| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFWS4D0N04XMT1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVMFWS4D0N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, WFDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 43W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FFSH15120ADN-F155. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH15120ADN-F155. - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 15A, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 55nC euEccn: NLR Diodenmontage: Through Hole hazardous: false Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pin Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NDT2955 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
1N457 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N457 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N457 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDMA1028NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDMA1028NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MMSZ47T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 47V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
MMSZ47T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 47V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NCP3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8 tariffCode: 85044095 Schaltfrequenz: 250kHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 1.5A Bausteintopologie: Boost, Buck Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
N24C16UVTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N24C16UVTG - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, SOT-765, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-765 Speicherdichte: 16Kbit Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit I2C Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit |
на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
N24C16UVTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - N24C16UVTG - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, SOT-765, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-765 Speicherdichte: 16Kbit Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit I2C Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit |
на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
DAN222T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DAN22 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 80V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 21882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
1SMB5915BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.9V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MC74ACT377DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74ACT377DWR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74ACT377, D, 10 ns, 140 MHz, SOIC tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74377 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74ACT Bauform - Logikbaustein: SOIC IC-Ausgang: Nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Frequenz: 140MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Flip-Flop-Typ: D Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Ausbreitungsverzögerung: 10ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
DF02S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF02S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DF02S productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
DF02S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF02S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DF02S productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MC74HC273ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC273ADTR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HC273, D, 29 ns, 35 MHz, TSSOP tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74273 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: TSSOP IC-Ausgang: Nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz: 35MHz Betriebstemperatur, min.: -55°C Flip-Flop-Typ: D Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC273 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausbreitungsverzögerung: 29ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SMDA05CDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMDA05CDR2G - TVS DIODE, BIDIRECTIONAL, 5V, 11V tariffCode: 0 Bauform - Diode: SOIC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: - isCanonical: Y Sperrspannung: 5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spitzenimpulsverlustleistung: 300W TVS-Polarität: Bidirectional Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SMDA05C Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 11V directShipCharge: 25 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MC79L12ACPG. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC79L12ACPG. - IC, LDO VOLT REG, 12V, 0.1A, TO-92-3 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Nennausgangsspannung: -12V MSL: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Ausgangsspannung, nom.: -12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA usEccn: EAR99 Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge directShipCharge: 25 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
1N5233B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5233B - Zener-Diode, 6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N52xxB productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 6V |
на замовлення 11925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
1N5231BTR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5231BTR - ZENER DIODE, 500mW, 5.1V, DO-35 tariffCode: 0 Bauform - Diode: DO-35 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Through Hole hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V directShipCharge: 25 |
на замовлення 4845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BC848CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 83129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NB6L11MMNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NB6L11MMNG - Fanout-Puffer, 4GHz, 2.375V-3.63V Versorgungsspannung, 2 Ausgänge, QFN-16 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Takt-IC: QFN Frequenz: 4GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.375V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Takt-IC: Fanout-Puffer Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Taktpuffer: Fanout-Puffer usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FSA4486UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA4486UCX - USB-Schnittstelle, USB Type-C Analogue Audio Switch, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s) tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NCP81418MNTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81418MNTXG - Hot-Swap-Controller, Smart-Sicherung, 5-18V Versorgung, 1 Kanal, MOSFET, LQFN-EP-32, -40-125°C tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NCP81418MNTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81418MNTXG - Hot-Swap-Controller, Smart-Sicherung, 5-18V Versorgung, 1 Kanal, MOSFET, LQFN-EP-32, -40-125°C tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Intelligente Hot-Swap-Sicherung euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LQFN-EP Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Leistungsschalter: MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
PRISM1M-AR0235CSSM130110-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PRISM1M-AR0235CSSM130110-GEVB - Evaluationsboard, AR0235, Bildsensor tariffCode: 85437090 productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard euEccn: NLR Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0235 isCanonical: Y Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
PRISM1M-AR0246NPSC130110-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PRISM1M-AR0246NPSC130110-GEVB - Evaluationsboard, AR0246, Bildsensor tariffCode: 85437090 productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard euEccn: NLR Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0246 isCanonical: Y Unterart Anwendung: Bildsensor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BAV70LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAV70LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
AXM0F243-1-TX40 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AXM0F243-1-TX40 - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 64kB, 48MHz, QFN-40 tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt MPU-Familie: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) CPU-Geschwindigkeit: 48MHz Anzahl der Pins: 40Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code MPU-Baureihe: - usEccn: 5A991.b Bauform - MPU: QFN-EP Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+ |
на замовлення 2277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MMBTA06LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 877717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MC74HC273ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC273ADTR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HC273, D, 29 ns, 35 MHz, TSSOP tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: 74273 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC Bauform - Logikbaustein: TSSOP IC-Ausgang: Nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz: 35MHz Betriebstemperatur, min.: -55°C Flip-Flop-Typ: D Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC273 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausbreitungsverzögerung: 29ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
MC74HC00ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC00ADTR2G - NAND-Gatter, Baureihe 74HC00, 8 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 74HC Anzahl der Elemente: Vier Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5.2mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: 74HC00 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDC3512 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDC6324L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6324L - Integrierter Leistungsschalter, DMOS, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 1A, SSOT-6 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Nein hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Strombegrenzung: 1A IC-Gehäuse / Bauform: SSOT MSL: - Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDC8878 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDC6310P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDC642P-F085PBK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: POWERTRENCH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDC642P-F085PBK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
BC33725TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCV8161BSN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO Regulator, 450 mA, Low Dropout, Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3.3V, Non-Active Discharge, TSOP-5/ REEL 31AC0805 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| NCV8165ML330TBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8165ML330TBG - LDO Regulator, 500 mA, Low Dropout, Ultra-Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3V3 AD, TB orientation/ REEL 38AH7049 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| NCV8163ASN330T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8163ASN330T1G - LDO Regulator, 250 mA, Ultra-Low Dropout, Ultra-Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3.3 V, Active Discharge, TSOP-5/ REEL 6 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| NCP163ASN180T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP163ASN180T1G - LDO Regulator, 250 mA, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 1.8 V, Active Discharge, TSOP5/ REEL 38AH6948 tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
LMV324DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LMV324DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Rail-to-Rail rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Bauform - Verstärker: NSOIC Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 1mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 1V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 1nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 1MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 6325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
1N4936G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4936G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 400V AXIAL tariffCode: 0 Bauform - Diode: Axial Leaded Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 200ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 6119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MMBFU310LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFU310LT1G - JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V |
на замовлення 20909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
BSR58 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSR58 - JFET-Transistor, JFET, 40 V, 80 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FDBL86210-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm |
на замовлення 2011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDBL0630N150 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NVBLS1D2N08XTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 299A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 197W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTBLS1D1N08XTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 299A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 197W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTBL075N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NVBLS1D2N08XTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTBLS1D1N08XTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTBL060N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V Verlustleistung: 170W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
NTBL045N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 348W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTBL060N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NTBL075N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
MMSZ3V3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ3V3T1G - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVMFWS4D0N04XMT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS4D0N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
Description: ONSEMI - NVMFWS4D0N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSH15120ADN-F155. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH15120ADN-F155. - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 15A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - FFSH15120ADN-F155. - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 15A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 55nC
euEccn: NLR
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NDT2955 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N457 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N457 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N457
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N457 - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N457
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMA1028NZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMA1028NZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMSZ47T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMSZ47T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMSZ47T1G - Zener-Diode, 47 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZ4xxxT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 47V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP3065DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85044095
Schaltfrequenz: 250kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Boost, Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85044095
Schaltfrequenz: 250kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Boost, Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| N24C16UVTG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N24C16UVTG - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, SOT-765, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-765
Speicherdichte: 16Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
Description: ONSEMI - N24C16UVTG - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, SOT-765, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-765
Speicherdichte: 16Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| N24C16UVTG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N24C16UVTG - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, SOT-765, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-765
Speicherdichte: 16Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
Description: ONSEMI - N24C16UVTG - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, I2C, 1 MHz, SOT-765, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-765
Speicherdichte: 16Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit I2C Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DAN222T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DAN22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DAN22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1SMB5915BT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74ACT377DWR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT377DWR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74ACT377, D, 10 ns, 140 MHz, SOIC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74377
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Ausbreitungsverzögerung: 10ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - MC74ACT377DWR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74ACT377, D, 10 ns, 140 MHz, SOIC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74377
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Frequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Ausbreitungsverzögerung: 10ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DF02S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF02S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF02S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - DF02S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF02S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DF02S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF02S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF02S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - DF02S - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 1.5 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DF02S
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HC273ADTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC273ADTR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HC273, D, 29 ns, 35 MHz, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC273
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausbreitungsverzögerung: 29ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HC273ADTR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HC273, D, 29 ns, 35 MHz, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC273
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausbreitungsverzögerung: 29ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SMDA05CDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMDA05CDR2G - TVS DIODE, BIDIRECTIONAL, 5V, 11V
tariffCode: 0
Bauform - Diode: SOIC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: Y
Sperrspannung: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 300W
TVS-Polarität: Bidirectional
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SMDA05C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11V
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - SMDA05CDR2G - TVS DIODE, BIDIRECTIONAL, 5V, 11V
tariffCode: 0
Bauform - Diode: SOIC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
isCanonical: Y
Sperrspannung: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 300W
TVS-Polarität: Bidirectional
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SMDA05C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11V
directShipCharge: 25
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC79L12ACPG. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC79L12ACPG. - IC, LDO VOLT REG, 12V, 0.1A, TO-92-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Nennausgangsspannung: -12V
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Ausgangsspannung, nom.: -12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - MC79L12ACPG. - IC, LDO VOLT REG, 12V, 0.1A, TO-92-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Nennausgangsspannung: -12V
MSL: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Ausgangsspannung, nom.: -12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
directShipCharge: 25
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5233B |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5233B - Zener-Diode, 6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6V
Description: ONSEMI - 1N5233B - Zener-Diode, 6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N52xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6V
на замовлення 11925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N5231BTR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5231BTR - ZENER DIODE, 500mW, 5.1V, DO-35
tariffCode: 0
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - 1N5231BTR - ZENER DIODE, 500mW, 5.1V, DO-35
tariffCode: 0
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
directShipCharge: 25
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848CLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 83129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NB6L11MMNG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB6L11MMNG - Fanout-Puffer, 4GHz, 2.375V-3.63V Versorgungsspannung, 2 Ausgänge, QFN-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Taktpuffer: Fanout-Puffer
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
Description: ONSEMI - NB6L11MMNG - Fanout-Puffer, 4GHz, 2.375V-3.63V Versorgungsspannung, 2 Ausgänge, QFN-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: QFN
Frequenz: 4GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Taktpuffer: Fanout-Puffer
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FSA4486UCX |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA4486UCX - USB-Schnittstelle, USB Type-C Analogue Audio Switch, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FSA4486UCX - USB-Schnittstelle, USB Type-C Analogue Audio Switch, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP81418MNTXG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81418MNTXG - Hot-Swap-Controller, Smart-Sicherung, 5-18V Versorgung, 1 Kanal, MOSFET, LQFN-EP-32, -40-125°C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCP81418MNTXG - Hot-Swap-Controller, Smart-Sicherung, 5-18V Versorgung, 1 Kanal, MOSFET, LQFN-EP-32, -40-125°C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP81418MNTXG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81418MNTXG - Hot-Swap-Controller, Smart-Sicherung, 5-18V Versorgung, 1 Kanal, MOSFET, LQFN-EP-32, -40-125°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Intelligente Hot-Swap-Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: MOSFET
Description: ONSEMI - NCP81418MNTXG - Hot-Swap-Controller, Smart-Sicherung, 5-18V Versorgung, 1 Kanal, MOSFET, LQFN-EP-32, -40-125°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Intelligente Hot-Swap-Sicherung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFN-EP
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Leistungsschalter: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PRISM1M-AR0235CSSM130110-GEVB |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PRISM1M-AR0235CSSM130110-GEVB - Evaluationsboard, AR0235, Bildsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0235
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - PRISM1M-AR0235CSSM130110-GEVB - Evaluationsboard, AR0235, Bildsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0235
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PRISM1M-AR0246NPSC130110-GEVB |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PRISM1M-AR0246NPSC130110-GEVB - Evaluationsboard, AR0246, Bildsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0246
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - PRISM1M-AR0246NPSC130110-GEVB - Evaluationsboard, AR0246, Bildsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AR0246
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAV70LT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAV70LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AXM0F243-1-TX40 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AXM0F243-1-TX40 - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 64kB, 48MHz, QFN-40
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
MPU-Familie: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: -
usEccn: 5A991.b
Bauform - MPU: QFN-EP
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
Description: ONSEMI - AXM0F243-1-TX40 - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 64kB, 48MHz, QFN-40
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
MPU-Familie: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
CPU-Geschwindigkeit: 48MHz
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: -
usEccn: 5A991.b
Bauform - MPU: QFN-EP
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBTA06LT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - MMBTA06LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 877717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HC273ADTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC273ADTR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HC273, D, 29 ns, 35 MHz, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC273
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausbreitungsverzögerung: 29ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HC273ADTR2G - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74HC273, D, 29 ns, 35 MHz, TSSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 35MHz
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC273
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausbreitungsverzögerung: 29ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC74HC00ADTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC00ADTR2G - NAND-Gatter, Baureihe 74HC00, 8 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - MC74HC00ADTR2G - NAND-Gatter, Baureihe 74HC00, 8 Eingänge, 2V bis 6V Versorgungsspannung, 5.2mAout, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5.2mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74HC00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC3512 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC6324L |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6324L - Integrierter Leistungsschalter, DMOS, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 1A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - FDC6324L - Integrierter Leistungsschalter, DMOS, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 20V, 1A, SSOT-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Nein
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOT
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SSOT
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC8878 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: ONSEMI - FDC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC6310P |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC642P-F085PBK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC642P-F085PBK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC33725TA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC33725TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV8161BSN330T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO Regulator, 450 mA, Low Dropout, Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3.3V, Non-Active Discharge, TSOP-5/ REEL 31AC0805
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO Regulator, 450 mA, Low Dropout, Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3.3V, Non-Active Discharge, TSOP-5/ REEL 31AC0805
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV8165ML330TBG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8165ML330TBG - LDO Regulator, 500 mA, Low Dropout, Ultra-Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3V3 AD, TB orientation/ REEL 38AH7049
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCV8165ML330TBG - LDO Regulator, 500 mA, Low Dropout, Ultra-Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3V3 AD, TB orientation/ REEL 38AH7049
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV8163ASN330T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8163ASN330T1G - LDO Regulator, 250 mA, Ultra-Low Dropout, Ultra-Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3.3 V, Active Discharge, TSOP-5/ REEL 6
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCV8163ASN330T1G - LDO Regulator, 250 mA, Ultra-Low Dropout, Ultra-Low Iq, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 3.3 V, Active Discharge, TSOP-5/ REEL 6
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP163ASN180T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP163ASN180T1G - LDO Regulator, 250 mA, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 1.8 V, Active Discharge, TSOP5/ REEL 38AH6948
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NCP163ASN180T1G - LDO Regulator, 250 mA, Ultra-High PSRR, Ultra-Low Noise 1.8 V, Active Discharge, TSOP5/ REEL 38AH6948
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| LMV324DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LMV324DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Rail-to-Rail
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Verstärker: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - LMV324DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Rail-to-Rail
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Verstärker: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N4936G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4936G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 400V AXIAL
tariffCode: 0
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - 1N4936G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 400V AXIAL
tariffCode: 0
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 200ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMBFU310LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFU310LT1G - JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
Description: ONSEMI - MMBFU310LT1G - JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
на замовлення 20909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSR58 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR58 - JFET-Transistor, JFET, 40 V, 80 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V
Description: ONSEMI - BSR58 - JFET-Transistor, JFET, 40 V, 80 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDBL86210-F085 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDBL0630N150 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVBLS1D2N08XTXG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBLS1D1N08XTXG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBL075N065SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVBLS1D2N08XTXG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBLS1D1N08XTXG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBL060N065SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBL045N065SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBL060N065SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - NTBL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTBL075N065SC1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: ONSEMI - NTBL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MMSZ3V3T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ3V3T1G - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
Description: ONSEMI - MMSZ3V3T1G - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)