НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSDIDECSwitch Contact Blocks / Switch Kits BSD Obsolete No Replacement
товар відсутній
BSD-04BFFM-SL6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1456.91 грн
10+ 1334.22 грн
20+ 1040.76 грн
50+ 1010.57 грн
BSD-04BFFM-SL6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-04BFFM-SL6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-04BFFM-SL6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-04BFFM-SL6A10Amphenol LTWDescription: CBL 4POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-04BFFM-SR6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-04BFFM-SR6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-04BFFM-SR6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-04BFFM-SR6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-04BFFM-SR6A10Amphenol LTWDescription: CBL 4POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-05BFFM-SL6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1433.18 грн
10+ 1311.58 грн
20+ 1023.04 грн
50+ 993.51 грн
BSD-05BFFM-SL6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-05BFFM-SL6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-05BFFM-SL6A10Amphenol LTWDescription: CBL 5POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-05BFFM-SL6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-05BFFM-SR6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-05BFFM-SR6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-05BFFM-SR6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-05BFFM-SR6A10Amphenol LTWDescription: CBL 5POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-05BFFM-SR6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-05PMMP-SC7001Amphenol LTWStandard Circular Connector PANEL SCREW 5PIN M CONN M PIN
товар відсутній
BSD-05PMMS-SC7001Amphenol LTWStandard Circular Connector PANEL SCREW 5PIN M CONN M PIN
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.05 грн
10+ 860.3 грн
25+ 672.62 грн
100+ 635.22 грн
BSD-06BFFM-SL6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-06BFFM-SL6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-06BFFM-SL6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-06BFFM-SL6A10Amphenol LTWDescription: STANDARD
товар відсутній
BSD-06BFFM-SL6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-06BFFM-SR6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-06BFFM-SR6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-06BFFM-SR6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-06BFFM-SR6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-06BFFM-SR6A10Amphenol LTWDescription: CBL 6POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-06PMMS-SC7001Amphenol LTWStandard Circular Connector PANEL SCREW 6PIN M CONN M PIN
товар відсутній
BSD-06PMMS-SC7001AmphenolCircular Connectors
товар відсутній
BSD-06PMMS-SC7001Amphenol LTWDescription: CERES, STANDARD SIZE, 5A, 06 PIN
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 250V
Current Rating (Amps): 5A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Number of Positions: 6
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: B
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Fastening Type: Threaded
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut
Contact Finish - Mating: Gold
Shell Material: Brass
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
товар відсутній
BSD-07BFFM-SL6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-07BFFM-SL6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-07BFFM-SL6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-07BFFM-SL6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-07BFFM-SL6A10Amphenol LTWDescription: CBL 7POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-07BFFM-SR6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-07BFFM-SR6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-07BFFM-SR6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-07BFFM-SR6A10Amphenol LTWDescription: CBL 7POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-07BFFM-SR6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-08BFFM-SL6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSD-08BFFM-SL6A01AmphenolSTANDARD
товар відсутній
BSD-08BFFM-SL6A01Amphenol LTWDescription: STANDARD
товар відсутній
BSD-08BFFM-SL6A02Amphenol LTWDescription: CBL 8POS FMALE TO WIRE 6.56'
товар відсутній
BSD-08BFFM-SL6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-08BFFM-SL6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-08BFFM-SL6A10Amphenol LTWDescription: CBL 8POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-08BFFM-SL6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-08BFFM-SR6A01Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-08BFFM-SR6A02Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-08BFFM-SR6A05Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-08BFFM-SR6A10Amphenol LTWSensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN
товар відсутній
BSD-08BFFM-SR6A10Amphenol LTWDescription: CBL 8POS FMALE TO WIRE 32.8'
товар відсутній
BSD-08PMMP-SS7001Amphenol LTWStandard Circular Connector PANEL SCREW 8PIN M CONN M PIN
товар відсутній
BSD-08PMMS-SS7001Amphenol LTWStandard Circular Connector 8P M CONN M PIN
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSD-08RMMS-SC7001Amphenol LTWStandard Circular Connector PANEL SCREW 8PIN M CONN M PIN
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSD-HSP-25Festo CorporationDescription: COVER KIT
Packaging: Bulk
Accessory Type: Cover Kit
товар відсутній
BSD02.V.RTADescription: RTA - BSD02.V. - Schrittmotorantrieb, Mikroschrittmotoren, 3200 Schritte/Umdrehung, 2.2A, 24V DC bis 48V DC
