Продукція > IGB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGB01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB01N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB01N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIGB01N120H2ATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2INFTO-to-263
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIGB03N120H2ATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120H2ATMA1616Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGB03N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 37W
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.47 грн
500+63.12 грн
1000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.58 грн
10+111.08 грн
100+76.97 грн
250+70.86 грн
500+64.67 грн
1000+55.46 грн
2000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB03N120S7ATMA1 - IGBT, 9 A, 1.65 V, 37 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.13 грн
10+97.35 грн
100+78.47 грн
500+63.12 грн
1000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.33 грн
10+159.67 грн
100+110.17 грн
500+92.82 грн
1000+79.23 грн
2500+75.31 грн
5000+73.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-4-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB070S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB070S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.02 грн
10+170.15 грн
100+136.29 грн
500+106.12 грн
1000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-263
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.65 грн
10+186.23 грн
100+150.68 грн
500+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.95 грн
10+165.75 грн
100+110.17 грн
500+92.82 грн
1000+78.48 грн
2000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB08N120S7ATMA1 - IGBT, 20 A, 1.65 V, 87 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.68 грн
500+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TInfineon TechnologiesIGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.49 грн
10+75.41 грн
100+43.62 грн
500+35.39 грн
1000+29.96 грн
2000+28.52 грн
5000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60T
Код товару: 167667
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.00 грн
264+46.39 грн
266+46.15 грн
267+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.97 грн
10+86.34 грн
100+67.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1InfineonIGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.93 грн
10+65.24 грн
100+43.49 грн
500+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+46.90 грн
17+43.36 грн
25+42.76 грн
100+37.71 грн
250+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1
Код товару: 191421
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+40.47 грн
307+39.91 грн
336+36.50 грн
341+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.77 грн
10+90.12 грн
15+73.57 грн
41+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+64.77 грн
525+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.81 грн
10+72.32 грн
15+61.31 грн
41+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.35 грн
2000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.93 грн
10+70.73 грн
100+41.58 грн
500+33.35 грн
1000+30.34 грн
2000+26.64 грн
5000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.24 грн
10+175.23 грн
100+141.37 грн
500+117.12 грн
1000+95.78 грн
5000+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.50 грн
500+66.58 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.90 грн
10+110.21 грн
100+74.55 грн
500+63.69 грн
1000+54.26 грн
5000+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.47 грн
500+65.01 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-4-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.24 грн
10+175.23 грн
100+141.37 грн
500+117.12 грн
1000+95.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7Infineon TechnologiesInfineon SMD IGBT series IGB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.18 грн
10+221.29 грн
100+147.90 грн
500+132.06 грн
1000+112.44 грн
2000+105.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.12 грн
10+241.95 грн
100+173.01 грн
500+155.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N120S7ATMA1 - IGBT, 34 A, 1.65 V, 141 W, 1.2 kV, TO-263, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 141W
Dauerkollektorstrom: 34A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+231.10 грн
500+190.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGB15N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.59 грн
10+98.93 грн
100+59.61 грн
500+54.41 грн
1000+46.18 грн
2000+38.94 грн
5000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60T транзистор
Код товару: 202831
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.66 грн
10+94.59 грн
100+55.31 грн
500+43.84 грн
1000+38.64 грн
2000+35.47 грн
5000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.15 грн
10+103.84 грн
100+70.72 грн
500+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.44 грн
5+107.69 грн
10+97.47 грн
12+78.60 грн
32+74.67 грн
100+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N60TATMA1 - IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.68 грн
10+104.12 грн
100+83.13 грн
500+61.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.53 грн
5+134.20 грн
10+116.96 грн
12+94.33 грн
32+89.61 грн
100+85.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.52 грн
10+89.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.20 грн
10+92.60 грн
100+62.77 грн
500+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.27 грн
10+105.00 грн
100+63.54 грн
500+53.88 грн
1000+44.97 грн
2000+41.50 грн
5000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB15N65S5ATMA1 - IGBT, 35 A, 1.35 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3
Код товару: 108573
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.30 грн
10+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.22 грн
5+117.12 грн
10+103.76 грн
13+74.67 грн
34+70.74 грн
100+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+181.01 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.42 грн
10+106.04 грн
100+72.32 грн
500+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.86 грн
5+145.95 грн
10+124.51 грн
13+89.61 грн
34+84.89 грн
100+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35V
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.27 грн
500+64.61 грн
1000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 137ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.00 грн
10+116.28 грн
100+68.59 грн
500+64.97 грн
1000+50.26 грн
2000+46.56 грн
5000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.53 грн
10+121.05 грн
100+92.27 грн
500+64.61 грн
1000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/115ns
Switching Energy: 360µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.27 грн
10+121.13 грн
100+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3
Код товару: 114099
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3Infineon TechnologiesIGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.09 грн
10+141.45 грн
100+90.55 грн
500+75.31 грн
1000+70.10 грн
5000+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.89 грн
10+127.73 грн
100+88.12 грн
500+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+141.87 грн
97+126.38 грн
101+121.49 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.07 грн
200+117.91 грн
500+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB30N60H3ATMA1 - IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+277.66 грн
10+181.15 грн
50+154.07 грн
200+117.91 грн
500+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED 600V, 30A IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 730µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TInfineon TechnologiesDescription: IGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.57 грн
10+138.85 грн
100+83.01 грн
500+68.82 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.80 грн
10+125.22 грн
100+86.30 грн
500+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TInfineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.22 грн
10+211.74 грн
100+141.11 грн
500+126.02 грн
1000+107.91 грн
2000+101.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.68 грн
10+273.42 грн
100+195.54 грн
500+138.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.14 грн
10+211.74 грн
100+141.11 грн
500+127.53 грн
1000+107.91 грн
2000+101.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+387.30 грн
50+322.88 грн
100+308.21 грн
200+242.95 грн
500+224.22 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.69 грн
10+233.85 грн
100+166.88 грн
500+149.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.54 грн
500+138.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+182.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.45 грн
2000+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.7A; 135W; D2PAK; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.7A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.51 грн
10+172.69 грн
100+114.70 грн
500+95.83 грн
1000+88.29 грн
2000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/173ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.49 грн
10+187.24 грн
100+131.81 грн
500+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65H5ATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.88 грн
10+153.75 грн
100+107.18 грн
500+87.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+239.72 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.52 грн
10+218.40 грн
100+154.07 грн
500+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/139ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon Technologies5 high speed soft switching IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.07 грн
500+119.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.82 грн
10+223.02 грн
100+136.58 грн
500+119.23 грн
1000+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.71 грн
10+304.59 грн
50+227.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.56 грн
10+341.04 грн
50+215.82 грн
500+215.06 грн
1000+214.31 грн
2000+213.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 10ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.62 грн
10+313.27 грн
50+245.25 грн
100+239.96 грн
500+239.21 грн
2000+220.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.44 грн
10+343.82 грн
50+246.52 грн
100+226.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB1000BJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 10
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+245.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB2500BJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 25 OHM 5% 1000PPM
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.93 грн
10+365.34 грн
500+279.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.04 грн
10+312.41 грн
50+252.04 грн
100+238.46 грн
500+229.40 грн
1000+224.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.65 грн
10+296.26 грн
50+221.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+229.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 100
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0404 (1010 Metric)
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.039" W (1.00mm x 1.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0404
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.87 грн
10+315.20 грн
50+231.38 грн
100+214.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0404 5ohm 5% PD 1Kppm Back Contact
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.62 грн
10+313.27 грн
50+252.79 грн
100+239.21 грн
500+204.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRB5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 5 OHM 5% 500PPM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.92 грн
10+361.87 грн
500+267.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+225.60 грн
200+186.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+301.48 грн
1000+279.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJNCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.39 грн
10+300.51 грн
50+270.88 грн
100+225.60 грн
200+186.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.95 грн
10+357.73 грн
50+316.01 грн
100+282.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.95 грн
10+357.73 грн
50+316.01 грн
100+282.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRC1000BJJPCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 ohm, ± 5%, 4 W, 0404 [Metrisch: 1010]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0404 [Metrisch: 1010]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
Qualifikation: -
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Nennleistung: 4
Widerstand: 10
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 500ppm/°C
Produktlänge: 1.5
Produktpalette: IGBR
Nennspannung: 75
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktbreite: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1000BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 10ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.64 грн
10+379.23 грн
50+294.30 грн
100+281.47 грн
500+246.00 грн
1000+241.47 грн
2000+239.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.05 грн
10+415.11 грн
50+358.86 грн
100+276.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+271.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJNCT5VishayIGBRC 5% 500 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.05 грн
10+415.11 грн
50+358.86 грн
100+276.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 15ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1500BJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+271.95 грн
1000+242.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+326.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.79 грн
10+415.11 грн
50+366.66 грн
100+327.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+326.92 грн
1000+302.82 грн
1500+296.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5VishayIGBRC 10% 1000 PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.79 грн
10+415.11 грн
50+366.66 грн
100+327.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.44 грн
10+328.10 грн
50+245.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+254.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.98 грн
10+378.36 грн
50+261.09 грн
500+246.00 грн
1000+245.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.50 грн
10+341.30 грн
50+252.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+262.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC3000CJJPHWSVishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 3ohm 5% PD 500ppm Class H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.63 грн
10+380.09 грн
500+302.60 грн
2000+279.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJNCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0606 5ohm 5% PD 500ppm Back Contact
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.65 грн
10+363.61 грн
50+278.45 грн
100+276.19 грн
500+247.51 грн
2000+246.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+260.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 500
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.46 грн
10+347.83 грн
50+259.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPCWSVishayThin Film Resistors - SMD 50 OHM 5% 500PPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRC5000CJJPHWSVishay Electro-FilmsDescription: IGBRC 5% 500PPM WS
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tray
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.059" L x 0.059" W (1.50mm x 1.50mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0606
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.34 грн
10+480.35 грн
50+393.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRD1000BJONCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, für Drahtbonden geeignet, 10 ohm, ± 5%, 4 W
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0808 [Metrisch 2020]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.73 грн
10+513.83 грн
50+414.79 грн
100+345.07 грн
200+290.23 грн
500+270.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% NI 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 10 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+408.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJONCT5VISHAYDescription: VISHAY - IGBRD1000BJONCT5 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, für Drahtbonden geeignet, 10 ohm, ± 5%, 4 W
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0808 [Metrisch 2020]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Nennleistung: 4W
Widerstandstyp: Rückkontakt, Hochleistung
Widerstand: 10ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IGBR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2mm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+513.83 грн
50+414.79 грн
100+345.07 грн
200+290.23 грн
500+270.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+755.87 грн
10+484.13 грн
50+396.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 10 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+412.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1000BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 10ohm 5% PD 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.06 грн
10+634.50 грн
50+561.94 грн
100+502.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% NI 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJONCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+503.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 15ohm 5% PD 300ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.06 грн
10+634.50 грн
50+561.94 грн
100+502.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1500BJOPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 15 OHM 5% 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 15 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+503.62 грн
1000+394.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+291.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay / Thin FilmThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% NI 1Kppm Back Contact
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.13 грн
10+322.82 грн
50+259.58 грн
100+246.76 грн
500+235.44 грн
1000+230.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKANCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 1.8 OHM 10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.52 грн
10+354.27 грн
50+288.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 1.8ohm 10% PD 1Kppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD1800CKAPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 1.8 OHM 10%
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±10%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±1000ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 1.8 Ohms
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.52 грн
10+444.12 грн
50+392.46 грн
100+350.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.48 грн
10+371.72 грн
50+282.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 3 OHM 5% 500
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 3 Ohms
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+293.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% NI 500ppm Back Contact
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.06 грн
10+341.91 грн
50+273.92 грн
100+260.34 грн
500+249.77 грн
1000+246.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 3ohm 5% PD 500ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD3000CJJPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 3 OHM 5% 500
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJJPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 5 OHM 5% 500PPM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.94 грн
10+455.59 грн
500+336.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.23 грн
10+414.25 грн
50+324.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% NI 350ppm Back Contact
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.17 грн
10+383.57 грн
50+320.71 грн
100+305.61 грн
500+295.81 грн
1000+290.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWNCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT NI 5 OHM 5% 350
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Temperature Coefficient: ±350ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0808
Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm)
Resistance: 5 Ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+336.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+323.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay / Electro-FilmsThin Film Resistors - SMD 0808 5ohm 5% PD 350ppm Back Contact
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBRD5000CJWPCT5Vishay Electro-FilmsDescription: RES BACK CONTACT PD 5 OHM 5% 350
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.54 грн
10+494.89 грн
100+351.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0212 100ATOSHIBAC3-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0221 150ATOSHIBAJ4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0222 200ATOSHIBAJ4-2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT A50L-1-0230 50ATOSHIBAC3-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT(30A)-0233TOSHIBAF1-5
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT-4/DDIODE-3SZE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT150Amodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT25A-0233TOSHIBA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT30A-0233TOSHIBA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT50Amodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBTA50L-1-0221TOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGBTA50L-1-0222TOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.