Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25909) > Сторінка 341 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE4473GV53AUMA2 TLE4473GV53AUMA2 INFINEON Infineon-TLE4473-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72a5831f31 Description: INFINEON - TLE4473GV53AUMA2 - LDO-FESTSP.REG 5V/3.3 0.3A/0.18V SOIC-12
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Ausgangsspannung - Ausgang 2: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 300mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 42V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 180mA
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 300mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+185.36 грн
250+175.56 грн
500+170.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV53AUMA2 TLE4473GV53AUMA2 INFINEON Infineon-TLE4473-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72a5831f31 Description: INFINEON - TLE4473GV53AUMA2 - LDO-FESTSP.REG 5V/3.3 0.3A/0.18V SOIC-12
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.84 грн
10+260.20 грн
25+239.11 грн
50+211.42 грн
100+185.36 грн
250+175.56 грн
500+170.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON INFNS30173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+170.54 грн
10+109.00 грн
100+73.40 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON INFNS30173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.40 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1 BSM25GD120DN2BOSA1 INFINEON EUPCS02653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 17Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15181.53 грн
5+14656.73 грн
10+14131.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS380R12A6T4BBPSA1 FS380R12A6T4BBPSA1 INFINEON 2876455.pdf Description: INFINEON - FS380R12A6T4BBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 250 A, 1.6 V, 870 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 250A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 870W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 870W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 250A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53565.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL12G65C5XUMA2 IDL12G65C5XUMA2 INFINEON Infineon-IDL12G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014305242a5d5c28 Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+198.67 грн
500+175.50 грн
1000+160.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 IDK12G65C5XTMA2 INFINEON INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+397.34 грн
10+250.53 грн
100+196.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.11 грн
10+230.32 грн
100+163.51 грн
500+131.42 грн
1000+108.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 IDK12G65C5XTMA2 INFINEON INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 INFINEON INFNS19786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.51 грн
500+131.42 грн
1000+108.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-M1-301FTOBO1 EVAL-M1-301FTOBO1 INFINEON 3600259.pdf Description: INFINEON - EVAL-M1-301FTOBO1 - Steuerungs-Evaluationsboard, IMC301A-F064, PMSM-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC301A-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerungs-Evaluationsboard IMC301A-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5506.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3102TTOBO2 EVALM3102TTOBO2 INFINEON 3364689.pdf Description: INFINEON - EVALM3102TTOBO2 - Evaluationsboard, IMC102T-F064, 3-Phasen-PMSM-Motor, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC102T-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC102T-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5280.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALC101TIM231TOBO1 EVALC101TIM231TOBO1 INFINEON 3166328.pdf Description: INFINEON - EVALC101TIM231TOBO1 - Evaluationsboard, IMC101T-T038 & IM231-L6S1B, Motortreiber, 3-Phasen-PMSM-Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: IMC101T-T038, IM231-L6S1B
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC101T-T038 und IM231-L6S1B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10559.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 IAUA250N04S6N006AUMA1 INFINEON 3154640.pdf Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.94 грн
10+284.82 грн
100+212.73 грн
500+154.28 грн
1000+128.09 грн
2000+124.33 грн
5000+122.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.76 грн
11+87.82 грн
100+75.07 грн
500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.07 грн
500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533 Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.23 грн
10+178.45 грн
100+147.68 грн
500+115.10 грн
1000+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533 Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.68 грн
500+115.10 грн
1000+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS17736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.40 грн
10+155.60 грн
100+113.40 грн
500+83.26 грн
1000+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8888QKXUMA1 TLE8888QKXUMA1 INFINEON INFN-S-A0003258040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE8888QKXUMA1 - Engine-Machine-System-IC, 9V bis 28V, HS CAN/LIN/MSC/SPI, LQFP-EP-100
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Engine-Machine-System-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: LQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1124.33 грн
25+1052.25 грн
50+898.72 грн
100+767.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3 Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.98 грн
10+112.52 грн
100+91.42 грн
500+67.18 грн
1000+60.58 грн
5000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFI010 S25FL512SAGMFI010 INFINEON INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.51 грн
10+502.83 грн
25+488.76 грн
50+443.24 грн
100+369.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 INFINEON 3625764.pdf Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS7002-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7002-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6999.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 - Hauptplatine, Power-Management - Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Hauptplatine PLUS2 von PROFET
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16826.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3 IGOT60R070D1AUMA3 INFINEON 3295919.pdf Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.73 грн
5+908.08 грн
10+766.55 грн
50+709.35 грн
100+535.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA2 2EDF7175FXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.46 грн
10+154.72 грн
25+138.89 грн
50+124.07 грн
100+109.26 грн
250+103.23 грн
500+99.46 грн
1000+96.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.04 грн
10+231.20 грн
25+212.73 грн
50+187.74 грн
100+164.26 грн
250+155.22 грн
500+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 INFINEON Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511 Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+857.97 грн
5+790.28 грн
10+721.72 грн
50+639.96 грн
100+454.35 грн
250+445.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2 IGO60R070D1AUMA2 INFINEON 3295918.pdf Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+927.42 грн
50+770.57 грн
100+638.96 грн
250+597.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3 IGOT60R070D1AUMA3 INFINEON 3295919.pdf Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+766.55 грн
