Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (129106) > Сторінка 296 з 2152

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.33 грн
10+56.67 грн
50+42.14 грн
100+35.13 грн
500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.32 грн
10+355.78 грн
50+283.36 грн
100+244.04 грн
500+236.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8 Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr182w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114269d1e43064c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5802VH6327XTSA1 BBY5802VH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bby58-02v-datasheet-en.pdf Description: DIODE VARACTOR 10V SGL PG-SC79-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3.5
на замовлення 73643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.28 грн
23+13.37 грн
100+12.77 грн
500+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 9248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.55 грн
10+372.64 грн
50+296.58 грн
100+255.38 грн
500+247.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5302VH6327XTSA1 BBY5302VH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE VARACTOR 6V SGL PG-SC79-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C3
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 6 V
Capacitance Ratio: 2.6
на замовлення 11653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.25 грн
12+25.85 грн
100+17.91 грн
500+12.77 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.21 грн
10+99.83 грн
100+68.17 грн
500+51.27 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1099MCTOBO1 EVALM1099MCTOBO1 Infineon Technologies EVAL-M1-099M-C_UM_Rev1.0_8-21-17.pdf Description: EVAL BOARD FOR IRMCK099M
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IRMCK099M
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3792.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCETOOLV2 MCETOOLV2 Infineon Technologies Infineon-2017-01+MCETOOLV2+User+Manual-AN-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625e5ce62d015e60ca0d9540d6 Description: IMOTION DEBUGGER
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7717.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS550PE3146NKSA1 Infineon Technologies Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO218-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T1851N60TOHXPSA1 Infineon Technologies T1851N_Rev6.0_05-02-11.pdf Description: SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4051N85TOHXPSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE T20235K-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4161N80TOHPRXPSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE T20235K-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4301N22TOFXPSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE 2900V 6330A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T901N32TOFXPSA1 Infineon Technologies T901N_7.0_05-02-11.pdf Description: SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N07S405AKSA1 IPP80N07S405AKSA1 Infineon Technologies IPP_B_I80N07S4-05-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: MOSFET N-CH TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N07S405AKSA1 Infineon Technologies IP%28B%2CI%2CP%2980N07S4-05_Rev1.0_07-14-14.pdf Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXHMF1404ZSTRL Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP615S2LHUMA1 BSP615S2LHUMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N07S405ATMA1 Infineon Technologies IP%28B%2CI%2CP%2980N07S4-05_Rev1.0_07-14-14.pdf Description: MOSFET N-CH TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITD50N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH TO252-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CLED01D01-56LTXQT CY8CLED01D01-56LTXQT Infineon Technologies CY8CLED0x%28D%2CG%290x.pdf Description: IC PWR PSOC CTLR 16K 56QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: DALI, DMX512, I2C, IrDA, SPI, UART/USART
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Controller Series: CY8CLED
Program Memory Type: FLASH (16kB)
Applications: Intelligent LED Driver
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1 IPZA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipza60r120p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 IPZA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipza60r099p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.88 грн
30+255.46 грн
60+232.31 грн
120+199.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1 IPZA60R060P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPZA60R060P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160316b71ad645f Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1 IPZA60R037P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPZA60R037P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160314fe3b963ab Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.85 грн
30+384.00 грн
120+344.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r360p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.41 грн
3000+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6E8191XKSA1 Infineon Technologies IPx60R125C6_4-24-15.pdf Description: MOSFET N-CH TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310DEXKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R099C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R190E6X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R190P6X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R280E6X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R380C6X7SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS05N70AKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS07N70AKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3 SPD04N60C3 Infineon Technologies SP%28D%2CU%2904N60C3_Rev2.6_7-31-13.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3 SPD07N60C3 Infineon Technologies SP%28D%2CU%2907N60C3_Rev2.7_07-31-13.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI08N80C3 SPI08N80C3 Infineon Technologies SPI08N80C3_Rev2.91_9-27-11.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPS03N60C3 SPS03N60C3 Infineon Technologies SPS03N60C3_Rev2.2_7-31-13.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21403-44LQI35T Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21403-48LQI36T Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG7470AMT Infineon Technologies Description: IC CLOCK DISTRIBUTION QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG7476AFT Infineon Technologies Description: IC CLOCK DISTRIBUTION QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG7479AMT Infineon Technologies Description: IC CLOCK DISTRIBUTION QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21403-44LQI35 Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21403-48LQI36 Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG7490AM Infineon Technologies Description: IC USB LS PERIPHERAL WAFER
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8286AAT Infineon Technologies Description: IC PSOC1 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8286AA Infineon Technologies Description: IC PSOC1 16QFN
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-44LQI33T Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-44LQI33 Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-44LQI35T Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-44LQI35 Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-48LQI36T Infineon Technologies CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf Description: IC MCU TRUETOUCH 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
IPD25N06S4L30ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.33 грн
10+56.67 грн
50+42.14 грн
100+35.13 грн
500+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+545.32 грн
10+355.78 грн
50+283.36 грн
100+244.04 грн
500+236.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1 Infineon-IPN50R650CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae9265ad8
IPN50R650CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 bfr182w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114269d1e43064c
BFR182WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5802VH6327XTSA1 infineon-bby58-02v-datasheet-en.pdf
BBY5802VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VARACTOR 10V SGL PG-SC79-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 5.5pF @ 6V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3.5
на замовлення 73643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.28 грн
23+13.37 грн
100+12.77 грн
500+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 9248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+571.55 грн
10+372.64 грн
50+296.58 грн
100+255.38 грн
500+247.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5302VH6327XTSA1 INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY5302VH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VARACTOR 6V SGL PG-SC79-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C3
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 6 V
Capacitance Ratio: 2.6
на замовлення 11653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.25 грн
12+25.85 грн
100+17.91 грн
500+12.77 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.21 грн
10+99.83 грн
100+68.17 грн
500+51.27 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1099MCTOBO1 EVAL-M1-099M-C_UM_Rev1.0_8-21-17.pdf
EVALM1099MCTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IRMCK099M
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IRMCK099M
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3792.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCETOOLV2 Infineon-2017-01+MCETOOLV2+User+Manual-AN-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625e5ce62d015e60ca0d9540d6
MCETOOLV2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMOTION DEBUGGER
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7717.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS550PE3146NKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO218-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T1851N60TOHXPSA1 T1851N_Rev6.0_05-02-11.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 7000V 2880A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4051N85TOHXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE T20235K-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4161N80TOHPRXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE T20235K-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4301N22TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2900V 6330A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T901N32TOFXPSA1 T901N_7.0_05-02-11.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 3600V 29900A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N07S405AKSA1 IPP_B_I80N07S4-05-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
IPP80N07S405AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N07S405AKSA1 IP%28B%2CI%2CP%2980N07S4-05_Rev1.0_07-14-14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO262-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUXHMF1404ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP615S2LHUMA1
BSP615S2LHUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N07S405ATMA1 IP%28B%2CI%2CP%2980N07S4-05_Rev1.0_07-14-14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITD50N04S4L04ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO252-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CLED01D01-56LTXQT CY8CLED0x%28D%2CG%290x.pdf
CY8CLED01D01-56LTXQT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR PSOC CTLR 16K 56QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: DALI, DMX512, I2C, IrDA, SPI, UART/USART
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Controller Series: CY8CLED
Program Memory Type: FLASH (16kB)
Applications: Intelligent LED Driver
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R120P7XKSA1 infineon-ipza60r120p7-ds-en.pdf
IPZA60R120P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 infineon-ipza60r099p7-ds-en.pdf
IPZA60R099P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.88 грн
30+255.46 грн
60+232.31 грн
120+199.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1 Infineon-IPZA60R060P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160316b71ad645f
IPZA60R060P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1 Infineon-IPZA60R037P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160314fe3b963ab
IPZA60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+681.85 грн
30+384.00 грн
120+344.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 infineon-ipb60r360p7-ds-en.pdf
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R280P7ATMA1 infineon-ipb60r280p7-ds-en.pdf
IPB60R280P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+61.41 грн
3000+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6E8191XKSA1 IPx60R125C6_4-24-15.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310DEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R099C6UNSAWNX6SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R190E6X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R190P6X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R280E6X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R380C6X7SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS05N70AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS07N70AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3 SP%28D%2CU%2904N60C3_Rev2.6_7-31-13.pdf
SPD04N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3 SP%28D%2CU%2907N60C3_Rev2.7_07-31-13.pdf
SPD07N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI08N80C3 SPI08N80C3_Rev2.91_9-27-11.pdf
SPI08N80C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPS03N60C3 SPS03N60C3_Rev2.2_7-31-13.pdf
SPS03N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21403-44LQI35T CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21403-48LQI36T CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG7470AMT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK DISTRIBUTION QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG7476AFT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK DISTRIBUTION QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG7479AMT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK DISTRIBUTION QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21403-44LQI35 CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21403-48LQI36 CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG7490AM
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB LS PERIPHERAL WAFER
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8286AAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSOC1 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8286AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSOC1 16QFN
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-44LQI33T CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-44LQI33 CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-44LQI35T CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-44LQI35 CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 44QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 44-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 44-QFN (5x5)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYTT21401-48LQI36T CYTT21xyx_RevA_Summary_Feb17,2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU TRUETOUCH 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.