Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTQ42N25PIXYSMOSFETs 42 Amps 250V 0.084 Rds
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.40 грн
30+233.76 грн
120+194.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44N50PIXYSMOSFETs 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44P15TIXYSMOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+701.51 грн
30+396.69 грн
60+363.48 грн
120+314.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ450P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ450P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Technology: Polar2™
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Reverse recovery time: 400ns
Mounting: THT
Power dissipation: 480W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+566.28 грн
5+415.97 грн
10+400.04 грн
30+283.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ460P2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 24 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+648.15 грн
30+555.75 грн
60+510.86 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2
Код товару: 98662
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.05 грн
30+335.22 грн
120+282.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 88nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ480P2MOSFET N-CH 500V 52A TO3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ480P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ480P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ480P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ480P2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N20TIXYSMOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N20T
Код товару: 188074
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+355.20 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2MLittelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Case: TO3PF
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+826.39 грн
3+691.89 грн
10+611.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.33 грн
10+287.66 грн
30+258.30 грн
60+239.85 грн
120+220.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PIXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.61 грн
30+283.60 грн
60+258.49 грн
120+222.76 грн
510+190.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25TIXYSMOSFETs 50Amps 250V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.51 грн
30+345.57 грн
120+291.46 грн
510+236.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25TMOSFET N-CH., 250V, 50A, TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25T
Код товару: 59390
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4100/78
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+250.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PMOSFET, N-кан. 300В, 52А , TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P
Код товару: 143359
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PIXYSMOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 3743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.62 грн
30+422.38 грн
60+387.29 грн
120+335.77 грн
510+291.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTQ52P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N10TIXYSMOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 330ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.85 грн
30+955.33 грн
60+889.59 грн
120+782.98 грн
510+765.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20TIXYSMOSFETs TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+308.88 грн
10+255.79 грн
30+236.50 грн
60+224.76 грн
120+211.34 грн
150+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N30TIXYSMOSFETs 60 Amps 300V 60 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ62N25TIXYSMOSFETs 62 Amps 250V 50 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ64N25PIXYSMOSFETs 64 Amps 250V 0.049 Rds
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ64N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ64N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ64N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30P
Код товару: 132595
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.03 грн
30+450.33 грн
120+422.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PIXYSMOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 25A TO3PFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ69N30PMIXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ72N30TIXYSMOSFETs 72 Amps 300V 52 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ74N20PIXYSMOSFETs 74 Amps 200V 0.034 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ74N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 74A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ75N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+429.00 грн
10+290.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+612.16 грн
30+343.55 грн
120+289.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ76N25TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+577.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.