Продукція > BSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSD | IDEC | Switch Contact Blocks / Switch Kits BSD Obsolete No Replacement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 04 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 2000mm, IP66 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 4POS FMALE TO WIRE 32.8' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 4PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-04BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 4POS FMALE TO WIRE 32.8' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 5POS FMALE TO WIRE 32.8' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 05 pins, Female Connector, Female Contact, Right Angle, Screw Thread, Overmolded, Length 5000mm, IP66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 5PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 5POS FMALE TO WIRE 32.8' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05PMMP-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 5PIN M CONN M PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-05PMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 5PIN M CONN M PIN | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: STANDARD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 6POS FMALE TO WIRE 32.8' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 6PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06PMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Description: CERES, STANDARD SIZE, 5A, 06 PIN Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Male Pins Color: Silver Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 5A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Number of Positions: 6 Orientation: Keyed Shell Size - Insert: B Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Fastening Type: Threaded Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut Contact Finish - Mating: Gold Shell Material: Brass Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-06PMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 6PIN M CONN M PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 7POS FMALE TO WIRE 32.8' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 7PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-07BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL 7POS FMALE TO WIRE 32.8' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 08 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 1000mm, IP66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A01 | Amphenol LTW | Description: CBL CIRC 8POS FEM TO WIRE 3.28' Packaging: Bulk Color: Black Length: 3.28' (1.00m) Shielding: Shielded Cable Type: Round Usage: Industrial Environments Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant 1st Connector Number of Positions Loaded: All 1st Connector Gender: Female Sockets 1st Connector Shell Size - Insert: B 1st Connector Orientation: Keyed 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Connector Type: Plug 2nd Connector Type: Wire Leads Assembly Configuration: Standard Cable Material: Polyvinyl Chloride (PVC) 1st Connector Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A01 | Amphenol | Connector MIL Spec Circular | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Description: CBL CIRC 8POS FEM TO WIRE 6.56' Packaging: Bulk Color: Black Length: 6.56' (2.00m) Shielding: Shielded Cable Type: Round Usage: Industrial Environments Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant 1st Connector Number of Positions Loaded: All 1st Connector Gender: Female Sockets 1st Connector Shell Size - Insert: B 1st Connector Orientation: Keyed 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Connector Type: Plug 2nd Connector Type: Wire Leads Assembly Configuration: Standard Cable Material: Polyvinyl Chloride (PVC) 1st Connector Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A03 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 08 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 3000mm, IP66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A04 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 08 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 4000mm, IP66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A05 | Amphenol LTW | Description: CBL CIRC 8POS FEM TO WIRE 16.4' Packaging: Bulk Color: Black Length: 1.64' (500.00mm) Shielding: Shielded Cable Type: Round Usage: Industrial Environments Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant 1st Connector Number of Positions Loaded: All 1st Connector Gender: Female Sockets 1st Connector Shell Size - Insert: B 1st Connector Orientation: Keyed 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Connector Type: Plug 2nd Connector Type: Wire Leads Assembly Configuration: Standard Cable Material: Polyvinyl Chloride (PVC) 1st Connector Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL CIRC 8POS FEM TO WIRE 32.8' Packaging: Bulk Color: Black Length: 32.8' (10.00m) Shielding: Shielded Cable Type: Round Usage: Industrial Environments Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant 1st Connector Number of Positions Loaded: All 1st Connector Gender: Female Sockets 1st Connector Shell Size - Insert: B 1st Connector Orientation: Keyed 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Connector Type: Plug 2nd Connector Type: Wire Leads Assembly Configuration: Standard Cable Material: Polyvinyl Chloride (PVC) 1st Connector Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SL6A30 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 08 pins, Female Connector, Female Contact, Straight, Screw Thread, Overmolded, Length 30000mm, IP66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A01 | Amphenol LTW | Description: CBL CIRC 8POS FEM TO WIRE 3.28' Packaging: Bulk Color: Black Length: 3.28' (1.00m) Shielding: Shielded Cable Type: Round Usage: Industrial Environments Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant 1st Connector Number of Positions Loaded: All 1st Connector Gender: Female Sockets 1st Connector Shell Size - Insert: B 1st Connector Orientation: Keyed 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Connector Type: Plug, Right Angle 2nd Connector Type: Wire Leads Assembly Configuration: Standard Cable Material: Polyvinyl Chloride (PVC) 1st Connector Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A02 | Amphenol LTW | Description: CBL CIRC 8POS FEM TO WIRE 6.56' Packaging: Bulk Color: Black Length: 6.56' (2.00m) Shielding: Shielded Cable Type: Round Usage: Industrial Environments Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant 1st Connector Number of Positions Loaded: All 1st Connector Gender: Female Sockets 1st Connector Shell Size - Insert: B 1st Connector Orientation: Keyed 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Connector Type: Plug, Right Angle 2nd Connector Type: Wire Leads Assembly Configuration: Standard Cable Material: Polyvinyl Chloride (PVC) 1st Connector Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A03 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 08 pins, Female Connector, Female Contact, Right Angle, Screw Thread, Overmolded, Length 3000mm, IP66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A04 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 08 pins, Female Connector, Female Contact, Right Angle, Screw Thread, Overmolded, Length 4000mm, IP66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Description: CBL CIRC 8POS FEM TO WIRE 16.4' Packaging: Bulk Color: Black Length: 1.64' (500.00mm) Shielding: Shielded Cable Type: Round Usage: Industrial Environments Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant 1st Connector Number of Positions Loaded: All 1st Connector Gender: Female Sockets 1st Connector Shell Size - Insert: B 1st Connector Orientation: Keyed 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Connector Type: Plug, Right Angle 2nd Connector Type: Wire Leads Assembly Configuration: Standard Cable Material: Polyvinyl Chloride (PVC) 1st Connector Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A05 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables Ceres, Standard Size, Metal, Shielded 5A, 08 pins, Female Connector, Female Contact, Right Angle, Screw Thread, Overmolded, Length 5000mm, IP66 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Sensor Cables / Actuator Cables STANDARD CBL SCREW 8PIN F CONN F PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08BFFM-SR6A10 | Amphenol LTW | Description: CBL CIRC 8POS FEM TO WIRE 32.8' Packaging: Bulk Color: Black Length: 32.8' (10.00m) Shielding: Shielded Cable Type: Round Usage: Industrial Environments Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant 1st Connector Number of Positions Loaded: All 1st Connector Gender: Female Sockets 1st Connector Shell Size - Insert: B 1st Connector Orientation: Keyed 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Connector Type: Plug, Right Angle 2nd Connector Type: Wire Leads Assembly Configuration: Standard Cable Material: Polyvinyl Chloride (PVC) 1st Connector Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08PMMP-SC7001 | Amphenol LTW | Description: CERES, STANDARD SIZE, 5A, 08 PIN Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Male Pins Color: Silver Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 5A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Number of Positions: 8 Orientation: Keyed Shell Size - Insert: B Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Fastening Type: Threaded Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut Contact Finish - Mating: Gold Shell Material: Brass Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08PMMP-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 8PIN M CONN M PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08PMMP-SS7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 8PIN M CONN M PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08PMMP-SS7001 | Amphenol LTW | Description: CERES, STANDARD SIZE, 5A, 08 PIN Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Male Pins Color: Silver Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 5A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Number of Positions: 8 Orientation: Keyed Shell Size - Insert: B Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Fastening Type: Threaded Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Flange Contact Finish - Mating: Gold Shell Material: Brass Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08PMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector PANEL SCREW 8PIN M CONN M PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08PMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Description: CERES, STANDARD SIZE, 5A, 08 PIN Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Male Pins Color: Silver Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 5A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Number of Positions: 8 Orientation: Keyed Shell Size - Insert: B Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Fastening Type: Threaded Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut Contact Finish - Mating: Gold Shell Material: Brass Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08PMMS-SS7001 | Amphenol LTW | Description: CERES, STANDARD SIZE, 5A, 08 PIN Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Male Pins Color: Silver Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 5A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Shielding: Shielded Number of Positions: 8 Orientation: Keyed Shell Size - Insert: B Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Fastening Type: Threaded Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Flange Contact Finish - Mating: Gold Shell Material: Brass Shell Finish: Nickel Primary Material: Metal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08PMMS-SS7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector 8P M CONN M PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD-08RMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Standard Circular Connector Ceres, Standard Size, Metal, 5A, 08 pins, Male Connector, Male Contact, Circular, Screw Thread, Solder, Receptacle, IP67 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD-08RMMS-SC7001 | Amphenol LTW | Description: CERES, STANDARD SIZE, 5A, 08 PIN Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Male Pins Color: Black Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 5A Mounting Type: Panel Mount Shielding: Shielded Number of Positions: 8 Orientation: Keyed Shell Size - Insert: B Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Fastening Type: Threaded Termination: Solder Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut Contact Finish - Mating: Gold Shell Material: Polyamide (PA), Nylon, Glass Filled Primary Material: Plastic | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD-16G | AUTONICS | BSD-16G Sound Signalling Devices | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD-HSP-25 | Festo Corporation | Description: COVER KIT Packaging: Bulk Accessory Type: Cover Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD02.V. | RTA | Description: RTA - BSD02.V. - Schrittmotorantrieb, Mikroschrittmotoren, 3200 Schritte/Umdrehung, 2.2A, 24V DC bis 48V DC tariffCode: 85030099 Steuerung / Antrieb: Mikroschrittmotorantrieb productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, min.: 24VDC Anzahl der Phasen: Zwei Phasen euEccn: NLR hazardous: false Ausgangsstrom, max.: 2.2A rohsPhthalatesCompliant: TBA Versorgungsspannung, max.: 48VDC usEccn: EAR99 Produktpalette: BSD Series SVHC: To Be Advised | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD12 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSD211 | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSD212 | PHILIPS | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD213 | PHILIPS | на замовлення 2220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD214 | PHILIPS | на замовлення 2230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD214SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 7053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD214SN L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327 | Infineon Technologies | Description: BSD314 - 250V-600V SMALL SIGNAL/ Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 11219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD214SNH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 20V 1.5A 500mW 140mΩ BSD214SNH6327 Infineon TBSD214sn кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD214SNL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 41600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD214SNL6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSD214SNL6327 - BSD214 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD215 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSD223P | INFINEON | 05+ | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD223P | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD223P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch | на замовлення 11951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223P L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD223P транзистор Код товару: 58170
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 80314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Case: PG-SOT-363 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A On-state resistance: 1.2Ω Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 22150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 102337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Case: PG-SOT-363 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A On-state resistance: 1.2Ω Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1820 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch DPAK-2 | на замовлення 34414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD223PL6327 | Infineon technologies | на замовлення 3745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235C | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235C H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 98428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235C H6327 Код товару: 132412
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235C L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235C L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327 | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 145711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 | на замовлення 283438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 21699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSD235CH6327XTSA1 Multi channel transistors | на замовлення 2523 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 35980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 Код товару: 118906
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 635 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 26064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active | на замовлення 28755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235CL6327 | Infineon technologies | на замовлення 2784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235N | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 5719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235N H6327 | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 15059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 134513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSD235NH6327XTSA1 Multi channel transistors | на замовлення 194 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6 | на замовлення 296722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPE L6327 | Infineon Technologies | MOSFET SOT-363-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPE L6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327 | Infineon technologies | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA | Infineon | P-MOSFET 30V 1.5A 500mW 140mΩ BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon TBSD314spe кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD314SPEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3 | на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEL6327 | Infineon technologies | на замовлення 910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD314SPEL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD314SPEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD316NL6327 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD316SN H6327 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 28300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD316SNL6327XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD316SNL6327XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V | на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD340NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD340NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SN L6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNH6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH | на замовлення 8723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNL6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-6-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD816SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD840N | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD840N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | на замовлення 39321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840N L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | на замовлення 16610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 173742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1809000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6 | на замовлення 104941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 68959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSD840NH6327XTSA1 Multi channel transistors | на замовлення 3806 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 68959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSD840NL6327XT | Infineon technologies | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSDA107NN00420100000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00420200000 | TE Connectivity / Intercontec | Standard Circular Connector 923 PLUG, ANGLED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00430200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00480100000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00480200000 | TE Connectivity / Intercontec | Standard Circular Connector 923 PLUG, ANGLED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00550200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00580100000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00580200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00590200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA107NN00810200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA108NN00420100000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA108NN00420200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA108NN00430200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA108NN00480200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA108NN00580100000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA108NN00580200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDA108NN00590200000 | TE Connectivity | Standard Circular Connector | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDB10S65E6 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC diode in TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDB10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDB10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDB10S65E6-X | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDD05G120E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD05G120E2 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD05G120E2 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD06G65E2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD06G65E2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD06G65E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A High Surge SiC diode in TO252 | на замовлення 4844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD08G65E2 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V 8A HIGH SURGE SIC TO252 | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD10S65E6 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V 10A LOW VF SIC TO252 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDD10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH06G65E2 | Bourns Inc. | Description: DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH06G65E2 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 | на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH08G65E2 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 | на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH08G65E2 | Bourns Inc. | Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH08G65E2-X | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDH10G120E2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDH10G120E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 22 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH10G120E2 | Bourns | SiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC diode in TO220-2 | на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH10G120E2 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIC 1200V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH10G65E2 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2 | на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH10G65E2 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH10G65E2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH10S65E6 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDH10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDL10S65E6 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDL10S65E6 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in DFN8x8 | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDL10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDL10S65E6 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDL10S65E6 | Bourns Inc. | Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDMC2201A90 | Sunbank / Souriau | Sunbank | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDV10G120E2 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDV10G120E2 | Bourns Inc. | Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDV10G120E2-X | Bourns | Bourns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDW20G120C2 | Bourns Inc. | Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDW20G120C2 | Bourns | SiC Schottky Diodes 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3 | на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDW20G120C2 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDW20G120C2 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 22 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDW20G120C2-X | Bourns | Bourns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSDW20G65C2 | Bourns Inc. | Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDW20G65C2 | Bourns | SiC Schottky Diodes 650V each 10A High Surge Dual SiC schottky diode in TO247-3 | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDW20S65C6 | BOURNS | Description: BOURNS - BSDW20S65C6 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDW20S65C6 | Bourns Inc. | Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSDW20S65C6 | Bourns | Schottky Diodes & Rectifiers 650V each 10A Low Vf Dual SiC schottky diode in TO247-3 | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|