Продукція > FF4
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF4 | SURGE | Description: 1A -400V - ESGA (SOD-123FL) - RE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400-87 | MOFLASH SIGNALLING | FF400-87 Light Signalling Devices | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules XHP HV | на замовлення 3 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2 N-CH 3300V XHP2K17 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 3300V (3.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101000pF @ 1800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 500A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2500nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 450mA Supplier Device Package: AG-XHP2K17 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 0.0048 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R06KE3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R06KE3 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF400R06KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 400A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R06KE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 363 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R06KE3HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF400R06KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 500 A, 1.45 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 500A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 500A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 600V 500A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 500A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R07A01E3S6XKSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules Y | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R07A01E3S6XKSA2 | Infineon Technologies | Double Side Cooled Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R07A01E3S6XKSA2 | Infineon Technologies | Double Side Cooled Module | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R07A01E3S6XKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOD IGBT MED PWR 14MDIP Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual, Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18000 pF @ 25 V Supplier Device Package: PG-MDIP-14-1 | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R07A01E3S6XKSA2 | Infineon Technologies | Double Side Cooled Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R07A01E3S6XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - FF400R07A01E3S6XKSA2 - IGBT-Modul, Zweifach, 400 A, 1.65 V, 1.5 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Dauer-Kollektorstrom: 400A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 1.5kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 700V Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 700V IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 400A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R07A01E3S6XKSA2 | Infineon Technologies | Double Side Cooled Module | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R07KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 400A 650V | на замовлення 10 шт: термін постачання 162-171 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R07KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 650V 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R07KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 485A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R07KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 485A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R07KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 485A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KE3 | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KE3 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3 | EUPEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF400R12KE3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 1051 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KE3 Код товару: 39118
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT Vces: 1200 V Vce: 1,7 V td(on)/td(off) 100-150 град: 0,25/0,50 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF400R12KE3-S1 Код товару: 54330
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF400R12KE3B2HOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KE3B2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3B2HOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 580A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3S5HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 580A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KE3_S1 | EUPEC | MODULE | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KF4 | EUPEC | MODULE | на замовлення 519 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KF4 | EUPEC | 400A/1200V/IGBT/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KL4C | EUPEC | 400A/1200V/IGBT/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KL4C | EUPEC | MODULE | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KS4 | INFINEON | 400A/1200V IGBT MODULE | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KS4B2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 194 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3 Код товару: 117561
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF400R12KT3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 605 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 580A | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | 62mm C-Series Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies | 62mm C-Series Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 580 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2000000mW Automotive Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3PEHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 400A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3PEHOSA1 | Infineon Technologies | FF400R12KT3PEHOSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3PEHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 400A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KT3P_E | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 400A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R12KT3 | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
FF400R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk | на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R12KT4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: FF400R12KT4P - 1200 V, 400 A DUA Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual, Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28000 pF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R16KF4 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1600V 400A 3100000mW 10-Pin IHM130-2 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R16KF4 | EUPEC | 400A/1600V/IGBT/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R16KF4 | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R16KF4 | EUPEC | MODULE | на замовлення 151 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R16KF4NOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Power - Max: 3100 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65 nF @ 25 V | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R17KE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 86 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KE3-B2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 400A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | 62mmC-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | 62mmC-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 400A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R17KE4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF400R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 400 A, 1.95 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 400A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 400A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 400A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 400A 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 400A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 400 A dual IGBT module | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 400A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF400R17KF4 | EUPEC | MODULE | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KF4CNOSA1 | Infineon Technologies | Description: FF400R17 - IGBT MODULE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KF6C-B2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R17KF6C_B2 | EUPEC | 400A/1700V/IGBT/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33Kb3 | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF1 | EUPEC | MODULE | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF1(KF2) | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF2 | EUPEC | 400A/3300V/IGBT/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF2C | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300V 400A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF2C Код товару: 32965
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF400R33KF2C | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 660A 4800mW 10-Pin IHV130-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF2CB3NOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 660A AIHV130-3 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: A-IHV130-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 660 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 4800 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 50 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 660A 4800mW Automotive 10-Pin IHV130-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 660A 4800W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 660 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 4800 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 50 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 660A 4800mW Automotive 10-Pin IHV130-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400R33KL2 | EUPEC | 400A/3300V/IGBT/2U | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF400RA33KF2C | EUPEC | MODULE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF401R17KF6C-B2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF401R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 400A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF401R17KF6CB2NOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Current - Collector (Ic) (Max): 650 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 3150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF401R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 650A | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF401R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 650A 3150W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 650 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 3150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF403PAL | EUROPA | Description: EUROPA - FF403PAL - Trennschalter, 3-polig, 690 V, 40 A tariffCode: 85365080 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pole: 3-polig euEccn: NLR AC-Kontaktstrom, max.: 40A AC-Kontaktspannung, max.: 690V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4140 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
