Продукція > IKD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKD-0512 | DC/DC | 04+ DJ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0100101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0103101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0104000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0200000 | APEM | Description: APEM - IKD0200000 - DIP-/SIP-Schalter, 2 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schalterbetätiger: Vertieft rohsCompliant: YES Schaltertyp: DIP gekapselt hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 DC-Kontaktspannung, max.: 24V euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 25mA Schaltermontage: Durchsteckmontage Produktpalette: IKD Series productTraceability: No Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e) Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0203000 | APEM | Description: APEM - IKD0203000 - DIP-/SIP-Schalter, 2 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schalterbetätiger: Vertieft rohsCompliant: YES Schaltertyp: DIP gekapselt hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 DC-Kontaktspannung, max.: 24V euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 25mA Schaltermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: IKD Series productTraceability: No Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e) Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0203101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0203101 | APEM Inc. | Description: DIP SWITCH IKD 24VDC Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Voltage Rating: 24VDC Current Rating (Amps): 25mA Mounting Type: Surface Mount Pitch: 0.100" (2.54mm), Full Circuit: SPST Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Actuator Type: Slide (Standard) Height Above Board: 0.157" (4.00mm) Actuator Level: Raised Washable: No Contact Material: Phosphor Bronze Number of Positions: 2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 76 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0203101 | APEM | Category: Dip-Switches Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2 Operating temperature: -20...85°C Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm DC contacts rating @R: 25mA / 24V DC Number of positions: 2 Poles number: 2 Type of switch: DIP-SWITCH Leads: for PCB Switching method: ON-OFF | на замовлення 142 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0204101 | APEM Inc. | Description: DIP SWITCH IKD 24VDC Packaging: Bulk Number of Positions: 2 Contact Material: Phosphor Bronze Washable: No Actuator Level: Raised Height Above Board: 0.118" (3.00mm) Actuator Type: Slide (Standard) Termination Style: Gull Wing Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Circuit: SPST Pitch: 0.100" (2.54mm), Full Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 25mA Voltage Rating: 24VDC Contact Finish: Gold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0204101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD03N60RF | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3 Gate Charge: 17.1 nC Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Switching Energy: 90µJ Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 53.6 W Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD03N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Gate Charge: 17.1 nC Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Power - Max: 53.6 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD03N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD03N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 53.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 74 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Gate Charge: 17.1 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Power - Max: 53.6 W | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD03N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 53.6W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 17.1nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 17ns Turn-off time: 265ns Collector current: 6A Pulsed collector current: 7.5A Gate-emitter voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD03N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 53.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Gate Charge: 17.1 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Power - Max: 53.6 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0400000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0400000 | APEM | Description: APEM - IKD0400000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schalterbetätiger: Vertieft rohsCompliant: YES Schaltertyp: DIP gekapselt hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 DC-Kontaktspannung, max.: 24V euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 25mA Schaltermontage: Durchsteckmontage Produktpalette: IKD Series productTraceability: No Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e) Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0403000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0403000 | APEM | Description: APEM - IKD0403000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schaltermontage: Oberflächenmontage productTraceability: No Schaltertyp: DIP gekapselt rohsCompliant: YES Kontaktkonfiguration: SPST-NO euEccn: NLR Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e) hazardous: false DC-Kontaktspannung, max.: 24V rohsPhthalatesCompliant: TBA DC-Kontaktstrom, max.: 25mA usEccn: EAR99 Schalterbetätiger: Vertieft Produktpalette: IKD Series SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0403101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 240µJ Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60R | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60R | Infineon Technologies | IGBTs 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60R6EDV1 | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Power - Max: 75 W Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Gate Charge: 27 nC Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC | на замовлення 2329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 2449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 27nC Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Collector current: 4A | на замовлення 2449 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RBTMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 240µJ Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 36.6 W | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Integrated IGBT with Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 36.6W euEccn: NLR Verlustleistung: 36.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RC2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36.6W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 36.6W Case: DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 24nC Turn-off time: 90ns Collector current: 8A Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 36.6 W | на замовлення 9955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package | на замовлення 13026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 110µJ Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A | на замовлення 2192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 14.2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 27nC Collector current: 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD04N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 14.2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD04N60RFATMA1 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0503000 | IDEC | Category: Dip-Switches Description: Switch: DIP-SWITCH; SMT; -20÷85°C; Plating: gold-plated Contact plating: gold-plated Mounting: SMT Contacts configuration: SPST Operating temperature: -20...85°C Type of switch: DIP-SWITCH | на замовлення 255 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0600000 | APEM | Description: APEM - IKD0600000 - DIP-/SIP-Schalter, 6 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schalterbetätiger: Vertieft rohsCompliant: YES Schaltertyp: DIP gekapselt hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 DC-Kontaktspannung, max.: 24V euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 25mA Schaltermontage: Durchsteckmontage Produktpalette: IKD Series productTraceability: No Anzahl der Schaltkreise: 6Schaltkreis(e) Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0603000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH | на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0603000 | APEM | Description: APEM - IKD0603000 - DIP-/SIP-Schalter, 6 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schalterbetätiger: Vertieft rohsCompliant: YES Schaltertyp: DIP gekapselt hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 DC-Kontaktspannung, max.: 24V euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 25mA Schaltermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: IKD Series productTraceability: No Anzahl der Schaltkreise: 6Schaltkreis(e) Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60R | Infineon Technologies | IGBTs 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 330µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RA | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RATMA1 Код товару: 182592
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 100W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 19ns Turn-off time: 279ns Collector current: 6A Pulsed collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V | на замовлення 511 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 51.7W euEccn: NLR Verlustleistung: 51.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 11.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 11.7A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 51.7 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package | на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 51.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 11.7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 4895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 51.7 W | на замовлення 4161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RF | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RF | Infineon | IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RFA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

