Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (127306) > Сторінка 2122 з 2122
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP Mounting: THT Power dissipation: 47W Gate charge: 81nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO220FP On-state resistance: 9.3mΩ |
на замовлення 970 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BSL806NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TDA387400000AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| TDA38740A0000AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - DC/DC circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKCM30F60GDXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; half-bridge; DIP,PowerDIP24; 30A; 600V; Iout max: 30A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: half-bridge Case: DIP; PowerDIP24 Output current: 30A Output voltage: 600V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Maximum output current: 30A Frequency: 20kHz |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY7C68013A-100AXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: I2C,USB 2.0; TQFP100 Interface: I2C; USB 2.0 Case: TQFP100 Mounting: SMD Number of inputs/outputs: 40 Data transfer rate: 12Mbps Number of channels: 1 |
на замовлення 720 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BTS6133DAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW75N65EH5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247 Type of transistor: IGBT Technology: Trench Case: TO247 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 90A Collector-emitter voltage: 650V |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
BSP752T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.15Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 52V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BTS3011TEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPI076N12N3GAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3 Mounting: THT Power dissipation: 168W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO262-3 On-state resistance: 7.6mΩ |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPA60R160P6 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 600V; 23.8A; Idm: 68A; 34W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 34W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 68A Gate charge: 44nC |
на замовлення 537 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FP50R06W2E3B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A Type of semiconductor module: IGBT Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Collector current: 50A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 175W Technology: EasyPIM™ 2B Case: AG-EASY2B-2 Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 100A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FP50R06W2E3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 65A Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 175W Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 3.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2446 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD70R1K4P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2.5A Power dissipation: 22.7W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD95R450P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 8.6A Power dissipation: 104W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Gate charge: 35nC Version: ESD |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 37W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Version: ESD |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD80R2K0P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 24W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 9nC Version: ESD |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IHW20N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Pulsed collector current: 60A Turn-off time: 257ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 97nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW20N65ET7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPA20N65C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| T1620N65TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 2.53kA; 2.29kA; Igt: 350mA Case: DO200AE Mounting: Press-Pack Kind of package: in-tray Max. off-state voltage: 6.5kV Body dimensions: Ø111/Ø75mm Load current: 2.29kA Max. load current: 2.53kA Type of thyristor: hockey-puck Max. forward impulse current: 36kA Gate current: 350mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKWH20N65WR6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKY120N65EH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 498W; TO247-4; Eoff: 1.5mJ Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 498W Case: TO247-4 Mounting: THT Pulsed collector current: 480A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 160A Turn-off switching energy: 1.5mJ Turn-on switching energy: 1.7mJ Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 244nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB020N10N5LFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPC020N10L3X1SA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 69830 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPT020N10N3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: HSOF-8 On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Semiconductor structure: single transistor |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| AUIR3242STRXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPB600N25N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Power dissipation: 136W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD600N25N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 250V Drain current: 25A Case: DPAK On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPTG039N15NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPTG044N15NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPTG054N15NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPTG063N15NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IRFR6215TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPI80N06S407AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 58A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 79W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T2 |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPB80N06S209ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB80N06S2H5ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB80N06S2L06ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BC847CE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPD70R600P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Power dissipation: 43.1W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFI4410ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 47W
Gate charge: 81nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 9.3mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 47W
Gate charge: 81nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 9.3mΩ
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 165.37 грн |
| 10+ | 130.65 грн |
| 50+ | 121.32 грн |
| BSL806NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TDA387400000AUMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TDA38740A0000AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKCM30F60GDXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; DIP,PowerDIP24; 30A; 600V; Iout max: 30A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: DIP; PowerDIP24
Output current: 30A
Output voltage: 600V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 30A
Frequency: 20kHz
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; DIP,PowerDIP24; 30A; 600V; Iout max: 30A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: DIP; PowerDIP24
Output current: 30A
Output voltage: 600V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 30A
Frequency: 20kHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C68013A-100AXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: I2C,USB 2.0; TQFP100
Interface: I2C; USB 2.0
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Number of inputs/outputs: 40
Data transfer rate: 12Mbps
Number of channels: 1
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: I2C,USB 2.0; TQFP100
Interface: I2C; USB 2.0
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Number of inputs/outputs: 40
Data transfer rate: 12Mbps
Number of channels: 1
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 720+ | 3397.91 грн |
| BTS6133DAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW75N65EH5 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Case: TO247
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 650V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 650V; 90A; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Case: TO247
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 498.86 грн |
| 30+ | 422.50 грн |
| 50+ | 414.02 грн |
| 100+ | 367.36 грн |
| 200+ | 363.96 грн |
| BSP752T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS3011TEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPI076N12N3GAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 7.6mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 100A; 168W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 7.6mΩ
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.19 грн |
| 50+ | 130.65 грн |
| 100+ | 121.32 грн |
| IPA60R160P6 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 23.8A; Idm: 68A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 23.8A; Idm: 68A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 44nC
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 243.03 грн |
| 30+ | 193.44 грн |
| 50+ | 186.65 грн |
| 100+ | 181.56 грн |
| 200+ | 161.20 грн |
| FP50R06W2E3B11BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: EasyPIM™ 2B
Case: AG-EASY2B-2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: EasyPIM™ 2B
Case: AG-EASY2B-2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R06W2E3BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 65A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 65A; Inverter; 175W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 65A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 175W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 101.42 грн |
| 10+ | 62.27 грн |
| 25+ | 52.26 грн |
| 75+ | 42.76 грн |
| 100+ | 40.72 грн |
| 500+ | 33.94 грн |
| IPD70R1K4P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 40.20 грн |
| 15+ | 29.27 грн |
| 50+ | 23.33 грн |
| 100+ | 22.31 грн |
| IPD95R450P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 194.61 грн |
| 5+ | 145.08 грн |
| 10+ | 128.11 грн |
| 25+ | 117.93 грн |
| IPD80R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 108.73 грн |
| 10+ | 73.30 грн |
| 50+ | 50.82 грн |
| 100+ | 43.78 грн |
| 250+ | 36.65 грн |
| 500+ | 35.04 грн |
| IPD80R2K0P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 91.37 грн |
| 10+ | 53.62 грн |
| 100+ | 36.82 грн |
| IHW20N65R5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 97nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 60A
Turn-off time: 257ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 97nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW20N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPA20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T1620N65TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 2.53kA; 2.29kA; Igt: 350mA
Case: DO200AE
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. off-state voltage: 6.5kV
Body dimensions: Ø111/Ø75mm
Load current: 2.29kA
Max. load current: 2.53kA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 36kA
Gate current: 350mA
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 2.53kA; 2.29kA; Igt: 350mA
Case: DO200AE
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Max. off-state voltage: 6.5kV
Body dimensions: Ø111/Ø75mm
Load current: 2.29kA
Max. load current: 2.53kA
Type of thyristor: hockey-puck
Max. forward impulse current: 36kA
Gate current: 350mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKWH20N65WR6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKY120N65EH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 498W; TO247-4; Eoff: 1.5mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 498W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Turn-off switching energy: 1.5mJ
Turn-on switching energy: 1.7mJ
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 244nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 160A; 498W; TO247-4; Eoff: 1.5mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 498W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Turn-off switching energy: 1.5mJ
Turn-on switching energy: 1.7mJ
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 244nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB020N10N5LFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC020N10L3X1SA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 69830 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT020N10N3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 640.48 грн |
| 10+ | 545.52 грн |
| 30+ | 512.43 грн |
| 50+ | 505.65 грн |
| 60+ | 453.89 грн |
| 100+ | 450.50 грн |
| AUIR3242STRXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD600N25N3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Case: DPAK
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 25A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Case: DPAK
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 215.62 грн |
| 30+ | 167.14 грн |
| 50+ | 161.20 грн |
| 100+ | 156.11 грн |
| 300+ | 137.44 грн |
| 500+ | 136.59 грн |
| IPTG039N15NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG044N15NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG054N15NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPTG063N15NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR6215TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPI80N06S407AKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 119.62 грн |
| 10+ | 105.20 грн |
| 50+ | 103.50 грн |
| IPB80N06S209ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB80N06S2H5ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB80N06S2L06ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB80N06S2L11ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB80N06S407ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB80N06S4L07ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC847CE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD70R600P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.












