Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126723) > Сторінка 730 з 2113

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 725 726 727 728 729 730 731 732 733 734 735 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IM06B30AC1XKMA1 Infineon Technologies Description: IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tray
Package / Case: 24-PowerDIP Module, Offset Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 30 A
Voltage: 650 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS710404ESATOBO1 SPOC2DBBTS710404ESATOBO1 Infineon Technologies Description: SPOC-2 DB BTS71040-4ESA
Utilized IC / Part: BTS71040-4ESA
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Switch
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5276.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 Infineon Technologies SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1.pdf Description: SPOC-2 DB BTS71040-4ESP
Utilized IC / Part: BTS71040-4ESP
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Switch
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r035d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+319.12 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r035d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.59 грн
10+521.28 грн
50+420.31 грн
100+374.17 грн
500+352.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igot65r035d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igot65r035d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.49 грн
10+499.52 грн
100+385.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+348.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.24 грн
10+533.35 грн
50+430.43 грн
100+363.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.34 грн
10+750.20 грн
100+637.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R016M1HXTMA1 AIMBG75R016M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae2dfed87ec0 Description: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R016M1HXTMA1 AIMBG75R016M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae2dfed87ec0 Description: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1715.10 грн
10+1191.77 грн
100+966.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3975VTRBTOBO1 KITA2GTC3975VTRBTOBO1 Infineon Technologies Infineon-TriBoardManual_TC3X71-UserManual-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697775dd0b58be Description: AURIX TC397 5V TRB FIXED BRD
Platform: AURIX TC397 5V TRB Fixed
Utilized IC / Part: TC397
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+64654.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3645VTRBSTOBO1 KITA2GTC3645VTRBSTOBO1 Infineon Technologies Infineon-AURIX_TC36x_Addendum-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017546b43c8329ba Description: AURIX TC364 5V TRB SOCKET BRD
Platform: AURIX TC364 5V TRB Socket
Utilized IC / Part: TC364
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Socket
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+94640.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3775VTRBSTOBO1 KITA2GTC3775VTRBSTOBO1 Infineon Technologies Infineon-TriBoardManual_TC3X71-UserManual-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697775dd0b58be Description: AURIX TC377 5V TRB SOCKET BRD
Platform: AURIX TC377 5V TRB Socket
Utilized IC / Part: TC377
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Socket
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+124527.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APPKITA2GSAFETYTOBO1 APPKITA2GSAFETYTOBO1 Infineon Technologies Infineon-APPKIT_A2G_SAFETY_Overview-Presentations-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ea4397e4d1130 Description: APPKITA2GSAFETYTOBO1
Platform: AURIX
Utilized IC / Part: TC397
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43208.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3895VTRBTOBO1 KITA2GTC3895VTRBTOBO1 Infineon Technologies Description: KIT_A2G_TC389_5V_TRB
Platform: AURIX
Utilized IC / Part: TC389
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+67348.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI70N04S406AKSA1 IPI70N04S406AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I70N04S4_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c501db65d98&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLT9252VLCXUMA1 TLT9252VLCXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLT9252VLC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016ea702da5208eb Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 TSON-14
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Duplex: Half
Receiver Hysteresis: 30 mV
Supplier Device Package: PG-TSON-14-3
Protocol: CANbus
Data Rate: 5Mbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 14-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.73 грн
10+101.40 грн
25+92.45 грн
100+77.50 грн
250+73.09 грн
500+70.43 грн
1000+67.12 грн
2500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20246A-24LKXIT CY8C20246A-24LKXIT Infineon Technologies infineon-ts2000-001-64564-software-module-datasheets-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0fa2d0df1226&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all Description: IC MCU PSOC 16K FLASH 2K 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6A
Program Memory Type: FLASH (16kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Number of I/O: 13
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T1190N16TOFVTXPSA1 T1190N16TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1190N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffba89405c02 Description: SCR MODULE 1.8KV 2800A TO-200AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-200AC
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 22500A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1190 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2800 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22000.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T1500N16TOFVTXPSA1 T1500N16TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1500N-DS-v04_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240b6f0b1d47c4 Description: SCR MODULE 1.8KV 3500A DO-200AB
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 39000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1500 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 3500 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22094.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T1500N18TOFVTXPSA1 T1500N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1500N-DS-v04_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240b6f0b1d47c4 Description: SCR MODULE 1.8KV 3500A DO-200AB
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 3500 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 1500 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 39000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Clamp On
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23030.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T2600N16TOFVTXPSA1 T2600N16TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T2600N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017836a6f5ff7deb Description: SCR MODULE 1.8KV 4100A TO-200AD
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4100 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 2610 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Single
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-200AD
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2600N18TOFVTXPSA1 T2600N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T2600N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017836a6f5ff7deb Description: SCR MODULE 1.8KV 4100A TO-200AD
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4100 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 2610 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Single
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-200AD
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3800N18TOFVTXPSA1 T3800N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T3800N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017836a6e7bc7de7 Description: SCR MODULE 1.8KV 5970A TO-200AE
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 5970 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 3800 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 63000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Single
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-200AE
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.86 грн
10+106.82 грн
100+72.81 грн
500+54.66 грн
1000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0605NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0605NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185de0f390f6a9c Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Bulk
на замовлення 424282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+182.35 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC20WPBF IRG4IBC20WPBF Infineon Technologies irg4ibc20wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643887122b2 Description: IGBT 600V 12A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns
Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 26 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 34 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDF5673KXUMA1 1EDF5673KXUMA1 Infineon Technologies 1EDF5673FXUMA1.pdf Description: DGT ISO 1.5KV 1CH GT DVR TFLGA13
Packaging: Bulk
Package / Case: 13-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 8A
Voltage - Isolation: 1500VDC
Approval Agency: CQC, CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: PG-TFLGA-13-1
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 44ns, 44ns
Pulse Width Distortion (Max): 18ns (Typ)
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.13V ~ 3.47V
на замовлення 25986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1380KV33-250AXC CY7C1380KV33-250AXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 36
Access Time: 2.6 ns
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N08KAHPSA1 DD104N08KAHPSA1 Infineon Technologies DD104N.pdf Description: DIODE MOD GP 800V 104A POWRBLOK
Packaging: Bulk
Package / Case: POW-R-BLOK™ Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A
Supplier Device Package: POW-R-BLOK™ Module
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+155.53 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN013 S29GL512T12DHN013 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN013 S29GL01GT12DHN013 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
64-2143PBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 BTH500301LUAAUMA1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-BTH50030-1LUA_Data_Sheet-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6a9ebae4324 Description: MULTICHIP PROFET & GD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 8-PowerSFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 3mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 60V
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-6
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Load, Over Temperature, Short Circuit
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 BTH500301LUAAUMA1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-BTH50030-1LUA_Data_Sheet-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6a9ebae4324 Description: MULTICHIP PROFET & GD
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 8-PowerSFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 3mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 60V
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-6
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Load, Over Temperature, Short Circuit
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.63 грн
10+377.66 грн
100+275.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF60100EDPSTOBO1 REF60100EDPSTOBO1 Infineon Technologies UM103815_eDisconnect%20Power%20Switch%20for%20battery-powered%20applications.pdf Description: REF60100EDPSTOBO1
Packaging: Box
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN08S5N012L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef669549208cf Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.53 грн
10+302.45 грн
25+279.13 грн
100+237.88 грн
250+226.40 грн
500+219.48 грн
1000+210.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUTN08S5N012L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef669549208cf Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM64A130AXTMA1 IM64A130AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IM64A130A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0ba678451dee Description: XENSIV - IM64A130A Automotive ME
Qualification: AEC-Q103
Frequency Range: 10 Hz ~ 10 kHz
Voltage Range: 2.4 V ~ 3.6 V
Current - Supply: 135 µA
Impedance: 400 Ohms
Voltage - Rated: 2.6 V
Grade: Automotive
Height (Max): 0.042" (1.06mm)
Port Location: Bottom
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
S/N Ratio: 64dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -38dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.132" L x 0.098" W (3.35mm x 2.50mm)
Output Type: Analog
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM64A130AXTMA1 IM64A130AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IM64A130A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0ba678451dee Description: XENSIV - IM64A130A Automotive ME
Qualification: AEC-Q103
Frequency Range: 10 Hz ~ 10 kHz
Voltage Range: 2.4 V ~ 3.6 V
Current - Supply: 135 µA
Impedance: 400 Ohms
Voltage - Rated: 2.6 V
Grade: Automotive
Height (Max): 0.042" (1.06mm)
Port Location: Bottom
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
S/N Ratio: 64dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -38dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.132" L x 0.098" W (3.35mm x 2.50mm)
Output Type: Analog
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+89.87 грн
25+81.76 грн
50+71.49 грн
100+66.67 грн
250+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXI-1 CY2309SXI-1 Infineon Technologies Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1538.28 грн
10+1191.08 грн
25+1118.65 грн
100+1048.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1H CY2309SXC-1H Infineon Technologies Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+360.00 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1H CY2309SXC-1H Infineon Technologies Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.66 грн
10+346.05 грн
25+320.70 грн
100+281.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20734UA2KFFB3GT Infineon Technologies infineon-cyw20734-single-chip-bluetooth-transceiver-for-wireless-input-devices-datasheet-additionaltechnicalinformation-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2030d683e&utm_source=cypress&utm_medium Description: IC RF TXRX+MCU BLE 90FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 352kB RAM, 848kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.6V
Protocol: Bluetooth v4.1
Data Rate (Max): 6Mbps
Supplier Device Package: 90-FBGA (8.5x8.5)
GPIO: 39
Modulation: 4-DQPSK, 8-DPSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60982BSEVALTOBO1 TLD60982BSEVALTOBO1 Infineon Technologies infineon-z8f80237422-tld6098-2es-2bsepic-evaluation-kit-usermanual-en.pdf Description: EVAL BOARD FOR TLD6098
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
Utilized IC / Part: TLD6098
Current - Output / Channel: 1A
Contents: Board(s)
Voltage - Input: 8V ~ 27V
Voltage - Output: 3V ~ 59V
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12177.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60982DPVB2GEVALTOBO1 TLD60982DPVB2GEVALTOBO1 Infineon Technologies infineon-infineon-z8f80411563-tld6098-2dpvb2g-eval-ug-en.pdf-usermanual-en.pdf Description: EVAL BOARD FOR TLD60982ES
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 43V ~ 52V
Voltage - Input: 8V ~ 27V
Current - Output: 7A, 7A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 200kHz
Regulator Topology: Boost
Utilized IC / Part: TLD6098-2ES
Main Purpose: DC/DC, Step Up
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28554.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFSSRACDC2ATOBO1 REFSSRACDC2ATOBO1 Infineon Technologies Infineon-Solid_state_relay_reference_design_user_guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902a93782a3076 Description: REFSSRACDC2ATOBO1
Embedded: No
Contents: Board(s)
Type: Interface
Function: Relay
Packaging: Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3102.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2548C004 Infineon Technologies download Description: TSBU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+252.77 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25422SXC-002 Infineon Technologies ?docID=50798 Description: TSBU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+630.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25404ZXI014 CY25404ZXI014 Infineon Technologies Infineon-CY25404_QUAD_PLL_PROGRAMMABLE_CLOCK_GENERATOR_WITH_SPREAD_SPECTRUM-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec65e4e3c93&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe Description: TSBU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+688.47 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2X013LXI200T CY2X013LXI200T Infineon Technologies CY2X013.pdf Description: TSBU
Packaging: Bulk
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+750.72 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2XF24LXI702T CY2XF24LXI702T Infineon Technologies CY2XF24.pdf Description: TSBU
Packaging: Bulk
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+926.84 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC19T60SEX1SA1 SIGC19T60SEX1SA1 Infineon Technologies SIGC19T60SE_Rev2_7-20-17.pdf Description: IGBT 3 CHIP 600V
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.97V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B30AC1XKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tray
Package / Case: 24-PowerDIP Module, Offset Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 30 A
Voltage: 650 V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+695.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS710404ESATOBO1
SPOC2DBBTS710404ESATOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPOC-2 DB BTS71040-4ESA
Utilized IC / Part: BTS71040-4ESA
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Switch
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5276.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1.pdf
