Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTR16P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR16P60PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR170P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1787.81 грн
30+1100.22 грн
120+1024.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR170P10PIXYSMOSFETs -108.0 Amps -100V 0.013 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR200N10PIXYSMOSFETs 133 Amps 100V 0.008 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50PIXYSMOSFETs -13 Amps -500V 0.490 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR20P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 105A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1731.76 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10TIXYSMOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR210P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2457.36 грн
3+2018.42 грн
10+1840.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR30N25IXYSMOSFETs 25 Amps 250V 0.075 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR30N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR32P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR32P60PMOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR32P60PIXYSMOSFETs -18 Amps -600V 0.385 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR36P15PIXYSMOSFETs -22.0 Amps -150V 0.120 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarP™
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
Reverse recovery time: 477ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 0.26Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1127.56 грн
3+932.34 грн
10+827.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1595.52 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR40P50PIXYSMOSFET -22.0 Amps -500V 0.260 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20PIXYSMOSFETs -30.0 Amps -200V 0.093 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR48P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+633.58 грн
3+523.51 грн
10+471.16 грн
30+439.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.045 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 36A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P10PIXYSMOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20PMOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -200V 0.048 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTR90P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Reverse recovery time: 315ns
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 48mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 312W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+638.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTS01N90P-223IXYSDescription: MOSFET N-CH SMD
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTS01N90P-89IXYSDescription: MOSFET N-CH SMD
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2214.84 грн
5+1824.80 грн
10+1677.72 грн
30+1580.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2268.00 грн
5+1904.77 грн
10+1541.53 грн
50+1425.44 грн
100+1309.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3193.72 грн
10+2979.40 грн
30+2901.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HV
Код товару: 147874
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2207.97 грн
30+1445.01 грн
120+1412.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT02N450HVIXYSMOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2375.12 грн
10+1879.94 грн
120+1597.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1120.31 грн
10+761.34 грн
120+633.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT100N25PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
FET Feature: Depletion Mode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100DIXYSMOSFETs 10 Amps 1000V 1.4 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2IXYSMOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1887.05 грн
10+1489.34 грн
120+1047.94 грн
510+1046.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10N100D2-TRLLittelfuseLittelfuse IXTT10N100D2-TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60IXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1023.60 грн
30+601.84 грн
120+517.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT10P60IXYSMOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.63 грн
10+686.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2IXYSMOSFETs Linear Extended FBSOA Power MOSFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1500.46 грн
10+1012.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT110N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-268
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1584.22 грн
5+1449.72 грн
10+1316.02 грн
25+1097.87 грн
100+898.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268 (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRLIXYSMOSFETs TO268 100V 110A N-CH LINEAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268 (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10PIXYSMOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50IXYSMOSFETs 11 Amps 500V 0.75 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+927.30 грн
30+542.83 грн
120+466.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT11P50 TRL
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.90 грн
10+791.51 грн
25+669.63 грн
50+632.35 грн
100+595.07 грн
250+571.60 грн
400+503.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+847.31 грн
30+530.11 грн
120+453.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PIXYSMOSFETs POLAR HT MOSFET 150V 120A
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+849.69 грн
10+490.63 грн
120+410.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N140IXYSDescription: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150IXYSMOSFETs 1500V High Voltage Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1374.01 грн
10+917.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1148.64 грн
30+741.84 грн
120+690.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT12N150 - MOSFET, N-CH, 1.5KV, 12A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 890
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 890
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.2µs
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HVIXYSMOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4614.93 грн
10+3693.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTT12N150HV TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HV-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 140A TO268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HVIXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HV-TRLittelfuseMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HV-TRLittelfuse Inc.Description: DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+884.33 грн
10+609.71 грн
120+472.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT140N10P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1396.56 грн
5+1173.46 грн
10+950.37 грн
50+880.24 грн
100+810.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1753.07 грн
30+1187.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TIXYSMOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1479.52 грн
10+1349.62 грн
30+864.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1636.37 грн
30+1001.92 грн
120+876.60 грн
510+810.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1767.02 грн
30+1197.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]