Продукція > BSD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSD | IDEC | Switch Contact Blocks / Switch Kits BSD Obsolete No Replacement | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 4POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-04BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 4POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 5POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 5POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05PMMP-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 5PIN M CONN M PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-05PMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 5PIN M CONN M PIN | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: STANDARD | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 6POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06PMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 6PIN M CONN M PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06PMMS-SC7001 | Amphenol | Circular Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-06PMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Description: CERES, STANDARD SIZE, 5A, 06 PIN Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Male Pins Color: Silver Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 5A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Number of Positions: 6 Orientation: Keyed Shell Size - Insert: B Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Fastening Type: Threaded Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut Contact Finish - Mating: Gold Shell Material: Brass Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 7POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 7POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-07BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SL6A01 | Amphenol | STANDARD | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Description: STANDARD | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Description: CBL 8POS FMALE TO WIRE 6.56' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 8POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 8POS FMALE TO WIRE 32.8' | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08PMMP-SS7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 8PIN M CONN M PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD-08PMMS-SS7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector 8P M CONN M PIN | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSD-08RMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 8PIN M CONN M PIN | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSD-HSP-25 | Festo Corporation | Description: COVER KIT Packaging: Bulk Accessory Type: Cover Kit | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD02.V. | RTA | Description: RTA - BSD02.V. - Schrittmotorantrieb, Mikroschrittmotoren, 3200 Schritte/Umdrehung, 2.2A, 24V DC bis 48V DC tariffCode: 85030099 Steuerung / Antrieb: Mikroschrittmotorantrieb productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, min.: 24VDC Anzahl der Phasen: Zwei Phasen euEccn: NLR hazardous: false Ausgangsstrom, max.: 0 rohsPhthalatesCompliant: TBA Versorgungsspannung, max.: 48VDC usEccn: EAR99 Produktpalette: BSD Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD12 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSD211 | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSD212 | PHILIPS | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD213 | PHILIPS | на замовлення 2220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD214 | PHILIPS | на замовлення 2230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD214SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 8998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD214SN L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD214SN L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD214SNH6327 | Infineon Technologies | Description: BSD314 - 250V-600V SMALL SIGNAL/ Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363 Technology: OptiMOS™ 2 Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.25Ω Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 6045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363 Technology: OptiMOS™ 2 Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.25Ω Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD214SNL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V | на замовлення 41600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD215 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSD223P | INFINEON | 05+ | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSD223P | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD223P | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD223P H6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch | на замовлення 39685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223P L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD223P транзистор Код товару: 58170 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch DPAK-2 | на замовлення 61975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 67768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 98478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Mounting: SMD Case: PG-SOT-363 Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Drain current: -0.39A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Mounting: SMD Case: PG-SOT-363 Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Drain current: -0.39A | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 0.7 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 98478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD223PL6327 | Infineon technologies | на замовлення 3745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD235C | Infineon Technologies | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235C H6327 Код товару: 132412 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSD235C H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 138903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235C L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235C L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235CH6327 | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD235CH6327XT | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 158111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 33069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: PG-SOT-363 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A On-state resistance: 0.415/1.221Ω | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: PG-SOT-363 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A On-state resistance: 0.415/1.221Ω кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 635 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 Код товару: 118906 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 25330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 373750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 46949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235CL6327 | Infineon technologies | на замовлення 2784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD235CL6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235N | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235N H6327 | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD235N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 7115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 15059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD235NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 138803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 379844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 81952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 26345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 8160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 26345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: SOT363 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A On-state resistance: 0.35Ω | на замовлення 4030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: SOT363 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A On-state resistance: 0.35Ω кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4030 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD235NL6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPE L6327 | Infineon Technologies | MOSFET SOT-363-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPE L6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPEH6327 | Infineon technologies | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA | Infineon | P-MOSFET 30V 1.5A 500mW 140mΩ BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon TBSD314spe кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3 | на замовлення 10339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSD314SPEH6327XTSA SMD P channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD314SPEL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPEL6327 | Infineon technologies | на замовлення 910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD314SPEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD314SPEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD316NL6327 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSD316SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 31490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 8765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V | на замовлення 32953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 31490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD316SNL6327XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD316SNL6327XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V | на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD340NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD340NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL+P-CH | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD816SN L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD816SNH6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD816SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD816SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 8723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSD816SNL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD816SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD816SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD816SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD840N | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-365-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD840N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | на замовлення 45723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD840NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSD840NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | на замовлення 17142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | на замовлення 75967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Mounting: SMD Drain current: 0.88A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT363 On-state resistance: 0.4Ω Gate-source voltage: ±8V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TBSD840n | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, BRT, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 83416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Mounting: SMD Drain current: 0.88A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT363 On-state resistance: 0.4Ω Gate-source voltage: ±8V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 151318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 103200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSD840NL6327XT | Infineon technologies | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
BSDA107NN00420100000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00420200000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00430200000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00480100000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00480200000 | TE Connectivity / Intercontec | Standard Circular Connector 923 PLUG, ANGLED | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00550200000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00580100000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00580200000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00590200000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDA107NN00810200000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDB10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDB10S65E6 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A LOW VF SIC TO263 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDB10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDB10S65E6-X | Bourns | Bourns | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDD05G120E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDD06G65E2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDD06G65E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A High Surge SiC diode in TO252 | на замовлення 4844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDD06G65E2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH06G65E2 | Bourns | 650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDH06G65E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH08G65E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 | на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH08G65E2 | Bourns | 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDH10G120E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A High Surge SiC diode in TO220-2 | на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH10G120E2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDH10G120E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 22 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH10G120E2 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIC 1200V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV | на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH10G65E2 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH10G65E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2 | на замовлення 2898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH10G65E2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH10S65E6 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2 | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDH10S65E6 | Bourns | 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2 | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDH10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDL10S65E6 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDL10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDL10S65E6 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDL10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDL10S65E6 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in DFN8x8 | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDMC2201A90 | Sunbank / Souriau | Sunbank | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDV10G120E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDV10G120E2 | Bourns Inc. | Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDV10G120E2-X | Bourns | Bourns | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDW20G120C2 | Bourns Inc. | Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDW20G120C2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3 | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDW20G120C2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDW20G120C2 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 22 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDW20G120C2-X | Bourns | Bourns | товар відсутній | |||||||||||||||||
BSDW20S65C6 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDW20S65C6 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSDW20S65C6 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V each 10A Low Vf Dual SiC schottky diode in TO247-3 | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|