Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 336 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDD60R075CFD7XTMA1 IPDD60R075CFD7XTMA1 INFINEON 3177174.pdf Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 266W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R105CFD7XTMA1 IPDD60R105CFD7XTMA1 INFINEON 3177172.pdf Description: INFINEON - IPDD60R105CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.088 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 INFINEON 2362699.pdf Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.98 грн
13+72.47 грн
100+54.20 грн
500+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1 IPDD60R170CFD7XTMA1 INFINEON 3177169.pdf Description: INFINEON - IPDD60R170CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.139 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.139ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.85 грн
10+189.02 грн
25+178.27 грн
100+134.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1 IPDD60R075CFD7XTMA1 INFINEON 3177174.pdf Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.25 грн
10+350.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1 IPN50R1K4CEATMA1 INFINEON Infineon-IPN50R1K4CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac894e25aa7 Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.91 грн
50+22.75 грн
100+17.11 грн
500+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K2P7SAKMA1 IPSA70R1K2P7SAKMA1 INFINEON 2577431.pdf Description: INFINEON - IPSA70R1K2P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.08 грн
22+41.57 грн
100+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1 IPSA70R1K4P7SAKMA1 INFINEON Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d49d8871342 Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.11 грн
28+32.25 грн
100+22.22 грн
500+17.22 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1 IPA65R190CFDXKSA1 INFINEON INFNS28185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+284.88 грн
10+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1 IPSA70R450P7SAKMA1 INFINEON 2577435.pdf Description: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1 IPLK70R2K0P7ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+89.05 грн
15+60.47 грн
100+42.10 грн
500+33.94 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1 IPLK70R900P7ATMA1 INFINEON 3629116.pdf Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.65 грн
39+23.20 грн
100+22.66 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1 IPLK70R1K2P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.40 грн
500+33.27 грн
1000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1 IPLK70R1K4P7ATMA1 INFINEON 3629112.pdf Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+88.51 грн
13+69.16 грн
100+49.45 грн
500+39.01 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1 IPLK70R2K0P7ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.10 грн
500+33.94 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1 IPLK70R1K2P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.65 грн
15+60.83 грн
100+46.40 грн
500+33.27 грн
1000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1 IPLK70R1K4P7ATMA1 INFINEON 3629112.pdf Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 22.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.45 грн
500+39.01 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1 IPLK70R600P7ATMA1 INFINEON 3629114.pdf Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.04 грн
500+31.53 грн
1000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1 IPLK70R600P7ATMA1 INFINEON 3629114.pdf Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.94 грн
27+34.13 грн
100+34.04 грн
500+31.53 грн
1000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1 IPLK70R900P7ATMA1 INFINEON 3629116.pdf Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.66 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0P7SAKMA1 IPSA70R2K0P7SAKMA1 INFINEON Infineon-IPSA70R2K0P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9329b21385 Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+25.17 грн
44+20.51 грн
100+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1 IPSA70R360P7SAKMA1 INFINEON INFN-S-A0004583969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON 2371107.pdf Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.91 грн
50+31.53 грн
100+23.83 грн
500+19.71 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002470602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+86.27 грн
17+55.81 грн
100+37.71 грн
500+27.53 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080 Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.50 грн
10+104.81 грн
100+81.34 грн
500+59.89 грн
1000+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 IPB65R190CFDATMA1 INFINEON Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+287.56 грн
10+188.12 грн
100+146.92 грн
500+105.64 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 INFINEON INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+698.75 грн
10+579.60 грн
25+480.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.95 грн
500+51.32 грн
1000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 INFINEON infineon-sn7002i-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+20.60 грн
72+12.45 грн
154+5.84 грн
500+5.27 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON Infineon-SN7002W-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043344adb9d0134569a59ab6195 Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+17.83 грн
87+10.39 грн
139+6.47 грн
500+5.85 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON Infineon-SN7002W-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043344adb9d0134569a59ab6195 Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.85 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 INFINEON 3208416.pdf Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.24 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5235XUMA1 TDA5235XUMA1 INFINEON INFNS14894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TDA5235XUMA1 - RKE-System, HF, 902MHz-928MHz, ASK, FSK, -117dBm, 3V-3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: RKE-Systeme (schlüssellose Entriegelung mit Fernbedienung), Reifendruckkontrollsysteme (TPMS)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 902MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfangsstrom: 15mA
Empfindlichkeit (dBm): -117dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.32 грн
250+196.57 грн
500+188.89 грн
1000+158.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS450R12OE4B81BPSA1 FS450R12OE4B81BPSA1 INFINEON 3097853.pdf Description: INFINEON - FS450R12OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.76 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.76V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.76V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43789.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17OE4B81BPSA1 FS300R17OE4B81BPSA1 INFINEON 3097852.pdf Description: INFINEON - FS300R17OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35119.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 2ED020I12F2XUMA1 INFINEON 2211688.pdf Description: INFINEON - 2ED020I12F2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, 30ns/50ns Verzögerung, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+378.04 грн
200+319.43 грн
500+272.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR460L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0009690964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR460L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 22GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.14 грн
500+17.64 грн
1000+9.21 грн
5000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712204ESAXUMA1 BTS712204ESAXUMA1 INFINEON Infineon-BTS71220-4ESA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163feaaf85408d1 Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.21 грн
250+131.30 грн
500+126.70 грн
1000+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712204ESAXUMA1 BTS712204ESAXUMA1 INFINEON Infineon-BTS71220-4ESA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163feaaf85408d1 Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+280.40 грн
10+211.42 грн
25+194.40 грн
50+166.37 грн
100+138.21 грн
250+131.30 грн
500+126.70 грн
1000+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+17.02 грн
97+9.32 грн
117+7.66 грн
500+6.95 грн
1000+6.27 грн
5000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 BAR8802VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.99 грн
1000+6.30 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1111-40LQXI CYPM1111-40LQXI INFINEON 3920238.pdf Description: INFINEON - CYPM1111-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 17I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+174.69 грн
10+124.52 грн
25+123.62 грн
50+113.13 грн
100+103.66 грн
250+102.12 грн
500+101.36 грн
1000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1211-40LQXI CYPM1211-40LQXI INFINEON 3920239.pdf Description: INFINEON - CYPM1211-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S2
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.77 грн
10+188.12 грн
25+174.69 грн
50+148.90 грн
100+129.00 грн
250+122.86 грн
500+120.55 грн
1000+118.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1311-48LDXI CYPM1311-48LDXI INFINEON 3920240.pdf Description: INFINEON - CYPM1311-48LDXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 5Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 26I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+424.62 грн
10+326.08 грн
25+300.10 грн
50+256.21 грн
100+215.77 грн
250+198.88 грн
500+193.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1011-24LQXI CYPM1011-24LQXI INFINEON 3920237.pdf Description: INFINEON - CYPM1011-24LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S0
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.85 грн
10+136.17 грн
25+124.52 грн
50+106.48 грн
100+88.30 грн
250+82.16 грн
500+81.39 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1322-97BZXI CYPM1322-97BZXI INFINEON 3920240.pdf Description: INFINEON - CYPM1322-97BZXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 10Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.46 грн
10+420.15 грн
25+388.79 грн
50+345.22 грн
100+303.30 грн
250+281.04 грн
500+275.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF INFINEON 2334228.pdf Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+270.54 грн
50+232.02 грн
250+219.48 грн
1000+188.83 грн
2000+170.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBF IRF7779L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+345.79 грн
250+271.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF INFINEON 2334228.pdf Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+232.02 грн
250+219.48 грн
1000+188.83 грн
2000+170.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.85 грн
10+182.75 грн
100+139.75 грн
500+117.29 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR INFINEON INFN-S-A0002298866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+357.05 грн
250+350.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.75 грн
500+117.29 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF INFINEON INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+240.08 грн
250+215.00 грн
1000+180.51 грн
2000+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+619.92 грн
10+556.31 грн
100+455.98 грн
500+360.19 грн
1000+305.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+556.31 грн
100+455.98 грн
500+360.19 грн
1000+305.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762TXUMA1 BSP762TXUMA1 INFINEON 2333299.pdf Description: INFINEON - BSP762TXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 7A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.1ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 7A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.88 грн
10+147.81 грн
50+135.27 грн
100+112.30 грн
250+98.29 грн
500+93.68 грн
1000+91.38 грн
2500+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.29 грн
250+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60H12AHXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1 INFINEON Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.04 грн
10+186.33 грн
25+171.10 грн
50+151.40 грн
100+132.07 грн
250+124.39 грн
500+120.55 грн
1000+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60I12AHXUMA1 1EDI60I12AHXUMA1 INFINEON 2354779.pdf Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+283.08 грн
10+208.73 грн
25+200.67 грн
50+178.85 грн
100+158.18 грн
250+150.50 грн
500+135.14 грн
1000+113.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I06FIXUMA1 2ED020I06FIXUMA1 INFINEON INFN-S-A0008993653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED020I06FIXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 1A, 14-18V Versorgungsspannung, 85ns/85ns Verzögerung, SOIC-18
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 14V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.66 грн
250+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1 3177174.pdf
IPDD60R075CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 266W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R105CFD7XTMA1 3177172.pdf
IPDD60R105CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R105CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.088 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+208.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7ATMA1 2362699.pdf
IPD60R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.98 грн
13+72.47 грн
100+54.20 грн
500+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1 3177169.pdf
IPDD60R170CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R170CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.139 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.139ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.85 грн
10+189.02 грн
25+178.27 грн
100+134.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1 3177174.pdf
IPDD60R075CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+462.25 грн
10+350.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1 Infineon-IPN50R1K4CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac894e25aa7
IPN50R1K4CEATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.91 грн
50+22.75 грн
100+17.11 грн
500+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K2P7SAKMA1 2577431.pdf
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R1K2P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.08 грн
22+41.57 грн
100+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon-IPSA70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d49d8871342
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R1K4P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+48.11 грн
28+32.25 грн
100+22.22 грн
500+17.22 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1 INFNS28185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R190CFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+284.88 грн
10+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R450P7SAKMA1 2577435.pdf
IPSA70R450P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1
IPLK70R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+89.05 грн
15+60.47 грн
100+42.10 грн
500+33.94 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1 3629116.pdf
IPLK70R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+23.65 грн
39+23.20 грн
100+22.66 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1 Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a
IPLK70R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.40 грн
500+33.27 грн
1000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1 3629112.pdf
IPLK70R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+88.51 грн
13+69.16 грн
100+49.45 грн
500+39.01 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R2K0P7ATMA1
IPLK70R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.10 грн
500+33.94 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K2P7ATMA1 Infineon-IPLK70R1K2P7-PQR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d630167198846766b6a
IPLK70R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+72.65 грн
15+60.83 грн
100+46.40 грн
500+33.27 грн
1000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R1K4P7ATMA1 3629112.pdf
IPLK70R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 22.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.45 грн
500+39.01 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1 3629114.pdf
IPLK70R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.04 грн
500+31.53 грн
1000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R600P7ATMA1 3629114.pdf
IPLK70R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.94 грн
27+34.13 грн
100+34.04 грн
500+31.53 грн
1000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK70R900P7ATMA1 3629116.pdf
IPLK70R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.66 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon-IPSA70R2K0P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f4d9329b21385
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+25.17 грн
44+20.51 грн
100+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IPSA70R360P7SAKMA1 INFN-S-A0004583969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPSA70R360P7SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 2371107.pdf
IPD70R1K4P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.91 грн
50+31.53 грн
100+23.83 грн
500+19.71 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 INFN-S-A0002470602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70R1K4CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.27 грн
17+55.81 грн
100+37.71 грн
500+27.53 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 Infineon-IPD65R600E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a0c175b3080
IPD65R600E6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.50 грн
10+104.81 грн
100+81.34 грн
500+59.89 грн
1000+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1 Infineon-IPX65R190CFD-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30432fd0c54a012fded065a8309b
IPB65R190CFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+287.56 грн
10+188.12 грн
100+146.92 грн
500+105.64 грн
1000+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDFKSA1 INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R110CFDFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+698.75 грн
10+579.60 грн
25+480.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF INFN-S-A0012905035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2908TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.95 грн
500+51.32 грн
1000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002IXTSA1 infineon-sn7002i-datasheet-en.pdf
SN7002IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+20.60 грн
72+12.45 грн
154+5.84 грн
500+5.27 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 Infineon-SN7002W-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043344adb9d0134569a59ab6195
SN7002WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+17.83 грн
87+10.39 грн
139+6.47 грн
500+5.85 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 Infineon-SN7002W-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043344adb9d0134569a59ab6195
SN7002WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.85 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002IXTSA1 3208416.pdf
SN7002IXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.24 грн
1000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5235XUMA1 INFNS14894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TDA5235XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5235XUMA1 - RKE-System, HF, 902MHz-928MHz, ASK, FSK, -117dBm, 3V-3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: RKE-Systeme (schlüssellose Entriegelung mit Fernbedienung), Reifendruckkontrollsysteme (TPMS)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 902MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfangsstrom: 15mA
Empfindlichkeit (dBm): -117dBm
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+207.32 грн
250+196.57 грн
500+188.89 грн
1000+158.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS450R12OE4B81BPSA1 3097853.pdf
FS450R12OE4B81BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS450R12OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.76 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.76V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.76V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+43789.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R17OE4B81BPSA1 3097852.pdf
FS300R17OE4B81BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS300R17OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+35119.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 2211688.pdf
2ED020I12F2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED020I12F2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, 30ns/50ns Verzögerung, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+378.04 грн
200+319.43 грн
500+272.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR460L3E6327XTMA1 INFN-S-A0009690964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR460L3E6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR460L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 22GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.14 грн
500+17.64 грн
1000+9.21 грн
5000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712204ESAXUMA1 Infineon-BTS71220-4ESA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163feaaf85408d1
BTS712204ESAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.21 грн
250+131.30 грн
500+126.70 грн
1000+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712204ESAXUMA1 Infineon-BTS71220-4ESA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163feaaf85408d1
BTS712204ESAXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 13.5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+280.40 грн
10+211.42 грн
25+194.40 грн
50+166.37 грн
100+138.21 грн
250+131.30 грн
500+126.70 грн
1000+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 INFNS15409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR8802VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+17.02 грн
97+9.32 грн
117+7.66 грн
500+6.95 грн
1000+6.27 грн
5000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BAR8802VH6327XTSA1 INFNS15409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR8802VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 80V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.99 грн
1000+6.30 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1111-40LQXI 3920238.pdf
CYPM1111-40LQXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1111-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 17I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+174.69 грн
10+124.52 грн
25+123.62 грн
50+113.13 грн
100+103.66 грн
250+102.12 грн
500+101.36 грн
1000+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1211-40LQXI 3920239.pdf
CYPM1211-40LQXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1211-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S2
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.77 грн
10+188.12 грн
25+174.69 грн
50+148.90 грн
100+129.00 грн
250+122.86 грн
500+120.55 грн
1000+118.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1311-48LDXI 3920240.pdf
CYPM1311-48LDXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1311-48LDXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 5Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 26I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+424.62 грн
10+326.08 грн
25+300.10 грн
50+256.21 грн
100+215.77 грн
250+198.88 грн
500+193.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1011-24LQXI 3920237.pdf
CYPM1011-24LQXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1011-24LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S0
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.85 грн
10+136.17 грн
25+124.52 грн
50+106.48 грн
100+88.30 грн
250+82.16 грн
500+81.39 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CYPM1322-97BZXI 3920240.pdf
CYPM1322-97BZXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1322-97BZXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 10Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: EZ-PD
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+546.46 грн
10+420.15 грн
25+388.79 грн
50+345.22 грн
100+303.30 грн
250+281.04 грн
500+275.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBF 2334228.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+270.54 грн
50+232.02 грн
250+219.48 грн
1000+188.83 грн
2000+170.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBF INFN-S-A0012826943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7779L2TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+345.79 грн
250+271.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPBF 2334228.pdf
IRL7472L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+232.02 грн
250+219.48 грн
1000+188.83 грн
2000+170.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7675M2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.85 грн
10+182.75 грн
100+139.75 грн
500+117.29 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR INFN-S-A0002298866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7759L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+357.05 грн
250+350.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR INFN-S-A0002296968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7675M2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.75 грн
500+117.29 грн
1000+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L1TRPBF INFN-S-A0002806797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7769L1TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+240.08 грн
250+215.00 грн
1000+180.51 грн
2000+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7759L2TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+619.92 грн
10+556.31 грн
100+455.98 грн
500+360.19 грн
1000+305.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7759L2TRPBF INFN-S-A0012826715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7759L2TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+556.31 грн
100+455.98 грн
500+360.19 грн
1000+305.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762TXUMA1 2333299.pdf
BSP762TXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP762TXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 7A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.1ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 7A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.88 грн
10+147.81 грн
50+135.27 грн
100+112.30 грн
250+98.29 грн
500+93.68 грн
1000+91.38 грн
2500+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.29 грн
250+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60H12AHXUMA1 Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b
1EDI60H12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.04 грн
10+186.33 грн
25+171.10 грн
50+151.40 грн
100+132.07 грн
250+124.39 грн
500+120.55 грн
1000+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60I12AHXUMA1 2354779.pdf
1EDI60I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+283.08 грн
10+208.73 грн
25+200.67 грн
50+178.85 грн
100+158.18 грн
250+150.50 грн
500+135.14 грн
1000+113.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I06FIXUMA1 INFN-S-A0008993653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED020I06FIXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED020I06FIXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 1A, 14-18V Versorgungsspannung, 85ns/85ns Verzögerung, SOIC-18
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 14V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.66 грн
250+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 331 332 333 334 335 336 337 338 339 340 341 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]