Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6L40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V, 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 120pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.94 грн
6000+8.73 грн
9000+8.30 грн
15000+7.34 грн
21000+7.07 грн
30000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V, 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 120pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500mW (Ta)
на замовлення 94343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.96 грн
100+16.60 грн
500+11.77 грн
1000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FEToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LMToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 16819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.64 грн
100+9.15 грн
500+6.37 грн
1000+5.64 грн
2000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LMToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch + Pch Vdss: 20V Id: 800mA Pd: 0.15W
на замовлення 18259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.01 грн
8000+4.36 грн
12000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LMToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LM(TToshiba0
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+19.31 грн
893+15.84 грн
1084+13.05 грн
1372+9.95 грн
1649+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.64 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L56FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.39ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.48 грн
61+13.41 грн
100+8.78 грн
500+6.64 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.27 грн
100+19.44 грн
500+13.86 грн
1000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LFToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(BToshibaSSM6L61NU,LF(B
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.11 грн
377+37.54 грн
500+36.19 грн
1000+33.75 грн
2500+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(BToshibaSSM6L61NU,LF(B
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.11 грн
377+37.54 грн
500+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.97 грн
50+29.26 грн
100+23.08 грн
500+15.47 грн
1500+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.41 грн
500+60.99 грн
1500+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+28.85 грн
493+28.73 грн
514+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L61NULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LFToshibaMOSFETs MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F
на замовлення 11936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L807R,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.91 грн
50+38.77 грн
100+25.28 грн
500+18.42 грн
1500+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L807R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L807R,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.35 грн
500+14.57 грн
1500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LFToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 4A 6-Pin TSOP-F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1404+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 1404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch+P-ch VDSS=30V, VGSS=-8/+12V, RDS(@4.5V)=0.0391O, ID=4A
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LFToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 4A 6-Pin TSOP-F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.78 грн
100+20.51 грн
500+14.69 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LFToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 4A 6-Pin TSOP-F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
922+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 922 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L820R,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.86 грн
500+12.68 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L820R,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.52 грн
24+34.38 грн
100+22.19 грн
500+13.74 грн
1000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V, 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V, 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V, 6.7nC @4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L820R,LXHF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H/U-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.10 грн
500+21.96 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L820R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6L820R,LXHF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H/U-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.04 грн
19+44.54 грн
100+29.10 грн
500+21.96 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L826R,LFToshibaMOSFETs N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N03FETOSHIBASOT663
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N04FU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N04FU/DC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N05FUTOSHIBA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N09FU
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N09FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 6-Pin US T/R
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.50 грн
292+48.47 грн
500+46.73 грн
1000+43.59 грн
2500+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N09FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 6-Pin US T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.03 грн
353+40.07 грн
386+36.66 грн
389+35.12 грн
500+26.52 грн
1000+23.74 грн
2000+23.64 грн
3000+22.33 грн
6000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LMToshibaMOSFETs 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD
на замовлення 3923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
18+17.28 грн
100+8.74 грн
500+6.69 грн
1000+4.96 грн
2000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM(BToshibaSSM6N15AFE,LM(B
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.25 грн
1194+11.85 грн
2500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.20 грн
49+16.66 грн
100+10.40 грн
500+6.62 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.40 грн
500+6.62 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFE,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF
Код товару: 178546
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
9000+3.83 грн
15000+3.35 грн
21000+3.21 грн
30000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LFToshibaMOSFETs SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
на замовлення 238135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.21 грн
100+8.26 грн
500+5.72 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(BToshibaSSM6N15AFU,LF(B
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+8.40 грн
1741+8.13 грн
2500+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 1684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.50 грн
50+45.68 грн
100+32.43 грн
500+22.27 грн
1500+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1513+9.35 грн
1654+8.55 грн
1929+7.34 грн
2044+6.67 грн
3000+5.78 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 1513 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.10 грн
500+6.82 грн
1500+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15AFULF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FETOSHIBA09+
на замовлення 24018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FEToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FE(TE85L,F)ToshibaMOSFET Dual N-ch 30V 0.1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FE(TE85L.F)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FUTOSHIBA
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(T5LFT)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85L)TOSHIBASOT363-DP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85L) SOT363-TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85L)SOT363-DPTOSHIBA
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85L,F)ToshibaMOSFET Pb-F US6 S-MOS(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85LF)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85R)TOSHIBASOT363-DP
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85R) SOT363-DPTOSHIBA
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU(TE85R)SOT363-DPTOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU/DPTOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FULF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FUSOT363-DPTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FUTE85L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N15FU\DPTOSHIBASOT-363
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FETOSHIBA09+
на замовлення 340018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE(TE85L
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE(TE85L,F)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+19.55 грн
100+11.09 грн
500+6.89 грн
1000+5.28 грн
2000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3FToshibaMOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 ES6 (SOT-563)
на замовлення 18765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.35 грн
59+13.82 грн
250+8.78 грн
1000+4.74 грн
4000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FE,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.82 грн
250+8.78 грн
1000+4.74 грн
4000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N16FETE85L.F
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]