Продукція > IKD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKD-0512 | DC/DC | 04+ DJ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0103101 | Apem Components | Switch DIP OFF ON SPST 1 Raised Slide 0.025A 24VDC Gull Wing SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0103101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | на замовлення 642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD0104000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0203000 | Apem Components | Low Profile Dual in Line Switche Two Way | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0203101 | APEM | Category: Dip-Switches Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2 Type of switch: DIP-SWITCH Number of positions: 2 Switching method: ON-OFF Operating temperature: -20...85°C Leads: for PCB Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm DC contacts rating @R: 0.025A / 24V DC Poles number: 2 | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD0203101 | APEM | Category: Dip-Switches Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2 Type of switch: DIP-SWITCH Number of positions: 2 Switching method: ON-OFF Operating temperature: -20...85°C Leads: for PCB Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm DC contacts rating @R: 0.025A / 24V DC Poles number: 2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD0203101 | APEM Inc. | Description: DIP SWITCH IKD 24VDC Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Voltage Rating: 24VDC Current Rating (Amps): 25mA Mounting Type: Surface Mount Pitch: 0.100" (2.54mm), Full Circuit: SPST Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Actuator Type: Slide (Standard) Height Above Board: 0.157" (4.00mm) Actuator Level: Raised Washable: No Contact Material: Phosphor Bronze Number of Positions: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0203101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD0204101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RF | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns Switching Energy: 90µJ Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Gate Charge: 17.1 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Power - Max: 53.6 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Gate Charge: 17.1 nC Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Power - Max: 53.6 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 53.6W Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Gate Charge: 17.1 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Power - Max: 53.6 W | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 53.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 7076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V Gate Charge: 17.1 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A Power - Max: 53.6 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A | на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 53.6W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 17.1nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 6A Pulsed collector current: 7.5A Turn-on time: 17ns Turn-off time: 265ns Gate-emitter voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 53.6W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 17.1nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 6A Pulsed collector current: 7.5A Turn-on time: 17ns Turn-off time: 265ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD03N60RFBTMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0400000 | APEM | Description: APEM - IKD0400000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schaltermontage: Durchsteckmontage productTraceability: No Schaltertyp: DIP gekapselt rohsCompliant: YES Kontaktkonfiguration: SPST-NO euEccn: NLR Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e) hazardous: false DC-Kontaktspannung, max.: 24V rohsPhthalatesCompliant: TBA DC-Kontaktstrom, max.: 25mA usEccn: EAR99 Schalterbetätiger: Vertieft Produktpalette: IKD Series SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD0403000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0403000 | APEM | Description: APEM - IKD0403000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schaltermontage: Oberflächenmontage productTraceability: No Schaltertyp: DIP gekapselt rohsCompliant: YES Kontaktkonfiguration: SPST-NO euEccn: NLR Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e) hazardous: false DC-Kontaktspannung, max.: 24V rohsPhthalatesCompliant: TBA DC-Kontaktstrom, max.: 25mA usEccn: EAR99 Schalterbetätiger: Vertieft Produktpalette: IKD Series SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0403101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60R | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60R | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 240µJ Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60R6EDV1 | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC | на замовлення 2329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 2449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A | на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RBTMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns Switching Energy: 240µJ Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RBTMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | SP004542900 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 36.6 W | на замовлення 9476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 36.6W euEccn: NLR Verlustleistung: 36.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package | на замовлення 9972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 36.6 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RF | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 110µJ Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 75W Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A Power - Max: 75 W | на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A | на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD04N60RFBTMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0503000 | IDEC | IKD0503000-IDE-0 Dip-Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0603000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH | на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60R | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 330µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RA | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | на замовлення 1507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | на замовлення 1463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 6A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 100W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 279ns Turn-on time: 19ns Pulsed collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 100W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 279ns Turn-on time: 19ns Pulsed collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A | на замовлення 863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 Код товару: 182592
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RBTMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IKD06N60RC2ATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 51.7 W | на замовлення 4447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package | на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 98 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 31 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 51.7 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | SP005349953 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RF | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RF | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RFA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IKD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N65ET6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off) Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 13.7 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 31 W | на замовлення 7758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off) Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 13.7 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 31 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IKD06N65ET6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD06N65ET6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 31W euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 9A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 5609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD0800000 | Apem Components | IKD0800000 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0800000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0803000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD0803101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD0803101 | APEM Inc. | Description: SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE Packaging: Bulk Contact Finish: Gold Voltage Rating: 24VDC Current Rating (Amps): 25mA Mounting Type: Surface Mount Pitch: 0.100" (2.54mm), Full Circuit: SPST Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Actuator Type: Slide (Standard) Height Above Board: 0.118" (3.00mm) Actuator Level: Raised Washable: No Contact Material: Phosphor Bronze Number of Positions: 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD0803101 | Apem Components | SK6812 LED Development Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 17 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 47 W | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD08N65ET6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 17 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 47 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD08N65ET6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 47W euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60R | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 331ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 331ns кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A | на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RBTMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package | на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 79W euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 18.8A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 104 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 79 W | на замовлення 3309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 104 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 79 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RF Код товару: 113379
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > IGBT Корпус: TO-252-3 Vces: 600 V Vce: 2,2 V Ic 25: 20 A Ic 100: 10 А Pd 25: 150 W td(on)/td(off) 100-150 град: 12/168 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
IKD10N60RF | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RF | Infineon Technologies | Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 6868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 20A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD1204100 | Apem | DIP Switches/SIP Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 900µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60R | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RA | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A | на замовлення 10440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 7098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 7098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 18616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RBTMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 900µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RBTMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 115.4W euEccn: NLR Verlustleistung: 115.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 28A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 72 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 115.4 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | SP005349957 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 28A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 72 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 115.4 W | на замовлення 4349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RF | Infineon Technologies | Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RF | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 240 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 177ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 15349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 5444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 15349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKD15N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 177ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |