Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 14 21 28 35 42 49 56 63 70 72  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
APT10078BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1515.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078BLLGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10078
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078BLLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 7 1000 V 780 mOhm TO-247
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1505.29 грн
10+1452.82 грн
25+1231.57 грн
100+1140.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078SFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078SFLLGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078SLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078SLLGMICROSEMIкількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078SLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10078SLLGMicrochip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 1000V, 0.78_OHM, D3, TO-268, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086BLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086BVFR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086BVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086BVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 1000 V 86 Ohm TO-247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1320.85 грн
100+1124.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086BVRGMicrochip / MicrosemiMOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086SLC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10086SVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10088HVR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090BFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090BFLLGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090BLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090BLLGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10090
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090BLLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-247
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1287.03 грн
100+1095.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1119.13 грн
100+875.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090SFLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090SLL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090SLLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS7 1000 V 90 Ohm TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT10090SLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100D60B2GMicrochip TechnologyRectifiers FRED D 600 V 100 A TO-247 MAX
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.26 грн
100+439.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100D60B2GMicrochip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: TO-247
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100D60BGMicrochip TechnologyRectifiers FRED D 1000 V 60 A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100D60BGMicrochip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 600V 100A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100DL60BGMicrochip / MicrosemiRectifiers FG, FRED, 600V, TO-247, RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100DL60HJMicrochip TechnologyMOSFET Modules PM-DIODE-FRED-D-SOT227
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1707.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100DQ120DMicrochip TechnologyRectifiers FRED DQ 1200 V 100 A DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100DQ120DMicrochip TechnologyDescription: FRED DQ 1200 V 100 A DIE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100F50JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 500V, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100F50JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 103A ISOTOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60B2R
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60JR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60JRD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 120A 416W SOT-227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 416 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: ISOTOP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60JU2MICROSEMISOT-227POWER MODULE - IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60JU3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60JU3MicrosemiIGBT Modules Power Module - IGBT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 120A 416W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 416 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GF60LR
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1630.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyISOTOP® Boost chopper 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GLQ65JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1779.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GLQ65JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 650V 165A 430W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GLQ65JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1779.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120B2GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - APT100GN120B2G - IGBT, 245 A, 960 W, 1.2 kV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 960W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: -
Dauerkollektorstrom: 245A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2534.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FIELD STP 1200V 245A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/615ns
Switching Energy: 11mJ (on), 9.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 245 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 960 W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1968.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 1200V 245A 960W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 153 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 446 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JMICROSEMIAPT100GN120J APT100
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A SOT-227
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2650.56 грн
100+2346.74 грн
250+2020.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JDQ4MICROSEMIISOTOP®/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JDQ4Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN120JDQ4Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 153 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 446 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 229A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/310ns
Switching Energy: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 600 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 229 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60B2GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 100 A TO-247 MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyDescription: IGBT TRENCH FS 600V 229A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (L)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/310ns
Switching Energy: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 600 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 229 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60LDQ4GMicrochip TechnologyIGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1035.74 грн
100+881.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GN60LDQ4GMICROSEMITO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT100GN60
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JRMicrochip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JRMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JRDLMICROSEMIISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI APT100GT120
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570W 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4146.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4282.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JRDQ4Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570W 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JRDQ4MICROSEMISOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT100GT120
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JU2Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2415.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JU2Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480000mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JU2Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480000mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JU2Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2228.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JU3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120JU3Microchip TechnologyIGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2440.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120TU2
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT120TU3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT60B2RGMicrochip TechnologyDescription: IGBT NPT 600V 148A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 460 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 148 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT60B2RGMicrosemiIGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT Modules FG, IGBT, 600V, 100A, SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2616.74 грн
10+2438.04 грн
25+2068.26 грн
100+1952.28 грн
250+1808.00 грн
500+1747.25 грн
1000+1698.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT60JRWL
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT60JRMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 148 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.15 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT60JRDQ4Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 148 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.15 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100GT60JRDQ4Microchip / MicrosemiIGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V,100A, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100M50JMICROSEMISOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT100M50
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100M50JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
APT100M50JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 500V, SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT100M50JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 14 21 28 35 42 49 56 63 70 72  Наступна Сторінка >> ]