50+709.35 грн
100+535.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2 IGO60R070D1AUMA2 INFINEON 3295918.pdf Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.59 грн
5+959.94 грн
10+927.42 грн
50+770.57 грн
100+638.96 грн
250+597.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 INFINEON Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511 Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+721.72 грн
50+639.96 грн
100+454.35 грн
250+445.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA2 2EDS8165HXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.91 грн
10+146.80 грн
50+133.62 грн
100+102.03 грн
250+89.67 грн
500+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 INFINEON 2712213.pdf Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.84 грн
22+40.96 грн
100+32.09 грн
500+26.53 грн
1000+23.58 грн
2500+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA2 2EDF7175FXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.77 грн
250+85.90 грн
500+82.13 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA2 2EDS8165HXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.03 грн
250+89.67 грн
500+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.26 грн
250+155.22 грн
500+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 INFINEON Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.67 грн
500+64.65 грн
1000+58.09 грн
5000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.37 грн
250+71.47 грн
1000+48.32 грн
3000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP229E2701XTMA1 KP229E2701XTMA1 INFINEON KP229E2701_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af6bce0290b5d Description: INFINEON - KP229E2701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±2.5kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 14.7mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 300kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 10kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.18 грн
250+193.65 грн
500+185.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP229E3111XTMA1 KP229E3111XTMA1 INFINEON INFN-S-A0001303758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - KP229E3111XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 20 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOF
tariffCode: 90262020
Genauigkeit: ±2.5kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 15.2mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 300kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 20kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.95 грн
10+210.10 грн
25+203.07 грн
50+168.97 грн
100+150.70 грн
250+146.93 грн
500+143.16 грн
1000+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6327HTSA1 BAT165E6327HTSA1 INFINEON infineon-bat165-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT165
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 249361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.75 грн
500+10.69 грн
1500+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0004582926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.21 грн
500+62.85 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON 2718775.pdf Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.16 грн
500+43.67 грн
1000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DD350N16KHPSA1 DD350N16KHPSA1 INFINEON INFNS30108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DD350N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 350 A, 1.28 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 13kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.28V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 350A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13596.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAR5002VH6327XTSA1 BAR5002VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR5002VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 4.5 ohm, 50 V, SC-79, 2 Pins, 0.4 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.4pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.75 грн
1000+4.17 грн
5000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.55 грн
500+32.00 грн
1000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.33 грн
13+72.17 грн
50+65.23 грн
100+53.63 грн
250+46.41 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21094S06JXUMA1 2ED21094S06JXUMA1 INFINEON 2876193.pdf Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.00 грн
11+83.69 грн
50+77.62 грн
100+60.00 грн
250+52.97 грн
500+51.16 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2110S06MXUMA1 2ED2110S06MXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2110S06M-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017650fe3cc54931 Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.53 грн
10+165.27 грн
25+151.20 грн
50+133.05 грн
100+116.04 грн
250+110.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.84 грн
10+113.40 грн
50+103.73 грн
100+84.89 грн
250+74.22 грн
500+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2101S06FXUMA1 2ED2101S06FXUMA1 INFINEON 3189127.pdf Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.04 грн
10+89.67 грн
50+78.24 грн
100+62.04 грн
250+53.95 грн
500+50.56 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21091S06FXUMA1 2ED21091S06FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016389975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.37 грн
17+53.27 грн
50+50.11 грн
100+39.75 грн
250+35.34 грн
500+34.51 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 INFINEON 2876195.pdf Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.89 грн
250+74.22 грн
500+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 INFINEON Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.63 грн
250+46.41 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21094S06JXUMA1 2ED21094S06JXUMA1 INFINEON 2876193.pdf Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.00 грн
250+52.97 грн
500+51.16 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21091S06FXUMA1 2ED21091S06FXUMA1 INFINEON INFN-S-A0016389975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.75 грн
250+35.34 грн
500+34.51 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2110S06MXUMA1 2ED2110S06MXUMA1 INFINEON 3189130.pdf Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.64 грн
250+131.86 грн
500+118.30 грн
1000+91.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2101S06FXUMA1 2ED2101S06FXUMA1 INFINEON 3189127.pdf Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.04 грн
250+53.95 грн
500+50.56 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV53AUMA2 Infineon-TLE4473-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72a5831f31
TLE4473GV53AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4473GV53AUMA2 - LDO-FESTSP.REG 5V/3.3 0.3A/0.18V SOIC-12
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Ausgangsspannung - Ausgang 2: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 300mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 42V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 180mA
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 300mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+185.36 грн
250+175.56 грн
500+170.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV53AUMA2 Infineon-TLE4473-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72a5831f31
TLE4473GV53AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4473GV53AUMA2 - LDO-FESTSP.REG 5V/3.3 0.3A/0.18V SOIC-12
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.84 грн
10+260.20 грн
25+239.11 грн
50+211.42 грн
100+185.36 грн
250+175.56 грн
500+170.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 INFNS30173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+170.54 грн
10+109.00 грн
100+73.40 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 INFNS30173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.40 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1 EUPCS02653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSM25GD120DN2BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 17Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15181.53 грн
5+14656.73 грн
10+14131.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS380R12A6T4BBPSA1 2876455.pdf
FS380R12A6T4BBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS380R12A6T4BBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 250 A, 1.6 V, 870 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 250A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 870W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 870W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 250A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+53565.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL12G65C5XUMA2 Infineon-IDL12G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014305242a5d5c28
IDL12G65C5XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+198.67 грн
500+175.50 грн
1000+160.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK12G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+397.34 грн
10+250.53 грн
100+196.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 INFNS19786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD08SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+348.11 грн
10+230.32 грн
100+163.51 грн
500+131.42 грн
1000+108.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK12G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+196.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 INFNS19786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDD08SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+163.51 грн
500+131.42 грн
1000+108.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-M1-301FTOBO1 3600259.pdf
EVAL-M1-301FTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL-M1-301FTOBO1 - Steuerungs-Evaluationsboard, IMC301A-F064, PMSM-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC301A-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerungs-Evaluationsboard IMC301A-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5506.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3102TTOBO2 3364689.pdf
EVALM3102TTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM3102TTOBO2 - Evaluationsboard, IMC102T-F064, 3-Phasen-PMSM-Motor, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC102T-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC102T-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5280.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALC101TIM231TOBO1 3166328.pdf
EVALC101TIM231TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALC101TIM231TOBO1 - Evaluationsboard, IMC101T-T038 & IM231-L6S1B, Motortreiber, 3-Phasen-PMSM-Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: IMC101T-T038, IM231-L6S1B
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC101T-T038 und IM231-L6S1B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10559.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 3154640.pdf
IAUA250N04S6N006AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+392.94 грн
10+284.82 грн
100+212.73 грн
500+154.28 грн
1000+128.09 грн
2000+124.33 грн
5000+122.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.76 грн
11+87.82 грн
100+75.07 грн
500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.07 грн
500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533
IQD005N04NM6CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+238.23 грн
10+178.45 грн
100+147.68 грн
500+115.10 грн
1000+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533
IQD005N04NM6CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+147.68 грн
500+115.10 грн
1000+103.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 INFNS17736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC047N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.40 грн
10+155.60 грн
100+113.40 грн
500+83.26 грн
1000+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8888QKXUMA1 INFN-S-A0003258040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE8888QKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8888QKXUMA1 - Engine-Machine-System-IC, 9V bis 28V, HS CAN/LIN/MSC/SPI, LQFP-EP-100
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Engine-Machine-System-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: LQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1124.33 грн
25+1052.25 грн
50+898.72 грн
100+767.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PLGBTMA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3
SPD15P10PLGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.98 грн
10+112.52 грн
100+91.42 грн
500+67.18 грн
1000+60.58 грн
5000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFI010 INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL512SAGMFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+541.51 грн
10+502.83 грн
25+488.76 грн
50+443.24 грн
100+369.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 3625764.pdf
PROF2BTS70021EPPEBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS7002-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7002-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6999.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 3763994.pdf
PROFETONE4ALLMBV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 - Hauptplatine, Power-Management - Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Hauptplatine PLUS2 von PROFET
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16826.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3 3295919.pdf
IGOT60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1048.73 грн
5+908.08 грн
10+766.55 грн
50+709.35 грн
100+535.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA2 2921642.pdf
2EDF7175FXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.46 грн
10+154.72 грн
25+138.89 грн
50+124.07 грн
100+109.26 грн
250+103.23 грн
500+99.46 грн
1000+96.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2921642.pdf
2EDS8265HXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.04 грн
10+231.20 грн
25+212.73 грн
50+187.74 грн
100+164.26 грн
250+155.22 грн
500+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511
IGLD60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+857.97 грн
5+790.28 грн
10+721.72 грн
50+639.96 грн
100+454.35 грн
250+445.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2 3295918.pdf
IGO60R070D1AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+927.42 грн
50+770.57 грн
100+638.96 грн
250+597.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3 3295919.pdf
IGOT60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+766.55 грн
50+709.35 грн
100+535.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2 3295918.pdf
IGO60R070D1AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+991.59 грн
5+959.94 грн
10+927.42 грн
50+770.57 грн
100+638.96 грн
250+597.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511
IGLD60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+721.72 грн
50+639.96 грн
100+454.35 грн
250+445.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA2 2921642.pdf
2EDS8165HXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.91 грн
10+146.80 грн
50+133.62 грн
100+102.03 грн
250+89.67 грн
500+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 2712213.pdf
1EDN7550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.84 грн
22+40.96 грн
100+32.09 грн
500+26.53 грн
1000+23.58 грн
2500+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA2 2921642.pdf
2EDF7175FXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: NSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.77 грн
250+85.90 грн
500+82.13 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA2 2921642.pdf
2EDS8165HXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.03 грн
250+89.67 грн
500+85.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2921642.pdf
2EDS8265HXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+164.26 грн
250+155.22 грн
500+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.67 грн
500+64.65 грн
1000+58.09 грн
5000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.37 грн
250+71.47 грн
1000+48.32 грн
3000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP229E2701XTMA1 KP229E2701_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af6bce0290b5d
KP229E2701XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP229E2701XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 10 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOF
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±2.5kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 14.7mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 300kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 10kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+201.18 грн
250+193.65 грн
500+185.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP229E3111XTMA1 INFN-S-A0001303758-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KP229E3111XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP229E3111XTMA1 - Drucksensor, Absolutdruck, 20 kPa, 300 kPa, 4.5 V, 5.5 V, DSOF
tariffCode: 90262020
Genauigkeit: ±2.5kPa
rohsCompliant: YES
Empfindlichkeit, V/P: 15.2mV/kPa
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Druckmessung: Absolutdruck
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 300kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DSOF
Bauform - Sensor: DSOF
euEccn: NLR
Sensorausgang: Analog
Betriebsdruck, min.: 20kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 140°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.95 грн
10+210.10 грн
25+203.07 грн
50+168.97 грн
100+150.70 грн
250+146.93 грн
500+143.16 грн
1000+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6327HTSA1 infineon-bat165-datasheet-en.pdf
BAT165E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT165E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 500 mA, 700 mV, 2.5 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 700mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT165
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 249361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.75 грн
500+10.69 грн
1500+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 INFN-S-A0004582926-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.21 грн
500+62.85 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7SAUMA1 2718775.pdf
IPD60R280P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.16 грн
500+43.67 грн
1000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DD350N16KHPSA1 INFNS30108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DD350N16KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD350N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 350 A, 1.28 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 13kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.28V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 350A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13596.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAR5002VH6327XTSA1 INFNS15693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR5002VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR5002VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 4.5 ohm, 50 V, SC-79, 2 Pins, 0.4 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.4pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.75 грн
1000+4.17 грн
5000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.55 грн
500+32.00 грн
1000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb
2ED2109S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.33 грн
13+72.17 грн
50+65.23 грн
100+53.63 грн
250+46.41 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21094S06JXUMA1 2876193.pdf
2ED21094S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+109.00 грн
11+83.69 грн
50+77.62 грн
100+60.00 грн
250+52.97 грн
500+51.16 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2110S06MXUMA1 Infineon-2ED2110S06M-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017650fe3cc54931
2ED2110S06MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.53 грн
10+165.27 грн
25+151.20 грн
50+133.05 грн
100+116.04 грн
250+110.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2876195.pdf
2ED2182S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.84 грн
10+113.40 грн
50+103.73 грн
100+84.89 грн
250+74.22 грн
500+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2101S06FXUMA1 3189127.pdf
2ED2101S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.04 грн
10+89.67 грн
50+78.24 грн
100+62.04 грн
250+53.95 грн
500+50.56 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21091S06FXUMA1 INFN-S-A0016389975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED21091S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.37 грн
17+53.27 грн
50+50.11 грн
100+39.75 грн
250+35.34 грн
500+34.51 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2182S06FXUMA1 2876195.pdf
2ED2182S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2182S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.89 грн
250+74.22 грн
500+73.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2109S06FXUMA1 Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb
2ED2109S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.63 грн
250+46.41 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21094S06JXUMA1 2876193.pdf
2ED21094S06JXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21094S06JXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.00 грн
250+52.97 грн
500+51.16 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21091S06FXUMA1 INFN-S-A0016389975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2ED21091S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED21091S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.75 грн
250+35.34 грн
500+34.51 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2110S06MXUMA1 3189130.pdf
2ED2110S06MXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2110S06MXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.64 грн
250+131.86 грн
500+118.30 грн
1000+91.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2101S06FXUMA1 3189127.pdf
2ED2101S06FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED2101S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.04 грн
250+53.95 грн
500+50.56 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 336 337 338 339 340 341 342 343 344 345 346 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]