FF4141-E2 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
FF4164A | NEC | 2004 | на замовлення 327 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4180B | SHARP | SOP32 | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4202 | FUJIFILM | 0916+ BGA | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF440.R2 | Multi-Tech Systems Inc. | Description: FAX SERVER ANALOG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF440.R2-AR | Multi-Tech Systems Inc. | Description: FAX SERVER ANALOG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses 450A 550V AC/400VDC | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE CRTRDGE 450A 550VAC/400VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R06ME3 | INFINEON TECHNOLOGIES | FF450R06ME3 IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R06ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 600V 550A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R06ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 600V 550A 1250W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R07ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 560A 1450000mW Automotive 11-Pin ECONOD-4 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R07ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 650V 560A 1450000mW Automotive 11-Pin ECONOD-4 Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R07ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 650V 560A 1450W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R07ME4B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R07ME4B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 560 A, 1.55 V, 1.45 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 560A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 1.45kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.45kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 560A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R07ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 650 V, 450 A dual IGBT module | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R07ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 560 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 1450 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27.5 nF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R07ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005422472 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R07ME4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Module Trench Field Stop | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R07ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: GBT MODULE 650V 450A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27.5 nF @ 25 V | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R07ME4BOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R07ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.55 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R07ME4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R07ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: GBT MODULE 650V 450A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27.5 nF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R07ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 450A 650V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R08A03P2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules HYBRID PACK DSC SI | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R08A03P2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: IGBT Configuration: Half Bridge Voltage - Isolation: 2500Vrms Current: 450 A Voltage: 750 V | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R08A03P2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R08A03P2XKSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.2V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.2V Verlustleistung Pd: 1.667kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.667kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12IE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 450A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12IE4 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 2550000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12IE4BOSA2 | Infineon Technologies | Prime Pack 2 Module WithTrench Field Stop IGBT 4 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12IE4BOSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 450A 2550W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2550 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 520A | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE4 Код товару: 84509
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF450R12KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4EHOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R12KE4EHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 520A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 520A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 520 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE4EHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 520A 2400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 520 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KE4_E | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 450 A common emitter IGBT module | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE7EHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules Y | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE7HPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules Y | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KE7HPSA1 | Infineon Technologies | SP005723766 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KS4 Код товару: 122328
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF450R12KT4 Код товару: 155092
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF450R12KT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 580A | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 580A 2400W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2400 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400000mW Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 580A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.4kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 580A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KT4PHOSA1 | Infineon Technologies | 62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KT4PHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KT4PHOSA1 | Infineon Technologies | 62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12KT4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12KT4PHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3 | INFINEON | 11+ 10+ HHD3-1 | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 442 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2100mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 600A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2100000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME3 | EUPEC | A3-3 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3 /4 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
FF450R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2100000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3BOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF450R12ME3BOSA1 - FF450R12 - IGBT MODULE tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2100W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A 2100W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A 2100W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2100 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2100W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME3ENG | EUPEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF450R12ME3ENG | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4 | EUPEC | . | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 450A | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 675A 2250W 11-Pin ECONOD-4 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 675A 2250W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 675 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 675 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | SP005422456 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4B11BPSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R12ME4B11BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach, 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 675A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 675A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4B61BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF450R12ME4 - INSULATED GATE BIP Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 675 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4BDLA1 | Infineon Technologies | Description: FF450R12 - IGBT Module Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 675A 2250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 675 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 675A 2250W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 675A 2250000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 675A 2250W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOD IGBT MED PWR ECONOD-4 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-6 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF450R12ME4EB11BPSA1 - FF450R12 - IGBT MODULE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOD IGBT MED PWR ECONOD-4 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-6 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 13-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 13-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF450R12ME4EB11BPSA2 - FF450R12ME4EB11 - MEDIUM POWER ECONO tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA2 | Infineon Technologies | SP005422528 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA2 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD-6 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4EB11BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4P | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4PBOSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC/ pre-applied Thermal Interface Material | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4PBOSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC/ pre-applied Thermal Interface Material | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R12ME4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 450A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4P_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 450A 1200V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 69 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R12ME7B11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R17IE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1700V 450A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17IE4BOSA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 620A 2800W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17IE4BOSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 620A 2800000mW Automotive 10-Pin PRIME2-1 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 605A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME3 | SEMIKRON | A3-3 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 605A 2250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 605 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 2250 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME3ENG | SEMIKRON | 1O11 A3-3 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4 Код товару: 190910
