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CAT5120SDI-50GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SI4435DY | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TCP-5027UB-DT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION ICMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGBProzessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0130CSSC00SPCAH-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGBtariffCode: 84715000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGBtariffCode: 84715000 Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR Kit-Anwendungsbereich: Sensor productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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| AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", MonoProzessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGBProzessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR Unterart Anwendung: Bildsensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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RS1JFP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 AtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123HE Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1JFP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 AtariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123HE Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1JFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 ABauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30 Durchlassspannung Vf max.: 1.3 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrerholzeit Trr, max.: 250 Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 250 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 800 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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RS1JFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 ADurchlassstoßstrom: 30 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 250 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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2N4124BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 300 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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2SC5242OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5242OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 17A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1611BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1611BDR2G - PFC CONTROLLERMSL: MSL 2 - 1 Jahr SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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KSA992FBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA992FBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 430hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 98038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSA992FATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA992FATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSA992 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 16372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N3772G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3772G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 20 A, 150 W, TO-204, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 5 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 200 Bauform - Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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NCH-RSL10-101Q48-ABG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCH-RSL10-101Q48-ABG - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 2.48GHz, FSK, 2MB/s, 6dBm Ausgang, -94dBm Eingang, 1.1V bis 3.3V, QFN-48tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 25mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 6dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Leistungsstarke Wearables & medizinische Geräte MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 5A991.g Frequenz, min.: 2.4GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V Empfangsstrom: 6.2mA Empfindlichkeit (dBm): -94dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK Anzahl der Pins: 48Pin(s) Übertragungsrate: 2Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 2.48GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQP8P10. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP31CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TIPxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CPH3910-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3910-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 14885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SB1203S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 20 Übergangsfrequenz ft: 130 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SB1203S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 20 Übergangsfrequenz ft: 130 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU6D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU6D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 175A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU6D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7WZ07P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikfamilie / Sockelnummer: - euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7WZ07P6X. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X. - BUFFER, NON-INVERTING, SC-70-6, FULL REELtariffCode: 85423990 MSL: - productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Bauform - Logikbaustein: SC-70 euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTJD4001NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 272mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC6331L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6331L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 8V, 2.8A, SSOT-6tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.034ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Nein hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Strombegrenzung: 2.8A IC-Gehäuse / Bauform: SSOT MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 8V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 66470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC6331L. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6331L. - INTEGRATED LOAD SWITCH, 8V, SSOT-6, FULL REELDurchlasswiderstand: 0.055 Überhitzungsschutz: Yes Strombegrenzung: 2.8 Betriebstemperatur, min.: -55 Polarität der Eingänge On / Enable: Active High Leistungsschaltertyp: High Side Eingangsspannung: 8 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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BCP55 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP55 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NUD3160LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 200mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 60V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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BDX53BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SZ66P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Analogschalter: SPST - NO MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NC7SZ66P5X.* | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5 Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V Analogschalter: SPST-NO MSL: MSL 1 - Unlimited Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NC7SZ66P5X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)Bauform - Analogschalter: SC-70 Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Analogschalter: SPST - NO MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 60 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm MSL: MSL 4 - 72 Stunden Bildfarbe: RGB Betriebstemperatur, min.: -30 Versorgungsspannung, min.: 2.5 Bauform - Sensor: IBGA Anzahl der Pins: 80 Produktpalette: - Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088 Bildrate, Bilder pro Sek.: 60 Versorgungsspannung, max.: 3.1 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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AR0221SR2C00SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0239SRSC00SUEA0-DP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237CSSC00SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237CSSC00SHRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0221SR2C00SUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0239SRSC00SUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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AR0239SRSC00SUEA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MPMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237IRSH12SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0238CSSC12SPRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0230CSSC00SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237ATSC12XUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0238CSSC12SHRA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0238CSSC12SPRA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0237ATSC12XUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 3 - 168 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| NCP4354ADR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832 tariffCode: 85415000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSB1151YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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NCP4371AACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCP4371 Versorgungsspannung, max.: 28 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP4371AACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCP4371 Versorgungsspannung, max.: 28 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQA36P15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 36 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 294 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQP27P06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 15383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD4243 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 30802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD4243 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 30802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| CAT5120SDI-50GT3 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5120SDI-50GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| SI4435DY |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 114.47 грн |
| 50+ | 76.49 грн |
| 100+ | 53.60 грн |
| 500+ | 39.88 грн |
| 1000+ | 33.24 грн |
| TCP-5027UB-DT |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - TCP-5027UB-DT - SPECIAL FUNCTION IC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGB
Prozessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0140AT3C00XUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/4", RGB
Prozessorkern: AR0140AT3C00XUEA0-DPBR, AR0140AT3C00XUEA0-DRBR, AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0140AT3C00XUEA0-DPBR/AR0140AT3C00XUEA0-DRBR/AR0140AT3C00XUEA0-TPBR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22074.68 грн |
| AR0130CSSC00SPCAH-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - AR0130CSSC00SPCAH-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 1.2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0130CSSC00SPCA0-DPBR/AR0130CSSC00SPCA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: AR0130CS
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21774.75 грн |
| AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", RGB
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0230CSSC00SUEA0-DRBR
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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| AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", Mono
Prozessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für iBGA Demo 3-Basisplatine, 2MP, 1/3", Mono
Prozessorkern: AR0238CSSC12SHRA0-DR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0238CSSC12SHRA0-DR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGB
Prozessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - AR0330CS1C12SPKAH3-GEVB - Evaluationsboard, Sunex DSL945D Headboard für AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, 3.5MP, 1/3", RGB
Prozessorkern: AR0330CS1C12SPKA0-CP, AR0330CS1C12SPKA0-CR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0330CS1C12SPKA0-CP/AR0330CS1C12SPKA0-CR
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| RS1JFP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.94 грн |
| 500+ | 8.98 грн |
| 1000+ | 8.14 грн |
| RS1JFP |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - RS1JFP - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.2 A, Einfach, 1.3 V, 300 ns, 50 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 11.00 грн |
| 88+ | 10.12 грн |
| 100+ | 9.94 грн |
| 500+ | 8.98 грн |
| 1000+ | 8.14 грн |
| RS1JFA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30
Durchlassspannung Vf max.: 1.3
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 250
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 250
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30
Durchlassspannung Vf max.: 1.3
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 250
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 250
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| RS1JFA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 250
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - RS1JFA - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 250
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| 2N4124BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2N4124BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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| 2SC5242OTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5242OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5242OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 17A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 394.87 грн |
| 10+ | 225.39 грн |
| 100+ | 189.89 грн |
| NCP1611BDR2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1611BDR2G - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP1611BDR2G - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| KSA992FBU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA992FBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 430hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSA992FBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 430hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 98038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 25.38 грн |
| 58+ | 15.44 грн |
| 100+ | 9.67 грн |
| 500+ | 5.53 грн |
| 1000+ | 4.19 грн |
| 5000+ | 3.82 грн |
| KSA992FATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA992FATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSA992
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSA992FATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSA992
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 25.56 грн |
| 57+ | 15.62 грн |
| 100+ | 9.76 грн |
| 500+ | 7.44 грн |
| 1000+ | 6.14 грн |
| 5000+ | 4.31 грн |
| 2N3772G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3772G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 20 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 200
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N3772G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 20 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 200
Bauform - Transistor: TO-204
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCH-RSL10-101Q48-ABG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCH-RSL10-101Q48-ABG - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 2.48GHz, FSK, 2MB/s, 6dBm Ausgang, -94dBm Eingang, 1.1V bis 3.3V, QFN-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 25mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 6dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Leistungsstarke Wearables & medizinische Geräte
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Empfangsstrom: 6.2mA
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCH-RSL10-101Q48-ABG - HF-Transceiver, 2.4GHz bis 2.48GHz, FSK, 2MB/s, 6dBm Ausgang, -94dBm Eingang, 1.1V bis 3.3V, QFN-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 25mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 6dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Leistungsstarke Wearables & medizinische Geräte
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 2.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Empfangsstrom: 6.2mA
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 369.14 грн |
| 10+ | 337.19 грн |
| 25+ | 323.88 грн |
| 50+ | 293.33 грн |
| 100+ | 263.92 грн |
| 250+ | 254.80 грн |
| FQP8P10. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 122.45 грн |
| 10+ | 110.92 грн |
| TIP31CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - TIP31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TIPxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.51 грн |
| 16+ | 56.79 грн |
| 100+ | 36.91 грн |
| 500+ | 26.45 грн |
| 1000+ | 22.06 грн |
| CPH3910-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3910-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - CPH3910-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 55.19 грн |
| 50+ | 36.38 грн |
| 100+ | 24.31 грн |
| 500+ | 17.22 грн |
| 1500+ | 14.30 грн |
| 2SB1203S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 78.97 грн |
| 2SB1203S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GBU6D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU6D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - GBU6D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 186.34 грн |
| 13+ | 71.25 грн |
| 100+ | 66.55 грн |
| 500+ | 59.24 грн |
| 1000+ | 52.78 грн |
| NC7WZ07P6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 102+ | 8.77 грн |
| 192+ | 4.64 грн |
| 260+ | 3.42 грн |
| 500+ | 2.69 грн |
| 1000+ | 2.33 грн |
| 5000+ | 2.02 грн |
| NC7WZ07P6X. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X. - BUFFER, NON-INVERTING, SC-70-6, FULL REEL
tariffCode: 85423990
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Bauform - Logikbaustein: SC-70
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NC7WZ07P6X. - BUFFER, NON-INVERTING, SC-70-6, FULL REEL
tariffCode: 85423990
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Bauform - Logikbaustein: SC-70
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.40 грн |
| NTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 37.27 грн |
| 50+ | 22.01 грн |
| 100+ | 14.38 грн |
| 500+ | 9.89 грн |
| 1500+ | 8.06 грн |
| FDC6331L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6331L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 8V, 2.8A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.034ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.8A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 8V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDC6331L - Integrierter Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 8V, 2.8A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.034ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.8A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 8V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 52.53 грн |
| 50+ | 33.10 грн |
| 100+ | 28.84 грн |
| 500+ | 23.81 грн |
| 1500+ | 21.14 грн |
| FDC6331L. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6331L. - INTEGRATED LOAD SWITCH, 8V, SSOT-6, FULL REEL
Durchlasswiderstand: 0.055
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.8
Betriebstemperatur, min.: -55
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 8
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDC6331L. - INTEGRATED LOAD SWITCH, 8V, SSOT-6, FULL REEL
Durchlasswiderstand: 0.055
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.8
Betriebstemperatur, min.: -55
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 8
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| BCP55 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP55 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BCP55 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 60.69 грн |
| 50+ | 38.78 грн |
| 250+ | 26.80 грн |
| 1000+ | 16.97 грн |
| 2000+ | 14.53 грн |
| NUD3160LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
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| BDX53BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BDX53BG - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 137.54 грн |
| 12+ | 74.72 грн |
| 100+ | 57.77 грн |
| 500+ | 38.48 грн |
| NC7SZ66P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| NC7SZ66P5X.* |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V
Analogschalter: SPST-NO
MSL: MSL 1 - Unlimited
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X.* - IC, ANALOG SWITCH, SINGLE, SPST, SC-70-5
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V to 5.5V
Analogschalter: SPST-NO
MSL: MSL 1 - Unlimited
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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| NC7SZ66P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NC7SZ66P5X - Analogschalter, 1 Kanal, 1 Kanäle, SPST - NO, 60 ohm, 1.65V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: SC-70
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST - NO
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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| AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: IBGA
Anzahl der Pins: 80
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 - Bildsensor, 1928 x 1088, 3µm x 3µm, 60, RGB, IBGA, 80 Pin(s)
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Bauform - Sensor: IBGA
Anzahl der Pins: 80
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1928 x 1088
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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| AR0221SR2C00SUEA0-DRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DRBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0239SRSC00SUEA0-DP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DP - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0237CSSC00SPRA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0237CSSC00SHRA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237CSSC00SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0221SR2C00SUEA0-DPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0221SR2C00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.1 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0239SRSC00SUEA0-DPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DPBR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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| AR0239SRSC00SUEA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0239SRSC00SUEA0-DR - CMOS IMAGE SENSOR, 2.3 MP
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0237IRSH12SPRA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0238CSSC12SPRA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0230CSSC00SUEA0-DRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0230CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0237ATSC12XUEA0-DPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0238CSSC12SHRA0-DR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0238CSSC12SPRA0-DR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SPRA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0237ATSC12XUEA0-DRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0237ATSC12XUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCP4354ADR2G. |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832
tariffCode: 85415000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCP4354ADR2G. - SECONDARY SIDE SMPS OFF M 55AC2832
tariffCode: 85415000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 32.83 грн |
| KSB1151YS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| NCP4371AACDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 15.97 грн |
| NCP4371AACDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NCP4371AACDR2G - Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss, 2.2V bis 28Vin, SOIC-8
IC-Funktion: Controller und Leistungsschalter für USB-Ladeanschluss
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: NCP4371
Versorgungsspannung, max.: 28
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.97 грн |
| FQA36P15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 15383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.39 грн |
| 10+ | 101.16 грн |
| 100+ | 81.81 грн |
| 500+ | 72.34 грн |
| 1000+ | 65.41 грн |
| FDD4243 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 109.14 грн |
| 50+ | 70.81 грн |
| 100+ | 47.92 грн |
| 500+ | 35.76 грн |
| 1000+ | 29.74 грн |
| FDD4243 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.46 грн |
| 500+ | 35.76 грн |
| 1000+ | 29.59 грн |



























