Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124872) > Сторінка 293 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY14B101Q3-SFXI CY14B101Q3-SFXI Infineon Technologies download Description: IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 8
Memory Interface: SPI
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Format: NVSRAM
Clock Frequency: 40 MHz
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.83 грн
10+775.91 грн
25+758.31 грн
50+707.81 грн
100+623.10 грн
250+592.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHSS20 S29GL01GT10DHSS20 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90TFAR10 S29GL256N90TFAR10 Infineon Technologies Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Qualification: AEC-Q100
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 8, 16M x 16
Access Time: 90 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90TFAR13 S29GL256N90TFAR13 Infineon Technologies infineon-s29gl512n-s29gl256n-s29gl128n-512-256-128-mbit-3-v-page-flash-featuring-110-nm-mirrorbit-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7c63d5937&utm_source=cypress&utm_medium=r Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 32M x 8, 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14V101QS-BK108XQT CY14V101QS-BK108XQT Infineon Technologies Infineon-CY14V101QS_1-Mbit_(128K_8)_Quad_SPI_nvSRAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed151594d8a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC NVSRAM 1MBIT SPI 24FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 8
Memory Interface: SPI
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Format: NVSRAM
Clock Frequency: 108 MHz
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFAR22 S29GL256N90FFAR22 Infineon Technologies infineon-s29gl512n-s29gl256n-s29gl128n-512-256-128-mbit-3-v-page-flash-featuring-110-nm-mirrorbit-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7c63d5937&utm_source=cypress&utm_medium=r Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 8, 16M x 16
Access Time: 90 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY90F562BPMC-GE1 CY90F562BPMC-GE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (12x12)
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90F462P-G-SHE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT 64KB FLSH 64-SH-DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY90F562PMCR-GE1 CY90F562PMCR-GE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (12x12)
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62187EV18LL-70BAXI Infineon Technologies Description: MICROPOWER SRAMS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4022KV13-106FCXC CY7C4022KV13-106FCXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 361-BBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.26V ~ 1.34V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR IV
Clock Frequency: 1.066 GHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 361-FCBGA (21x21)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4042KV13-106FCXC CY7C4042KV13-106FCXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 361-BBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.26V ~ 1.34V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR IV
Clock Frequency: 1.066 GHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 361-FCBGA (21x21)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-143A-TRAY Infineon Technologies Description: DEVELOPMENT KIT
Packaging: Tray
For Use With/Related Products: PSoC® 4 BLE
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® Smart 4.x Low Energy (BLE)
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYDP1049 Infineon Technologies Description: DEVELOPMENT KIT
Packaging: Bulk
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY29430FLQXI Infineon Technologies Infineon-CY29430_HIGH-PERFORMANCE_CLOCK_SYNTHESIZER-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1935767a0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: XTAL OSC PROG BLANK 15MHZ-2.1GHZ
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:1
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.63V
Package / Case: 16-UFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: VCXO
Frequency - Max: 2.1GHz
Output: CML, HCSL, LVDS, LVPECL
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212019-SHIELD Infineon Technologies Description: MODULE KIT
Platform: Arduino
Utilized IC / Part: CYBLE-212019-00
Contents: Board(s)
Type: RF
Function: Bluetooth Low Energy (BLE)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-PG FM25V10-PG Infineon Technologies Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABBHV033 S25FL064LABBHV033 Infineon Technologies Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24BGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Supplier Device Package: 24-BGA (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 108 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFN010 S25FL064LABMFN010 Infineon Technologies infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+115.17 грн
25+111.85 грн
50+102.65 грн
100+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV011 S25FL064LABNFV011 Infineon Technologies Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7424FXTMA1 2EDN7424FXTMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN7424F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5e4ef0083f67 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-60
Rise / Fall Time (Typ): 6.4ns, 5.4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+37.17 грн
25+33.44 грн
100+27.55 грн
250+25.71 грн
500+24.60 грн
1000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC13DN30NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d5c940fc0d9a Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.70 грн
10+174.78 грн
100+123.17 грн
500+94.92 грн
1000+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC350N20NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d6094ce00ea0 Description: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC670N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d61b96e90ee7 Description: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10VDXTSA1 CDM10VDXTSA1 Infineon Technologies Infineon-CDM10VD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba52a268c663a Description: IC DIMMER FLEXIBLE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
13+24.16 грн
25+21.60 грн
100+17.64 грн
250+16.38 грн
500+15.62 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10VD2XTSA1 CDM10VD2XTSA1 Infineon Technologies Infineon-CDM10VD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba52a268c663a Description: IC DIMMER FLEXIBLE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
13+24.16 грн
25+21.60 грн
100+17.62 грн
250+16.36 грн
500+15.60 грн
1000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10V2XTSA1 CDM10V2XTSA1 Infineon Technologies Infineon-CDM10V-2-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba5215cb66632 Description: IC DIMMER 0-10V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10V2XTSA1 CDM10V2XTSA1 Infineon Technologies Infineon-CDM10V-2-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba5215cb66632 Description: IC DIMMER 0-10V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+23.18 грн
25+20.73 грн
100+16.91 грн
250+15.69 грн
500+14.96 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1680AGXUMA1 ICE5QR1680AGXUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0003555962-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC CTLR QUASI-RES FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Not For New Designs
Power (Watts): 50 W
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+114.72 грн
25+104.73 грн
100+87.94 грн
250+83.01 грн
500+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4770AGXUMA1 ICE5QR4770AGXUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0003555962-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Not For New Designs
Power (Watts): 27 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC233LP32F200FABKXUMA1 TC233LP32F200FABKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 192K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-3
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1061.66 грн
10+808.97 грн
25+755.59 грн
100+654.06 грн
250+649.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC233LP32F200NACKXUMA1 TC233LP32F200NACKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 192K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1216.21 грн
10+930.87 грн
25+870.73 грн
100+755.18 грн
250+753.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPD180N10N3_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.85 грн
100+52.24 грн
500+38.70 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9879EVALKITTOBO1 TLE9879EVALKITTOBO1 Infineon Technologies Infineon-TLE9879-EvalKit-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014eb587aeb53373 Description: EV KIT TLE9879 MOTOR DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: TLE9879
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6115.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FF11MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0c327a620aea Description: MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF23MR12W1M1B11BOMA1 FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FF23MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c626bf32e23af Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6627.79 грн
24+4980.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4287da753ee9 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94 Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r600p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r900p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 IPP80R900P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp80r900p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ipu80r900p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
75+46.85 грн
150+41.98 грн
525+32.88 грн
1050+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 IPP80R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp80r360p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 IPW80R360P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.29 грн
30+134.59 грн
120+109.84 грн
510+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ips80r900p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K0P7AKMA1 IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b479bed537056 Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K0P7AKMA1 IPS80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ips80r2k0p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1 IPU80R3K3P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K2P7XKSA1 IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1 IPP80R750P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp80r750p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 IPP80R600P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp80r600p7-ds-en.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06 Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185 Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies infineon-ipu80r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1 IPU80R600P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455 Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.53 грн
75+74.31 грн
150+66.95 грн
525+53.02 грн
1050+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B101Q3-SFXI download
CY14B101Q3-SFXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 8
Memory Interface: SPI
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Format: NVSRAM
Clock Frequency: 40 MHz
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+869.83 грн
10+775.91 грн
25+758.31 грн
50+707.81 грн
100+623.10 грн
250+592.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10DHSS20 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL01GT10DHSS20
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90TFAR10
S29GL256N90TFAR10
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Qualification: AEC-Q100
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 8, 16M x 16
Access Time: 90 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90TFAR13 infineon-s29gl512n-s29gl256n-s29gl128n-512-256-128-mbit-3-v-page-flash-featuring-110-nm-mirrorbit-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7c63d5937&utm_source=cypress&utm_medium=r
S29GL256N90TFAR13
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 32M x 8, 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14V101QS-BK108XQT Infineon-CY14V101QS_1-Mbit_(128K_8)_Quad_SPI_nvSRAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed151594d8a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY14V101QS-BK108XQT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 1MBIT SPI 24FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 8
Memory Interface: SPI
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Format: NVSRAM
Clock Frequency: 108 MHz
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256N90FFAR22 infineon-s29gl512n-s29gl256n-s29gl128n-512-256-128-mbit-3-v-page-flash-featuring-110-nm-mirrorbit-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7c63d5937&utm_source=cypress&utm_medium=r
S29GL256N90FFAR22
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32M x 8, 16M x 16
Access Time: 90 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY90F562BPMC-GE1
CY90F562BPMC-GE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (12x12)
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90F462P-G-SHE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB FLSH 64-SH-DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY90F562PMCR-GE1
CY90F562PMCR-GE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-16LX
Data Converters: A/D 8x8/10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (12x12)
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62187EV18LL-70BAXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: MICROPOWER SRAMS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4022KV13-106FCXC download
CY7C4022KV13-106FCXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 361-BBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.26V ~ 1.34V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR IV
Clock Frequency: 1.066 GHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 361-FCBGA (21x21)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4042KV13-106FCXC download
CY7C4042KV13-106FCXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 361-BBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.26V ~ 1.34V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR IV
Clock Frequency: 1.066 GHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 361-FCBGA (21x21)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-143A-TRAY
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEVELOPMENT KIT
Packaging: Tray
For Use With/Related Products: PSoC® 4 BLE
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; Bluetooth® Smart 4.x Low Energy (BLE)
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYDP1049
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEVELOPMENT KIT
Packaging: Bulk
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY29430FLQXI Infineon-CY29430_HIGH-PERFORMANCE_CLOCK_SYNTHESIZER-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1935767a0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: Infineon Technologies
Description: XTAL OSC PROG BLANK 15MHZ-2.1GHZ
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:1
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.63V
Package / Case: 16-UFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Type: VCXO
Frequency - Max: 2.1GHz
Output: CML, HCSL, LVDS, LVPECL
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212019-SHIELD
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE KIT
Platform: Arduino
Utilized IC / Part: CYBLE-212019-00
Contents: Board(s)
Type: RF
Function: Bluetooth Low Energy (BLE)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-PG Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25V10-PG
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABBHV033 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL064LABBHV033
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24BGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 8M x 8
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Supplier Device Package: 24-BGA (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 108 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFN010 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
S25FL064LABMFN010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.37 грн
10+115.17 грн
25+111.85 грн
50+102.65 грн
100+100.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV011 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL064LABNFV011
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7424FXTMA1 Infineon-2EDN7424F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c5e4ef0083f67
2EDN7424FXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-60
Rise / Fall Time (Typ): 6.4ns, 5.4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.36 грн
10+37.17 грн
25+33.44 грн
100+27.55 грн
250+25.71 грн
500+24.60 грн
1000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon-BSC13DN30NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d5c940fc0d9a
BSC13DN30NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.70 грн
10+174.78 грн
100+123.17 грн
500+94.92 грн
1000+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC350N20NSFDATMA1 Infineon-BSC350N20NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d6094ce00ea0
BSC350N20NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC670N25NSFDATMA1 Infineon-BSC670N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d61b96e90ee7
BSC670N25NSFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10VDXTSA1 Infineon-CDM10VD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba52a268c663a
CDM10VDXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DIMMER FLEXIBLE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
13+24.16 грн
25+21.60 грн
100+17.64 грн
250+16.38 грн
500+15.62 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10VD2XTSA1 Infineon-CDM10VD-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba52a268c663a
CDM10VD2XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DIMMER FLEXIBLE SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
13+24.16 грн