tariffCode: 85030099
Steuerung / Antrieb: Mikroschrittmotorantrieb
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 24VDC
Anzahl der Phasen: Zwei Phasen
euEccn: NLR
hazardous: false
Ausgangsstrom, max.: 0
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Versorgungsspannung, max.: 48VDC
usEccn: EAR99
Produktpalette: BSD Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10107.96 грн
BSD12
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD211
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD212PHILIPS
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD213PHILIPS
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD214PHILIPS
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD214SN H6327Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.62 грн
14+ 23.02 грн
100+ 12.47 грн
1000+ 6.76 грн
3000+ 5.84 грн
9000+ 5.05 грн
24000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD214SN L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товар відсутній
BSD214SN L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товар відсутній
BSD214SNH6327Infineon TechnologiesDescription: BSD314 - 250V-600V SMALL SIGNAL/
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товар відсутній
BSD214SNH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
BSD214SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.62 грн
14+ 21.58 грн
100+ 8.4 грн
1000+ 6.56 грн
3000+ 5.58 грн
9000+ 4.99 грн
24000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD214SNH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD214SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD214SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD214SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD214SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD214SNH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSD214SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.68 грн
15+ 19.21 грн
100+ 9.69 грн
500+ 8.06 грн
1000+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSD214SNL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 41600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5189+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 5189
BSD215
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD223PINFINEON05+
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD223PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
товар відсутній
BSD223PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
товар відсутній
BSD223P H6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch
на замовлення 39685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.62 грн
14+ 23.02 грн
100+ 12.47 грн
1000+ 6.82 грн
3000+ 5.84 грн
9000+ 5.05 грн
24000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD223P L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
товар відсутній
BSD223P транзистор
Код товару: 58170
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch DPAK-2
на замовлення 61975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.65 грн
17+ 18.49 грн
100+ 7.68 грн
1000+ 6.23 грн
3000+ 5.18 грн
9000+ 4.72 грн
24000+ 4.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 67768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
15+ 19.41 грн
100+ 9.82 грн
500+ 8.16 грн
1000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD223PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.54 грн
500+ 8.82 грн
1000+ 6.37 грн
3000+ 5.53 грн
6000+ 5 грн
12000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD223PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
26+10.25 грн
50+ 8.18 грн
156+ 6.11 грн
428+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSD223PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+8.54 грн
53+ 6.56 грн
156+ 5.09 грн
428+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 44
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD223PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
6000+ 5.92 грн
9000+ 5.25 грн
30000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD223PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.1 грн
32+ 23.26 грн
100+ 13.54 грн
500+ 8.82 грн
1000+ 6.37 грн
3000+ 5.53 грн
6000+ 5 грн
12000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSD223PL6327Infineon technologies
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD235CInfineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSD235C H6327
Код товару: 132412
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSD235C H6327Infineon TechnologiesMOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 138903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.31 грн
12+ 25.21 грн
100+ 14.96 грн
1000+ 8.66 грн
3000+ 7.35 грн
9000+ 6.76 грн
24000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD235C L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
товар відсутній
BSD235C L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
товар відсутній
BSD235CH6327Infineon technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD235CH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 158111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.08 грн
12+ 25.28 грн
100+ 15.03 грн
1000+ 8.73 грн
3000+ 7.42 грн
9000+ 6.76 грн
24000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD235CH6327XTSA1InfineonMosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 33069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.19 грн
30+ 25.03 грн
100+ 12.81 грн
500+ 9.43 грн
1000+ 6.37 грн
5000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.79 грн
6000+ 7.19 грн
9000+ 6.47 грн
30000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235CH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-363
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-363
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 669
BSD235CH6327XTSA1InfineonMosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
9000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1
Код товару: 118906
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.81 грн
500+ 13.06 грн
1000+ 9.02 грн
3000+ 7.45 грн
6000+ 7.07 грн
12000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
на замовлення 373750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.31 грн
14+ 22.34 грн
100+ 11.48 грн
1000+ 8.01 грн
3000+ 6.17 грн
9000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235CH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 46949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
13+ 21.6 грн
100+ 12.95 грн
500+ 11.25 грн
1000+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD235CL6327Infineon technologies
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD235CL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235NInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
товар відсутній
BSD235N H6327Infineon
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD235N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
на замовлення 7115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.17 грн
14+ 23.02 грн
100+ 13.65 грн
1000+ 7.68 грн
3000+ 6.96 грн
9000+ 6.17 грн
24000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSD235N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
товар відсутній
BSD235N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
товар відсутній
BSD235NH6327Infineon technologies
на замовлення 15059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD235NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
на замовлення 138803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.17 грн
14+ 23.02 грн
100+ 13.65 грн
1000+ 7.94 грн
3000+ 6.63 грн
9000+ 6.17 грн
24000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
на замовлення 379844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.22 грн
23+ 13.51 грн
100+ 7.94 грн
1000+ 6.56 грн
3000+ 6.17 грн
9000+ 5.71 грн
24000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.26 грн
14+ 19.82 грн
100+ 11.88 грн
500+ 10.32 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSD235NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.91 грн
29+ 26.13 грн
100+ 15.83 грн
500+ 11.07 грн
1000+ 7.7 грн
3000+ 6.56 грн
6000+ 6.17 грн
12000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSD235NH6327XTSA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
6000+ 6.6 грн
9000+ 5.94 грн
30000+ 5.49 грн
75000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.55 грн
36+ 15.85 грн
37+ 15.41 грн
100+ 10.29 грн
250+ 9.43 грн
500+ 8.8 грн
1000+ 5.96 грн
3000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 27
BSD235NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD235NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.83 грн
500+ 11.07 грн
1000+ 7.7 грн
3000+ 6.56 грн
6000+ 6.17 грн
12000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD235NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
On-state resistance: 0.35Ω
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
43+8.76 грн
100+ 7.18 грн
135+ 5.92 грн
371+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 43
BSD235NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
On-state resistance: 0.35Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
26+10.51 грн
100+ 8.94 грн
135+ 7.1 грн
371+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSD235NL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD314SPE L6327Infineon TechnologiesMOSFET SOT-363-6
товар відсутній
BSD314SPE L6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
товар відсутній
BSD314SPEH6327Infineon technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD314SPEH6327XTSAInfineonP-MOSFET 30V 1.5A 500mW 140mΩ BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon TBSD314spe
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.55 грн
14+ 19.69 грн
100+ 13.4 грн
500+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSD314SPEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.48 грн
500+ 10.6 грн
1000+ 9.65 грн
3000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3
на замовлення 10339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.03 грн
15+ 20.9 грн
100+ 10.3 грн
9000+ 8.73 грн
18000+ 6.17 грн
45000+ 5.91 грн
99000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSD314SPEH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESBSD314SPEH6327XTSA SMD P channel transistors
товар відсутній
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD314SPEH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
товар відсутній
BSD314SPEH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.81 грн
33+ 22.97 грн
100+ 11.48 грн
500+ 10.6 грн
1000+ 9.65 грн
3000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSD314SPEL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
товар відсутній
BSD314SPEL6327Infineon technologies
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD314SPEL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
товар відсутній
BSD314SPEL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
товар відсутній
BSD316NL6327Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSD316SN H6327Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.82 грн
11+ 27.92 грн
100+ 15.16 грн
500+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.31 грн
6000+ 5.74 грн
