Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTT110N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268 (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 110A; 600W; D3PAK,TO268; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Reverse recovery time: 230ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRLIXYSMOSFETs TO268 100V 110A N-CH LINEAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268 (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT110N10PIXYSMOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50IXYSMOSFETs 11 Amps 500V 0.75 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.87 грн
30+547.85 грн
120+470.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT11P50-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT11P50 TRL
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PIXYSMOSFETs POLAR HT MOSFET 150V 120A
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.14 грн
30+535.02 грн
120+457.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N140IXYSDescription: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.19 грн
30+878.24 грн
120+764.28 грн
510+690.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT12N150 - MOSFET, N-CH, 1.5KV, 12A, TO-268
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 890
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 890
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150IXYSMOSFETs 1500V High Voltage Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1.2µs
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HVIXYSMOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1.2us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTT12N150HV TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT12N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+3949.18 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 540W; TO268HV; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 540W
Case: TO268HV
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HVIXYSMOSFETs TO268 N-CH 75V 140A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 140A TO268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HV-TRLittelfuseMOSFET MOSFET DISCRETE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N075L2HV-TRLittelfuse Inc.Description: DISC MOSFET N-CH LINEAR L2 TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+986.82 грн
30+577.71 грн
60+533.38 грн
120+465.58 грн
510+422.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT140N10P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140N10P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1748.69 грн
30+1071.11 грн
60+998.32 грн
120+879.46 грн
510+866.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1763.09 грн
30+1194.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1307.59 грн
12+1267.69 грн
20+1233.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
Power dissipation: 568W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1749.17 грн
30+1185.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT140P10TIXYSMOSFETs P-Channel: Standard MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2IXYSMOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N10D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT16N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.064 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 830
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 830
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2IXYSMOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
на замовлення 330 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT16N20D2. - MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-268
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N20D2TRLIxys CorporationIXTT16N20D2TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16N50D2IXYSMOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P20IXYSMOSFET -16 Amps -200V 0.16 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Supplier Device Package: TO-268AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1422.55 грн
840+1408.60 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Technology: PolarP™
Drain current: -16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -600V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Reverse recovery time: 440ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 460W
Gate charge: 92nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1248.17 грн
10+805.94 грн
30+738.85 грн
60+703.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PP-Channel 600 V 16A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1763.60 грн
10+1456.03 грн
30+1182.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1051.88 грн
30+659.23 грн
120+569.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1393.88 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1382.04 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1422.55 грн
840+1408.60 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT16P60PIXYSMOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Power dissipation: 715W
Gate charge: 198nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 9mΩ
Reverse recovery time: 120ns
Mounting: SMD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+961.87 грн
3+642.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT170N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 715
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1028.36 грн
30+602.04 грн
120+517.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P-TRIXYSMOSFETs IXTT170N10P TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT170N10P-TRLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N100IXYSMOSFET 1 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVIXYSMOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVIXYS RFDescription: IXYS RF - IXTT1N250HV - MOSFET, N-CH, 2.5KV, 1.5A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3028.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3028.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2957.33 грн
10+2126.53 грн
100+2084.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+2164.83 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.