25+21.60 грн
100+17.62 грн
250+16.36 грн
500+15.60 грн
1000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10V2XTSA1 Infineon-CDM10V-2-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba5215cb66632
CDM10V2XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DIMMER 0-10V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10V2XTSA1 Infineon-CDM10V-2-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015ba5215cb66632
CDM10V2XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DIMMER 0-10V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
13+23.18 грн
25+20.73 грн
100+16.91 грн
250+15.69 грн
500+14.96 грн
1000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1680AGXUMA1 INFN-S-A0003555962-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE5QR1680AGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CTLR QUASI-RES FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Not For New Designs
Power (Watts): 50 W
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.76 грн
10+114.72 грн
25+104.73 грн
100+87.94 грн
250+83.01 грн
500+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4770AGXUMA1 INFN-S-A0003555962-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE5QR4770AGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Not For New Designs
Power (Watts): 27 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC233LP32F200FABKXUMA1 Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee
TC233LP32F200FABKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 192K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-3
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1061.66 грн
10+808.97 грн
25+755.59 грн
100+654.06 грн
250+649.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC233LP32F200NACKXUMA1 Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401695316f3d103ee
TC233LP32F200NACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 192K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 24x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Connectivity: CANbus, FlexRay, LINbus, QSPI
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1216.21 грн
10+930.87 грн
25+870.73 грн
100+755.18 грн
250+753.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3_G.pdf
IPD180N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.37 грн
10+77.85 грн
100+52.24 грн
500+38.70 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9879EVALKITTOBO1 Infineon-TLE9879-EvalKit-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014eb587aeb53373
TLE9879EVALKITTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EV KIT TLE9879 MOTOR DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: TLE9879
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6115.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon-FF11MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0c327a620aea
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon-FF23MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c626bf32e23af
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6627.79 грн
24+4980.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 Infineon-IPD80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4287da753ee9
IPD80R900P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1 Infineon-IPD80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b425a44e73e94
IPD80R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b423eae833e5a
IPD80R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1 INFN-S-A0004583823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD80R3K3P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1 infineon-ipd80r600p7-datasheet-en.pdf
IPD80R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 infineon-ipd80r1k2p7-datasheet-en.pdf
IPD80R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0
IPD80R750P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon-IPD80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce9ed17f348ed
IPD80R2K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 infineon-ipa80r900p7-datasheet-en.pdf
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 infineon-ipp80r900p7-ds-en.pdf
IPP80R900P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 infineon-ipu80r900p7-datasheet-en.pdf
IPU80R900P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.51 грн
75+46.85 грн
150+41.98 грн
525+32.88 грн
1050+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 infineon-ipp80r360p7-ds-en.pdf
IPP80R360P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a
IPW80R360P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.29 грн
30+134.59 грн
120+109.84 грн
510+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 infineon-ips80r900p7-datasheet-en.pdf
IPS80R900P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K0P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b479bed537056
IPU80R2K0P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R2K0P7AKMA1 infineon-ips80r2k0p7-datasheet-en.pdf
IPS80R2K0P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-342
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R3K3P7AKMA1 Infineon-IPU80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c1098872e3e4f
IPU80R3K3P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K2P7XKSA1 infineon-ipa80r1k2p7-datasheet-en.pdf
IPA80R1K2P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 infineon-ipp80r1k2p7-ds-en.pdf
IPP80R1K2P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1 infineon-ipp80r750p7-ds-en.pdf
IPP80R750P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R600P7XKSA1 infineon-ipp80r600p7-ds-en.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c108f62163d06
IPP80R600P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185
IPU80R2K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 infineon-ipu80r1k2p7-datasheet-en.pdf
IPU80R1K2P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1 Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455
IPU80R600P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.53 грн
75+74.31 грн
150+66.95 грн
525+53.02 грн
1050+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 288 289 290 291 292 293 294 295 296 297 298 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]