Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 338 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 343 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDL10G65C5XUMA2 IDL10G65C5XUMA2 INFINEON Infineon-IDL10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143050c02185c06 Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.33 грн
500+131.57 грн
1000+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDL06G65C5XUMA2 IDL06G65C5XUMA2 INFINEON Infineon-IDL06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304ea9ff45bcc Description: INFINEON - IDL06G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.37 грн
500+59.24 грн
1000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDL06G65C5XUMA2 IDL06G65C5XUMA2 INFINEON Infineon-IDL06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304ea9ff45bcc Description: INFINEON - IDL06G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.67 грн
10+128.58 грн
100+69.37 грн
500+59.24 грн
1000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2 IDH06G65C5XKSA2 INFINEON 1849659.pdf Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.15 грн
10+92.55 грн
100+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 IDK06G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.76 грн
10+134.32 грн
100+97.46 грн
500+71.33 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 IDK06G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ec85d5a1016a Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.46 грн
500+71.33 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.64 грн
500+155.14 грн
1000+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 INFINEON INFNS29238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.11 грн
10+289.93 грн
100+221.95 грн
500+193.93 грн
1000+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 IDD10SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.99 грн
10+254.71 грн
100+182.64 грн
500+155.14 грн
1000+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 IDK10G65C5XTMA2 INFINEON INFNS29238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+221.95 грн
500+193.93 грн
1000+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.28 грн
10+133.50 грн
100+94.18 грн
500+67.46 грн
1000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 IMW65R083M1HXKSA1 INFINEON 3629237.pdf Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.27 грн
10+527.44 грн
100+356.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.67 грн
50+86.00 грн
250+70.60 грн
1000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.19 грн
250+86.81 грн
1000+65.10 грн
3000+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.18 грн
500+67.46 грн
1000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-800MH IRSM005-800MH INFINEON INFN-S-A0008996901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRSM005-800MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28
tariffCode: 85423911
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 80A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 40V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.05 грн
10+176.08 грн
25+161.34 грн
50+142.21 грн
100+124.25 грн
500+113.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88373CUBGT INFINEON Description: INFINEON - CYW88373CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+672.40 грн
50+574.18 грн
100+490.00 грн
250+446.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYW89359CUBGT INFINEON Description: INFINEON - CYW89359CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1218.67 грн
10+1018.02 грн
25+959.87 грн
50+844.92 грн
100+747.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88373CUBGT INFINEON Description: INFINEON - CYW88373CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+820.64 грн
5+712.53 грн
10+672.40 грн
50+574.18 грн
100+490.00 грн
250+446.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW54590RKUBGT CYW54590RKUBGT INFINEON 3920497.pdf Description: INFINEON - CYW54590RKUBGT - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 5.845GHz, 867MB/s, 13dBm out, 3V bis 4.8V, WLBGA-194
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLBGA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-ISM-Band, 802.11 ac, Funk/Basisband mit RSDB, Verbraucher, Automatisierung im gewerblichen Bereich
usEccn: 5A992.c
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: DPSK, DQPSK, GFSK
Anzahl der Pins: 194Pin(s)
Übertragungsrate: 867Mbps
Frequenzgang HF, max.: 5.845GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 4.8V
Frequenz, max.: 5.845GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+797.71 грн
10+666.67 грн
25+628.17 грн
50+552.88 грн
100+489.29 грн
250+454.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88359CUBGT INFINEON Infineon-CYW88335_Single_Chip_5G_Wi_Fi_IEEE_802.11ac_MAC_Baseband_Radio_with_Integrated_Bluetooth_4.1_for_Automotive_Applications-AdditionalTechnicalInformation-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ee8678f883639 Description: INFINEON - CYW88359CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.66 грн
10+859.13 грн
25+810.81 грн
50+713.35 грн
100+631.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20835PB1KML1GGF CYW20835PB1KML1GGF INFINEON 3920495.pdf Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: AIROC Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.13 грн
10+190.83 грн
25+181.00 грн
50+163.51 грн
100+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYW89359CUBGT INFINEON Description: INFINEON - CYW89359CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1018.02 грн
25+959.87 грн
50+844.92 грн
100+747.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88335L2CUBGT INFINEON 4598028.pdf Description: INFINEON - CYW88335L2CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+626.54 грн
10+543.82 грн
25+515.15 грн
50+460.10 грн
100+407.86 грн
250+388.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88359CUBGT INFINEON Infineon-CYW88335_Single_Chip_5G_Wi_Fi_IEEE_802.11ac_MAC_Baseband_Radio_with_Integrated_Bluetooth_4.1_for_Automotive_Applications-AdditionalTechnicalInformation-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ee8678f883639 Description: INFINEON - CYW88359CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+859.13 грн
25+810.81 грн
50+713.35 грн
100+631.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYW54590RKUBGT CYW54590RKUBGT INFINEON 3920497.pdf Description: INFINEON - CYW54590RKUBGT - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 5.845GHz, 867MB/s, 13dBm out, 3V bis 4.8V, WLBGA-194
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WLBGA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-ISM-Band, 802.11 ac, Funk/Basisband mit RSDB, Verbraucher, Automatisierung im gewerblichen Bereich
usEccn: 5A992.c
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: DPSK, DQPSK, GFSK
Anzahl der Pins: 194Pin(s)
Übertragungsrate: 867Mbps
Frequenzgang HF, max.: 5.845GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 4.8V
Frequenz, max.: 5.845GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+666.67 грн
25+628.17 грн
50+552.88 грн
100+489.29 грн
250+454.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYW54591RKUBGT CYW54591RKUBGT INFINEON INFN-S-A0014471776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYW54591RKUBGT - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 5.845GHz, 867MB/s, 13dBm out, 3V bis 4.8V, WLBGA-194
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-ISM-Band, 802.11 ac, Funk/Basisband mit RSDB, Verbraucher, Automatisierung im gewerblichen Bereich
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: DPSK, DQPSK, GFSK
Anzahl der Pins: 194Pin(s)
Übertragungsrate: 867Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.8V
Frequenz, max.: 5.845GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.28 грн
10+578.21 грн
25+556.10 грн
50+504.21 грн
100+453.49 грн
250+428.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88335L2CUBGT INFINEON 4598028.pdf Description: INFINEON - CYW88335L2CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+543.82 грн
25+515.15 грн
50+460.10 грн
100+407.86 грн
250+388.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.34 грн
500+30.72 грн
1000+25.69 грн
5000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF INFINEON 44036.pdf Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 BFP182WH6327XTSA1 INFINEON INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.90 грн
69+11.96 грн
100+9.50 грн
500+7.68 грн
1000+6.78 грн
5000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 INFINEON IPB65R190C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043300464130130079301853bfc Description: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.53 грн
10+246.52 грн
100+197.38 грн
500+92.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1 BSC016N04LSGATMA1 INFINEON INFNS16709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524RXTMA1 2EDN7524RXTMA1 INFINEON 3542772.pdf Description: INFINEON - 2EDN7524RXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), TSSOP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 17ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.93 грн
19+43.82 грн
100+34.73 грн
500+26.54 грн
1000+22.67 грн
2500+22.39 грн
5000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3GATMA1 INFINEON BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.04 грн
10+104.83 грн
100+78.21 грн
500+60.99 грн
1000+43.45 грн
2500+42.05 грн
5000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 INFINEON 2354542.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.76 грн
21+39.80 грн
100+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3430ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1 INFINEON 2371105.pdf Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.79 грн
10+99.10 грн
100+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 INFINEON 2849762.pdf Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.75 грн
12+71.42 грн
100+48.32 грн
500+32.47 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R900P7SAKMA1 IPSA70R900P7SAKMA1 INFINEON infineon-ipsa70r900p7s-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPSA70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.44 грн
26+32.35 грн
100+25.06 грн
500+18.40 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 IPB120P04P404ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.94 грн
10+253.07 грн
100+192.46 грн
500+168.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA1 INFINEON INFNS17036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+203.93 грн
50+151.52 грн
200+117.12 грн
500+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 IPB120P04P404ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.46 грн
500+168.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1 INFINEON INFNS28170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.09 грн
10+202.29 грн
100+163.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON 2371107.pdf Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.79 грн
500+18.02 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON 2612484.pdf Description: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXIXUMA1 INFINEON INFNS27878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.94 грн
500+111.03 грн
1000+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXIXUMA1 INFINEON INFNS27878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.51 грн
10+135.14 грн
100+126.94 грн
500+111.03 грн
1000+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON INFNS30292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.19 грн
10+185.09 грн
100+129.40 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3GXUMA1 INFINEON INFNS17232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3GXUMA1 INFINEON INFNS17232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.15 грн
10+170.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1PCS01GFUMA1 ICE1PCS01GFUMA1 INFINEON 2820305.pdf Description: INFINEON - ICE1PCS01GFUMA1 - PFC-CONTROLLER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 250kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 50kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.2V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Variabel
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 21V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.88 грн
10+159.70 грн
50+146.60 грн
100+117.12 грн
250+101.09 грн
500+88.45 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1PCS01GFUMA1 ICE1PCS01GFUMA1 INFINEON 2820305.pdf Description: INFINEON - ICE1PCS01GFUMA1 - PFC-CONTROLLER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 250kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 50kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.2V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Variabel
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 21V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.12 грн
250+101.09 грн
500+88.45 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.06 грн
500+21.45 грн
1000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 SPD07N60C3ATMA1 INFINEON INFNS28051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD07N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.95 грн
10+143.32 грн
100+90.91 грн
500+81.37 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 INFINEON INFNS28011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.84 грн
17+48.48 грн
100+41.36 грн
500+34.22 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 IPD65R650CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844 Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.98 грн
500+34.07 грн
1000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 SPD07N60C3ATMA1 INFINEON INFNS28051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD07N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.91 грн
500+81.37 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 IPD65R650CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844 Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.93 грн
13+64.37 грн
100+43.98 грн
500+34.07 грн
1000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.82 грн
100+74.37 грн
500+54.76 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.18 грн
14+61.18 грн
100+50.12 грн
500+41.52 грн
1000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IDL10G65C5XUMA2 Infineon-IDL10G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0143050c02185c06
IDL10G65C5XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+152.33 грн
500+131.57 грн
1000+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDL06G65C5XUMA2 Infineon-IDL06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304ea9ff45bcc
IDL06G65C5XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL06G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.37 грн
500+59.24 грн
1000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDL06G65C5XUMA2 Infineon-IDL06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304ea9ff45bcc
IDL06G65C5XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL06G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.67 грн
10+128.58 грн
100+69.37 грн
500+59.24 грн
1000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C5XKSA2 1849659.pdf
IDH06G65C5XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.15 грн
10+92.55 грн
100+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK06G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+213.76 грн
10+134.32 грн
100+97.46 грн
500+71.33 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK06G65C5XTMA2 Infineon-IDK06G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ec85d5a1016a
IDK06G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.46 грн
500+71.33 грн
1000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 INFNS19787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD10SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+182.64 грн
500+155.14 грн
1000+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 INFNS29238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK10G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+384.11 грн
10+289.93 грн
100+221.95 грн
500+193.93 грн
1000+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD10SG60CXTMA2 INFNS19787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD10SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+352.99 грн
10+254.71 грн
100+182.64 грн
500+155.14 грн
1000+129.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK10G65C5XTMA2 INFNS29238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK10G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK10G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+221.95 грн
500+193.93 грн
1000+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 2643878.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.28 грн
10+133.50 грн
100+94.18 грн
500+67.46 грн
1000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R083M1HXKSA1 3629237.pdf
IMW65R083M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+546.27 грн
10+527.44 грн
100+356.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.67 грн
50+86.00 грн
250+70.60 грн
1000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 INFN-S-A0000250515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC040N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.19 грн
250+86.81 грн
1000+65.10 грн
3000+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 2643878.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.18 грн
500+67.46 грн
1000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM005-800MH INFN-S-A0008996901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRSM005-800MH
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM005-800MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 10V-20V, 40V/80A/3 Ausgänge, PQFN-28
tariffCode: 85423911
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 80A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 40V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: PQFN
Produktpalette: CIPOS Nano
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.05 грн
10+176.08 грн
25+161.34 грн
50+142.21 грн
100+124.25 грн
500+113.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88373CUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW88373CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+672.40 грн
50+574.18 грн
100+490.00 грн
250+446.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYW89359CUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW89359CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1218.67 грн
10+1018.02 грн
25+959.87 грн
50+844.92 грн
100+747.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88373CUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW88373CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+820.64 грн
5+712.53 грн
10+672.40 грн
50+574.18 грн
100+490.00 грн
250+446.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW54590RKUBGT 3920497.pdf
CYW54590RKUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW54590RKUBGT - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 5.845GHz, 867MB/s, 13dBm out, 3V bis 4.8V, WLBGA-194
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLBGA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-ISM-Band, 802.11 ac, Funk/Basisband mit RSDB, Verbraucher, Automatisierung im gewerblichen Bereich
usEccn: 5A992.c
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: DPSK, DQPSK, GFSK
Anzahl der Pins: 194Pin(s)
Übertragungsrate: 867Mbps
Frequenzgang HF, max.: 5.845GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 4.8V
Frequenz, max.: 5.845GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+797.71 грн
10+666.67 грн
25+628.17 грн
50+552.88 грн
100+489.29 грн
250+454.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88359CUBGT Infineon-CYW88335_Single_Chip_5G_Wi_Fi_IEEE_802.11ac_MAC_Baseband_Radio_with_Integrated_Bluetooth_4.1_for_Automotive_Applications-AdditionalTechnicalInformation-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ee8678f883639
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW88359CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1028.66 грн
10+859.13 грн
25+810.81 грн
50+713.35 грн
100+631.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20835PB1KML1GGF 3920495.pdf
CYW20835PB1KML1GGF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: AIROC Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.13 грн
10+190.83 грн
25+181.00 грн
50+163.51 грн
100+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYW89359CUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW89359CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1018.02 грн
25+959.87 грн
50+844.92 грн
100+747.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88335L2CUBGT 4598028.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW88335L2CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+626.54 грн
10+543.82 грн
25+515.15 грн
50+460.10 грн
100+407.86 грн
250+388.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88359CUBGT Infineon-CYW88335_Single_Chip_5G_Wi_Fi_IEEE_802.11ac_MAC_Baseband_Radio_with_Integrated_Bluetooth_4.1_for_Automotive_Applications-AdditionalTechnicalInformation-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ee8678f883639
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW88359CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+859.13 грн
25+810.81 грн
50+713.35 грн
100+631.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYW54590RKUBGT 3920497.pdf
CYW54590RKUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW54590RKUBGT - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 5.845GHz, 867MB/s, 13dBm out, 3V bis 4.8V, WLBGA-194
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WLBGA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-ISM-Band, 802.11 ac, Funk/Basisband mit RSDB, Verbraucher, Automatisierung im gewerblichen Bereich
usEccn: 5A992.c
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: DPSK, DQPSK, GFSK
Anzahl der Pins: 194Pin(s)
Übertragungsrate: 867Mbps
Frequenzgang HF, max.: 5.845GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 2.4GHz
Versorgungsspannung, max.: 4.8V
Frequenz, max.: 5.845GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+666.67 грн
25+628.17 грн
50+552.88 грн
100+489.29 грн
250+454.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
CYW54591RKUBGT INFN-S-A0014471776-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYW54591RKUBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW54591RKUBGT - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 5.845GHz, 867MB/s, 13dBm out, 3V bis 4.8V, WLBGA-194
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLBGA
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-ISM-Band, 802.11 ac, Funk/Basisband mit RSDB, Verbraucher, Automatisierung im gewerblichen Bereich
usEccn: 5A992.c
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: DPSK, DQPSK, GFSK
Anzahl der Pins: 194Pin(s)
Übertragungsrate: 867Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 4.8V
Frequenz, max.: 5.845GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+831.28 грн
10+578.21 грн
25+556.10 грн
50+504.21 грн
100+453.49 грн
250+428.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88335L2CUBGT 4598028.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW88335L2CUBGT - WIRELESS AUTOMOTIVE
tariffCode: 85423190
HF-Primärfunktion: Transceiver
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+543.82 грн
25+515.15 грн
50+460.10 грн
100+407.86 грн
250+388.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 3980139.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.34 грн
500+30.72 грн
1000+25.69 грн
5000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF 44036.pdf
IRFS3806TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3806TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WH6327XTSA1 INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP182WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 35mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.90 грн
69+11.96 грн
100+9.50 грн
500+7.68 грн
1000+6.78 грн
5000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1 IPB65R190C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043300464130130079301853bfc
IPP65R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.53 грн
10+246.52 грн
100+197.38 грн
500+92.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N04LSGATMA1 INFNS16709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC016N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524RXTMA1 3542772.pdf
2EDN7524RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7524RXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), TSSOP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 17ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.93 грн
19+43.82 грн
100+34.73 грн
500+26.54 грн
1000+22.67 грн
2500+22.39 грн
5000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b
BSZ42DN25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.04 грн
10+104.83 грн
100+78.21 грн
500+60.99 грн
1000+43.45 грн
2500+42.05 грн
5000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5CEAUMA1 2354542.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 49W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.76 грн
21+39.80 грн
100+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD5N25S3430ATMA1 2371105.pdf
IPD5N25S3430ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.79 грн
10+99.10 грн
100+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0993NDATMA1 2849762.pdf
BSC0993NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.75 грн
12+71.42 грн
100+48.32 грн
500+32.47 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R900P7SAKMA1 infineon-ipsa70r900p7s-ds-en.pdf
IPSA70R900P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R900P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.44 грн
26+32.35 грн
100+25.06 грн
500+18.40 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+298.94 грн
10+253.07 грн
100+192.46 грн
500+168.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1 INFNS17036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120P04P4L03ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+203.93 грн
50+151.52 грн
200+117.12 грн
500+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+192.46 грн
500+168.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190C7XKSA1 INFNS28170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW65R190C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.09 грн
10+202.29 грн
100+163.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 2371107.pdf
IPD70R1K4P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.79 грн
500+18.02 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 2612484.pdf
IPDD60R190G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 INFNS27878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB013NE2LXIXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+126.94 грн
500+111.03 грн
1000+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 INFNS27878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB013NE2LXIXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.51 грн
10+135.14 грн
100+126.94 грн
500+111.03 грн
1000+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 INFNS30292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB028N06NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+284.19 грн
10+185.09 грн
100+129.40 грн
500+88.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 INFNS17232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB056N10NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 INFNS17232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSB056N10NN3GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.15 грн
10+170.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1PCS01GFUMA1 2820305.pdf
ICE1PCS01GFUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE1PCS01GFUMA1 - PFC-CONTROLLER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 250kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 50kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.2V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Variabel
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 21V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.88 грн
10+159.70 грн
50+146.60 грн
100+117.12 грн
250+101.09 грн
500+88.45 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1PCS01GFUMA1 2820305.pdf
ICE1PCS01GFUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE1PCS01GFUMA1 - PFC-CONTROLLER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 250kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 50kHz
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.2V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Variabel
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 21V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.12 грн
250+101.09 грн
500+88.45 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.06 грн
500+21.45 грн
1000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 INFNS28051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD07N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD07N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.95 грн
10+143.32 грн
100+90.91 грн
500+81.37 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600C6ATMA1 INFNS28011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R600C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.84 грн
17+48.48 грн
100+41.36 грн
500+34.22 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844
IPD65R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.98 грн
500+34.07 грн
1000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 INFNS28051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD07N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD07N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.91 грн
500+81.37 грн
1000+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844
IPD65R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.93 грн
13+64.37 грн
100+43.98 грн
500+34.07 грн
1000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080
IPD65R600E6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.82 грн
100+74.37 грн
500+54.76 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4
BSC019N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.18 грн
14+61.18 грн
100+50.12 грн
500+41.52 грн
1000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 333 334 335 336 337 338 339 340 341 342 343 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]