15000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD316SNH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.24 грн
500+ 6.9 грн
1000+ 5.68 грн
3000+ 4.8 грн
6000+ 4.35 грн
12000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 8765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.38 грн
13+ 24.15 грн
100+ 13.06 грн
500+ 8.92 грн
1000+ 6.89 грн
3000+ 5.77 грн
9000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD316SNH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSD316SNH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD316SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
на замовлення 32953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
14+ 20.58 грн
100+ 12.83 грн
500+ 8.24 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSD316SNH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.82 грн
43+ 17.37 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.9 грн
1000+ 5.68 грн
3000+ 4.8 грн
6000+ 4.35 грн
12000+ 4.29 грн
Мінімальне замовлення: 33
BSD316SNL6327XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
товар відсутній
BSD316SNL6327XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.91 грн
30+ 9.36 грн
100+ 6.71 грн
500+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSD340NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
товар відсутній
BSD340NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL+P-CH
товар відсутній
BSD816SN L6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товар відсутній
BSD816SNH6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товар відсутній
BSD816SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
товар відсутній
BSD816SNH6327XTSA1Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 8723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSD816SNL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товар відсутній
BSD816SNL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD816SNL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товар відсутній
BSD816SNL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товар відсутній
BSD840NInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-365-6
товар відсутній
BSD840N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 45723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.49 грн
15+ 20.68 грн
100+ 12.21 грн
500+ 9.19 грн
1000+ 7.09 грн
3000+ 6.1 грн
9000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSD840N L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
товар відсутній
BSD840NH6327Infineon technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSD840NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 17142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.18 грн
15+ 20.68 грн
100+ 12.21 грн
500+ 9.19 грн
1000+ 7.42 грн
3000+ 6.3 грн
9000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
на замовлення 75967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.49 грн
15+ 20.68 грн
100+ 12.14 грн
500+ 9.19 грн
1000+ 6.82 грн
3000+ 5.84 грн
9000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSD840NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 0.88A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.67 грн
100+ 8.95 грн
119+ 6.47 грн
327+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
6000+ 5.88 грн
9000+ 5.29 грн
30000+ 4.89 грн
75000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSD840NH6327XTSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TBSD840n
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSD840NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 83416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.35 грн
500+ 10.05 грн
1000+ 6.88 грн
3000+ 5.84 грн
6000+ 5.57 грн
12000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSD840NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 0.88A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+12.81 грн
100+ 11.16 грн
119+ 7.77 грн
327+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 151318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.43 грн
16+ 17.7 грн
100+ 10.59 грн
500+ 9.2 грн
1000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.96 грн
26+ 21.87 грн
27+ 21.65 грн
100+ 12.73 грн
250+ 11.67 грн
500+ 9.24 грн
1000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSD840NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 103200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.86 грн
34+ 22.01 грн
100+ 10.75 грн
500+ 8 грн
1000+ 5.53 грн
5000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSD840NL6327XTInfineon technologies
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSDA107NN00420100000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDA107NN00420200000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDA107NN00430200000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDA107NN00480100000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDA107NN00480200000TE Connectivity / IntercontecStandard Circular Connector 923 PLUG, ANGLED
товар відсутній
BSDA107NN00550200000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDA107NN00580100000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDA107NN00580200000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDA107NN00590200000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDA107NN00810200000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
BSDB10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+137.7 грн
1600+ 113.54 грн
2400+ 106.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
BSDB10S65E6BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A LOW VF SIC TO263
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.28 грн
10+ 205.26 грн
100+ 143.71 грн
250+ 135.84 грн
500+ 127.96 грн
1000+ 108.93 грн
3200+ 103.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDB10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.86 грн
10+ 184.36 грн
100+ 149.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDB10S65E6-XBournsBourns
товар відсутній
BSDD05G120E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.87 грн
10+ 156.97 грн
100+ 110.24 грн
250+ 104.34 грн
500+ 98.43 грн
1000+ 84 грн
2500+ 79.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDD06G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.55 грн
10+ 121.46 грн
100+ 101.59 грн
500+ 84.08 грн
1000+ 68.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSDD06G65E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A High Surge SiC diode in TO252
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.24 грн
10+ 115.46 грн
100+ 90.56 грн
5000+ 86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDD06G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.59 грн
500+ 84.08 грн
1000+ 68.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSDH06G65E2Bourns650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
товар відсутній
BSDH06G65E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.48 грн
10+ 129.8 грн
100+ 89.9 грн
500+ 75.46 грн
1000+ 64.7 грн
2500+ 61.03 грн
5000+ 59.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDH08G65E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.87 грн
10+ 155.46 грн
100+ 108.28 грн
500+ 91.21 грн
1000+ 77.43 грн
2500+ 73.5 грн
5000+ 71.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDH08G65E2Bourns650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
товар відсутній
BSDH10G120E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.36 грн
10+ 267.15 грн
100+ 227.71 грн
3000+ 204.08 грн
BSDH10G120E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDH10G120E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.74 грн
10+ 292.98 грн
100+ 259.86 грн
500+ 226.94 грн
1000+ 193.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSDH10G120E2Bourns Inc.Description: DIODE SIC 1200V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.37 грн
10+ 266.11 грн
100+ 215.27 грн
500+ 179.57 грн
1000+ 153.76 грн
2000+ 144.78 грн
BSDH10G65E2Bourns Inc.Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.24 грн
10+ 154.07 грн
100+ 124.63 грн
500+ 103.96 грн
1000+ 89.02 грн
2000+ 83.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDH10G65E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.77 грн
10+ 155.46 грн
100+ 134.52 грн
3000+ 119.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDH10G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.41 грн
10+ 181.83 грн
100+ 151.65 грн
500+ 126.46 грн
1000+ 103.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSDH10S65E6BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.28 грн
10+ 205.26 грн
100+ 143.71 грн
250+ 135.84 грн
500+ 127.96 грн
1000+ 108.93 грн
2500+ 103.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDH10S65E6Bourns650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2
товар відсутній
BSDH10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.02 грн
10+ 182.03 грн
100+ 147.29 грн
500+ 122.87 грн
1000+ 105.2 грн
2000+ 99.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDL10S65E6BOURNSDescription: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.33 грн
10+ 189.92 грн
100+ 167.84 грн
500+ 146.97 грн
1000+ 124.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSDL10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товар відсутній
BSDL10S65E6BOURNSDescription: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+167.84 грн
500+ 146.97 грн
1000+ 124.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSDL10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.73 грн
10+ 182.51 грн
100+ 147.66 грн
500+ 123.18 грн
1000+ 105.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDL10S65E6BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in DFN8x8
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.05 грн
10+ 183.38 грн
100+ 158.8 грн
3000+ 139.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDMC2201A90Sunbank / SouriauSunbank
товар відсутній
BSDV10G120E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.78 грн
10+ 346.38 грн
120+ 243.46 грн
270+ 230.33 грн
510+ 216.55 грн
1020+ 185.71 грн
2520+ 175.21 грн
BSDV10G120E2Bourns Inc.Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.61 грн
10+ 309.17 грн
100+ 250.1 грн
500+ 208.63 грн
1000+ 178.64 грн
2000+ 168.21 грн
BSDV10G120E2-XBournsBourns
товар відсутній
BSDW20G120C2Bourns Inc.Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.73 грн
10+ 489.63 грн
100+ 408 грн
500+ 337.84 грн
1000+ 304.06 грн
2000+ 284.91 грн
BSDW20G120C2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.75 грн
10+ 535.05 грн
600+ 404.23 грн
BSDW20G120C2BOURNSDescription: BOURNS - BSDW20G120C2 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 22 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.79 грн
5+ 554.31 грн
10+ 490.27 грн
50+ 428.59 грн
100+ 365.97 грн
250+ 359.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDW20G120C2-XBournsBourns
товар відсутній
BSDW20S65C6BOURNSDescription: BOURNS - BSDW20S65C6 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.05 грн
5+ 408.56 грн
10+ 361.45 грн
50+ 315.8 грн
100+ 269.43 грн
250+ 264.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSDW20S65C6BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V each 10A Low Vf Dual SiC schottky diode in TO247-3
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.02 грн
10+ 374.31 грн
100+ 322.2 грн
480+ 298.58 грн