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPOC-2 DB BTS71040-4ESP
Utilized IC / Part: BTS71040-4ESP
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Switch
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 infineon-iglt65r035d2-datasheet-en.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+319.12 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 infineon-iglt65r035d2-datasheet-en.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 47A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+786.59 грн
10+521.28 грн
50+420.31 грн
100+374.17 грн
500+352.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 infineon-igot65r035d2-datasheet-en.pdf
IGOT65R035D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 infineon-igot65r035d2-datasheet-en.pdf
IGOT65R035D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+752.49 грн
10+499.52 грн
100+385.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+348.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+803.24 грн
10+533.35 грн
50+430.43 грн
100+363.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMLT65R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMLT65R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1105.34 грн
10+750.20 грн
100+637.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R016M1HXTMA1 Infineon-AIMBG75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae2dfed87ec0
AIMBG75R016M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R016M1HXTMA1 Infineon-AIMBG75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae2dfed87ec0
AIMBG75R016M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1715.10 грн
10+1191.77 грн
100+966.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3975VTRBTOBO1 Infineon-TriBoardManual_TC3X71-UserManual-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697775dd0b58be
KITA2GTC3975VTRBTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX TC397 5V TRB FIXED BRD
Platform: AURIX TC397 5V TRB Fixed
Utilized IC / Part: TC397
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+64654.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3645VTRBSTOBO1 Infineon-AURIX_TC36x_Addendum-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017546b43c8329ba
KITA2GTC3645VTRBSTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX TC364 5V TRB SOCKET BRD
Platform: AURIX TC364 5V TRB Socket
Utilized IC / Part: TC364
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Socket
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+94640.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3775VTRBSTOBO1 Infineon-TriBoardManual_TC3X71-UserManual-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697775dd0b58be
KITA2GTC3775VTRBSTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX TC377 5V TRB SOCKET BRD
Platform: AURIX TC377 5V TRB Socket
Utilized IC / Part: TC377
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Socket
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+124527.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APPKITA2GSAFETYTOBO1 Infineon-APPKIT_A2G_SAFETY_Overview-Presentations-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ea4397e4d1130
APPKITA2GSAFETYTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: APPKITA2GSAFETYTOBO1
Platform: AURIX
Utilized IC / Part: TC397
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+43208.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3895VTRBTOBO1
KITA2GTC3895VTRBTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT_A2G_TC389_5V_TRB
Platform: AURIX
Utilized IC / Part: TC389
Core Processor: TriCore™
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+67348.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S207ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD50N03S207ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI70N04S406AKSA1 Infineon-IPP_B_I70N04S4_06-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c501db65d98&ack=t
IPI70N04S406AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
414+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLT9252VLCXUMA1 Infineon-TLT9252VLC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016ea702da5208eb
TLT9252VLCXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 TSON-14
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Duplex: Half
Receiver Hysteresis: 30 mV
Supplier Device Package: PG-TSON-14-3
Protocol: CANbus
Data Rate: 5Mbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 14-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.73 грн
10+101.40 грн
25+92.45 грн
100+77.50 грн
250+73.09 грн
500+70.43 грн
1000+67.12 грн
2500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20246A-24LKXIT infineon-ts2000-001-64564-software-module-datasheets-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0fa2d0df1226&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all
CY8C20246A-24LKXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU PSOC 16K FLASH 2K 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6A
Program Memory Type: FLASH (16kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Number of I/O: 13
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T1190N16TOFVTXPSA1 Infineon-T1190N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffba89405c02
T1190N16TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 2800A TO-200AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-200AC
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 22500A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1190 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2800 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22000.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T1500N16TOFVTXPSA1 Infineon-T1500N-DS-v04_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240b6f0b1d47c4
T1500N16TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 3500A DO-200AB
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 39000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1500 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 3500 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22094.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T1500N18TOFVTXPSA1 Infineon-T1500N-DS-v04_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240b6f0b1d47c4
T1500N18TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 3500A DO-200AB
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 3500 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 1500 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 39000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Clamp On
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23030.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T2600N16TOFVTXPSA1 Infineon-T2600N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017836a6f5ff7deb
T2600N16TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 4100A TO-200AD
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4100 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 2610 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Single
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-200AD
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2600N18TOFVTXPSA1 Infineon-T2600N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017836a6f5ff7deb
T2600N18TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 4100A TO-200AD
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4100 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 2610 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Single
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-200AD
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3800N18TOFVTXPSA1 Infineon-T3800N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017836a6e7bc7de7
T3800N18TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 5970A TO-200AE
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 5970 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 3800 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 63000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Single
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-200AE
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270
IGD08N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270
IGD08N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.86 грн
10+106.82 грн
100+72.81 грн
500+54.66 грн
1000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0605NLSATMA1 Infineon-ISC0605NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185de0f390f6a9c
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Bulk
на замовлення 424282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+182.35 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC20WPBF irg4ibc20wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643887122b2
IRG4IBC20WPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 12A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/110ns
Switching Energy: 60µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 26 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 34 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
267+77.84 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDF5673KXUMA1 1EDF5673FXUMA1.pdf
1EDF5673KXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 1.5KV 1CH GT DVR TFLGA13
Packaging: Bulk
Package / Case: 13-TFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 8A
Voltage - Isolation: 1500VDC
Approval Agency: CQC, CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: PG-TFLGA-13-1
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 44ns, 44ns
Pulse Width Distortion (Max): 18ns (Typ)
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.13V ~ 3.47V
на замовлення 25986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
167+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1380KV33-250AXC download
CY7C1380KV33-250AXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 36
Access Time: 2.6 ns
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N08KAHPSA1 DD104N.pdf
DD104N08KAHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 800V 104A POWRBLOK
Packaging: Bulk
Package / Case: POW-R-BLOK™ Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A
Supplier Device Package: POW-R-BLOK™ Module
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0
IRFS4410TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
146+155.53 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL512T12DHN013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
S29GL01GT12DHN013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
64-2143PBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 Infineon-Infineon-BTH50030-1LUA_Data_Sheet-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6a9ebae4324
BTH500301LUAAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MULTICHIP PROFET & GD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 8-PowerSFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 3mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 60V
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-6
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Load, Over Temperature, Short Circuit
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 Infineon-Infineon-BTH50030-1LUA_Data_Sheet-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6a9ebae4324
BTH500301LUAAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MULTICHIP PROFET & GD
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 8-PowerSFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 3mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 60V
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-6
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Load, Over Temperature, Short Circuit
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+579.63 грн
10+377.66 грн
100+275.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF60100EDPSTOBO1 UM103815_eDisconnect%20Power%20Switch%20for%20battery-powered%20applications.pdf
REF60100EDPSTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: REF60100EDPSTOBO1
Packaging: Box
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon-IAUTN08S5N012L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef669549208cf
IAUTN08S5N012LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.53 грн
10+302.45 грн
25+279.13 грн
100+237.88 грн
250+226.40 грн
500+219.48 грн
1000+210.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN08S5N012LATMA1 Infineon-IAUTN08S5N012L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef669549208cf
IAUTN08S5N012LATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM64A130AXTMA1 Infineon-IM64A130A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0ba678451dee
IM64A130AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XENSIV - IM64A130A Automotive ME
Qualification: AEC-Q103
Frequency Range: 10 Hz ~ 10 kHz
Voltage Range: 2.4 V ~ 3.6 V
Current - Supply: 135 µA
Impedance: 400 Ohms
Voltage - Rated: 2.6 V
Grade: Automotive
Height (Max): 0.042" (1.06mm)
Port Location: Bottom
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
S/N Ratio: 64dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -38dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.132" L x 0.098" W (3.35mm x 2.50mm)
Output Type: Analog
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM64A130AXTMA1 Infineon-IM64A130A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0ba678451dee
IM64A130AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XENSIV - IM64A130A Automotive ME
Qualification: AEC-Q103
Frequency Range: 10 Hz ~ 10 kHz
Voltage Range: 2.4 V ~ 3.6 V
Current - Supply: 135 µA
Impedance: 400 Ohms
Voltage - Rated: 2.6 V
Grade: Automotive
Height (Max): 0.042" (1.06mm)
Port Location: Bottom
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
S/N Ratio: 64dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -38dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.132" L x 0.098" W (3.35mm x 2.50mm)
Output Type: Analog
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.94 грн
10+89.87 грн
25+81.76 грн
50+71.49 грн
100+66.67 грн
250+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXI-1 Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2309SXI-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1538.28 грн
10+1191.08 грн
25+1118.65 грн
100+1048.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1H Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2309SXC-1H
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+360.00 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2309SXC-1H Infineon-CY2305_CY2309_Low_Cost_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v26_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe422931ae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2309SXC-1H
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 133.33MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: LVCMOS, LVTTL
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+464.66 грн
10+346.05 грн
25+320.70 грн
100+281.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20734UA2KFFB3GT infineon-cyw20734-single-chip-bluetooth-transceiver-for-wireless-input-devices-datasheet-additionaltechnicalinformation-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2030d683e&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 90FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 352kB RAM, 848kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.62V ~ 3.6V
Protocol: Bluetooth v4.1
Data Rate (Max): 6Mbps
Supplier Device Package: 90-FBGA (8.5x8.5)
GPIO: 39
Modulation: 4-DQPSK, 8-DPSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60982BSEVALTOBO1 infineon-z8f80237422-tld6098-2es-2bsepic-evaluation-kit-usermanual-en.pdf
TLD60982BSEVALTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLD6098
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
Utilized IC / Part: TLD6098
Current - Output / Channel: 1A
Contents: Board(s)
Voltage - Input: 8V ~ 27V
Voltage - Output: 3V ~ 59V
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12177.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60982DPVB2GEVALTOBO1 infineon-infineon-z8f80411563-tld6098-2dpvb2g-eval-ug-en.pdf-usermanual-en.pdf
TLD60982DPVB2GEVALTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLD60982ES
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 43V ~ 52V
Voltage - Input: 8V ~ 27V
Current - Output: 7A, 7A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 200kHz
Regulator Topology: Boost
Utilized IC / Part: TLD6098-2ES
Main Purpose: DC/DC, Step Up
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28554.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFSSRACDC2ATOBO1 Infineon-Solid_state_relay_reference_design_user_guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902a93782a3076
REFSSRACDC2ATOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: REFSSRACDC2ATOBO1
Embedded: No
Contents: Board(s)
Type: Interface
Function: Relay
Packaging: Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3102.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY2548C004 download
Виробник: Infineon Technologies
Description: TSBU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+252.77 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25422SXC-002 ?docID=50798
Виробник: Infineon Technologies
Description: TSBU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+630.04 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25404ZXI014 Infineon-CY25404_QUAD_PLL_PROGRAMMABLE_CLOCK_GENERATOR_WITH_SPREAD_SPECTRUM-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec65e4e3c93&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe
CY25404ZXI014
Виробник: Infineon Technologies
Description: TSBU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+688.47 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2X013LXI200T CY2X013.pdf
CY2X013LXI200T
Виробник: Infineon Technologies
Description: TSBU
Packaging: Bulk
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+750.72 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2XF24LXI702T CY2XF24.pdf
CY2XF24LXI702T
Виробник: Infineon Technologies
Description: TSBU
Packaging: Bulk
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+926.84 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC19T60SEX1SA1 SIGC19T60SE_Rev2_7-20-17.pdf
SIGC19T60SEX1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 3 CHIP 600V
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.97V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 725 726 727 728 729 730 731 732 733 734 735 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]