Продукція > TQM

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TQM019NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+172.27 грн
100+116.67 грн
500+98.03 грн
1000+91.82 грн
2500+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
10+147.41 грн
100+107.06 грн
500+83.79 грн
1000+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04CR-VTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04CR-VTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04CR-V RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04CR-V RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.90 грн
10+383.45 грн
100+269.92 грн
500+239.55 грн
1000+231.26 грн
2500+211.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04LCRTaiwan SemiconductorTQM019NH04LCR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
10+147.41 грн
100+107.06 грн
500+83.79 грн
1000+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+172.27 грн
100+116.67 грн
500+98.03 грн
1000+91.82 грн
2500+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM019NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+180.41 грн
500+166.77 грн
1000+153.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+127.36 грн
100+101.36 грн
500+80.48 грн
1000+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.02 грн
10+181.21 грн
100+180.41 грн
500+166.77 грн
1000+153.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.79 грн
5000+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.01 грн
10+123.85 грн
100+82.84 грн
500+71.80 грн
1000+68.27 грн
2500+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+137.34 грн
100+84.22 грн
500+68.27 грн
1000+65.31 грн
2500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.36 грн
10+129.46 грн
100+89.38 грн
500+67.78 грн
1000+62.59 грн
2000+58.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04CR-VTaiwan SemiconductorTQM025NH04CR-V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04CR-V RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04CR-V RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.74 грн
10+341.24 грн
25+330.92 грн
50+303.59 грн
100+274.02 грн
250+262.68 грн
500+262.31 грн
1000+261.85 грн
3000+261.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCRTaiwan SemiconductorTrans MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+358.74 грн
42+341.24 грн
43+330.92 грн
50+303.59 грн
100+274.02 грн
250+262.68 грн
500+262.31 грн
1000+261.85 грн
3000+261.48 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.47 грн
10+131.25 грн
100+90.60 грн
500+68.73 грн
1000+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.57 грн
10+130.99 грн
100+78.70 грн
500+65.31 грн
2500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCR-V RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM025NH04LCR-V RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.09 грн
10+105.52 грн
100+75.68 грн
500+56.96 грн
1000+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 115W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 115W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.80 грн
10+113.53 грн
100+72.49 грн
250+70.41 грн
500+57.51 грн
1000+53.02 грн
2500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.01 грн
100+75.21 грн
500+56.61 грн
1000+52.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04LCR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 115W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 115W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+117.50 грн
100+69.72 грн
500+55.85 грн
1000+51.64 грн
2500+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM032NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.30 грн
5000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.11 грн
10+87.79 грн
100+66.77 грн
500+60.20 грн
1000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.79 грн
5000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+95.27 грн
100+58.82 грн
500+48.53 грн
1000+44.67 грн
2500+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.77 грн
500+60.20 грн
1000+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM033NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.52 грн
100+60.77 грн
500+45.49 грн
1000+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM043NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+107.97 грн
100+64.13 грн
500+51.09 грн
1000+46.87 грн
2500+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM043NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.55 грн
5000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM043NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.08 грн
10+101.62 грн
100+59.99 грн
500+49.91 грн
1000+46.25 грн
2500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM043NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.87 грн
10+101.19 грн
100+68.87 грн
500+51.65 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM048NH10CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 100A, Single N-Channel Automotive MOSFETs Non-Logic Level, RDS (max) 4.8V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM048NH10LCRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2964 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.75 грн
10+156.08 грн
100+109.23 грн
500+90.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM048NH10LCRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2964 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM048NH10LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 100A, Single N-Channel Automotive MOSFETs Logic Level, RDS (max) = 4.8V
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.45 грн
10+177.83 грн
100+108.38 грн
500+89.74 грн
2500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.91 грн
10+124.64 грн
100+74.56 грн
500+59.99 грн
1000+55.64 грн
2500+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.58 грн
10+144.17 грн
100+141.75 грн
500+128.63 грн
1000+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+107.54 грн
100+73.78 грн
500+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.75 грн
500+128.63 грн
1000+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM050NB06CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+78.90 грн
100+61.36 грн
500+48.81 грн
1000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+84.95 грн
100+51.09 грн
500+40.59 грн
1000+37.42 грн
2500+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.42 грн
5000+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+93.68 грн
100+54.68 грн
500+43.42 грн
1000+39.76 грн
2500+35.83 грн
5000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+87.35 грн
100+58.98 грн
500+43.95 грн
1000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM056NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.75 грн
5000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+62.37 грн
100+48.51 грн
500+38.59 грн
1000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+70.97 грн
100+43.35 грн
500+35.83 грн
1000+32.45 грн
2500+29.34 грн
5000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NH04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+70.18 грн
100+47.50 грн
500+40.32 грн
1000+34.38 грн
2500+29.20 грн
10000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NH04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+65.74 грн
100+51.11 грн
500+40.65 грн
1000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NH04LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+80.98 грн
100+47.29 грн
500+37.35 грн
1000+34.17 грн
2500+30.65 грн
5000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+76.13 грн
100+51.04 грн
500+37.82 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM070NH04LCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.37 грн
5000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM075NH10CRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.43 грн
100+89.97 грн
500+68.22 грн
1000+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM075NH10CRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM075NH10CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 100A, Single N-Channel Automotive MOSFETs Non-Logic Level, RDS (max) 7.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM075NH10LCRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.43 грн
100+89.97 грн
500+68.22 грн
1000+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM075NH10LCRTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM075NH10LCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 100A, Single N-Channel Automotive MOSFETs Logic Level, RDS (max) = 7.5V
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.65 грн
10+138.93 грн
100+82.84 грн
500+67.10 грн
1000+64.68 грн
2500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04DCRTaiwan SemiconductorTQM076NH04DCR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04DCR RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+93.18 грн
100+74.14 грн
500+58.87 грн
1000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.52 грн
10+106.38 грн
100+63.51 грн
500+50.46 грн
1000+49.43 грн
2500+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04LDCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.52 грн
10+106.38 грн
100+63.51 грн
500+50.46 грн
1000+49.43 грн
2500+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM076NH04LDCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.12 грн
10+104.78 грн
100+75.61 грн
500+56.83 грн
1000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM100NB04CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1319 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.41 грн
100+31.16 грн
500+22.69 грн
1000+20.58 грн
2000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM100NB04CV RGGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1319 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM100NH10CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 72A, Single N-Channel Automotive MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+70.15 грн
100+54.58 грн
500+43.41 грн
1000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.01 грн
500+46.07 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+78.52 грн
100+47.91 грн
500+39.42 грн
1000+36.10 грн
2500+32.45 грн
5000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04CR RLGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.66 грн
14+60.49 грн
100+55.01 грн
500+46.07 грн
1000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04DCR RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
на замовлення 6006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.44 грн
10+116.70 грн
100+69.72 грн
500+58.54 грн
1000+51.84 грн
2500+49.01 грн
5000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+127.59 грн
100+101.57 грн
500+80.66 грн
1000+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM110NB04DCR RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TQM123KCX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]