Продукція > IGB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGB01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB01N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB01N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 1.3A
Power dissipation: 28W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20.9ns
Turn-off time: 493ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB01N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 1.3A; 28W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 1.3A
Power dissipation: 28W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20.9ns
Turn-off time: 493ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2INFTO-to-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIGB03N120H2ATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1616Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+109.54 грн
100+75.90 грн
250+69.87 грн
500+63.77 грн
1000+54.69 грн
2000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGB03N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.30 грн
10+157.46 грн
100+108.64 грн
500+91.53 грн
1000+78.13 грн
2500+74.26 грн
5000+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-4-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TInfineon TechnologiesIGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.81 грн
10+82.15 грн
100+56.03 грн
500+47.48 грн
1000+38.77 грн
2000+36.39 грн
5000+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60T
Код товару: 167667
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.28 грн
28+21.60 грн
29+20.18 грн
100+18.38 грн
250+17.36 грн
500+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1InfineonIGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+22.90 грн
542+22.54 грн
551+22.17 грн
560+21.03 грн
570+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.18 грн
10+79.06 грн
15+61.24 грн
41+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.54 грн
10+82.92 грн
25+71.44 грн
100+53.65 грн
250+53.06 грн
500+44.05 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
610+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 610
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.40 грн
10+79.76 грн
100+53.63 грн
500+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1
Код товару: 191421
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.22 грн
10+98.53 грн
15+73.48 грн
41+69.76 грн
250+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+45.88 грн
267+45.71 грн
271+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.33 грн
2000+35.80 грн
3000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.51 грн
10+85.15 грн
100+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.35 грн
10+172.80 грн
100+139.41 грн
500+115.50 грн
1000+94.45 грн
5000+92.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+139.41 грн
500+115.50 грн
1000+94.45 грн
5000+92.30 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-4-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+139.41 грн
500+115.50 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.35 грн
10+172.80 грн
100+139.41 грн
500+115.50 грн
1000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.85 грн
10+108.68 грн
100+73.52 грн
500+62.81 грн
1000+53.50 грн
5000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7Infineon TechnologiesInfineon SMD IGBT series IGB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.89 грн
10+238.59 грн
100+170.61 грн
500+153.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.10 грн
10+287.53 грн
100+202.41 грн
500+179.34 грн
1000+154.04 грн
2000+145.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGB15N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.53 грн
10+105.26 грн
100+72.85 грн
500+61.09 грн
1000+52.31 грн
2000+49.71 грн
5000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60T транзистор
Код товару: 202831
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.63 грн
10+102.78 грн
100+70.01 грн
500+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.35 грн
10+110.39 грн
100+72.85 грн
500+58.04 грн
1000+53.35 грн
2000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.30 грн
5+140.06 грн
12+93.02 грн
33+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.25 грн
5+112.40 грн
12+77.51 грн
33+73.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.06 грн
10+106.02 грн
100+76.55 грн
500+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.52 грн
10+123.23 грн
100+78.88 грн
500+63.10 грн
1000+57.82 грн
2000+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.72 грн
10+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.70 грн
10+110.85 грн
100+75.79 грн
500+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3
Код товару: 108573
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.63 грн
10+118.09 грн
25+100.46 грн
100+75.16 грн
250+74.26 грн
500+59.46 грн
1000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.24 грн
5+118.81 грн
13+88.37 грн
35+83.72 грн
1000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.20 грн
5+95.34 грн
13+73.64 грн
35+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.65 грн
500+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+180.57 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.95 грн
10+111.86 грн
100+87.65 грн
500+64.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.04 грн
10+104.57 грн
100+71.32 грн
500+53.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.69 грн
10+122.37 грн
100+80.37 грн
250+78.88 грн
500+66.30 грн
1000+63.18 грн
2000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.66 грн
500+70.93 грн
1000+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.45 грн
10+129.39 грн
100+92.66 грн
500+70.93 грн
1000+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.58 грн
10+119.45 грн
100+82.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3
Код товару: 114099
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.89 грн
10+183.13 грн
100+110.88 грн
500+90.78 грн
1000+83.34 грн
5000+81.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.78 грн
10+186.99 грн
50+159.44 грн
200+122.47 грн
500+92.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.29 грн
10+152.55 грн
100+106.29 грн
500+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+141.53 грн
97+126.08 грн
101+121.20 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+83.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.44 грн
200+122.47 грн
500+92.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED 600V, 30A IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 730µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TInfineon TechnologiesDescription: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.19 грн
10+172.86 грн
100+108.64 грн
500+93.02 грн
1000+78.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.27 грн
10+149.53 грн
100+104.09 грн
500+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.47 грн
10+275.55 грн
100+193.48 грн
500+171.90 грн
1000+147.34 грн
2000+138.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.58 грн
10+199.51 грн
100+142.75 грн
500+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.06 грн
10+276.41 грн
100+171.90 грн
500+157.01 грн
1000+138.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.43 грн
10+231.54 грн
100+165.21 грн
500+147.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.75 грн
500+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+179.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+386.36 грн
50+322.11 грн
100+307.47 грн
200+242.36 грн
500+223.68 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.42 грн
10+206.24 грн
100+134.69 грн
500+110.88 грн
1000+103.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.00 грн
2000+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.39 грн
10+184.64 грн
100+129.98 грн
500+110.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.39 грн
10+184.64 грн
100+129.98 грн
500+110.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.44 грн
10+198.68 грн
100+146.08 грн
500+117.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.11 грн
10+219.93 грн
100+134.69 грн
500+117.57 грн
1000+103.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+239.14 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.08 грн
500+117.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+347.26 грн
10+305.51 грн
50+217.29 грн
100+197.20 грн
500+153.29 грн
1000+136.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.09 грн
10+300.37 грн
50+224.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.88 грн
10+339.05 грн
50+243.10 грн
100+223.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.81 грн
10+341.45 грн
50+249.29 грн
100+241.84 грн
500+232.92 грн
1000+230.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+241.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+226.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.66 грн
10+278.12 грн
25+221.01 грн
50+180.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.22 грн
10+292.15 грн
50+218.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+233.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.81 грн
10+341.45 грн
50+267.15 грн
100+261.19 грн
500+222.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.14 грн
10+310.83 грн
50+228.17 грн
100+211.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.73 грн
10+352.77 грн
50+311.62 грн
100+278.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 500ppm/C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+331.40 грн
50+278.81 грн
100+258.12 грн
200+237.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+297.30 грн
1000+275.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 500ppm/C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.12 грн
10+331.40 грн
50+278.81 грн
100+258.12 грн
200+237.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.73 грн
10+352.77 грн
50+311.62 грн
100+278.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJPCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
Qualifikation: -
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Nennleistung: 4
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5
Produktpalette: IGBR
Nennspannung: 75
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktbreite: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.89 грн
10+367.98 грн
25+300.63 грн
50+247.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+409.35 грн
50+353.88 грн
100+272.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.52 грн
10+249.88 грн
25+203.89 грн
50+160.73 грн
100+152.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+268.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
10+409.35 грн
50+353.88 грн
100+272.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+268.17 грн
1000+239.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+322.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.56 грн
10+409.35 грн
50+361.57 грн
100+322.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+322.39 грн
1000+298.62 грн
1500+292.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.56 грн
10+409.35 грн
50+361.57 грн
100+322.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.32 грн
10+323.54 грн
50+241.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+251.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.20 грн
10+336.57 грн
50+249.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.15 грн
10+393.65 грн
50+271.61 грн
500+255.98 грн
1000+255.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+258.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPHWSVishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Class H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.33 грн
10+396.22 грн
500+315.51 грн
2000+290.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+256.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.69 грн
10+394.50 грн
25+326.68 грн
50+265.66 грн
500+247.80 грн
2500+247.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.91 грн
10+343.00 грн
50+256.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCWSVishayThin Film Resistors - SMD 50 OHM 5% 500PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.95 грн
10+473.69 грн
50+388.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+403.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% NI 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% PD 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+745.39 грн
10+477.41 грн
50+391.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+406.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.03 грн
10+625.70 грн
50+554.15 грн
100+495.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% NI 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+496.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+496.63 грн
1000+388.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% PD 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.03 грн
10+625.70 грн
50+554.15 грн
100+495.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+287.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.79 грн
10+349.36 грн
50+284.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.34 грн
10+366.26 грн
50+279.80 грн
500+258.96 грн
1000+257.47 грн
2000+256.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+549.79 грн
10+437.96 грн
50+387.01 грн
100+345.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.34 грн
10+356.85 грн
25+283.52 грн
50+232.92 грн
100+232.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.49 грн
10+366.57 грн
50+278.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+288.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% NI 350ppm Back Contact
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+594.69 грн
10+385.95 грн
25+318.49 грн
50+276.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.31 грн
10+408.50 грн
50+319.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+332.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+319.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.93 грн
10+488.03 грн
100+347.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% PD 350ppm Back Contact
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0212 100ATOSHIBAC3-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0221 150ATOSHIBAJ4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0222 200ATOSHIBAJ4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0230 50ATOSHIBAC3-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT(30A)-0233TOSHIBAF1-5
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT-4/DDIODE-3SZE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT150Amodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT25A-0233TOSHIBA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT30A-0233TOSHIBA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT50Amodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBTA50L-1-0221TOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBTA50L-1-0222TOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.