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FF450R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1700V 450A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 600A 2500W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 2500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | FF450R17ME4B11BPSA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005422448 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-311 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 2500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 600A 2500000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4BOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 2.5kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 600A 2500mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 600A 2500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 2500 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R17ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 600A 2500mW 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 450A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R17ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 450A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 900A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R17ME4PBOSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 450 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4P_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME4_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 450A 1700V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 450 A dual IGBT module | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-6 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-6 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | FF450R33T3E3B5BPSA IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R33T3E3B5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: 3A228.c IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: XHP3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P2BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-6 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P2BPSA1 | Infineon Technologies | SP002739454 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P2BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P3BPMA1 | Infineon Technologies | SP005555819 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P3BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P3BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K3 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP3K33 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-6 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P3BPSA1 | Infineon Technologies | SP002739462 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P4BPMA1 | Infineon Technologies | SP003321540 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P4BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-6 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P4BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P6BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IHV IHM T XHP 3 3-6 5K Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-6 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P6BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3B5P6BPMA1 | Infineon Technologies | SP003321560 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 3300 V, 450 A dual IGBT module | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin AG-XHP100-3 Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: XHP 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin AG-XHP100-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-XHP100-3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 1000000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R33T3E3BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin AG-XHP100-3 Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P2BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | SP001779976 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P3BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P4BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules XHP HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 3300V 450A AGXHP100-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3P6BPMA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R33T3E3_B5 | Infineon Technologies | Infineon IHV IHM T XHP 3 3-6 5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF450R45T3E4B5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 4500 V, 450 A dual IGBT module | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF450R45T3E4B5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF450R45T3E4B5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.35 V, 1500 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 1500kW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: XHP 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: AG-EASY1BM-2 Electrical mounting: Press-Fit Polarisation: unipolar On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 50A Technology: CoolSiC™; SiC Gate-source voltage: -10...20V Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: AG-EASY1BM-2 Electrical mounting: Press-Fit Polarisation: unipolar On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 50A Technology: CoolSiC™; SiC Gate-source voltage: -10...20V Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF45MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF45MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4910001 | Diodes Zetex | Crystal FUND 4-Pin Mini-CSMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4910001 | Diodes Incorporated | Description: CRYSTAL 49.1520MHZ 20PF SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Load Capacitance: 20pF Size / Dimension: 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Type: MHz Crystal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±20ppm Frequency Tolerance: ±10ppm Operating Mode: Fundamental Height - Seated (Max): 0.030" (0.75mm) ESR (Equivalent Series Resistance): 30 Ohms Frequency: 49.152 MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4910001 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | SP005861507 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules N | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC 2N-CH 1200V 170A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA Supplier Device Package: Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | SP005751859 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pins Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA Supplier Device Package: AG-EASY2B | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR20KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | 62 mm C-Series Module with CoolSiC Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4MR20KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA Supplier Device Package: AG-62MMHB | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR20KM1HHPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR20KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules Y | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4MR20KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 245A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4MR20KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA Supplier Device Package: AG-62MMHB | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4U03LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U03SD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U03SS | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U06LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U06LKA | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U06LKB | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U06LKG | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U06SC | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U06SD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U06SR | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 06P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U12LD | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U12LKM | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U12LKN | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U12LKP | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U12LKS | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U12LKV | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U12LKW | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4U12LKY | Belden Inc. | Description: FXU FRAME OM4 12P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4X03SC | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM4 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4X03SD | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM4 03P Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4X06LD | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM4 06P Packaging: Bulk | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FF4X06SD | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM4 06P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FF4X16LD | Belden Inc. | Description: FX ECX STRIP OM4 16P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |