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IDL12G65C5XUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSONtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDK12G65C5XTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDK12G65C5XTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVAL-M1-301FTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL-M1-301FTOBO1 - Steuerungs-Evaluationsboard, IMC301A-F064, PMSM-Motor, Power-Management, MotorsteuerungtariffCode: 84733020 Prozessorkern: IMC301A-F064 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Steuerungs-Evaluationsboard IMC301A-F064 euEccn: NLR Unterart Anwendung: PMSM-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALM3102TTOBO2 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALM3102TTOBO2 - Evaluationsboard, IMC102T-F064, 3-Phasen-PMSM-Motor, Power-Management - MotorsteuerungtariffCode: 84733020 Prozessorkern: IMC102T-F064 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC102T-F064 euEccn: NLR Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALC101TIM231TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALC101TIM231TOBO1 - Evaluationsboard, IMC101T-T038 & IM231-L6S1B, Motortreiber, 3-Phasen-PMSM-MotortariffCode: 85437090 Prozessorkern: IMC101T-T038, IM231-L6S1B Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC101T-T038 und IM231-L6S1B euEccn: NLR Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IAUA250N04S6N006AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF1010NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF1010NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IQD005N04NM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IQD005N04NM6CGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TTFN Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC047N08NS3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE8888QKXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE8888QKXUMA1 - Engine-Machine-System-IC, 9V bis 28V, HS CAN/LIN/MSC/SPI, LQFP-EP-100tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Engine-Machine-System-IC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Bauform: LQFP-EP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 100Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 28V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SPD15P10PLGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL512SAGMFI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOICtariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-SchaltertariffCode: 84733020 Prozessorkern: BTS7002-1EPP Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7002-1EPP euEccn: NLR Unterart Anwendung: High-Side-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 - Hauptplatine, Power-Management - Lastschalter, High-Side-SchaltertariffCode: 84733020 Prozessorkern: - Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: - Lieferumfang des Kits: Hauptplatine PLUS2 von PROFET euEccn: NLR Unterart Anwendung: High-Side-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IGOT60R070D1AUMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDF7175FXUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDS8265HXUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IGLD60R070D1AUMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IGO60R070D1AUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IGOT60R070D1AUMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IGO60R070D1AUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IGLD60R070D1AUMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDS8165HXUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1EDN7550BXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDF7175FXUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: NSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDS8165HXUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDS8265HXUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC014N04LSTATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSC014N04LSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KP229E2701XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KP229E2701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOFtariffCode: 85423990 Genauigkeit: ±2.5kPa rohsCompliant: YES Empfindlichkeit, V/P: 14.7mV/kPa hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Druckmessung: Absolutdruck MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebsdruck, max.: 300kPa Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: 4.5V Sensorgehäuse/-bauform: DSOF Bauform - Sensor: DSOF euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Sensorausgang: Analog Betriebsdruck, min.: 10kPa Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Druckanschluss: - Versorgungsspannung, max.: 5.5V Medium: Luft Betriebstemperatur, max.: 140°C Ausgangsschnittstelle: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KP229E3111XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KP229E3111XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 20 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOFtariffCode: 90262020 Genauigkeit: ±2.5kPa rohsCompliant: YES Empfindlichkeit, V/P: 15.2mV/kPa hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Druckmessung: Absolutdruck MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebsdruck, max.: 300kPa Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: 4.5V Sensorgehäuse/-bauform: DSOF Bauform - Sensor: DSOF euEccn: NLR Sensorausgang: Analog Betriebsdruck, min.: 20kPa Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Druckanschluss: - Versorgungsspannung, max.: 5.5V Medium: Luft Betriebstemperatur, max.: 140°C Ausgangsschnittstelle: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT165E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 2.5A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 700mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT165 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 249361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R280P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD60R280P7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DD350N16KHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DD350N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 350 A, 1.28 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 13kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.28V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 350A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR5002VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR5002VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 4.5 ohm, 50 V, SC-79, 2 Pins, 0.4 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach usEccn: EAR99 Sperrspannung: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.4pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD70R360P7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED2109S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED21094S06JXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED2110S06MXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED2182S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED2101S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED21091S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED2182S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED2109S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED21094S06JXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED21091S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 740ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED2110S06MXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2ED2101S06FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 700mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS84PH6433XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 80198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS84PH6433XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 80198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVAL1ED44175N01BTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL1ED44175N01BTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED44175N01B, 1 Kanal, Low-Side, IGBT-Gate-TreibertariffCode: 84733020 Prozessorkern: 1ED44175N01B Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED44175N01B euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PVT412S-TPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT412S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, OberflächenmontagetariffCode: 85364900 Art der Last: AC/DC rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 4kV euEccn: NLR Lastspannung, max.: 400V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 140mA Produktpalette: HEXFET PVT412 Series productTraceability: No I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Durchlasswiderstand, max.: 27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS710404ESPXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS710404ESPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 4 Ausgänge, 5V, 0.0225 Ohm, TSSOP-EP, 24-PintariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.0225ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Strombegrenzung: 3A IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5V Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS710336ESPXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS710336ESPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 6 Ausgänge, 5V, 0.0225 Ohm, TSSOP-EP, 24-PintariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.0225ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Strombegrenzung: 3A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IDL12G65C5XUMA2 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 194.53 грн |
| 500+ | 171.84 грн |
| 1000+ | 157.15 грн |
| IDK12G65C5XTMA2 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 389.06 грн |
| 10+ | 245.32 грн |
| 100+ | 191.95 грн |
| IDD08SG60CXTMA2 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 340.86 грн |
| 10+ | 225.52 грн |
| 100+ | 160.10 грн |
| 500+ | 128.68 грн |
| 1000+ | 106.24 грн |
| IDK12G65C5XTMA2 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 191.95 грн |
| IDD08SG60CXTMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 160.10 грн |
| 500+ | 128.68 грн |
| 1000+ | 106.24 грн |
| EVAL-M1-301FTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL-M1-301FTOBO1 - Steuerungs-Evaluationsboard, IMC301A-F064, PMSM-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC301A-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerungs-Evaluationsboard IMC301A-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EVAL-M1-301FTOBO1 - Steuerungs-Evaluationsboard, IMC301A-F064, PMSM-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC301A-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerungs-Evaluationsboard IMC301A-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5391.77 грн |
| EVALM3102TTOBO2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM3102TTOBO2 - Evaluationsboard, IMC102T-F064, 3-Phasen-PMSM-Motor, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC102T-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC102T-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EVALM3102TTOBO2 - Evaluationsboard, IMC102T-F064, 3-Phasen-PMSM-Motor, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC102T-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC102T-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5170.56 грн |
| EVALC101TIM231TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALC101TIM231TOBO1 - Evaluationsboard, IMC101T-T038 & IM231-L6S1B, Motortreiber, 3-Phasen-PMSM-Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: IMC101T-T038, IM231-L6S1B
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC101T-T038 und IM231-L6S1B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - EVALC101TIM231TOBO1 - Evaluationsboard, IMC101T-T038 & IM231-L6S1B, Motortreiber, 3-Phasen-PMSM-Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: IMC101T-T038, IM231-L6S1B
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC101T-T038 und IM231-L6S1B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10339.40 грн |
| IAUA250N04S6N006AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 384.76 грн |
| 10+ | 278.88 грн |
| 100+ | 208.30 грн |
| 500+ | 151.06 грн |
| 1000+ | 125.42 грн |
| 2000+ | 121.74 грн |
| 5000+ | 119.52 грн |
| IRF1010NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.46 грн |
| 11+ | 85.99 грн |
| 100+ | 73.51 грн |
| 500+ | 64.02 грн |
| IRF1010NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 73.51 грн |
| 500+ | 64.02 грн |
| IQD005N04NM6CGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 233.26 грн |
| 10+ | 174.73 грн |
| 100+ | 144.61 грн |
| 500+ | 112.70 грн |
| 1000+ | 101.82 грн |
| IQD005N04NM6CGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 144.61 грн |
| 500+ | 112.70 грн |
| 1000+ | 101.82 грн |
| BSC047N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 217.77 грн |
| 10+ | 152.35 грн |
| 100+ | 111.04 грн |
| 500+ | 81.53 грн |
| 1000+ | 71.93 грн |
| TLE8888QKXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8888QKXUMA1 - Engine-Machine-System-IC, 9V bis 28V, HS CAN/LIN/MSC/SPI, LQFP-EP-100
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Engine-Machine-System-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: LQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE8888QKXUMA1 - Engine-Machine-System-IC, 9V bis 28V, HS CAN/LIN/MSC/SPI, LQFP-EP-100
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Engine-Machine-System-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: LQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1100.91 грн |
| 25+ | 1030.32 грн |
| 50+ | 880.00 грн |
| 100+ | 751.07 грн |
| SPD15P10PLGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.25 грн |
| 10+ | 110.18 грн |
| 100+ | 89.52 грн |
| 500+ | 65.78 грн |
| 1000+ | 59.32 грн |
| 5000+ | 50.98 грн |
| S25FL512SAGMFI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 530.23 грн |
| 10+ | 492.35 грн |
| 25+ | 478.58 грн |
| 50+ | 434.01 грн |
| 100+ | 362.26 грн |
| PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS7002-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7002-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS7002-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7002-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6853.34 грн |
| PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 - Hauptplatine, Power-Management - Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Hauptplatine PLUS2 von PROFET
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 - Hauptplatine, Power-Management - Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Hauptplatine PLUS2 von PROFET
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 16475.73 грн |
| IGOT60R070D1AUMA3 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1026.88 грн |
| 5+ | 889.16 грн |
| 10+ | 750.58 грн |
| 50+ | 694.57 грн |
| 100+ | 524.57 грн |
| 2EDF7175FXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 203.14 грн |
| 10+ | 151.49 грн |
| 25+ | 136.00 грн |
| 50+ | 121.49 грн |
| 100+ | 106.98 грн |
| 250+ | 101.08 грн |
| 500+ | 97.39 грн |
| 1000+ | 94.44 грн |
| 2EDS8265HXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 298.68 грн |
| 10+ | 226.38 грн |
| 25+ | 208.30 грн |
| 50+ | 183.83 грн |
| 100+ | 160.84 грн |
| 250+ | 151.98 грн |
| 500+ | 147.56 грн |
| IGLD60R070D1AUMA3 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 840.10 грн |
| 5+ | 773.82 грн |
| 10+ | 706.68 грн |
| 50+ | 626.63 грн |
| 100+ | 444.89 грн |
| 250+ | 436.03 грн |
| IGO60R070D1AUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 908.10 грн |
| 50+ | 754.51 грн |
| 100+ | 625.65 грн |
| 250+ | 585.07 грн |
| IGOT60R070D1AUMA3 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 750.58 грн |
| 50+ | 694.57 грн |
| 100+ | 524.57 грн |
| IGO60R070D1AUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 970.93 грн |
| 5+ | 939.95 грн |
| 10+ | 908.10 грн |
| 50+ | 754.51 грн |
| 100+ | 625.65 грн |
| 250+ | 585.07 грн |
| IGLD60R070D1AUMA3 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 706.68 грн |
| 50+ | 626.63 грн |
| 100+ | 444.89 грн |
| 250+ | 436.03 грн |
| 2EDS8165HXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 192.81 грн |
| 10+ | 143.75 грн |
| 50+ | 130.83 грн |
| 100+ | 99.91 грн |
| 250+ | 87.80 грн |
| 500+ | 84.11 грн |
| 1EDN7550BXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.80 грн |
| 22+ | 40.11 грн |
| 100+ | 31.42 грн |
| 500+ | 25.98 грн |
| 1000+ | 23.09 грн |
| 2500+ | 22.50 грн |
| 2EDF7175FXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 96.71 грн |
| 250+ | 84.11 грн |
| 500+ | 80.42 грн |
| 1000+ | 78.94 грн |
| 2EDS8165HXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 99.91 грн |
| 250+ | 87.80 грн |
| 500+ | 84.11 грн |
| 2EDS8265HXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 160.84 грн |
| 250+ | 151.98 грн |
| 500+ | 147.56 грн |
| BSC014N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 79.96 грн |
| 500+ | 63.30 грн |
| 1000+ | 56.88 грн |
| 5000+ | 45.67 грн |
| BSC014N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 104.15 грн |
| 250+ | 69.98 грн |
| 1000+ | 47.32 грн |
| 3000+ | 42.79 грн |
| KP229E2701XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP229E2701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±2.5kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 14.7mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 300kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 10kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KP229E2701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±2.5kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 14.7mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 300kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 10kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 196.99 грн |
| 250+ | 189.61 грн |
| 500+ | 181.50 грн |
| KP229E3111XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP229E3111XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 20 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOF
tariffCode: 90262020
Genauigkeit: ±2.5kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 15.2mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 300kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 20kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - KP229E3111XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 20 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOF
tariffCode: 90262020
Genauigkeit: ±2.5kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 15.2mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 300kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 20kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 228.10 грн |
| 10+ | 205.72 грн |
| 25+ | 198.83 грн |
| 50+ | 165.45 грн |
| 100+ | 147.56 грн |
| 250+ | 143.87 грн |
| 500+ | 140.18 грн |
| 1000+ | 128.38 грн |
| BAT165E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT165
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT165
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 249361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.48 грн |
| 500+ | 10.47 грн |
| 1500+ | 8.04 грн |
| IPD60R280P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 82.46 грн |
| 500+ | 61.54 грн |
| 1000+ | 49.28 грн |
| IPD60R280P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.93 грн |
| 500+ | 42.76 грн |
| 1000+ | 36.08 грн |
| DD350N16KHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD350N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 350 A, 1.28 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 13kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.28V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 350A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - DD350N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 350 A, 1.28 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 13kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.28V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 350A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13313.31 грн |
| BAR5002VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR5002VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 4.5 ohm, 50 V, SC-79, 2 Pins, 0.4 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.4pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR5002VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 4.5 ohm, 50 V, SC-79, 2 Pins, 0.4 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.4pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.65 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| 5000+ | 3.73 грн |
| IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.83 грн |
| 500+ | 31.33 грн |
| 1000+ | 28.85 грн |
| 2ED2109S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.27 грн |
| 13+ | 70.67 грн |
| 50+ | 63.87 грн |
| 100+ | 52.51 грн |
| 250+ | 45.45 грн |
| 500+ | 43.60 грн |
| 2ED21094S06JXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 106.73 грн |
| 11+ | 81.94 грн |
| 50+ | 76.00 грн |
| 100+ | 58.75 грн |
| 250+ | 51.87 грн |
| 500+ | 50.10 грн |
| 1000+ | 48.55 грн |
| 2ED2110S06MXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 216.91 грн |
| 10+ | 161.82 грн |
| 25+ | 148.05 грн |
| 50+ | 130.28 грн |
| 100+ | 113.62 грн |
| 250+ | 107.72 грн |
| 2ED2182S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 150.63 грн |
| 10+ | 111.04 грн |
| 50+ | 101.57 грн |
| 100+ | 83.12 грн |
| 250+ | 72.67 грн |
| 500+ | 72.01 грн |
| 2ED2101S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.62 грн |
| 10+ | 87.80 грн |
| 50+ | 76.61 грн |
| 100+ | 60.74 грн |
| 250+ | 52.83 грн |
| 500+ | 49.51 грн |
| 1000+ | 39.10 грн |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 64.99 грн |
| 17+ | 52.16 грн |
| 50+ | 49.06 грн |
| 100+ | 38.92 грн |
| 250+ | 34.60 грн |
| 500+ | 33.79 грн |
| 1000+ | 33.27 грн |
| 2ED2182S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 83.12 грн |
| 250+ | 72.67 грн |
| 500+ | 72.01 грн |
| 2ED2109S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.51 грн |
| 250+ | 45.45 грн |
| 500+ | 43.60 грн |
| 2ED21094S06JXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 58.75 грн |
| 250+ | 51.87 грн |
| 500+ | 50.10 грн |
| 1000+ | 48.55 грн |
| 2ED21091S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.92 грн |
| 250+ | 34.60 грн |
| 500+ | 33.79 грн |
| 1000+ | 33.27 грн |
| 2ED2110S06MXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 135.75 грн |
| 250+ | 129.11 грн |
| 500+ | 115.83 грн |
| 1000+ | 90.01 грн |
| 2ED2101S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.74 грн |
| 250+ | 52.83 грн |
| 500+ | 49.51 грн |
| 1000+ | 39.10 грн |
| BSS84PH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 23.50 грн |
| 68+ | 12.83 грн |
| 250+ | 9.12 грн |
| 1000+ | 4.92 грн |
| 5000+ | 4.04 грн |
| BSS84PH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 23.50 грн |
| 68+ | 12.83 грн |
| 250+ | 9.12 грн |
| 1000+ | 4.92 грн |
| 5000+ | 4.04 грн |
| EVAL1ED44175N01BTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED44175N01BTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED44175N01B, 1 Kanal, Low-Side, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1ED44175N01B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED44175N01B
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EVAL1ED44175N01BTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED44175N01B, 1 Kanal, Low-Side, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1ED44175N01B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED44175N01B
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1855.79 грн |
| PVT412S-TPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PVT412S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 343.81 грн |
| BTS710404ESPXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS710404ESPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 4 Ausgänge, 5V, 0.0225 Ohm, TSSOP-EP, 24-Pin
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0225ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BTS710404ESPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 4 Ausgänge, 5V, 0.0225 Ohm, TSSOP-EP, 24-Pin
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0225ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 247.04 грн |
| 10+ | 169.57 грн |
| 25+ | 164.40 грн |
| 50+ | 147.07 грн |
| 100+ | 131.33 грн |
| 250+ | 123.95 грн |
| 500+ | 120.26 грн |
| 1000+ | 115.83 грн |
| BTS710336ESPXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS710336ESPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 6 Ausgänge, 5V, 0.0225 Ohm, TSSOP-EP, 24-Pin
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0225ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 3A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - BTS710336ESPXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 6 Ausgänge, 5V, 0.0225 Ohm, TSSOP-EP, 24-Pin
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0225ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 3A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 401.97 грн |
| 10+ | 307.29 грн |
| 25+ | 293.52 грн |
| 50+ | 260.56 грн |
| 100+ | 228.72 грн |
| 250+ | 216.91 грн |
| 500+ | 194.04 грн |
| 1000+ | 163.79 грн |



































