Продукція > IKD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IKD-0512DC/DC04+ DJ
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0100101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.74 грн
10+197.25 грн
25+168.73 грн
100+134.57 грн
260+127.59 грн
1040+119.92 грн
2600+116.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0103101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.63 грн
10+198.05 грн
100+147.81 грн
260+117.14 грн
1040+116.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0104000ApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0200000APEMDescription: APEM - IKD0200000 - DIP-/SIP-Schalter, 2 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.40 грн
10+116.32 грн
25+96.80 грн
50+80.07 грн
100+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203000APEMDescription: APEM - IKD0203000 - DIP-/SIP-Schalter, 2 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.49 грн
10+89.48 грн
25+85.41 грн
50+75.53 грн
100+66.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203101APEM Inc.Description: DIP SWITCH IKD 24VDC
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.157" (4.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203101APEMCategory: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Type of switch: DIP-SWITCH
Number of positions: 2
Switching method: ON-OFF
Leads: for PCB
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
Operating temperature: -20...85°C
DC contacts rating @R: 25mA / 24V DC
Poles number: 2
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.61 грн
76+165.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0203101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.96 грн
76+266.20 грн
228+177.80 грн
532+177.10 грн
1064+174.31 грн
2508+168.73 грн
5016+165.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0204101APEM Inc.Description: DIP SWITCH IKD 24VDC
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.118" (3.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0204101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.19 грн
10+66.23 грн
100+34.23 грн
500+27.19 грн
1000+24.61 грн
2500+22.66 грн
5000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.16 грн
16+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.38 грн
10+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0400000APEMDescription: APEM - IKD0400000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.03 грн
10+117.95 грн
25+97.61 грн
50+81.58 грн
100+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0403000APEMDescription: APEM - IKD0403000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Oberflächenmontage
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP gekapselt
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Vertieft
Produktpalette: IKD Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0403000ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0403101ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.82 грн
10+202.86 грн
25+161.06 грн
84+139.45 грн
252+125.50 грн
504+116.44 грн
1008+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineonКод виробника: IKD04N60RATMA1 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; Transistors
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2500+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineonКод виробника: IKD04N60R RoHS Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+47.69 грн
200+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineonКод виробника: IKD04N60RATMA1 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; Transistors
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 575 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
65+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineon TechnologiesIGBTs 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RInfineonTransistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;   IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60R6EDV1Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+79.56 грн
500+71.60 грн
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+62.33 грн
Мінімальне замовлення: 324
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+79.56 грн
500+71.60 грн
1000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.25 грн
10+56.23 грн
50+39.61 грн
100+34.41 грн
200+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.70 грн
10+58.09 грн
100+38.40 грн
500+28.12 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.56 грн
10+65.27 грн
100+37.02 грн
500+28.52 грн
1000+26.56 грн
2500+22.52 грн
5000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RBTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.14 грн
19+44.90 грн
100+30.67 грн
500+22.89 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 13026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.80 грн
10+59.09 грн
100+33.54 грн
500+25.80 грн
1000+24.05 грн
2500+20.36 грн
5000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.42 грн
10+53.86 грн
100+35.55 грн
500+25.94 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.67 грн
500+22.89 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 36.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: Field Stop; Trench
Turn-off time: 90ns
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 110µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 14.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.85 грн
17+49.46 грн
100+34.90 грн
500+26.81 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.68 грн
10+58.45 грн
100+35.07 грн
500+28.38 грн
1000+25.66 грн
2500+24.40 грн
5000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.32 грн
10+63.22 грн
100+41.94 грн
500+30.82 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 14.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.90 грн
500+26.81 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0600000APEMDescription: APEM - IKD0600000 - DIP-/SIP-Schalter, 6 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 6Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.58 грн
10+104.12 грн
25+94.36 грн
50+81.58 грн
100+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0603000APEMDescription: APEM - IKD0603000 - DIP-/SIP-Schalter, 6 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 6Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.05 грн
10+97.61 грн
25+94.36 грн
50+85.35 грн
100+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0603000ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.29 грн
10+176.40 грн
25+145.72 грн
50+138.75 грн
100+131.78 грн
250+126.20 грн
500+117.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RInfineon TechnologiesIGBTs 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.05 грн
10+132.30 грн
25+108.07 грн
100+92.04 грн
250+86.46 грн
500+75.30 грн
1000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.25 грн
25+35.69 грн
50+33.87 грн
100+30.87 грн
250+29.14 грн
500+28.67 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+95.19 грн
500+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 339
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+73.84 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA2Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.06 грн
10+48.68 грн
100+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.32 грн
10+63.60 грн
100+42.28 грн
500+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.31 грн
10+64.47 грн
100+37.30 грн
500+29.21 грн
1000+26.63 грн
2500+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
869+37.17 грн
1000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.43 грн
14+61.41 грн
100+40.59 грн
500+29.91 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1
Код товару: 182592
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
924+34.96 грн
1002+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 924
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.48 грн
500+28.55 грн
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
924+34.96 грн
1002+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 924
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.62 грн
10+60.80 грн
100+40.34 грн
500+29.61 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+104.11 грн
209+62.04 грн
237+54.55 грн
500+40.82 грн
1000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.17 грн
15+56.45 грн
100+38.48 грн
500+28.55 грн
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+22.79 грн
588+21.97 грн
1000+21.25 грн
2500+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.41 грн
10+52.92 грн
100+30.40 грн
500+23.64 грн
1000+21.41 грн
2500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFInfineonIGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFInfineonКод виробника: IKD06N60RF RoHS Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Transistors
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+48.44 грн
200+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.68 грн
10+62.78 грн
100+36.19 грн
500+28.59 грн
1000+26.70 грн
2500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFInfineonTransistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.74 грн
10+69.64 грн
100+46.53 грн
500+34.35 грн
1000+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1104+11.69 грн
1122+11.51 грн
1139+11.33 грн
1159+10.74 грн
1178+9.79 грн
1198+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 1104
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.87 грн
16+52.30 грн
100+38.15 грн
500+27.42 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.46 грн
58+12.72 грн
59+12.53 грн
60+11.89 грн
100+10.84 грн
250+10.23 грн
500+10.07 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.07 грн
10+71.04 грн
100+41.00 грн
500+32.28 грн
1000+29.42 грн
2500+26.36 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+43.61 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.15 грн
500+27.42 грн
1000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.80 грн
1000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.51 грн
10+81.79 грн
100+63.94 грн
250+61.36 грн
500+61.22 грн
1000+59.47 грн
3000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.39 грн
10+120.93 грн
100+96.25 грн
500+76.42 грн
1000+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.37 грн
11+77.44 грн
100+69.39 грн
500+56.80 грн
1000+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.17 грн
6000+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0800000APEMDescription: APEM - IKD0800000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.58 грн
10+157.81 грн
25+130.96 грн
50+119.34 грн
100+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0800000ApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803000APEMDescription: APEM - IKD0803000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.03 грн
10+117.95 грн
25+97.61 грн
50+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803000ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.80 грн
10+190.83 грн
22+151.30 грн
110+131.08 грн
264+118.53 грн
506+109.47 грн
1012+101.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803101APEM Inc.Description: SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.118" (3.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803101ApemDIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.64 грн
10+206.07 грн
22+168.73 грн
44+161.76 грн
110+152.69 грн
264+146.42 грн
506+134.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.28 грн
10+136.41 грн
100+94.76 грн
500+72.22 грн
1000+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+66.17 грн
1000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.74 грн
10+119.47 грн
100+87.85 грн
250+84.37 грн
500+73.91 грн
1000+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.41 грн
10+126.90 грн
100+87.85 грн
500+66.17 грн
1000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.29 грн
10+77.42 грн
100+51.98 грн
500+38.55 грн
1000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.76 грн
10+111.63 грн
25+110.13 грн
100+90.60 грн
250+81.58 грн
500+67.97 грн
1000+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.27 грн
10+78.58 грн
100+45.81 грн
500+36.19 грн
1000+33.12 грн
2500+29.77 грн
5000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.81 грн
13+64.26 грн
100+44.09 грн
500+32.93 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 18.8A; 79W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 250ns
Collector current: 18.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 7574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.09 грн
10+70.55 грн
100+47.17 грн
500+34.84 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.34 грн
10+80.02 грн
100+45.74 грн
500+36.26 грн
1000+33.26 грн
2500+28.24 грн
10000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.20 грн
10+109.83 грн
25+108.73 грн
100+84.94 грн
250+77.33 грн
500+63.51 грн
1000+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.09 грн
500+32.93 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.57 грн
5000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+102.50 грн
128+101.48 грн
157+82.22 грн
250+77.95 грн
500+61.74 грн
1000+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.71 грн
10+80.02 грн
100+46.09 грн
500+37.79 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RF
Код товару: 113379
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/168
товару немає в наявності
1+42.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFInfineon TechnologiesDescription: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.54 грн
10+88.22 грн
100+59.63 грн
500+44.47 грн
1000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.66 грн
11+77.52 грн
100+55.40 грн
500+42.68 грн
1000+36.05 грн
5000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.96 грн
10+73.13 грн
100+45.39 грн
500+38.21 грн
1000+35.77 грн
2500+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1InfineonIGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.40 грн
500+42.68 грн
1000+36.05 грн
5000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD1204100ApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.37 грн
500+46.60 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 9257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.31 грн
10+95.70 грн
100+65.00 грн
500+48.65 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.92 грн
5+94.00 грн
10+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.05 грн
50+94.36 грн
100+63.37 грн
500+46.60 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.68 грн
5000+40.20 грн
7500+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
на замовлення 19645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.81 грн
10+92.21 грн
100+55.92 грн
500+48.39 грн
1000+44.48 грн
2500+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RBTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 115.4W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.90 грн
10+73.77 грн
100+46.85 грн
500+39.46 грн
1000+35.42 грн
2500+34.65 грн
5000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.63 грн
15+57.43 грн
100+46.04 грн
500+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+91.76 грн
148+87.36 грн
150+86.48 грн
166+75.35 грн
250+68.24 грн
500+59.80 грн
1000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.04 грн
500+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.27 грн
10+84.07 грн
100+56.73 грн
500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.31 грн
10+93.60 грн
25+92.66 грн
100+80.74 грн
250+73.12 грн
500+64.07 грн
1000+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFInfineon TechnologiesDescription: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.30 грн
10+95.42 грн
100+57.31 грн
500+48.60 грн
1000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1InfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A Automotive DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.65 грн
10+86.43 грн
25+85.56 грн
100+81.68 грн
250+74.87 грн
500+71.16 грн
1000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.27 грн
500+50.23 грн
1000+38.77 грн
5000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.78 грн
10+106.65 грн
100+72.83 грн
500+54.77 грн
1000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+91.14 грн
160+80.67 грн
162+79.86 грн
164+76.23 грн
250+69.88 грн
500+66.41 грн
1000+64.39 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.30 грн
10+96.80 грн
100+67.27 грн
500+50.23 грн
1000+38.77 грн
5000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/128GBKingstonUSB Flash Drives 128GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23458.02 грн
10+21269.09 грн
26+17875.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/256GBKingstonUSB Flash Drives 256GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+30468.25 грн
10+27613.90 грн
26+23206.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/32GBKingstonUSB Flash Drives 32GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13910.66 грн
10+12624.67 грн
25+10613.32 грн
50+10342.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/64GBKingstonUSB Flash Drives 64GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18578.18 грн
10+16851.06 грн
25+14163.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/64GBKingston TechnologyDescription: 64GB KINGSTON IRONKEY D500S FIPS
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 79.50mm L x 20.00mm W x 10.00mm H
Memory Size: 64GB
Memory Type: FLASH - NAND (TLC)
Type: USB 3.0
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Speed - Read: 260MB/s
Speed - Write: 190MB/s
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17927.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.