НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKD-0512DC/DC04+ DJ
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKD0103101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.44 грн
10+ 119.09 грн
25+ 98.28 грн
50+ 93.66 грн
100+ 89.05 грн
260+ 85.09 грн
520+ 79.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD0103101Apem ComponentsSwitch DIP OFF ON SPST 1 Raised Slide 0.025A 24VDC Gull Wing SMD Tube
товар відсутній
IKD0104000ApemDIP Switches/SIP Switches
товар відсутній
IKD0203000Apem ComponentsLow Profile Dual in Line Switche Two Way
товар відсутній
IKD0203101APEMCategory: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Operating temperature: -20...85°C
Leads: for PCB
Type of switch: DIP-SWITCH
DC contacts rating @R: 0.025A / 24V DC
Switching method: ON-OFF
Number of positions: 2
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Poles number: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.81 грн
5+ 149.84 грн
10+ 131.92 грн
12+ 86.57 грн
31+ 81.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD0203101APEMCategory: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Operating temperature: -20...85°C
Leads: for PCB
Type of switch: DIP-SWITCH
DC contacts rating @R: 0.025A / 24V DC
Switching method: ON-OFF
Number of positions: 2
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Poles number: 2
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.51 грн
5+ 120.24 грн
10+ 109.93 грн
12+ 72.14 грн
31+ 68.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD0204101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
товар відсутній
IKD03N60RFInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товар відсутній
IKD03N60RFInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товар відсутній
IKD03N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKD03N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товар відсутній
IKD03N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD03N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.46 грн
17+ 45.43 грн
100+ 32.56 грн
500+ 25.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
IKD03N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.36 грн
10+ 48.17 грн
100+ 37.45 грн
500+ 29.79 грн
1000+ 24.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD03N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 53.6W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.32 грн
500+ 34.08 грн
1000+ 28.16 грн
5000+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.87 грн
10+ 53.48 грн
100+ 36.21 грн
500+ 30.67 грн
1000+ 25 грн
2500+ 24.08 грн
5000+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD03N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 7.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товар відсутній
IKD03N60RFBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IKD04N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товар відсутній
IKD04N60RInfineon8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKD04N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
IKD04N60R6EDV1Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
IKD04N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 476
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKD04N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.5 грн
10+ 50.09 грн
100+ 38.93 грн
500+ 30.97 грн
1000+ 25.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.03 грн
10+ 55.6 грн
100+ 37.6 грн
500+ 31.93 грн
1000+ 25.92 грн
2500+ 24.41 грн
5000+ 23.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RBTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
IKD04N60RBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.39 грн
5000+ 21.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD04N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.31 грн
12+ 64.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesSP004542900
товар відсутній
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.56 грн
10+ 49.53 грн
100+ 33.57 грн
500+ 28.43 грн
1000+ 23.22 грн
2500+ 21.11 грн
5000+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 14761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.37 грн
10+ 44.52 грн
100+ 34.66 грн
500+ 27.56 грн
1000+ 22.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKD04N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKD04N60RFInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 110µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
IKD04N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD04N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKD04N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKD04N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.21 грн
10+ 54.62 грн
100+ 42.51 грн
500+ 33.82 грн
1000+ 27.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKD04N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.11 грн
10+ 75.47 грн
100+ 58.46 грн
500+ 47.96 грн
1000+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
IKD04N60RFATMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.41 грн
10+ 56.21 грн
100+ 40.24 грн
500+ 34.76 грн
1000+ 28.36 грн
2500+ 26.71 грн
5000+ 25.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD04N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.46 грн
500+ 47.96 грн
1000+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD04N60RFBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IKD0603000ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.54 грн
10+ 166.88 грн
25+ 137.86 грн
50+ 131.26 грн
100+ 124.67 грн
250+ 119.39 грн
500+ 110.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD06N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 7021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 596
IKD06N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IKD06N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товар відсутній
IKD06N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.06 грн
10+ 125.16 грн
25+ 102.24 грн
100+ 87.07 грн
250+ 81.79 грн
500+ 71.24 грн
1000+ 66.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.84 грн
25+ 27.41 грн
50+ 26.01 грн
100+ 23.7 грн
250+ 22.38 грн
500+ 22.02 грн
1000+ 21.65 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 398
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.13 грн
13+ 46.57 грн
25+ 46.1 грн
100+ 41.23 грн
250+ 37.91 грн
500+ 34 грн
1000+ 30.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKD06N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.43 грн
11+ 67.48 грн
100+ 51.57 грн
500+ 42.32 грн
1000+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+50.15 грн
231+ 49.65 грн
249+ 46.05 грн
251+ 44.1 грн
500+ 38.14 грн
1000+ 32.96 грн
Мінімальне замовлення: 229
IKD06N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.26 грн
5+ 59.94 грн
22+ 44.11 грн
60+ 41.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
5+76.57 грн
10+ 62.73 грн
100+ 43.34 грн
500+ 38.39 грн
1000+ 31.27 грн
2500+ 29.42 грн
5000+ 28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD06N60RATMA1
Код товару: 182592
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKD06N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.72 грн
8+ 48.1 грн
22+ 36.76 грн
60+ 34.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesSP005349953
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIKD06N60RC2ATMA1
товар відсутній
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.95 грн
10+ 52.95 грн
100+ 38.72 грн
500+ 33.97 грн
1000+ 27.64 грн
2500+ 24.67 грн
10000+ 24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.78 грн
10+ 53.25 грн
100+ 41.42 грн
500+ 32.95 грн
1000+ 26.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD06N60RFInfineon12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode   IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKD06N60RFInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.96 грн
10+ 70.55 грн
100+ 48.09 грн
500+ 40.76 грн
1000+ 33.18 грн
2500+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD06N60RFAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKD06N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKD06N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.26 грн
10+ 52.57 грн
100+ 38.52 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 31.27 грн
2500+ 30.94 грн
5000+ 29.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKD06N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.35 грн
11+ 71.03 грн
100+ 54.76 грн
500+ 44.94 грн
1000+ 33.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.34 грн
10+ 63.97 грн
100+ 49.76 грн
500+ 39.58 грн
1000+ 32.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.76 грн
500+ 44.94 грн
1000+ 33.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD06N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.37 грн
10+ 103.59 грн
100+ 82.87 грн
500+ 67.2 грн
1000+ 54.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.18 грн
10+ 74 грн
100+ 57.54 грн
500+ 45.77 грн
1000+ 37.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.81 грн
10+ 81.92 грн
100+ 55.61 грн
500+ 47.1 грн
1000+ 38.39 грн
3000+ 36.15 грн
6000+ 34.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.84 грн
6000+ 35.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IKD06N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.87 грн
500+ 67.2 грн
1000+ 54.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIKD06N65ET6
товар відсутній
IKD0800000Apem ComponentsIKD0800000
товар відсутній
IKD0803101Apem ComponentsSK6812 LED Development Tool
товар відсутній
IKD0803101ApemDIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.09 грн
10+ 194.95 грн
22+ 159.63 грн
44+ 153.03 грн
110+ 144.45 грн
264+ 138.52 грн
506+ 127.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD08N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKD08N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.89 грн
10+ 84.1 грн
100+ 66.89 грн
500+ 53.12 грн
1000+ 45.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.89 грн
10+ 88.75 грн
100+ 64.44 грн
250+ 59.69 грн
500+ 54.15 грн
1000+ 46.37 грн
3000+ 42.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
товар відсутній
IKD10N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товар відсутній
IKD10N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товар відсутній
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товар відсутній
IKD10N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKD10N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.35 грн
10+ 82.68 грн
100+ 55.41 грн
500+ 46.9 грн
1000+ 36.74 грн
2500+ 36.54 грн
5000+ 34.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.9 грн
10+ 74.96 грн
100+ 58.31 грн
500+ 46.38 грн
1000+ 37.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.5 грн
10+ 85.73 грн
25+ 84.58 грн
100+ 69.58 грн
250+ 62.65 грн
500+ 52.2 грн
1000+ 42.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IKD10N60RBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.34 грн
10+ 67.44 грн
100+ 46.24 грн
500+ 39.91 грн
1000+ 33.77 грн
2500+ 30.87 грн
5000+ 30.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.08 грн
10+ 84.34 грн
25+ 83.5 грн
100+ 65.23 грн
250+ 59.39 грн
500+ 48.77 грн
1000+ 39.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3
товар відсутній
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+90.83 грн
128+ 89.92 грн
157+ 72.85 грн
250+ 69.07 грн
500+ 54.71 грн
1000+ 42.24 грн
Мінімальне замовлення: 126
IKD10N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.03 грн
500+ 59.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товар відсутній
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.05 грн
10+ 65.07 грн
100+ 50.62 грн
500+ 40.27 грн
1000+ 32.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.05 грн
10+ 93.23 грн
100+ 72 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD10N60RFInfineon TechnologiesDescription: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IKD10N60RF
Код товару: 113379
InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/168
товар відсутній
IKD10N60RFInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.43 грн
10+ 94.06 грн
100+ 63.19 грн
500+ 53.82 грн
1000+ 43.86 грн
2500+ 42.81 грн
5000+ 42.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD10N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD10N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKD10N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.97 грн
10+ 94.82 грн
100+ 63.78 грн
500+ 53.89 грн
1000+ 43.93 грн
2500+ 41.29 грн
5000+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.74 грн
10+ 84.51 грн
100+ 65.71 грн
500+ 52.27 грн
1000+ 42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD10N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.17 грн
500+ 64.11 грн
1000+ 51.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD10N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKD10N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.17 грн
10+ 98.41 грн
100+ 79.17 грн
500+ 64.11 грн
1000+ 51.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKD1204100ApemDIP Switches/SIP Switches
товар відсутній
IKD15N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKD15N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IKD15N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товар відсутній
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 30A 250W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD15N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 7198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.93 грн
10+ 100.63 грн
100+ 71.55 грн
500+ 60.6 грн
1000+ 45.54 грн
5000+ 44.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKD15N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.73 грн
5+ 93.44 грн
11+ 73.52 грн
30+ 69.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
на замовлення 11170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.36 грн
10+ 100.13 грн
100+ 69.26 грн
250+ 63.78 грн
500+ 58.18 грн
1000+ 49.8 грн
2500+ 47.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 19391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.74 грн
10+ 90.28 грн
100+ 71.86 грн
500+ 57.06 грн
1000+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD15N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+134.08 грн
5+ 116.45 грн
11+ 88.22 грн
30+ 83.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD15N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 7198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.55 грн
500+ 60.6 грн
1000+ 45.54 грн
5000+ 44.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.89 грн
5000+ 47.16 грн
12500+ 45.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RBTMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IKD15N60RBTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 306
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.17 грн
10+ 82.24 грн
100+ 63.98 грн
500+ 50.89 грн
1000+ 41.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.95 грн
500+ 63.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.5 грн
10+ 71.88 грн
25+ 71.16 грн
100+ 62 грн
250+ 56.15 грн
500+ 49.2 грн
1000+ 42.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товар відсутній
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesSP005349957
товар відсутній
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.8 грн
10+ 67.97 грн
100+ 49.8 грн
500+ 44.72 грн
1000+ 40.37 грн
2500+ 39.97 грн
5000+ 38.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+81.31 грн
148+ 77.41 грн
150+ 76.63 грн
166+ 66.77 грн
250+ 60.47 грн
500+ 52.99 грн
1000+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 141
IKD15N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.21 грн
10+ 96.93 грн
100+ 76.95 грн
500+ 63.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKD15N60RFInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.13 грн
10+ 109.23 грн
100+ 75.2 грн
250+ 69.92 грн
500+ 63.19 грн
1000+ 54.42 грн
2500+ 51.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RFInfineon TechnologiesDescription: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.44 грн
10+ 98.53 грн
100+ 78.45 грн
500+ 62.29 грн
1000+ 52.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 17951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.59 грн
500+ 86.57 грн
1000+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
IKD15N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+80.76 грн
160+ 71.48 грн
162+ 70.76 грн
164+ 67.55 грн
250+ 61.92 грн
500+ 58.85 грн
1000+ 57.05 грн
Мінімальне замовлення: 142
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IKD15N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.55 грн
10+ 125.79 грн
25+ 104.33 грн
100+ 87.26 грн
500+ 73.57 грн
1000+ 69.13 грн
2500+ 65.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD15N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+74.99 грн
10+ 66.37 грн
25+ 65.71 грн
100+ 62.73 грн
250+ 57.5 грн
500+ 54.65 грн
1000+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній