Продукція > IXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTY32P05T | IXYS | MOSFETs TrenchP Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY32P05T-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY32P05T TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY3N50P | IXYS | MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY3N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY3N60P | IXYS | MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds | на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY3N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY44N10T | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 130W Case: TO252 On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 60ns | на замовлення 423 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTY44N10T | IXYS | MOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY44N10T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V | на замовлення 3448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTY44N10T | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTY44N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 44A, TO-252 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 44 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 130 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 130 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Trench Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY44N10T-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY44N10T TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY44N10T-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 44A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY48P05T | IXYS | MOSFETs TrenchP Power MOSFET | на замовлення 10366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY48P05T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTY48P05T | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -48A Gate-source voltage: ±15V Reverse recovery time: 30ns Gate charge: 53nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 150W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY48P05T-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY48P05T TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY48P05T-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY48P05T-TRL | IXYS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; 50V; 48A; 150W; DPAK,TO252AA Case: DPAK; TO252AA Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: 50V Drain current: 48A Gate-source voltage: 15V On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 150W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY4N60P | IXYS | MOSFET PolarHV Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY4N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY4N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Power dissipation: 80W Gate charge: 8.3nC Technology: X2-Class | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTY4N65X2 | IXYS | MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY4N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY4N65X2-TRL | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 650V; 4A; 80W; DPAK,TO252AA; 160ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 160ns Power dissipation: 80W Gate charge: 8.3nC Technology: X2-Class | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY4N65X2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTY4N65X2 TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY4N65X2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY50N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 50A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY55N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 55A TO252 Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 27.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY55N075T | вариант замены STD30NF06LT4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXTY5N50P | IXYS | MOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY5N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY64N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY64N055T-TRL | IXYS | MOSFET Modules IXTY64N055T TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY8N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTY8N65X2 | IXYS | MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY8N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY8N70X2 | IXYS | MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY8N70X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY90N055T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V | на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTY90N055T2 | IXYS | MOSFETs TO252 N-CH 55V 90A | на замовлення 191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY90N055T2-TRL | IXYS | MOSFETs IXTY90N055T2 TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTY90N055T2-TRL | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTZ550N055T2 | IXYS | MOSFET 550Amps 55V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTZ550N055T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 550A DE475 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DE475 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |