Продукція > TQM

MOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.21 грн
10+	176.91 грн
100+	121.87 грн
250+	112.54 грн
500+	101.89 грн
1000+	93.23 грн
2500+	80.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM019NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101

товар відсутній

TQM019NH04CR-V

TQM019NH04CR-V

товар відсутній

TQM019NH04LCR

TQM019NH04LCR

товар відсутній

TQM019NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive 8-Pin PDFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	94.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM019NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM019NH04LCR RLG

MOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	472.37 грн
10+	392.1 грн
25+	321.65 грн
100+	275.7 грн
250+	260.38 грн
500+	244.4 грн
1000+	220.42 грн

TQM025NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.97 грн
10+	331.69 грн
100+	268.19 грн
500+	228.22 грн
1000+	180.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM025NB04CR RLG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TQM025NB04CR RLG

MOSFET 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	494.9 грн
10+	438.05 грн
25+	360.27 грн
100+	312.32 грн

TQM025NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	147.67 грн
10+	118.13 грн
100+	94.01 грн
500+	74.65 грн
1000+	63.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM025NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	331.69 грн
100+	268.19 грн
500+	228.22 грн
1000+	180.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

TQM025NB04CR RLG

товар відсутній

TQM025NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP

товар відсутній

TQM025NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	66.59 грн
5000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM025NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP

товар відсутній

TQM025NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	67.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM025NH04CR-V

TQM025NH04CR-V

товар відсутній

TQM025NH04LCR

Trans MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	379.41 грн
32+	365.81 грн
33+	361.34 грн
50+	343.34 грн
100+	294.1 грн
250+	281.42 грн
500+	259.79 грн
1000+	236.54 грн
3000+	235.93 грн

Мінімальне замовлення: 31

TQM025NH04LCR

Trans MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	352.31 грн
10+	339.68 грн
25+	335.53 грн
50+	318.82 грн
100+	273.09 грн
250+	261.32 грн
500+	241.23 грн
1000+	219.65 грн
3000+	219.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM025NH04LCR RLG

MOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	461.49 грн
10+	382.15 грн
25+	314.32 грн
100+	269.04 грн
250+	253.72 грн
500+	239.07 грн
1000+	215.1 грн

TQM025NH04LCR-V RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V

товар відсутній

TQM025NH04LCR-V RLG

MOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

товар відсутній

TQM025NH04LCR-V RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V

товар відсутній

TQM032NH04CR RLG

MOSFET 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.75 грн
10+	100.32 грн
100+	69.92 грн
250+	64.4 грн
500+	58.14 грн
1000+	52.68 грн
2500+	45.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM032NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 143A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	53.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM032NH04LCR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.82 грн
5000+	47.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM032NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 143A 8-Pin PDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	53.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM032NH04LCR RLG

MOSFET 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.59 грн
10+	228.98 грн
25+	188.46 грн
100+	161.82 грн
250+	152.5 грн
500+	143.84 грн
1000+	130.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM032NH04LCR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.38 грн
10+	90.11 грн
100+	71.76 грн
500+	56.98 грн
1000+	48.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM033NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.61 грн
10+	83.87 грн
100+	65.21 грн
500+	51.87 грн
1000+	42.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM033NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 121A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM033NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	381.74 грн
10+	307.78 грн
25+	280.14 грн
100+	234.46 грн
500+	155.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM033NB04CR RLG

MOSFET 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.12 грн
10+	153.93 грн
100+	77.25 грн
500+	75.92 грн
1000+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM033NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.02 грн
5000+	40.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM033NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	234.46 грн
500+	155.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM033NB04CR RLG

TQM033NB04CR-RLG SMD N channel transistors

товар відсутній

TQM043NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 113A

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM043NH04CR RLG

MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.87 грн
2500+	98.79 грн
5000+	47.02 грн
10000+	41.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM043NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.85 грн
10+	80.74 грн
100+	64.26 грн
500+	51.03 грн
1000+	43.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM043NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 113A Automotive 8-Pin PDFN-U EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM043NH04LCR RLG

MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.65 грн
2500+	100.32 грн
10000+	46.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM043NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.52 грн
5000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM050NB06CR RLG

MOSFET 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 8740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.58 грн
10000+	56.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM050NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.02 грн
10+	96.98 грн
100+	77.21 грн
500+	61.31 грн
1000+	52.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM050NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 0.0043 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

TQM050NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM050NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 0.0043 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	119.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

TQM050NB06CR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 104A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM056NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.7 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM056NH04CR RLG

MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.22 грн
10+	172.31 грн
25+	141.18 грн
100+	121.2 грн
250+	114.54 грн
500+	107.88 грн
1000+	97.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM056NH04LCR RLG

MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.66 грн
10+	170.78 грн
25+	140.51 грн
100+	119.87 грн
250+	113.87 грн
500+	107.22 грн
1000+	97.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM056NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.93 грн
10+	73.18 грн
100+	56.92 грн
500+	45.28 грн
1000+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM056NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.7 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM056NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.42 грн
5000+	35.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM070NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

TQM070NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.37 грн
5000+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM070NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM070NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.48 грн
10+	57.85 грн
100+	45 грн
500+	35.79 грн
1000+	29.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NB04CR RLG

MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 846-855 дні (днів)

3+	118.09 грн
10+	104.92 грн
100+	71.26 грн
500+	58.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM070NH04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.1 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM070NH04CR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM070NH04CR RLG

MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.9 грн
10+	157.76 грн
100+	109.21 грн
250+	101.22 грн
500+	91.9 грн
1000+	83.24 грн
2500+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM070NH04CR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.08 грн
10+	60.97 грн
100+	47.41 грн
500+	37.71 грн
1000+	30.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NH04LCR RLG

MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.9 грн
10+	157.76 грн
100+	109.21 грн
250+	101.22 грн
500+	91.9 грн
1000+	83.24 грн
2500+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM070NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.08 грн
10+	60.97 грн
100+	47.41 грн
500+	37.71 грн
1000+	30.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM070NH04LCR RLG

Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32 грн
5000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM070NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin PDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.1 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM076NH04DCR

TQM076NH04DCR

товар відсутній

TQM076NH04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.05 грн
10+	86.43 грн
100+	68.77 грн
500+	54.61 грн
1000+	46.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM076NH04DCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive 8-Pin PDFN EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM076NH04DCR RLG

MOSFET 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.02 грн
10+	232.81 грн
25+	191.12 грн
100+	163.82 грн
250+	155.16 грн
500+	145.84 грн
1000+	132.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM076NH04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM076NH04DCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM076NH04LDCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 34A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM076NH04LDCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.05 грн
10+	86.43 грн
100+	68.77 грн
500+	54.61 грн
1000+	46.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM076NH04LDCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.71 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM110NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM110NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.0072 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm

на замовлення 1172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.61 грн

Мінімальне замовлення: 13

TQM110NB04CR RLG

MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

товар відсутній

TQM110NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	65.07 грн
100+	50.62 грн
500+	40.27 грн
1000+	32.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM110NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM110NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.0072 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm

на замовлення 1172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM110NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	66.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM110NB04DCR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 40V 10A Automotive 8-Pin PDFN-U EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM110NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	148.39 грн
10+	118.34 грн
100+	94.21 грн
500+	74.81 грн
1000+	63.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM130NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm

на замовлення 1603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM130NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	65.9 грн
100+	51.24 грн
500+	40.77 грн
1000+	33.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM130NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm

на замовлення 1603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.19 грн
13+	60.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

TQM130NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM130NB06CR RLG

MOSFET 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.9 грн
10+	73.37 грн
100+	49.55 грн
500+	42.02 грн
1000+	35.16 грн
5000+	30.63 грн
10000+	30.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM130NB06CR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM150NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM150NB04CR RLG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 19W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

TQM150NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.83 грн
10+	50.64 грн
100+	39.4 грн
500+	31.34 грн
1000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM150NB04CR RLG

товар відсутній

TQM150NB04CR RLG

MOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 7343 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.69 грн
10+	165.42 грн
25+	135.85 грн
100+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM150NB04CR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

товар відсутній

TQM150NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.06 грн

Мінімальне замовлення: 13

TQM150NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.59 грн
5000+	24.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM150NB04DCR

MOSFET 40V MOSFET 15 MOhms

на замовлення 4753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.29 грн
10+	219.03 грн
25+	179.8 грн
100+	155.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM150NB04DCR

40V 39A Dual N Channel Power MOSFET

товар відсутній

TQM150NB04DCR RLG

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9A; 16W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 16W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TQM150NB04DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	154 грн
500+	121.66 грн
1000+	102.45 грн
2500+	97.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM150NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)

на замовлення 1681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.44 грн
10+	68.12 грн
100+	52.98 грн
500+	42.15 грн
1000+	34.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM150NB04DCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 39A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM150NB04DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	253.99 грн
10+	203.2 грн
25+	184.52 грн
100+	154 грн
500+	121.66 грн
1000+	102.45 грн
2500+	97.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM150NB04DCR RLG

товар відсутній

TQM150NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/39A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)

товар відсутній

TQM250NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU

товар відсутній

TQM250NB06CR RLG

Trans MOSFET N-CH Si 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN-U EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM250NB06CR RLG

TQM250NB06CR-RLG SMD N channel transistors

товар відсутній

TQM250NB06CR RLG

MOSFET 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 2898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.23 грн
10+	172.31 грн
100+	120.53 грн
500+	98.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM250NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.01 грн
10+	146.92 грн
100+	118.12 грн
500+	91.08 грн
1000+	75.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

TQM250NB06DCR RLG

MOSFET 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.88 грн
10000+	107.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

TQM250NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.78 грн
5000+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM250NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

TQM250NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.49 грн
10+	72 грн
100+	55.98 грн
500+	44.53 грн
1000+	36.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM250NB06DCR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 8-Pin PDFN-U EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM250NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM2M9016

Signal Conditioning 1.575GHz IL=.6dB Attenution 31dB

товар відсутній

TQM2N7002KCU RFG

Description: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM2N7002KCU RFG

Description: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM2N7002KCX RFG

Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM2N7002KCX RFG

Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)

товар відсутній

TQM2N7002KDCU6 RFG

Description: 60V, 0.33A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM2N7002KDCU6 RFG

Description: 60V, 0.33A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

TQM300NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	57.22 грн

Мінімальне замовлення: 14

TQM300NB06CR RLG

MOSFET 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM300NB06CR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM300NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	47.66 грн
100+	37.08 грн
500+	29.5 грн
1000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM300NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM300NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM300NB06DCR RLG

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TQM300NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.21 грн
5000+	31.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

TQM300NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.59 грн
10+	145.67 грн
100+	121.02 грн
500+	100.58 грн
1000+	85.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

TQM300NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	65.14 грн
100+	50.67 грн
500+	40.31 грн
1000+	32.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM300NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 2394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.02 грн
500+	100.58 грн
1000+	85.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

TQM300NB06DCR RLG

MOSFET 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

на замовлення 4958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.35 грн
10+	72.68 грн
100+	49.08 грн
500+	41.55 грн
1000+	33.9 грн
2500+	31.83 грн
5000+	30.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

TQM3M7001

Triquint

07+ SOT23

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM4M3019

на замовлення 175 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM4M9073

Attenuators DC-6GHz IL .1dB RL >22dB

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM613016CEL-3

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613017

на замовлення 2556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613017A

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613025

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613026

на замовлення 915 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613026A

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613027

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613028

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613029

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613030

QFN

на замовлення 950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613031

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM613035

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616017

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616025

на замовлення 25407 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616025

RF Amplifier WCDMA US Cell-Band PA/Duplexer Module

товар відсутній

TQM616032A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616035

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM616035A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM640002

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM653029

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM656024

на замовлення 26988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017

09+

на замовлення 2018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017

TRIQUTNT

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017

QFN 06+

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017/PB

на замовлення 312 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663017A

09+

на замовлення 916 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663029

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM663029

RF Amplifier 1880MHz

товар відсутній

TQM663029A

на замовлення 58139 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666017

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666022

на замовлення 81718 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666032

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666032A

на замовлення 54 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666032B

на замовлення 109327 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM666092

на замовлення 445289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM676001

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM676021

RF Amplifier WCDMA IMT2100 Band PA/Duplexer Module

товар відсутній

TQM676021

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM676031

на замовлення 104 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM679002

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM679002A

RF Front End 2400-2500MHz Pout 17dBm

товар відсутній

TQM6M4001

0607+

на замовлення 16463 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4001

QFN??

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002

QFN??

на замовлення 1244 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002-B

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002-B

QFN??

на замовлення 677 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002-B

2007

на замовлення 2879 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002B

на замовлення 133 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4002DB

07+;

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4003

QFN?

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4022

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4022E

07+

на замовлення 1059 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4028

на замовлення 2091 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4028E

QFN??

на замовлення 2021 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4028E

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4028U

TQM

QFN??

на замовлення 2410 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4029

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4038

05+

на замовлення 398 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4038E

QFN??

на замовлення 974 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4048

10+ TSSOP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M4050

RF Transmitter GSM850/900 DCS/PCS

товар відсутній

TQM6M5001

09+

на замовлення 2518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M5001

на замовлення 8700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M5003

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M5008

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M7010

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M9008

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6M9014

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM6T6031

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7130124

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713015LGA-10

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713019

RF Amplifier Cell band CDMA PAM

товар відсутній

TQM713019

QFN??

на замовлення 1274 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713021

07+;

на замовлення 167500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713021

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM713024

07+;

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM71312

на замовлення 160000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM716015

QFN

на замовлення 8634 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM716015

RF Amplifier 836MHz CDMA, WCDMA LTE

на замовлення 1363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM716015 PCN

QFN

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM726018

RF Amplifier WCDMA Bands 8

на замовлення 1594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM726018

QFN

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM763013

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM763021

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM763022

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM76314

TirQuint

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM766012

на замовлення 10968 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM766012

RF Amplifier WCDMA Bands 2

товар відсутній

TQM776003

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM776011

RF Amplifier WCDMA Band 1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM776011

QFN

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4002

QFN??

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4006

MANUFACT

06+

на замовлення 46 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4006

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4007

на замовлення 12134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4014

на замовлення 1028 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4014-B

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022

TQM

LCC

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022

2004

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022

QFN??

на замовлення 27740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M4022-TR

07+;

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5002

07+;

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5002

0846+

на замовлення 11221 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5002

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003

QFN??

на замовлення 902 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003

QFN

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003

2006

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5003-PHIL

QFN

на замовлення 466 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5004

MANUFACTURER'S

0601+ QFN

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5004

MANUFACT

06+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5005

TQM

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5005H

TRIQUINT 12+ QFN

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5005H

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5008

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5012

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5012

08+

на замовлення 1095 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5012H

RF Amplifier Quadband EDGE Pola PAM Halogen-Free

товар відсутній

TQM7M5012H

TRTQUINT

QFN??

на замовлення 91553 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5012H

09+ TSOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5013
Код товару: 67343

Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти

товар відсутній

TQM7M5013

TVIQUINT

QFN

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5013

RF Amplifier GSM850/900/DCS/PCS

товар відсутній

TQM7M5013

QFN

на замовлення 88 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5015

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M5022

RF Modules GSM/GPRS/EDGE-Polar

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM7M5050

RF Amplifier GSM/EDGE/WEDGE Quad Band

на замовлення 1472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM7M6018

RF Amplifier Dual Band PA Mod. Bd 1,2,3,8,25 and 26

товар відсутній

TQM7M6125

RF Amplifier Dual Band PA Mod. Bands 1,2,5 and 8

товар відсутній

TQM7M7012

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TQM7M9023H

RFMD

Description: MODULE GSM

товар відсутній

TQM7M9050M

RFMD

Description: MODULE GSM

товар відсутній

TQM7M9053

RFMD

Description: MODULE GSM

товар відсутній

TQM7M9053

RF Amplifier Quad Band MMPA GSM/EDGE/WEDGE WCDMA

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879006

RF Amplifier 1.8-2.7GHz 31dB Gain 25.4dBm P1

товар відсутній

TQM879006-PCB

RF Development Tools 1.8-2.7GHz Gain 31dB Eval Brd

товар відсутній

TQM879006A-PCB

RF Development Tools 1.4-2.7GHz Gain 31.7 Eval Board

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879006ATR13

RF Amplifier 1.4-2.7GHz Gain 31.7 NF 1.5dB

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879008

RF Amplifier 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Gain 41.5dB

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879008-PCB

RF Development Tools 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Eval Board

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879026-PCB2140

RF Development Tools 700-4000MHz NF 1.5dB Eval Board

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879026-PCB900

RF Development Tools TQM879026-PCB900 869-960MHZ EVAL BRD

товар відсутній

TQM879026TR13

RF Amplifier 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 32.5dB 1/4 Wat

на замовлення 1240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879028-PCB2140

RF Development Tools 700-4000MHz NF 1.5dB Eval Board

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM879028-PCB900

RF Development Tools TQM879028-PCB900 869-960MHZ EVAL BRD

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	13425.26 грн

TQM879028TR13

RF Amplifier 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 33dB 1/2 Watt

на замовлення 2048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM8M9075

RF Amplifier 50-4000MHz NF 2.9dB Gain 18dB

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1250.85 грн
25+	895.25 грн
100+	631.31 грн
250+	514.1 грн

TQM8M9075-PCB 0.3-4.0GHZ EVAL BRD

RF Development Tools 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB Eval Brd

товар відсутній

TQM8M9076-PCB 0.3-4.0GHZ EVAL BOARD

RF Development Tools 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB Eval Brd

товар відсутній

TQM8M9077

RF Amplifier 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB

на замовлення 1420 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM8M9079

RF Amplifier 500-2700MHz NF 4dB G ain 38dB Attn. 30dB

на замовлення 2008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM8M9079-PCB

RF Development Tools 500-2700MHz NF 4dB Eval Board

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

TQM963014

Signal Conditioning Band Class 14 BAW IL 1.8dB TX 2.2dB Rx

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	324.75 грн
100+	250.43 грн
250+	162.49 грн
1000+	137.18 грн

TQM976027