НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IKD-0512DC/DC04+ DJ
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0103101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.10 грн
10+180.38 грн
260+156.09 грн
2600+107.89 грн
5070+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0103101Apem ComponentsSwitch DIP OFF ON SPST 1 Raised Slide 0.025A 24VDC Gull Wing SMD Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0104000ApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203000Apem ComponentsLow Profile Dual in Line Switche Two Way
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203101APEMCategory: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Type of switch: DIP-SWITCH
Leads: for PCB
Switching method: ON-OFF
Operating temperature: -20...85°C
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
DC contacts rating @R: 25mA / 24V DC
Poles number: 2
Number of positions: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.41 грн
10+117.20 грн
28+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203101APEMCategory: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Type of switch: DIP-SWITCH
Leads: for PCB
Switching method: ON-OFF
Operating temperature: -20...85°C
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
DC contacts rating @R: 25mA / 24V DC
Poles number: 2
Number of positions: 2
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+126.18 грн
10+94.05 грн
28+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.16 грн
10+230.54 грн
25+182.10 грн
76+157.62 грн
228+143.08 грн
532+132.37 грн
1064+123.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203101APEM Inc.Description: DIP SWITCH IKD 24VDC
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.157" (4.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0204101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.53 грн
10+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.84 грн
10+57.11 грн
100+32.52 грн
500+25.17 грн
1000+22.80 грн
2500+20.74 грн
5000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.69 грн
16+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0400000APEMDescription: APEM - IKD0400000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Durchsteckmontage
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP gekapselt
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Vertieft
Produktpalette: IKD Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.01 грн
10+93.56 грн
25+87.55 грн
50+78.19 грн
100+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0403000APEMDescription: APEM - IKD0403000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Oberflächenmontage
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP gekapselt
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Vertieft
Produktpalette: IKD Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0403000ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0403101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.13 грн
10+222.62 грн
25+176.75 грн
84+153.03 грн
252+137.73 грн
504+127.78 грн
1008+118.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineonTransistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R6EDV1Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.66 грн
10+76.68 грн
29+39.69 грн
78+37.59 грн
1000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.72 грн
10+61.53 грн
29+33.08 грн
78+31.32 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.77 грн
10+49.65 грн
100+32.61 грн
500+23.73 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.09 грн
10+54.91 грн
100+31.37 грн
500+24.33 грн
1000+22.04 грн
2500+19.51 грн
5000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RBTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.02 грн
17+53.47 грн
100+38.71 грн
500+26.54 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesSP004542900
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 7401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.97 грн
10+48.48 грн
100+28.54 грн
500+22.42 грн
1000+20.35 грн
2500+17.98 грн
5000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 9471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.97 грн
10+46.15 грн
100+30.21 грн
500+21.91 грн
1000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.71 грн
500+26.54 грн
1000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.47 грн
5000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 110µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.73 грн
500+39.37 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.29 грн
13+70.38 грн
100+53.73 грн
500+39.37 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.41 грн
10+57.90 грн
100+34.43 грн
500+27.24 грн
1000+24.41 грн
2500+22.04 грн
5000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.04 грн
10+55.15 грн
100+36.40 грн
500+26.60 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0503000IDECIKD0503000-IDE-0 Dip-Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0603000ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.70 грн
10+193.58 грн
25+159.91 грн
50+152.26 грн
100+144.61 грн
250+138.49 грн
500+128.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RInfineon TechnologiesIGBTs 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.47 грн
10+145.19 грн
25+118.60 грн
100+101.00 грн
250+94.88 грн
500+82.64 грн
1000+77.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.02 грн
25+33.49 грн
50+31.79 грн
100+28.97 грн
250+27.35 грн
500+26.91 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+89.34 грн
500+80.41 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.04 грн
10+55.07 грн
100+36.34 грн
500+26.56 грн
1000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.60 грн
10+75.19 грн
22+51.65 грн
60+48.87 грн
100+48.11 грн
500+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.30 грн
10+59.75 грн
100+34.35 грн
500+27.24 грн
1000+24.41 грн
2500+21.96 грн
5000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1
Код товару: 182592
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.86 грн
14+64.80 грн
100+42.83 грн
500+31.56 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48nC
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.00 грн
10+60.33 грн
22+43.04 грн
60+40.73 грн
100+40.09 грн
500+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
686+44.17 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 686
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesSP005349953
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.54 грн
10000+31.56 грн
15000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.73 грн
10+54.73 грн
100+32.44 грн
500+25.94 грн
1000+23.49 грн
2500+20.89 грн
5000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 4401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.91 грн
10+52.60 грн
100+34.65 грн
500+25.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 11.7A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.78 грн
500+36.26 грн
1000+30.46 грн
5000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+49.58 грн
255+47.60 грн
500+45.88 грн
1000+42.80 грн
2500+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.09 грн
201+60.48 грн
228+53.22 грн
500+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+41.57 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 11.7A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.73 грн
12+73.82 грн
100+49.78 грн
500+36.26 грн
1000+30.46 грн
5000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+41.57 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 729
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFInfineonTransistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.69 грн
10+68.90 грн
100+39.71 грн
500+31.29 грн
1000+29.23 грн
2500+24.71 грн
5000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.80 грн
10+61.93 грн
100+41.14 грн
500+30.22 грн
1000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.63 грн
500+32.04 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+39.19 грн
25+38.58 грн
100+36.61 грн
250+33.35 грн
500+31.49 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+54.18 грн
1000+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 559
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.59 грн
15+61.11 грн
100+44.63 грн
500+32.04 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+36.58 грн
337+36.01 грн
342+35.43 грн
348+33.62 грн
500+30.61 грн
1000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 332
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.80 грн
10+56.23 грн
100+35.66 грн
500+29.99 грн
1000+28.00 грн
2500+25.17 грн
5000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.74 грн
10+127.60 грн
100+101.56 грн
500+80.64 грн
1000+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.91 грн
1000+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.76 грн
10+89.75 грн
100+70.16 грн
250+67.33 грн
500+67.18 грн
1000+65.27 грн
3000+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.93 грн
6000+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.32 грн
10+90.12 грн
100+80.60 грн
500+65.91 грн
1000+59.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIKD06N65ET6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0800000ApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0800000Apem ComponentsIKD0800000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803000ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.84 грн
10+209.42 грн
22+166.04 грн
110+143.85 грн
264+130.07 грн
506+120.13 грн
1012+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803000APEMDescription: APEM - IKD0803000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+142.48 грн
10+124.46 грн
25+103.00 грн
50+94.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803101Apem ComponentsSK6812 LED Development Tool
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803101ApemDIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.30 грн
10+226.14 грн
22+185.16 грн
44+177.51 грн
110+167.57 грн
264+160.68 грн
506+147.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803101APEM Inc.Description: SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.118" (3.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.92 грн
10+144.66 грн
100+100.48 грн
500+76.58 грн
1000+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+77.71 грн
1000+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.66 грн
10+130.47 грн
100+109.87 грн
500+77.71 грн
1000+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.71 грн
10+131.11 грн
100+96.41 грн
250+92.58 грн
500+81.11 грн
1000+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.16 грн
10+53.06 грн
100+35.89 грн
500+31.45 грн
1000+29.99 грн
2500+26.93 грн
5000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.27 грн
10+104.77 грн
25+103.36 грн
100+85.03 грн
250+76.56 грн
500+63.79 грн
1000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.08 грн
10+66.95 грн
100+44.62 грн
500+32.87 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.75 грн
10+103.07 грн
25+102.04 грн
100+79.72 грн
250+72.58 грн
500+59.60 грн
1000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.15 грн
10+60.97 грн
100+40.49 грн
500+29.72 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+96.20 грн
128+95.24 грн
157+77.16 грн
250+73.16 грн
500+57.95 грн
1000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.12 грн
500+38.50 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.82 грн
100+47.12 грн
500+38.50 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.61 грн
10+48.84 грн
100+32.60 грн
500+28.31 грн
1000+26.70 грн
2500+24.71 грн
5000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RF
Код товару: 113379
Додати до обраних Обраний товар

InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/168
товару немає в наявності
1+42.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.26 грн
10+87.02 грн
100+50.50 грн
500+41.39 грн
1000+36.27 грн
2500+33.36 грн
5000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFInfineon TechnologiesDescription: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.10 грн
500+53.80 грн
1000+45.98 грн
5000+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.32 грн
10+99.57 грн
100+72.10 грн
500+53.80 грн
1000+45.98 грн
5000+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 6812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.79 грн
10+75.14 грн
100+46.75 грн
500+38.79 грн
1000+35.50 грн
2500+32.44 грн
5000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.15 грн
10+76.28 грн
100+51.15 грн
500+37.90 грн
1000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD1204100ApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.07 грн
50+97.85 грн
100+80.25 грн
500+59.46 грн
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.64 грн
5+113.18 грн
10+98.83 грн
11+86.08 грн
30+81.30 грн
50+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.37 грн
5+141.04 грн
10+118.60 грн
11+103.29 грн
30+97.56 грн
50+94.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.25 грн
500+59.46 грн
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 18581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+163.05 грн
10+100.74 грн
100+68.46 грн
500+51.30 грн
1000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RBTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.45 грн
500+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+92.26 грн
10+87.84 грн
25+86.96 грн
100+75.77 грн
250+68.62 грн
500+60.13 грн
1000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.16 грн
10+63.79 грн
100+43.31 грн
500+36.88 грн
1000+34.58 грн
2500+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesSP005349957
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.02 грн
10+88.47 грн
100+59.74 грн
500+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+86.11 грн
148+81.99 грн
150+81.16 грн
166+70.72 грн
250+64.05 грн
500+56.12 грн
1000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.15 грн
12+74.50 грн
100+55.45 грн
500+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.14 грн
10+103.83 грн
100+62.82 грн
500+53.25 грн
1000+44.45 грн
2500+41.09 грн
5000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFInfineon TechnologiesDescription: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+85.53 грн
160+75.70 грн
162+74.95 грн
164+71.55 грн
250+65.58 грн
500+62.33 грн
1000+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.24 грн
10+120.17 грн
100+95.28 грн
500+70.94 грн
1000+56.06 грн
5000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.06 грн
10+116.05 грн
100+79.54 грн
500+59.96 грн
1000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+91.64 грн
10+81.11 грн
25+80.30 грн
100+76.66 грн
250+70.27 грн
500+66.78 грн
1000+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.28 грн
500+70.94 грн
1000+56.06 грн
5000+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/64GBKingston TechnologyDescription: 64GB KINGSTON IRONKEY D500S FIPS
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 79.50mm L x 20.00mm W x 10.00mm H
Memory Size: 64GB
Memory Type: FLASH - NAND (TLC)
Type: USB 3.0
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Speed - Read: 260MB/s
Speed - Write: 190MB/s
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16913.61 грн
10+14986.92 грн
25+14486.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.