Продукція > IKD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IKD-0512

04+ DJ

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD0103101

Apem Components

Switch DIP OFF ON SPST 1 Raised Slide 0.025A 24VDC Gull Wing SMD Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0103101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0104000

DIP Switches/SIP Switches

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0203000

Apem Components

Low Profile Dual in Line Switche Two Way

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0203101

Category: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Type of switch: DIP-SWITCH
Leads: for PCB
Switching method: ON-OFF
Operating temperature: -20...85°C
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
DC contacts rating @R: 25mA / 24V DC
Poles number: 2
Number of positions: 2

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	124.49 грн
10+	92.79 грн
28+	88.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD0203101

Description: DIP SWITCH IKD 24VDC
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.157" (4.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0203101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.84 грн
10+	227.45 грн
25+	179.67 грн
76+	155.51 грн
228+	141.17 грн
532+	130.60 грн
1064+	121.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKD0203101

Category: Dip-Switches
Description: Switch: DIP-SWITCH; Poles number: 2; ON-OFF; 0.025A/24VDC; Pos: 2
Type of switch: DIP-SWITCH
Leads: for PCB
Switching method: ON-OFF
Operating temperature: -20...85°C
Body dimensions: 7.62x6.02x2.54mm
DC contacts rating @R: 25mA / 24V DC
Poles number: 2
Number of positions: 2
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	149.38 грн
10+	115.63 грн
28+	105.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD0204101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RF

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 90µJ
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.96 грн
10+	70.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.59 грн
10+	56.34 грн
100+	32.08 грн
500+	24.84 грн
1000+	22.50 грн
2500+	20.46 грн
5000+	18.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD03N60RFATMA1 - IGBT, 6.5 A, 2.2 V, 53.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.53 грн
16+	55.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/128ns
Switching Energy: 50µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 2.5A, 68Ohm, 15V
Gate Charge: 17.1 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 53.6 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD03N60RFBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0400000

Description: APEM - IKD0400000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Durchsteckmontage
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP gekapselt
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Vertieft
Produktpalette: IKD Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.55 грн
10+	92.31 грн
25+	86.38 грн
50+	77.14 грн
100+	70.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IKD0403000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0403000

Description: APEM - IKD0403000 - DIP-/SIP-Schalter, 4 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Oberflächenmontage
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP gekapselt
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Vertieft
Produktpalette: IKD Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD0403101

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKD 24VDC

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	236.91 грн
10+	219.64 грн
25+	174.38 грн
84+	150.98 грн
252+	135.88 грн
504+	126.07 грн
1008+	117.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60R

Transistor IGBT ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C; IKD04N60R TIKD04n60r
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	41.85 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60R6EDV1

Infineon Technologies

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS Trench Stop RC

на замовлення 2329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 2449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 1681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	55.28 грн

Мінімальне замовлення: 390

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 4295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.84 грн
10+	48.91 грн
100+	32.10 грн
500+	23.36 грн
1000+	21.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

на замовлення 3302 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	54.17 грн
100+	30.95 грн
500+	24.01 грн
1000+	21.74 грн
2500+	19.25 грн
5000+	18.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	97.39 грн
10+	57.56 грн
100+	37.98 грн
500+	29.96 грн
1000+	29.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 90µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	116.86 грн
10+	71.73 грн
100+	45.58 грн
500+	35.95 грн
1000+	35.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RBTMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/146ns
Switching Energy: 240µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.17 грн
5000+	17.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 36.6W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.19 грн
500+	26.19 грн
1000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBTs 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

на замовлення 3884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.95 грн
10+	47.83 грн
100+	28.16 грн
500+	22.12 грн
1000+	20.08 грн
2500+	17.74 грн
5000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4ns/90ns
Switching Energy: 100µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 36.6 W

на замовлення 8698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.94 грн
10+	45.45 грн
100+	29.73 грн
500+	21.57 грн
1000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP004542900

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RC2ATMA1 - IGBT, 8 A, 2 V, 36.6 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.25 грн
17+	52.76 грн
100+	38.19 грн
500+	26.19 грн
1000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RF

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 110µJ
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.85 грн
13+	69.44 грн
100+	53.01 грн
500+	38.85 грн
1000+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 2298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.83 грн
10+	54.26 грн
100+	35.83 грн
500+	26.19 грн
1000+	23.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFATMA1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD04N60RFATMA1 - IGBT, 14.2 A, 2.2 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14.2A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.01 грн
500+	38.85 грн
1000+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

на замовлення 2217 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.12 грн
10+	57.12 грн
100+	33.97 грн
500+	26.87 грн
1000+	24.08 грн
2500+	21.74 грн
5000+	19.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD04N60RFBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0603000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

на замовлення 1004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.77 грн
10+	190.99 грн
25+	157.77 грн
50+	150.22 грн
100+	142.68 грн
250+	136.64 грн
500+	126.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60R

Infineon Technologies

IGBTs 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 330µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

на замовлення 1507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.29 грн
10+	143.24 грн
25+	117.01 грн
100+	99.65 грн
250+	93.61 грн
500+	81.53 грн
1000+	76.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	34.76 грн
25+	34.22 грн
50+	32.48 грн
100+	29.60 грн
250+	27.95 грн
500+	27.49 грн
1000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Description: IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	56.35 грн

Мінімальне замовлення: 398

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

339+	91.30 грн
500+	82.17 грн

Мінімальне замовлення: 339

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 810 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	114.83 грн
10+	70.26 грн
100+	46.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 1437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.83 грн
10+	54.18 грн
100+	35.79 грн
500+	26.15 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RATMA1 - IGBT, 6 A, 2.1 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.47 грн
14+	63.94 грн
100+	42.26 грн
500+	31.14 грн
1000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	95.69 грн
10+	56.38 грн
100+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

686+	45.14 грн
1000+	41.62 грн

Мінімальне замовлення: 686

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A

на замовлення 2079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.00 грн
10+	58.95 грн
100+	33.89 грн
500+	26.87 грн
1000+	24.08 грн
2500+	21.67 грн
5000+	19.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RATMA1
Код товару: 182592

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	98.19 грн
201+	61.80 грн
228+	54.38 грн
500+	39.39 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 2125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	42.48 грн
1000+	39.18 грн

Мінімальне замовлення: 729

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

на замовлення 4459 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.47 грн
10+	54.00 грн
100+	32.01 грн
500+	25.59 грн
1000+	23.18 грн
2500+	20.61 грн
5000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

на замовлення 4391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.74 грн
10+	51.74 грн
100+	34.12 грн
500+	24.89 грн
1000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 11.7A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.17 грн
12+	72.83 грн
100+	49.12 грн
500+	35.78 грн
1000+	30.05 грн
5000+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 1849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	42.48 грн
1000+	39.18 грн

Мінімальне замовлення: 729

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP005349953

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.29 грн
10000+	32.25 грн
15000+	30.00 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 11.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/129ns
Switching Energy: 170µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 11.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 51.7 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 11.7A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.12 грн
500+	35.78 грн
1000+	30.05 грн
5000+	24.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 4895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	50.66 грн
255+	48.63 грн
500+	46.88 грн
1000+	43.73 грн
2500+	39.29 грн

Мінімальне замовлення: 245

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RF

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop

на замовлення 808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.21 грн
10+	67.97 грн
100+	39.18 грн
500+	30.88 грн
1000+	28.84 грн
2500+	24.38 грн
5000+	23.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RF

Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 26 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	41.85 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFA

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/105ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.01 грн
16+	54.45 грн
100+	39.72 грн
500+	28.54 грн
1000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 2087 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.33 грн
10+	55.47 грн
100+	35.18 грн
500+	29.59 грн
1000+	27.63 грн
2500+	24.84 грн
5000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	61.02 грн
100+	40.51 грн
500+	29.75 грн
1000+	27.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

332+	37.38 грн
337+	36.79 грн
342+	36.21 грн
348+	34.35 грн
500+	31.28 грн
1000+	29.53 грн

Мінімальне замовлення: 332

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	38.81 грн

Мінімальне замовлення: 319

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.72 грн
500+	28.54 грн
1000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	40.05 грн
25+	39.42 грн
100+	37.41 грн
250+	34.08 грн
500+	32.18 грн
1000+	31.64 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

741+	41.82 грн
1000+	38.57 грн

Мінімальне замовлення: 741

В кошику од. на суму грн.

IKD06N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 128ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.64 грн
10+	88.92 грн
100+	79.52 грн
500+	65.03 грн
1000+	58.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

на замовлення 7758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.60 грн
10+	125.89 грн
100+	100.20 грн
500+	79.56 грн
1000+	67.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IKD06N65ET6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 5609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	88.55 грн
100+	69.22 грн
250+	66.43 грн
500+	66.28 грн
1000+	64.39 грн
3000+	58.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD06N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.97 грн
6000+	65.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

IKD06N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	65.03 грн
1000+	58.29 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IKD0800000

Apem Components

IKD0800000

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0800000

DIP Switches/SIP Switches

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0803000

Description: APEM - IKD0803000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	140.58 грн
10+	122.79 грн
25+	101.62 грн
50+	92.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IKD0803000

DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.82 грн
10+	206.62 грн
22+	163.81 грн
110+	141.92 грн
264+	128.33 грн
506+	118.52 грн
1012+	110.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKD0803101

Description: SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.118" (3.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD0803101

DIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.88 грн
10+	223.11 грн
22+	182.68 грн
44+	175.14 грн
110+	165.32 грн
264+	158.53 грн
506+	145.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKD0803101

Apem Components

SK6812 LED Development Tool

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	163.44 грн
10+	128.72 грн
100+	108.40 грн
500+	76.67 грн
1000+	64.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBTs HOME APPLIANCES 14

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.45 грн
10+	129.35 грн
100+	95.12 грн
250+	91.34 грн
500+	80.02 грн
1000+	73.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.65 грн
10+	143.59 грн
100+	99.72 грн
500+	76.00 грн
1000+	70.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD08N65ET6ARMA1

Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	76.67 грн
1000+	64.82 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

IKD08N65ET6ARMA1

Infineon Technologies

IGBT with Anti-parallel Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RAATMA2

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

на замовлення 1060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.61 грн
10+	65.90 грн
100+	43.93 грн
500+	32.37 грн
1000+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	52.35 грн
100+	35.40 грн
500+	31.03 грн
1000+	29.59 грн
2500+	25.59 грн
5000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.76 грн
10+	107.06 грн
25+	105.61 грн
100+	86.89 грн
250+	78.23 грн
500+	65.19 грн
1000+	52.90 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	53.10 грн
100+	46.49 грн
500+	37.98 грн
1000+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.81 грн
10+	60.08 грн
100+	39.86 грн
500+	29.26 грн
1000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 47500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.23 грн
10+	105.32 грн
25+	104.27 грн
100+	81.46 грн
250+	74.16 грн
500+	60.90 грн
1000+	48.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

126+	98.30 грн
128+	97.32 грн
157+	78.84 грн
250+	74.76 грн
500+	59.21 грн
1000+	45.71 грн

Мінімальне замовлення: 126

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.49 грн
500+	37.98 грн
1000+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.57 грн
10+	61.55 грн
100+	36.69 грн
500+	29.52 грн
1000+	27.10 грн
2500+	24.38 грн
5000+	21.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RF

Infineon Technologies

Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RF
Код товару: 113379

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-252-3
Vces: 600 V
Vce: 2,2 V
Ic 25: 20 A
Ic 100: 10 А
Pd 25: 150 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/168

товару немає в наявності

1+	42.00 грн

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RF

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 4785 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.39 грн
10+	85.86 грн
100+	49.82 грн
500+	40.84 грн
1000+	35.78 грн
2500+	32.91 грн
5000+	29.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.13 грн
500+	53.08 грн
1000+	45.37 грн
5000+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

на замовлення 6811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.99 грн
10+	74.14 грн
100+	46.12 грн
500+	38.27 грн
1000+	35.03 грн
2500+	32.01 грн
5000+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.49 грн
10+	75.10 грн
100+	50.37 грн
500+	37.32 грн
1000+	34.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.57 грн
10+	98.23 грн
100+	71.13 грн
500+	53.08 грн
1000+	45.37 грн
5000+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD10N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD1204100

DIP Switches/SIP Switches

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60R

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60R

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RA

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 9554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.10 грн
10+	81.47 грн
100+	54.83 грн
500+	40.77 грн
1000+	37.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.18 грн
500+	58.66 грн
1000+	49.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 319ns
Turn-on time: 26ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	171.74 грн
5+	131.31 грн
10+	111.35 грн
50+	93.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.04 грн
50+	96.54 грн
100+	79.18 грн
500+	58.66 грн
1000+	49.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 319ns
Turn-on time: 26ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC

на замовлення 1956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.12 грн
5+	105.37 грн
10+	92.79 грн
50+	77.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RBTMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RBTMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

209+	100.81 грн

Мінімальне замовлення: 209

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	94.28 грн
10+	89.76 грн
25+	88.86 грн
100+	77.43 грн
250+	70.12 грн
500+	61.44 грн
1000+	53.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

SP005349957

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.70 грн
12+	73.51 грн
100+	54.71 грн
500+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	88.00 грн
148+	83.78 грн
150+	82.94 грн
166+	72.26 грн
250+	65.45 грн
500+	57.35 грн
1000+	49.59 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode

на замовлення 571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.95 грн
10+	62.94 грн
100+	42.73 грн
500+	36.39 грн
1000+	34.12 грн
2500+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.71 грн
500+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RC2ATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W

на замовлення 847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.77 грн
10+	71.56 грн
100+	47.88 грн
500+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RF

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC

на замовлення 1654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.93 грн
10+	102.44 грн
100+	61.98 грн
500+	52.54 грн
1000+	43.86 грн
2500+	40.54 грн
5000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RF

Infineon Technologies

Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 240000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFAATMA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 15343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.51 грн
10+	100.77 грн
100+	70.03 грн
500+	52.29 грн
1000+	40.36 грн
5000+	39.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Turn-on time: 28ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 177ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	93.64 грн
10+	82.88 грн
25+	82.05 грн
100+	78.33 грн
250+	71.80 грн
500+	68.24 грн
1000+	66.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

IGBTs IGBT PRODUCTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 15343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.00 грн
500+	69.99 грн
1000+	55.31 грн
5000+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 5407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.99 грн
10+	90.67 грн
100+	61.40 грн
500+	45.87 грн
1000+	43.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IKD15N60RFATMA1

Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

142+	87.40 грн
160+	77.36 грн
162+	76.58 грн
164+	73.11 грн
250+	67.01 грн
500+	63.69 грн
1000+	61.75 грн

Мінімальне замовлення: 142

В кошику од. на суму грн.

IKD500S/128GB

USB Flash Drives 128GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	25397.99 грн
10+	23028.04 грн
26+	19354.04 грн

В кошику од. на суму грн.

IKD500S/256GB

USB Flash Drives 256GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	32987.97 грн
10+	29897.56 грн
26+	25125.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IKD500S/32GB

USB Flash Drives 32GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	15061.07 грн
10+	13668.72 грн
25+	11491.04 грн
50+	11198.14 грн

В кошику од. на суму грн.

IKD500S/64GB

USB Flash Drives 64GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18554.85 грн
10+	16424.17 грн
25+	13819.14 грн
50+	13456.79 грн

В кошику од. на суму грн.

IKD500S/64GB

Kingston Technology

Description: 64GB KINGSTON IRONKEY D500S FIPS
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 79.50mm L x 20.00mm W x 10.00mm H
Memory Size: 64GB
Memory Type: FLASH - NAND (TLC)
Type: USB 3.0
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Speed - Read: 260MB/s
Speed - Write: 190MB/s

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17358.36 грн

В кошику од. на суму грн.