Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTT30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Technology: Linear L2™
Gate charge: 335nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60L2IXYSMOSFETs 30 Amps 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT30N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT34N65X2HVIXYSMOSFETs TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT34N65X2HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO268HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 360A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.63 грн
30+543.98 грн
120+466.96 грн
510+424.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT360N055T2IXYSMOSFETs 360Amps 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50PIXYSMOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
на замовлення 30 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)
1+856.14 грн
10+811.36 грн
30+535.70 грн
60+535.01 грн
120+485.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 36A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.80 грн
30+562.92 грн
120+483.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36P10IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT36P10IXYSMOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT38N30L2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT38N30L2HVIXYSMOSFETs TO268 300V 38A N-CH LINEAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT3N200P3HVIXYSMOSFETs TO268 2KV 3A N-CH HIVOLT
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3366.56 грн
10+3065.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT3N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2IXYSMOSFETs 40 Amps 500V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1812.95 грн
10+1431.39 грн
120+1074.86 грн
510+951.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT40N50L2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT40N50L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N04T4HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 440A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N04T4HVIXYSMOSFETs 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 440A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT440N055T2IXYSMOSFETs N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 48A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20PIXYSMOSFETs -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 48A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT48P20P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT48P20P. - MOSFET, P-CH, 200V, 48A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.05 грн
5+1047.02 грн
10+951.17 грн
25+795.73 грн
100+653.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO268HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HVIXYSMOSFETs TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRLIXYSMOSFETs IXTT4N150HV TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT4N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT500N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 500A TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT500N04T2IXYSMOSFET Trench T2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50N30IXYSMOSFETs 50 Amps 300V 0.065 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P085IXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10IXYSMOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT52N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT52N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT52N30PIXYSMOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N10IXYSMOSFETs 60 Amps 100 V 0.033 W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT60N20L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1476.29 грн
10+1080.49 грн
120+797.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT64N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 64A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT64N25PIXYSMOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1415.08 грн
10+1112.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT68P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 68 A, 0.055 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 568W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1550.39 грн
10+1424.75 грн
30+1203.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT68P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 68A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1522.98 грн
30+923.62 грн
120+834.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT69N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT69N30PIXYSMOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120IXYSMOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.77 грн
30+488.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT6N120-TRLIXYSMOSFET Modules IXTT6N120 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT72N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT72N20IXYSMOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT74N20PIXYSMOSFETs 74 Amps 200V 0.034 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT74N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 74A TO268
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10IXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.02 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N10L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1299.11 грн
10+1054.29 грн
120+876.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO268
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 75A DPAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT75N20L2IXYSMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20LLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT80N20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Linear Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1641.40 грн
5+1535.09 грн
10+1428.78 грн
50+1227.25 грн
100+1041.72 грн
250+950.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1508.51 грн
10+1039.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT80N20LIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1427.45 грн
30+870.62 грн
120+795.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.01 грн
30+454.68 грн
120+404.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+805.40 грн
10+770.87 грн
30+436.99 грн
120+410.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30PIXYSMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+976.95 грн
10+848.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT88N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1102.04 грн
30+649.52 грн
120+559.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50IXYSMOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -100V 0.250 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1191.36 грн
30+707.41 грн
120+611.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT90P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT90P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-268
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1266.09 грн
5+1145.28 грн
10+1023.66 грн
25+837.61 грн
100+668.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N15PIXYSMOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 96A TO268
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.93 грн
30+441.39 грн
120+394.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+872.25 грн
10+736.73 грн
30+414.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N20P-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXTT96N20P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT96N20P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTU01N100IXYSMOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+182.60 грн
25+149.80 грн
70+128.40 грн
280+121.50 грн
560+114.60 грн
1050+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]