Продукція > TQM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TQM019NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM019NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM019NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM019NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM019NH04CR-V | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM019NH04CR-V | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM019NH04CR-V RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM019NH04CR-V RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9044 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM019NH04LCR | Taiwan Semiconductor | TQM019NH04LCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM019NH04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56U Polarisation: unipolar Gate charge: 104nC On-state resistance: 1.9mΩ Drain current: 100A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 40V Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 214A Automotive 8-Pin PDFN EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM019NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin PDFN EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 157A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6670 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 0.0018 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN EP Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04CR-V | Taiwan Semiconductor | TQM025NH04CR-V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM025NH04CR-V RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM025NH04CR-V RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM025NH04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04LCR | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM025NH04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 136W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56U Polarisation: unipolar Gate charge: 63.3nC On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 100A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 136W Drain-source voltage: 40V Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM025NH04LCR-V RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6228 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM025NH04LCR-V RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM032NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 143A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM032NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM032NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM032NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4344 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM032NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM032NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM032NH04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 115W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56U Polarisation: unipolar Gate charge: 50nC On-state resistance: 3.2mΩ Drain current: 81A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 115W Drain-source voltage: 40V Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM032NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM032NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 143A 8-Pin PDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM033NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM033NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 121A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM033NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM033NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM033NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4917 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM033NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0022 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM043NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM043NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 113A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM043NH04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 54A; 100W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56U Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC On-state resistance: 4.3mΩ Drain current: 54A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 40V Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM043NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM043NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 113A Automotive 8-Pin PDFN-U EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM043NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM043NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM048NH10LCR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 224W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2964 pF @ 60 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM048NH10LCR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 224W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2964 pF @ 60 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM050NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 0.0043 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM050NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 104A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM050NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM050NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 7818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM050NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 0.0043 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM050NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/104A PDFN56U Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 104A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6904 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM056NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM056NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM056NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2912 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM056NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM056NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM056NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM056NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM056NH04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 54A; 78.9W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56U Polarisation: unipolar Gate charge: 30.4nC On-state resistance: 5.6mΩ Drain current: 54A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 78.9W Drain-source voltage: 40V Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM056NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 54A (Tc) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NH04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive 8-Pin PDFN EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NH04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 54A; 46.8W; PDFN56U Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56U Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC On-state resistance: 7mΩ Drain current: 54A Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 46.8W Drain-source voltage: 40V Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM070NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 8-Pin PDFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM070NH04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2169 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM075NH10LCR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 60 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM075NH10LCR | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 100A, SINGLE N-CHANNEL AUT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 60 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM075NH10LCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 100A, Single N-Channel Automotive MOSFETs Logic Level, RDS (max) = 7.5V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM076NH04DCR | Taiwan Semiconductor | TQM076NH04DCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM076NH04DCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive 8-Pin PDFN EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM076NH04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 55.6W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM076NH04DCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM076NH04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A/40A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 55.6W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM076NH04DCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 64A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM076NH04LDCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM076NH04LDCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 55.6W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM076NH04LDCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 34A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM076NH04LDCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 55.6W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM100NB04CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1319 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM100NB04CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1319 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM100NH10CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 72A, Single N-Channel Automotive MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM110NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.0072 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 54A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 0.0072 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1352 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 10A Automotive 8-Pin PDFN-U EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET | на замовлення 6016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM110NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/50A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1354pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM123KCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 328mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM123KCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 328mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM130NB04CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM130NB04CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM130NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM130NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM130NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM138KCU | Taiwan Semiconductor | TQM138KCU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM138KCX | Taiwan Semiconductor | TQM138KCX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM138KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM138KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM138KDCU6 RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 320mA; 320mW; SOT363 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of package: tape Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.32W On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 7284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04DCR | Taiwan Semiconductor | 40V 39A Dual N Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM150NB04DCR | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V MOSFET 15 MOhms | на замовлення 4753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) | на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 39A Automotive 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM150NB04DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM150NB04DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM170NH10LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 50A, SINGLE N-CHANNEL AUTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM170NH10LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 50A, SINGLE N-CHANNEL AUTO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 2898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU | на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM250NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN-U EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 58W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 58W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 8-Pin PDFN-U EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 58W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 58W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM250NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2M9016 | Qorvo | Signal Conditioning 1.575GHz IL=.6dB Attenution 31dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM2N7002CU RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 380mA, 10V Power Dissipation (Max): 806mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 380mA, 10V Power Dissipation (Max): 806mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | на замовлення 17975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002DCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KCU RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Power Dissipation (Max): 316mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KCU RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; 316mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.32A Power dissipation: 316mW Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KCU RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Power Dissipation (Max): 316mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KCU RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KCX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 416mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.37A Power dissipation: 416mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V Power Dissipation (Max): 416mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | на замовлення 17106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V Power Dissipation (Max): 416mW (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.33A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 337mW (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V | на замовлення 2946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KDCU6 RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 330mA; 337mW; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.33A Power dissipation: 337mW Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM2N7002KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.33A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 337mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM300NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 27A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET | на замовлення 4953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM300NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin PDFN EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM3M7001 | Triquint | 07+ SOT23 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM4M3019 | на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM4M9073 | Qorvo | Attenuators DC-6GHz IL .1dB RL >22dB | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM613016CEL-3 | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613017 | на замовлення 2556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613017A | на замовлення 915 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613025 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613026 | на замовлення 915 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613026A | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613027 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613028 | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613029 | TRIQUINT | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM613030 | TRIQUINT | QFN | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM613031 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM613035 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM616017 | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM616025 | Qorvo | RF Amplifier WCDMA US Cell-Band PA/Duplexer Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM616025 | на замовлення 25407 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM616032A | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM616035 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM616035A | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM640002 | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM653029 | TRIQUINT | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM656024 | Qorvo | RF Amplifier 1710-1755MHz Pout 25dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM656024 | на замовлення 26988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM663017 | TRIQUINT | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM663017 | TRIQUTNT | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM663017 | TRIQUINT | QFN 06+ | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM663017/PB | на замовлення 312 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM663017A | TRIQUINT | 09+ | на замовлення 916 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM663029 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM663029 | Qorvo | RF Amplifier 1880MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM663029A | на замовлення 58139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM666017 | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM666022 | на замовлення 81718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM666032 | на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM666032A | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM666032B | на замовлення 109327 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM666092 | на замовлення 445289 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM676001 | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM676021 | Qorvo | RF Amplifier WCDMA IMT2100 Band PA/Duplexer Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM676021 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM676031 | на замовлення 104 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM679002 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM679002A | Qorvo | RF Front End 2400-2500MHz Pout 17dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4001 | TRIQUINT | 0607+ | на замовлення 16463 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4001 | TriQuint | QFN?? | на замовлення 6794 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4002 | TRIQUINT | QFN?? | на замовлення 1244 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4002-B | TRIQUINT | QFN?? | на замовлення 677 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4002-B | TRIQUINT | 2007 | на замовлення 2879 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4002-B | TRIQUINT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM6M4002B | на замовлення 133 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM6M4002DB | TQS | 07+; | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4003 | TRIQUINT | QFN? | на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4022 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM6M4022E | TRIQUINT | 07+ | на замовлення 1059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4028 | на замовлення 2091 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM6M4028E | TRIQUINT | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM6M4028E | TRIQUINT | QFN?? | на замовлення 2021 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4028U | TQM | QFN?? | на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4029 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM6M4038 | TriQuint | 05+ | на замовлення 398 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4038E | TRIQUINT | QFN?? | на замовлення 974 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4038E | Qorvo | RF Amplifier GSM Dualband | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4048 | TRIQUINT | 10+ TSSOP | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M4050 | Qorvo | RF Transmitter GSM850/900 DCS/PCS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M5001 | TriQuint | 09+ | на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM6M5001 | TriQuint | на замовлення 8700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM6M5003 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM6M5008 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM6M7010 | TRIQUINT | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM6M9008 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM6M9014 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM6T6031 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM7130124 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM713015LGA-10 | на замовлення 1096 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM713019 | TQS | QFN?? | на замовлення 1274 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM713019 | Qorvo | RF Amplifier Cell band CDMA PAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM713021 | TRIQUINT | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM713021 | TQS | 07+; | на замовлення 167500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM713024 | TQS | 07+; | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM71312 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM716015 | Qorvo | RF Amplifier 836MHz CDMA, WCDMA LTE | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM716015 | TRIQUINT | QFN | на замовлення 8634 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM716015 PCN | TRIQUINT | QFN | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM726018 | TRIQUINT | QFN | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM726018 | Qorvo | RF Amplifier WCDMA Bands 8 | на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM763013 | на замовлення 2345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM763021 | TRIQUINT | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM763022 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM76314 | TirQuint | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM766012 | Qorvo | RF Amplifier WCDMA Bands 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM766012 | на замовлення 10968 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM776003 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM776011 | TRIQUINT | QFN | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM776011 | Qorvo | RF Amplifier WCDMA Band 1 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M4002 | TRIQUINT | QFN?? | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M4006 | TRIQUINT | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M4006 | MANUFACT | 06+ | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M4007 | на замовлення 12134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM7M4014 | на замовлення 1028 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM7M4014-B | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM7M4022 | TRIQUINT | 2004 | на замовлення 6300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M4022 | TQS | на замовлення 4470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M4022 | TRIQUINT | QFN?? | на замовлення 27740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M4022 | TQM | LCC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M4022-TR | TQS | 07+; | на замовлення 22500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5002 | TRIQUINT | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M5002 | TQS | 07+; | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5002 | TriQuint | 0846+ | на замовлення 11221 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5003 | TRIQUINT | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M5003 | TRIQUINT | QFN?? | на замовлення 902 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5003 | TQS | QFN | на замовлення 1489 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5003 | TRIQUINT | 2006 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5003-PHIL | TQS | QFN | на замовлення 466 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5004 | MANUFACTURER'S | 0601+ QFN | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5004 | MANUFACT | 06+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5005 | TQM | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M5005H | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM7M5005H | TRIQUINT 12+ QFN | на замовлення 114 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M5008 | TQS | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M5012 | TRIQUINT | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M5012 | TRIQUINT | 08+ | на замовлення 1095 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5012H | TRIQUINT | 09+ TSOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5012H | Qorvo | RF Amplifier Quadband EDGE Pola PAM Halogen-Free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5012H | TRTQUINT | QFN?? | на замовлення 91553 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5013 Код товару: 67343
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TQM7M5013 | TVIQUINT | QFN | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5013 | Qorvo | RF Amplifier GSM850/900/DCS/PCS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5013 | TRIQUINT | QFN | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5015 | на замовлення 2905 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM7M5022 | Qorvo | RF Modules GSM/GPRS/EDGE-Polar | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M5050 | Qorvo | RF Amplifier GSM/EDGE/WEDGE Quad Band | на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M6018 | Qorvo | RF Amplifier Dual Band PA Mod. Bd 1,2,3,8,25 and 26 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M6125 | Qorvo | RF Amplifier Dual Band PA Mod. Bands 1,2,5 and 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M7012 | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQM7M9023H | RFMD | Description: MODULE GSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M9050M | RFMD | Description: MODULE GSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M9053 | Qorvo | RF Amplifier Quad Band MMPA GSM/EDGE/WEDGE WCDMA | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM7M9053 | RFMD | Description: MODULE GSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM829007-PCB | Qorvo | RF Development Tools 600-1000MHz .25W Eval Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM84KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.17A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.2pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM84KDCU6 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.17A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.2pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879006 | Qorvo | RF Amplifier 1.8-2.7GHz 31dB Gain 25.4dBm P1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879006-PCB | Qorvo | RF Development Tools 1.8-2.7GHz Gain 31dB Eval Brd | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879006A-PCB | Qorvo | RF Development Tools 1.4-2.7GHz Gain 31.7 Eval Board | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879006ATR13 | Qorvo | RF Amplifier 1.4-2.7GHz Gain 31.7 NF 1.5dB | на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879008 | Qorvo | RF Amplifier 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Gain 41.5dB | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879008-PCB | Qorvo | RF Development Tools 2.3-2.7GHz NF 3.9dB Eval Board | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879008TR13 | Qorvo | RF Amplifier Advanced PMU for HiSilicon Processors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879026-PCB2140 | Qorvo | RF Development Tools 700-4000MHz NF 1.5dB Eval Board | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879026-PCB900 | Qorvo | RF Development Tools TQM879026-PCB900 869-960MHZ EVAL BRD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879026TR13 | Qorvo | RF Amplifier 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 32.5dB 1/4 Wat | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879028-PCB2140 | Qorvo | RF Development Tools 700-4000MHz NF 1.5dB Eval Board | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM879028-PCB900 | Qorvo | RF Development Tools TQM879028-PCB900 869-960MHZ EVAL BRD | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM879028TR13 | Qorvo | RF Amplifier 700-4000MHz NF 1.5dB Gain 33dB 1/2 Watt | на замовлення 2048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM8M9075 | Qorvo | RF Amplifier 50-4000MHz NF 2.9dB Gain 18dB | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM8M9075-PCB 0.3-4.0GHZ EVAL BRD | Qorvo | RF Development Tools 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB Eval Brd | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM8M9076-PCB 0.3-4.0GHZ EVAL BOARD | Qorvo | RF Development Tools 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB Eval Brd | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM8M9077 | Qorvo | RF Amplifier 50-4000MHz NF 3.7dB Gain 13dB | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM8M9079 | Qorvo | RF Amplifier 500-2700MHz NF 4dB G ain 38dB Attn. 30dB | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM8M9079-PCB | Qorvo | RF Development Tools 500-2700MHz NF 4dB Eval Board | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM963014 | Qorvo | Signal Conditioning Band Class 14 BAW IL 1.8dB TX 2.2dB Rx | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQM976027 | Qorvo | Signal Conditioning Band 7 Duplexer 50 Ohm Tx/Rcv BAW | на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TQM9M9030 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TQMHB | VENTION | Category: Computer Adapters Description: Hub USB; USB 3.0; PnP; grey; Number of ports: 9; 0.15m Type of PC accessories: hub USB Kind of connector: HDMI socket; Jack 3.5mm socket; microSD; RJ45 socket; SD; USB A socket x2; USB C plug; USB C socket x2 Version: USB 3.0 Colour: grey Cable length: 0.15m Insulation colour: black Software: compatible Android; compatible iPadOS; compatible Linux; compatible MAC-OS; compatible Windows PC accessories features: PnP Contact plating: nickel plated Standard: Power Delivery; Quick Charge Number of ports: 9 Enclosure material: ABS; aluminium | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TQMTM5W8 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |