Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT10078BLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT10078BLLG | MICROSEMI | TO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10078 кількість в упаковці: 30 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10078BLLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 7 1000 V 780 mOhm TO-247 | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT10078BLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10078SFLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10078SFLLG | Microchip / Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10078SLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10078SLLG | MICROSEMI | кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10078SLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 403W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10078SLLG | Microchip Technology | MOSFET FG, MOSFET, 1000V, 0.78_OHM, D3, TO-268, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10086 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10086BLC | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10086BVFR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10086BVFRG | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10086BVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10086BVRG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS5 1000 V 86 Ohm TO-247 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT10086BVRG | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10086SLC | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10086SVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10088HVR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10090BFLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10090BFLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10090BFLLG | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10090BLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10090BLLG | MICROSEMI | TO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10090 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10090BLLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10090BLLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-247 | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT10090BLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT10090SFLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10090SLL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT10090SLLG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT10090SLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100D60B2G | Microchip Technology | Rectifiers FRED D 600 V 100 A TO-247 MAX | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100D60B2G | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 600V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: TO-247 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100D60BG | Microchip Technology | Rectifiers FRED D 1000 V 60 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100D60BG | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 600V 100A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 74 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100DL60BG | Microchip / Microsemi | Rectifiers FG, FRED, 600V, TO-247, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100DL60HJ | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-DIODE-FRED-D-SOT227 | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100DQ120D | Microchip Technology | Rectifiers FRED DQ 1200 V 100 A DIE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100DQ120D | Microchip Technology | Description: FRED DQ 1200 V 100 A DIE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100F50J | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100F50J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GF60B2R | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT100GF60JR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT100GF60JRD | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT100GF60JU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 120A 416W SOT-227 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 416 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 120 A IGBT Type: NPT Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: ISOTOP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GF60JU2 | MICROSEMI | SOT-227POWER MODULE - IGBT кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GF60JU3 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT100GF60JU3 | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GF60JU3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 120A 416W SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 416 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GF60LR | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT100GLQ65JU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Boost Chopper Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 165 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 430 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GLQ65JU2 | Microchip Technology | ISOTOP® Boost chopper 650V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GLQ65JU2 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GLQ65JU3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1000A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 165 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 430 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GLQ65JU3 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GN120B2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN120B2G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - APT100GN120B2G - IGBT, 245 A, 960 W, 1.2 kV, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 960W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: - Dauerkollektorstrom: 245A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GN120B2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN120B2G | Microchip Technology | Description: IGBT TRENCH FIELD STP 1200V 245A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/615ns Switching Energy: 11mJ (on), 9.5mJ (off) Test Condition: 800V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 540 nC Current - Collector (Ic) (Max): 245 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 960 W | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GN120B2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN120J | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 153 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 446 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN120J | MICROSEMI | APT100GN120J APT100 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN120J | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A SOT-227 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GN120JDQ4 | MICROSEMI | ISOTOP®/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN120JDQ4 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN120JDQ4 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 153 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 446 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN60B2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN60B2G | Microchip Technology | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 229A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/310ns Switching Energy: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 600 nC Current - Collector (Ic) (Max): 229 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 625 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN60B2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 100 A TO-247 MAX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GN60LDQ4G | Microchip Technology | Description: IGBT TRENCH FS 600V 229A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A Supplier Device Package: TO-264 (L) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/310ns Switching Energy: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 600 nC Current - Collector (Ic) (Max): 229 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 625 W | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GN60LDQ4G | Microchip Technology | IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246 | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GN60LDQ4G | MICROSEMI | TO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT100GN60 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JR | Microchip Technology | IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JR | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 123 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 570 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JRDL | MICROSEMI | ISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT100GT120 кількість в упаковці: 10 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JRDQ4 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570W 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JRDQ4 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 123 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 570 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GT120JRDQ4 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GT120JRDQ4 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570W 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JRDQ4 | MICROSEMI | SOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT100GT120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JU2 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GT120JU2 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480000mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JU2 | Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480000mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JU2 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 480 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GT120JU3 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 480 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT120JU3 | Microchip Technology | IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227 | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GT120TU2 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT100GT120TU3 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| APT100GT60B2RG | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 600V 148A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns Switching Energy: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 460 nC Current - Collector (Ic) (Max): 148 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 500 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT60B2RG | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT60JR | Microchip Technology | IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 100A, SOT-227 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| APT100GT60JR | WL | на замовлення 104 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| APT100GT60JR | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 148 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.15 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT60JRDQ4 | Microchip Technology | Description: IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 148 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.15 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100GT60JRDQ4 | Microchip / Microsemi | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V,100A, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100M50J | MICROSEMI | SOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT100M50 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100M50J | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100M50J | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| APT100M50J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) FET Type: N-Channel Packaging: Tube Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |

