Продукція > IGB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGB01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB01N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2INFTO-to-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1616Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 37W
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.73 грн
500+64.94 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 37 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.78 грн
10+98.21 грн
100+59.39 грн
500+50.31 грн
1000+42.00 грн
2000+38.82 грн
5000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGB03N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.08 грн
10+100.15 грн
100+80.73 грн
500+64.94 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 37 W
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.60 грн
10+88.31 грн
100+59.66 грн
500+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.85 грн
10+175.05 грн
100+140.21 грн
500+109.17 грн
1000+85.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-4-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.60 грн
10+161.59 грн
100+103.25 грн
500+86.95 грн
1000+78.41 грн
5000+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.01 грн
10+191.59 грн
100+155.02 грн
500+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.60 грн
10+161.59 грн
100+107.13 грн
500+90.05 грн
1000+77.48 грн
2000+73.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.02 грн
500+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TInfineon TechnologiesIGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.99 грн
10+77.58 грн
100+44.87 грн
500+36.41 грн
1000+30.82 грн
2000+29.35 грн
5000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60T
Код товару: 167667
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.99 грн
10+88.83 грн
100+69.41 грн
500+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.69 грн
17+44.09 грн
25+43.48 грн
100+38.35 грн
250+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1InfineonIGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1
Код товару: 191421
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.48 грн
10+43.67 грн
100+41.24 грн
250+37.20 грн
500+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+41.15 грн
307+40.58 грн
336+37.12 грн
341+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.53 грн
10+68.49 грн
100+45.67 грн
500+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+65.86 грн
525+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.97 грн
10+54.42 грн
100+49.49 грн
250+44.64 грн
500+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.50 грн
10+71.15 грн
100+42.47 грн
500+34.31 грн
1000+31.21 грн
2000+27.40 грн
5000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.96 грн
2000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.83 грн
264+47.17 грн
266+46.93 грн
267+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.24 грн
10+180.27 грн
100+145.44 грн
500+120.49 грн
1000+98.53 грн
5000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.96 грн
500+68.49 грн
1000+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-4-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.77 грн
10+116.95 грн
100+70.10 грн
500+59.39 грн
1000+52.64 грн
5000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.87 грн
500+66.88 грн
1000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.24 грн
10+180.27 грн
100+145.44 грн
500+120.49 грн
1000+98.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7Infineon TechnologiesInfineon SMD IGBT series IGB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+324.15 грн
10+205.97 грн
100+145.73 грн
500+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGB15N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.89 грн
10+227.66 грн
100+152.16 грн
500+135.86 грн
1000+115.67 грн
2000+108.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N120S7ATMA1 - IGBT, 34 A, 1.65 V, 141 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 141W
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.75 грн
500+195.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.97 грн
10+96.42 грн
100+58.54 грн
500+49.61 грн
1000+41.46 грн
2000+38.27 грн
5000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60T транзистор
Код товару: 202831
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.97 грн
10+97.31 грн
100+56.90 грн
500+45.10 грн
1000+39.75 грн
2000+36.49 грн
5000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.60 грн
10+88.15 грн
100+59.49 грн
500+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.60 грн
10+105.38 грн
100+70.98 грн
500+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.80 грн
5+131.01 грн
10+114.51 грн
50+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.50 грн
5+105.13 грн
10+95.42 грн
50+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.24 грн
10+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector current: 23A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.36 грн
10+95.75 грн
100+64.90 грн
500+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.09 грн
10+108.03 грн
100+65.37 грн
500+55.43 грн
1000+46.27 грн
2000+42.70 грн
5000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.03 грн
10+101.78 грн
100+59.93 грн
500+47.59 грн
1000+43.63 грн
2000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3
Код товару: 108573
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.79 грн
5+114.02 грн
10+101.08 грн
25+84.10 грн
100+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.95 грн
10+107.99 грн
100+72.72 грн
500+53.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.75 грн
5+142.09 грн
10+121.30 грн
25+100.92 грн
100+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+184.06 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.92 грн
10+100.76 грн
100+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.72 грн
500+53.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.12 грн
500+54.18 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.33 грн
10+113.38 грн
100+67.46 грн
500+56.13 грн
1000+49.30 грн
2000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.31 грн
10+111.47 грн
100+76.12 грн
500+54.18 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 27ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+167.12 грн
10+103.19 грн
100+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.43 грн
10+145.52 грн
100+93.16 грн
500+77.48 грн
1000+72.12 грн
5000+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3
Код товару: 114099
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.62 грн
10+132.06 грн
100+91.11 грн
500+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+144.26 грн
97+128.51 грн
101+123.53 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.18 грн
200+89.76 грн
500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.33 грн
10+142.82 грн
50+120.18 грн
200+89.76 грн
500+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED 600V, 30A IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 730µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.81 грн
10+142.84 грн
100+85.40 грн
500+70.80 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TInfineon TechnologiesDescription: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.43 грн
10+129.47 грн
100+89.24 грн
500+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.40 грн
10+218.73 грн
100+145.95 грн
500+131.20 грн
1000+110.24 грн
2000+107.13 грн
5000+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.93 грн
10+218.73 грн
100+135.08 грн
500+123.44 грн
1000+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+346.56 грн
50+275.25 грн
100+263.65 грн
500+229.55 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.95 грн
500+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+187.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.24 грн
10+199.10 грн
100+140.60 грн
500+120.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.06 грн
10+238.62 грн
100+168.95 грн
500+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.72 грн
10+174.98 грн
100+106.36 грн
500+92.38 грн
1000+79.19 грн
2000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.77 грн
10+158.99 грн
100+110.83 грн
500+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.10 грн
10+192.46 грн
100+147.18 грн
500+114.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.77 грн
10+158.99 грн
100+110.83 грн
500+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.88 грн
2000+78.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+107.99 грн
10+93.00 грн
25+88.95 грн
100+80.06 грн
500+74.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.72 грн
10+174.98 грн
100+106.36 грн
500+92.38 грн
1000+79.19 грн
2000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+243.75 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.43 грн
10+313.36 грн
50+234.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.95 грн
10+361.58 грн
50+283.36 грн
100+253.86 грн
500+228.24 грн
1000+220.48 грн
2000+218.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.07 грн
10+353.72 грн
50+253.62 грн
100+232.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+252.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.99 грн
10+333.01 грн
50+260.07 грн
100+248.43 грн
500+224.36 грн
1000+219.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB2500BJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 25 OHM 5% 1000PPM
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.71 грн
10+365.15 грн
500+269.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+236.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.99 грн
10+304.79 грн
50+227.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+243.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.99 грн
10+336.58 грн
50+277.93 грн
100+249.20 грн
500+218.92 грн
1000+218.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.83 грн
10+324.28 грн
50+238.04 грн
100+220.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 5 OHM 5% 500PPM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.71 грн
10+372.29 грн
500+274.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.12 грн
10+358.81 грн
25+333.95 грн
50+297.49 грн
100+283.15 грн
250+266.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.66 грн
200+159.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+302.43 грн
1000+280.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.10 грн
10+256.91 грн
50+230.78 грн
100+191.66 грн
200+159.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.12 грн
10+358.81 грн
25+333.95 грн
50+297.49 грн
100+281.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.28 грн
10+370.50 грн
50+305.10 грн
100+274.04 грн
500+265.50 грн
1000+259.29 грн
2000+256.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJPCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
Qualifikation: -
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Nennleistung: 4
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5
Produktpalette: IGBR
Nennspannung: 75
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktbreite: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.99 грн
10+427.06 грн
50+369.19 грн
100+284.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+279.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+279.77 грн
1000+249.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.99 грн
10+427.06 грн
50+369.19 грн
100+284.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+336.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.78 грн
10+427.06 грн
50+377.22 грн
100+336.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+336.34 грн
1000+311.54 грн
1500+305.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.78 грн
10+427.06 грн
50+377.22 грн
100+336.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJAPCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 1000PPM WS
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJAPHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 1000PPM WS
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC3000CJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, für Drahtbonden geeignet, 3 ohm, ± 5%, 4 W
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0606 [Metrisch 1616]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 3ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+643.58 грн
10+511.21 грн
50+411.93 грн
100+342.88 грн
200+288.88 грн
500+269.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.60 грн
10+356.79 грн
25+331.98 грн
50+295.76 грн
100+281.50 грн
250+265.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC3000CJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, für Drahtbonden geeignet, 3 ohm, ± 5%, 4 W
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0606 [Metrisch 1616]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 3ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+342.88 грн
200+288.88 грн
500+269.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.28 грн
10+370.50 грн
50+283.36 грн
100+274.04 грн
500+253.86 грн
1000+253.08 грн
2000+245.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.60 грн
10+356.79 грн
25+331.98 грн
50+283.67 грн
100+281.17 грн
250+265.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+280.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Tolerance: ±5%
Features: Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPHWSVishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Class H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC5000CJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, für Drahtbonden geeignet, 5 ohm, ± 5%, 4 W
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0606 [Metrisch 1616]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.88 грн
10+413.67 грн
50+404.09 грн
100+364.71 грн
200+326.95 грн
500+317.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.24 грн
10+397.29 грн
50+305.87 грн
100+302.77 грн
500+288.02 грн
1000+272.49 грн
2000+262.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC5000CJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, für Drahtbonden geeignet, 5 ohm, ± 5%, 4 W
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0606 [Metrisch 1616]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+413.67 грн
50+404.09 грн
100+364.71 грн
200+326.95 грн
500+317.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+267.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.13 грн
10+357.84 грн
50+267.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.28 грн
10+397.29 грн
50+274.04 грн
500+245.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCWSVishayThin Film Resistors - SMD 50 OHM 5% 500PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% NI 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+770.92 грн
10+494.18 грн
50+405.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRD1000BJONCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, für Drahtbonden geeignet, 10 ohm, ± 5%, 4 W
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0808 [Metrisch 2020]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+528.63 грн
50+426.73 грн
100+355.01 грн
200+298.59 грн
500+278.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+420.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRD1000BJONCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, für Drahtbonden geeignet, 10 ohm, ± 5%, 4 W
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0808 [Metrisch 2020]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+665.35 грн
10+528.63 грн
50+426.73 грн
100+355.01 грн
200+298.59 грн
500+278.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+777.64 грн
10+498.06 грн
50+408.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% PD 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+423.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% NI 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+692.82 грн
10+552.65 грн
25+515.00 грн
50+459.34 грн
100+437.80 грн
250+422.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRD 5% 300PPM WS
Tolerance: ±5%
Features: Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% PD 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRD 5% 300PPM WS
Tolerance: ±5%
Features: Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOTHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRD 5% 300PPM WS
Tolerance: ±5%
Features: Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+270.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.30 грн
10+372.29 грн
50+285.69 грн
100+271.72 грн
500+261.62 грн
1000+251.53 грн
2000+242.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.03 грн
10+367.14 грн
25+340.61 грн
50+296.96 грн
100+286.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.57 грн
10+456.90 грн
50+403.76 грн
100+360.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+301.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.45 грн
10+375.86 грн
50+288.79 грн
100+285.69 грн
500+260.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.04 грн
10+382.42 грн
50+290.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 5 OHM 5% 500PPM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.32 грн
10+468.71 грн
500+346.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.75 грн
10+426.17 грн
50+333.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% NI 350ppm Back Contact
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.87 грн
10+394.61 грн
50+329.94 грн
100+314.41 грн
500+304.32 грн
1000+298.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+346.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% PD 350ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.33 грн
10+509.14 грн
100+362.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+333.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0212 100ATOSHIBAC3-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0221 150ATOSHIBAJ4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0222 200ATOSHIBAJ4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0230 50ATOSHIBAC3-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT(30A)-0233TOSHIBAF1-5
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT-4/DDIODE-3SZE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT150Amodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT25A-0233TOSHIBA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT30A-0233TOSHIBA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT50Amodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBTA50L-1-0221TOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBTA50L-1-0222TOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.