH4210TRPBF Infineon Technologies irfh4210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a571f1e82 Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213DTRPBF IRFH4213DTRPBF Infineon Technologies irfh4213dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a5db31e84 Description: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBF IRFH4213TRPBF Infineon Technologies irfh4213pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a66431e86 Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4226TRPBF IRFHM4226TRPBF Infineon Technologies irfhm4226pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ffabf1f2d Description: MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBF IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 63W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBF IRFH4201TRPBF Infineon Technologies irfh4201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a3f1c1e7c Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBF IRFH4210TRPBF Infineon Technologies irfh4210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a571f1e82 Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBF IRFH4213TRPBF Infineon Technologies irfh4213pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a66431e86 Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBF IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 63W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.62 грн
10+145.80 грн
100+101.20 грн
500+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies IPx50R1K4CE.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1 IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies IPx50R3K0CE.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies IPx50R1K4CE.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1 IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies IPx50R3K0CE.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.91 грн
50+87.24 грн
100+78.47 грн
500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4504F144F512ABXQMA1 XMC4504F144F512ABXQMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC4500-DS-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e1b56cbe0123 Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 32x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-18
Number of I/O: 91
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3847MTRPBF IR3847MTRPBF Infineon Technologies ir3847m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5711917f1 Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 25A PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3891MTRPBF IR3891MTRPBF Infineon Technologies ir3891m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5c3a9180b Description: IC REG BUCK ADJ 4A DL PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPA60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.59 грн
50+98.72 грн
100+88.99 грн
500+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6 IPD60R600P6 Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R950CEBKMA1 IPU50R950CEBKMA1 Infineon Technologies IPx50R950CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064 Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPX60R190P6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.77 грн
30+144.59 грн
120+118.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA 715N7 E6330 Infineon Technologies BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA 715N7 E6330 Infineon Technologies BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 231N7 E6330 BGA 231N7 E6330 Infineon Technologies BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 231N7 E6330 BGA 231N7 E6330 Infineon Technologies BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA 825L6S E6327 Infineon Technologies BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6 Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA 825L6S E6327 Infineon Technologies BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6 Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA 715N7 E6330 Infineon Technologies BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA231N7E6330XTSA1 BGA231N7E6330XTSA1 Infineon Technologies BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA 825L6S E6327 Infineon Technologies BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6 Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65211-24LTXI CY7C65211-24LTXI Infineon Technologies Infineon-CY7C65211_USB-Serial_Single-Channel_(UART_I2C_SPI)_Bridge_with_CapSense_and_BCD-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eca9336437a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_ Description: IC USB TO SERIAL BRIDGE 24QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Function: Bridge, USB to I2C
Interface: UART
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Current - Supply: 20mA
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.62 грн
10+168.37 грн
25+154.30 грн
100+130.34 грн
490+119.39 грн
980+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65215-32LTXI CY7C65215-32LTXI Infineon Technologies download Description: IC USB TO SERIAL BRIDGE 32QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Function: Bridge, USB to I2C
Interface: UART
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Current - Supply: 20mA
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
10+178.23 грн
25+163.51 грн
100+138.27 грн
490+126.78 грн
980+123.16 грн
1470+119.36 грн
2940+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21867STRPBF IRS21867STRPBF Infineon Technologies Infineon-IRS21867S-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e24fc670c35 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: CMOS, TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 22ns, 18ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 20938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.08 грн
10+100.60 грн
25+91.61 грн
100+76.70 грн
250+72.28 грн
500+69.62 грн
1000+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LS-TPBF PVT312LS-TPBF Infineon Technologies pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Description: SSR RELAY SPST-NO 170MA 0-250V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 170 mA
Supplier Device Package: 6-SMT
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 250 V
On-State Resistance (Max): 15 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 23867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.90 грн
10+324.12 грн
25+309.53 грн
50+280.54 грн
100+270.92 грн
250+258.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 description Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.33 грн
10+65.83 грн
100+43.76 грн
500+32.19 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 12303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.99 грн
10+106.75 грн
100+72.80 грн
500+54.68 грн
1000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 25784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.99 грн
10+120.57 грн
100+82.78 грн
500+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832 Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
на замовлення 9942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.69 грн
10+81.27 грн
100+54.67 грн
500+40.60 грн
1000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 12210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.58 грн
10+142.73 грн
100+98.88 грн
500+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3GATMA1 BSC046N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC046N10NS3G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3GATMA1 BSC046N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC046N10NS3G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC440N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122604520d47f56 Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
на замовлення 10345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.86 грн
10+54.34 грн
100+35.82 грн
500+26.16 грн
1000+23.76 грн
2000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3 Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 8260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.59 грн
10+115.32 грн
100+78.96 грн
500+59.51 грн
1000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5667LTI-LP041 download
CY8C5667LTI-LP041
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1189.13 грн
10+911.54 грн
25+853.22 грн
100+786.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5666AXI-LP004 download
CY8C5666AXI-LP004
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1116.07 грн
10+853.64 грн
25+798.42 грн
90+733.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5667AXI-LP040 download
CY8C5667AXI-LP040
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 67MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1514.12 грн
10+1161.66 грн
25+1087.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819
IR4321MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D MONO 90W 22QFN
Features: Depop, Differential Inputs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerVQFN
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Max Output Power x Channels @ Load: 90W x 1 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 22-QFN (3x4)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+146.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IR4322MTRPBF ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d
IR4322MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D STEREO 100W 44QFN
Features: Depop
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-PowerVFQFN
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Voltage - Supply: 46V
Max Output Power x Channels @ Load: 100W x 2 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 44-PQFN (7x7)
Part Status: Active
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.68 грн
10+337.22 грн
25+311.41 грн
100+265.57 грн
250+252.86 грн
500+245.19 грн
1000+234.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819
IR4321MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CLASS D MONO 90W 22QFN
Features: Depop, Differential Inputs
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerVQFN
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Max Output Power x Channels @ Load: 90W x 1 @ 4Ohm
Supplier Device Package: 22-QFN (3x4)
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.24 грн
10+252.71 грн
25+238.85 грн
100+194.28 грн
250+184.32 грн
500+165.39 грн
1000+137.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF Infineon-IRS44273L-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e9c18ca0cff
IRS44273LTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.2V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: SOT-23-5
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 25ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.71 грн
10+33.16 грн
25+29.79 грн
100+24.42 грн
250+22.75 грн
500+21.74 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.91 грн
10+127.29 грн
100+87.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVN012S-TPBF pvn012.pdf?fileId=5546d462533600a401535683f185294d
PVN012S-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 2.5A 0-20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 2.5 A
Supplier Device Package: 6-SMT
Voltage - Load: 0 V ~ 20 V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.68 грн
10+523.38 грн
25+499.76 грн
50+452.93 грн
100+437.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBF irfh4201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a3f1c1e7c
IRFH4201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBF irfh4210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a571f1e82
IRFH4210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213DTRPBF irfh4213dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a5db31e84
IRFH4213DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBF irfh4213pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a66431e86
IRFH4213TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM4226TRPBF irfhm4226pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ffabf1f2d
IRFHM4226TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBF irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c
IRFH4251DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 63W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBF irfh4201pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a3f1c1e7c
IRFH4201TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4210TRPBF irfh4210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a571f1e82
IRFH4210TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4213TRPBF irfh4213pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a66431e86
IRFH4213TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4251DTRPBF irfh4251dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a7de51e8c
IRFH4251DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 63W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 188A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e
IRFH4253DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4253DTRPBF irfh4253dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a847c1e8e
IRFH4253DTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 31W, 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.62 грн
10+145.80 грн
100+101.20 грн
500+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPx50R1K4CE.pdf
IPD50R1K4CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1 IPx50R3K0CE.pdf
IPD50R3K0CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPx50R1K4CE.pdf
IPD50R1K4CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R3K0CEBTMA1 IPx50R3K0CE.pdf
IPD50R3K0CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb
IPP50R190CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.91 грн
50+87.24 грн
100+78.47 грн
500+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4504F144F512ABXQMA1 Infineon-XMC4500-DS-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e1b56cbe0123
XMC4504F144F512ABXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 32x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-18
Number of I/O: 91
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3847MTRPBF ir3847m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5711917f1
IR3847MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 25A PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3891MTRPBF ir3891m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5c3a9180b
IR3891MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 4A DL PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 DS_IPA60R190P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.59 грн
50+98.72 грн
100+88.99 грн
500+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 DS_IPA60R600P6_2_0_Approved.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPA60R600P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P6 DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPD60R600P6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6XKSA1 DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPP60R600P6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU50R950CEBKMA1 IPx50R950CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064
IPU50R950CEBKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 Infineon-IPX60R190P6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f37c80e24240f
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.77 грн
30+144.59 грн
120+118.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb
BGA 715N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb
BGA 715N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 231N7 E6330 BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d
BGA 231N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 231N7 E6330 BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d
BGA 231N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6
BGA 825L6S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6
BGA 825L6S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 715N7 E6330 BGA715N7.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433db6f09f013dcae19fc754fb
BGA 715N7 E6330
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GPS 3.3V 3.3MA TSLP7-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA231N7E6330XTSA1 BGA231N7_v1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30432f69f146012f78199f332d8d
BGA231N7E6330XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS TSLP-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 825L6S E6327 BGA825L6S.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433cd75ebf013cf2684b7427e6
BGA 825L6S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LNA SIGE GPS 6TSLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65211-24LTXI Infineon-CY7C65211_USB-Serial_Single-Channel_(UART_I2C_SPI)_Bridge_with_CapSense_and_BCD-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eca9336437a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_
CY7C65211-24LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB TO SERIAL BRIDGE 24QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Function: Bridge, USB to I2C
Interface: UART
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Current - Supply: 20mA
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.62 грн
10+168.37 грн
25+154.30 грн
100+130.34 грн
490+119.39 грн
980+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65215-32LTXI download
CY7C65215-32LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB TO SERIAL BRIDGE 32QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Function: Bridge, USB to I2C
Interface: UART
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Current - Supply: 20mA
Protocol: USB
Standards: USB 2.0
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.90 грн
10+178.23 грн
25+163.51 грн
100+138.27 грн
490+126.78 грн
980+123.16 грн
1470+119.36 грн
2940+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21867STRPBF Infineon-IRS21867S-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e24fc670c35
IRS21867STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: CMOS, TTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 22ns, 18ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 20938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.08 грн
10+100.60 грн
25+91.61 грн
100+76.70 грн
250+72.28 грн
500+69.62 грн
1000+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LS-TPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
PVT312LS-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 170MA 0-250V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 170 mA
Supplier Device Package: 6-SMT
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 250 V
On-State Resistance (Max): 15 Ohms
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Approval Agency: UL
на замовлення 23867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.90 грн
10+324.12 грн
25+309.53 грн
50+280.54 грн
100+270.92 грн
250+258.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
IRFR3410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 5253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.33 грн
10+65.83 грн
100+43.76 грн
500+32.19 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4
BSC010N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 12303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.99 грн
10+106.75 грн
100+72.80 грн
500+54.68 грн
1000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4
BSC010N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 25784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.99 грн
10+120.57 грн
100+82.78 грн
500+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1 Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832
BSC019N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
на замовлення 9942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.69 грн
10+81.27 грн
100+54.67 грн
500+40.60 грн
1000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 12210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.58 грн
10+142.73 грн
100+98.88 грн
500+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
BSC036NE7NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3GATMA1 BSC046N10NS3G.pdf
BSC046N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC046N10NS3GATMA1 BSC046N10NS3G.pdf
BSC046N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC440N10NS3GATMA1 BSC440N10NS3+Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122604520d47f56
BSC440N10NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
на замовлення 10345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.86 грн
10+54.34 грн
100+35.82 грн
500+26.16 грн
1000+23.76 грн
2000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3
BSC500N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
на замовлення 8260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.59 грн
10+115.32 грн
100+78.96 грн
500+59.51 грн
1000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]