Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128813) > Сторінка 2124 з 2147
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB52N15DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB7534PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 294W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 186nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET® |
на замовлення 629 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDP30E120XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Case: TO220-2 Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Mounting: THT |
на замовлення 538 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDP18E120XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 18A; TO220-2; tube Type of diode: rectifying Case: TO220-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 18A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube |
на замовлення 731 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDV15E65D2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220FP-2; tube Type of diode: rectifying Case: TO220FP-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDW15E65D2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; Ifsm: 100A; TO247-3; tube Type of diode: rectifying Case: TO247-3 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Max. forward impulse current: 100A Kind of package: tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDP15E65D2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220-2; tube; 47ns Mounting: THT Max. forward impulse current: 100A Features of semiconductor devices: fast switching Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 47ns |
на замовлення 325 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDP40E65D2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO220-2; tube; 36ns Type of diode: rectifying Case: TO220-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Max. forward impulse current: 250A Kind of package: tube Reverse recovery time: 36ns |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IDV08E65D2XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 650V; 8A; Ifsm: 60A; TO220FP-2; tube; 40ns Type of diode: rectifying Case: TO220FP-2 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Max. forward impulse current: 60A Kind of package: tube Reverse recovery time: 40ns |
на замовлення 195 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BAS140WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW Mounting: SMD Max. forward impulse current: 0.2A Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.25W Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.12A Semiconductor structure: single diode Case: SOD323 Type of diode: Schottky switching |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 4DIR0400HXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Optocouplers - UnclassifiedDescription: 4DIR0400HXUMA1 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 4DIR0401HXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Optocouplers - UnclassifiedDescription: 4DIR0401HXUMA1 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22AATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPG20N10S4L22ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISC035N10NM5LF2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BGA614H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: operational amplifier Type of integrated circuit: operational amplifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
TT330N16KOF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Thyristor modulesDescription: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw Type of semiconductor module: thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 330A Case: BG-PB50AT-1 Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 10kA Gate current: 200mA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TD330N16KOFHPSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V Type of semiconductor module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 330A Case: BG-PB50AT-1 Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 12.5kA Gate current: 200mA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Max. load current: 330A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| T1330N22TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA Max. off-state voltage: 2.2kV Load current: 1.33kA Case: TO200AC Max. forward impulse current: 26.5kA Gate current: 250mA Mounting: Press-Pack Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Body dimensions: Ø75/Ø50mm Max. load current: 2.6kA Kind of package: in-tray Type of thyristor: hockey-puck |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TD330N16AOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode Type of semiconductor module: diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TD330N16KOFTIMHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA Type of semiconductor module: diode-thyristor Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 330A Max. forward voltage: 1.28V Max. forward impulse current: 12.5kA Gate current: 200mA Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TD330N18AOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Thyristor modules Description: Module: thyristor Type of semiconductor module: thyristor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| S29CD016J0MQFM010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80 Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 16Mb FLASH Interface: CFI; parallel burst Operating voltage: 2.5...2.75V Operating frequency: 56MHz Case: PQFP80 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray Application: automotive |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 132 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSG0812NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -39.6A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSZ180P03NS3EGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 18mΩ Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -39.6A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BAT1504WH2110XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching Type of diode: Schottky switching |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 90000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BSG0811NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 31A; 6.25W; PG-TISON-8-4 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 31A Power dissipation: 6.25W Case: PG-TISON-8-4 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSG0813NDIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IR2235JPbF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1134 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IR2235JTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IR2135JTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 6EDL04I06PTXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-DSO-28 Output current: -0.375...0.24A Number of channels: 6 Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 13...17.5V Voltage class: 600V Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IR2085STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Mounting: SMD Supply voltage: 10...15V DC Output current: -1...1A Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 100V Power: 1W Kind of package: reel; tape Case: SO8 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IR2085STRPBFXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
AUIR2085STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Mounting: SMD Output current: -1...1A Type of integrated circuit: driver Voltage class: 100V Power: 625mW Kind of package: reel; tape Case: SO8 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...15V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF7853TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IAUC50N08S5L096ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 16A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 60W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IPB60R060P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 164W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 67nC Kind of package: reel |
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 395 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IPA60R060P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Power dissipation: 29W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IPZA60R060P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 164W Case: PG-TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC847PNH6727XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IDP15E65D1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 120A; TO220-2; tube Mounting: THT Max. forward impulse current: 120A Features of semiconductor devices: fast switching Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: rectifying |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IPD42DP15LMATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; 83W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Power dissipation: 83W Gate charge: 43nC Polarisation: unipolar Drain current: -9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -150V Type of transistor: P-MOSFET Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 0.42Ω |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ISC16DP15LMATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ISZ75DP15LMATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
SPP15P10PLHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Power dissipation: 128W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: -15A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCX70HE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCX70HE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
CYPD3171-24LQXQT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface; I2C,SPI,UART,USB 3.0; USB controller; 3.3VDC Type of integrated circuit: USB interface Interface: I2C; SPI; UART; USB 3.0 Kind of integrated circuit: USB controller Supply voltage: 3.3V DC Case: QFN24 Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CYPD3177-24LQXQT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CYPD3135-32LQXQ | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4900 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CYPD3135-32LQXQT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CYPD3135-40LQXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CYPD3135-40LQXQ | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4900 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| CYPD3171-24LQXQ | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: USB interfaces - integrated circuitsDescription: IC: USB interface Type of integrated circuit: USB interface |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4900 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 209.40 грн |
| 5+ | 122.15 грн |
| 10+ | 115.50 грн |
| 25+ | 108.86 грн |
| 50+ | 104.70 грн |
| 100+ | 99.72 грн |
| IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 135.13 грн |
| 5+ | 102.21 грн |
| 10+ | 92.24 грн |
| 25+ | 82.27 грн |
| 50+ | 74.79 грн |
| 100+ | 68.14 грн |
| 250+ | 63.15 грн |
| 500+ | 62.32 грн |
| IDP30E120XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO220-2
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Case: TO220-2
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 195.09 грн |
| 10+ | 109.69 грн |
| 20+ | 96.39 грн |
| 50+ | 83.10 грн |
| 100+ | 81.43 грн |
| IDP18E120XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 18A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 18A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 112.18 грн |
| 10+ | 103.87 грн |
| IDV15E65D2XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220FP-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220FP-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 91.28 грн |
| 7+ | 64.82 грн |
| 10+ | 56.51 грн |
| IDW15E65D2FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; Ifsm: 100A; TO247-3; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; Ifsm: 100A; TO247-3; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 447.44 грн |
| IDP15E65D2XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220-2; tube; 47ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 47ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220-2; tube; 47ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 47ns
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 69.30 грн |
| 10+ | 62.82 грн |
| 50+ | 50.61 грн |
| 100+ | 47.03 грн |
| IDP40E65D2XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO220-2; tube; 36ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 36ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO220-2; tube; 36ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 36ns
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 139.60 грн |
| 10+ | 103.04 грн |
| IDV08E65D2XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 8A; Ifsm: 60A; TO220FP-2; tube; 40ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 8A; Ifsm: 60A; TO220FP-2; tube; 40ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 59.06 грн |
| 9+ | 47.86 грн |
| 10+ | 45.70 грн |
| BAS140WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 4DIR0400HXUMA1 |
![]() |
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 90.38 грн |
| 4DIR0401HXUMA1 |
![]() |
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 90.38 грн |
| IPG20N10S4L22AATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPG20N10S4L22ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB35N10S3L26ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB35N10S3L26ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISC035N10NM5LF2ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGA614H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TT330N16KOF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 21665.20 грн |
| TD330N16KOFHPSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| T1330N22TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.33kA
Case: TO200AC
Max. forward impulse current: 26.5kA
Gate current: 250mA
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Body dimensions: Ø75/Ø50mm
Max. load current: 2.6kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.33kA
Case: TO200AC
Max. forward impulse current: 26.5kA
Gate current: 250mA
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Body dimensions: Ø75/Ø50mm
Max. load current: 2.6kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TD330N16AOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TD330N16KOFTIMHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Mechanical mounting: screw
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TD330N18AOFHPSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S29CD016J0MQFM010 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 56MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 56MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCW68FE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSG0812NDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ180P03NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ180P03NS3EGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BAT1504WH2110XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSG0811NDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 31A; 6.25W; PG-TISON-8-4
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 31A
Power dissipation: 6.25W
Case: PG-TISON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 31A; 6.25W; PG-TISON-8-4
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 31A
Power dissipation: 6.25W
Case: PG-TISON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSG0813NDIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2235JPbF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1134 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2235JTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2135JTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 6EDL04I06PTXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 13...17.5V
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 13...17.5V
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2085STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Output current: -1...1A
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 100V
Power: 1W
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Output current: -1...1A
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 100V
Power: 1W
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IR2085STRPBFXUMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AUIR2085STR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 100V
Power: 625mW
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...15V DC
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 100V
Power: 625mW
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...15V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7853TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 127.97 грн |
| 10+ | 75.37 грн |
| 100+ | 51.44 грн |
| 250+ | 44.96 грн |
| 500+ | 40.97 грн |
| 1000+ | 37.48 грн |
| IAUC50N08S5L096ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB60R060P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 280.04 грн |
| 10+ | 254.28 грн |
| IPA60R060P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 404.49 грн |
| 10+ | 277.54 грн |
| 50+ | 217.71 грн |
| 100+ | 211.90 грн |
| IPA60R060P7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPZA60R060P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC847PNH6727XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IDP15E65D1XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 120A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 120A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD42DP15LMATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.42Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.42Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISC16DP15LMATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISZ75DP15LMATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPP15P10PLHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 128W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 128W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 198.66 грн |
| 5+ | 142.93 грн |
| 10+ | 125.48 грн |
| 50+ | 93.90 грн |
| 100+ | 83.93 грн |
| BCX70HE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX70HE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYPD3171-24LQXQT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; I2C,SPI,UART,USB 3.0; USB controller; 3.3VDC
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: I2C; SPI; UART; USB 3.0
Kind of integrated circuit: USB controller
Supply voltage: 3.3V DC
Case: QFN24
Mounting: SMD
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; I2C,SPI,UART,USB 3.0; USB controller; 3.3VDC
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: I2C; SPI; UART; USB 3.0
Kind of integrated circuit: USB controller
Supply voltage: 3.3V DC
Case: QFN24
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYPD3177-24LQXQT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYPD3135-32LQXQ |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYPD3135-32LQXQT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYPD3135-40LQXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYPD3135-40LQXQ |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYPD3171-24LQXQ |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику
од. на суму грн.






















