Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTY1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N100PIXYSMOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 63W
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.05 грн
5+155.15 грн
25+136.70 грн
70+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N120PTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80IXYSMOSFETs 1 Amps 800 V 11 W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80PIXYSMOSFETs POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY1N80P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 1A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N100PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1000V 11 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PIXYSMOSFETs 1.4 Amps 1200V 15 Rds
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PHVIXYSMOSFETs TO252 1.2KV 1.4A N-CH POLAR
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N60PIXYSMOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N60P TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.06 грн
140+157.07 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 645nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+363.07 грн
10+237.34 грн
25+199.60 грн
30+192.89 грн
70+166.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+240.69 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 1.6A; Idm: 1.6A; 100W; DPAK; 970ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 970ns
Pulsed drain current: 1.6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N100D2-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY1R6N100D2 TRL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+430.34 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.18 грн
10+236.32 грн
70+176.76 грн
140+151.68 грн
560+129.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+294.43 грн
10+223.92 грн
25+185.34 грн
30+177.79 грн
50+158.50 грн
70+152.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.18 грн
10+236.32 грн
50+185.12 грн
100+158.26 грн
500+141.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+127.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2-TRLIXYSMOSFET Modules TO252 500V 1.6A N-CH DEPL
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R6N50PIXYSMOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY24N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 24A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 10233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY26P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 26 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchP Series
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; 26A; 150W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXTY26P10T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY26P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
70+124.55 грн
140+121.16 грн
560+104.15 грн
1050+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N100P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY2N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N60PIXYSMOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.77 грн
70+97.21 грн
140+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2N80PIXYSMOSFET 2 Amps 800V 6 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PAIXYSMOSFETs Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PAIXYSDescription: AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHAN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2P50PALittelfuseMOSFET Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252
на замовлення 780 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2R4N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY2R4N50PIXYSMOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY32P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY32P05TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY32P05T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY32P05T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V 3 Rds
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 60ns
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.66 грн
10+161.86 грн
25+125.80 грн
50+101.48 грн
70+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10TIXYSMOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
70+102.17 грн
140+93.53 грн
560+75.04 грн
1050+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY44N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 44A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 130
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY44N10T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY44N10T-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 44A; 130W; DPAK,TO252AA; 60ns
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Power dissipation: 130W
Gate charge: 33nC
Technology: Trench
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 60ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
70+162.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 30ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 9566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T-TRLIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; DPAK,TO252AA
Case: DPAK; TO252AA
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: 15V
On-state resistance: 30mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY48P05T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N60PIXYSMOSFET PolarHV Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 4A; 80W; DPAK,TO252AA; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Gate charge: 8.3nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY4N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXTY4N65X2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY50N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 50A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY55N075Tвариант замены STD30NF06LT4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY55N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 55A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY5N50PIXYSMOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY64N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY64N055T-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY64N055T TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.