Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141344) > Сторінка 479 з 2356

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 474 475 476 477 478 479 480 481 482 483 484 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2350 2356  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC7660 FDMC7660 onsemi fdmc7660-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.22 грн
10+110.77 грн
100+75.59 грн
500+56.81 грн
1000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692 FDMC7692 onsemi fdmc7692-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.51 грн
10+56.67 грн
100+44.04 грн
500+35.03 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 FDMC86102 onsemi fdmc86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.44 грн
10+138.39 грн
100+95.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 onsemi ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.80 грн
10+100.39 грн
100+79.91 грн
500+63.46 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 FDS3590 onsemi fds3590-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.46 грн
10+69.94 грн
100+46.46 грн
500+34.12 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 FDS5690 onsemi fds5690-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
на замовлення 51346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.96 грн
10+59.24 грн
100+46.07 грн
500+36.65 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576 FDS6576 onsemi fds6576-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.75 грн
10+70.19 грн
100+54.59 грн
500+43.43 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.24 грн
10+46.80 грн
100+32.33 грн
500+24.17 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 onsemi fds8978-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+73.93 грн
100+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934C FDS9934C onsemi fds9934c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.21 грн
10+52.44 грн
100+40.83 грн
500+32.48 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A FDS9953A onsemi fds9953a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 FDT3612 onsemi fdt3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 17662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.85 грн
10+49.28 грн
100+32.31 грн
500+23.46 грн
1000+21.25 грн
2000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P FDT458P onsemi fdt458p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.31 грн
10+50.61 грн
100+35.03 грн
500+27.47 грн
1000+23.38 грн
2000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1048MTCX FIN1048MTCX onsemi ONSM-S-A0003589267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC TRANSCEIVER 0/4 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Receiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Number of Drivers/Receivers: 0/4
Data Rate: 400Mbps
Protocol: LVDS
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.91 грн
10+229.75 грн
25+197.07 грн
100+150.33 грн
250+133.33 грн
500+122.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 58514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.06 грн
10+127.53 грн
100+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi FQB34P10CN-D.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.84 грн
10+156.07 грн
100+126.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi fqb47p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.44 грн
10+205.35 грн
100+153.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi fqi4n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.02 грн
10+139.97 грн
100+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi fqb5n90-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+171.46 грн
10+155.24 грн
100+124.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N80TM FQB6N80TM onsemi fqb6n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.35 грн
10+74.67 грн
100+49.94 грн
500+36.92 грн
1000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.72 грн
10+49.87 грн
100+32.72 грн
500+23.77 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM onsemi FQD13N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.09 грн
10+60.15 грн
100+39.75 грн
500+29.10 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM onsemi fqd18n20v2-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.75 грн
10+88.78 грн
100+59.87 грн
500+44.57 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi FQD19N10L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 6359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.39 грн
10+66.13 грн
100+47.67 грн
500+35.17 грн
1000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM FQD1N80TM onsemi fqu1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.64 грн
10+60.15 грн
100+42.01 грн
500+34.69 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM FQD2N60CTM onsemi fqu2n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.64 грн
10+57.91 грн
100+38.24 грн
500+27.98 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM onsemi fqd3p50tm-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 14427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.06 грн
10+91.52 грн
100+61.82 грн
500+46.08 грн
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM onsemi fqu5p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.81 грн
10+61.07 грн
100+40.41 грн
500+29.60 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM onsemi fqd6n40c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 9941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.48 грн
10+52.35 грн
100+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM FQD7P06TM onsemi fqd7p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM onsemi fqd7p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.38 грн
10+78.32 грн
100+52.50 грн
500+38.87 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM onsemi fqu8p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.27 грн
10+53.93 грн
100+35.49 грн
500+25.87 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF FQT3P20TF onsemi fqt3p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.93 грн
10+58.25 грн
100+44.66 грн
500+33.14 грн
1000+26.51 грн
2000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF FQT4N20LTF onsemi fqt4n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.21 грн
10+48.37 грн
100+33.35 грн
500+25.51 грн
1000+23.14 грн
2000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TF FQT4N25TF onsemi fqt4n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.56 грн
10+43.97 грн
100+30.40 грн
500+23.84 грн
1000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FST3245MTCX FST3245MTCX onsemi fst3245-d.pdf Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.51 грн
10+60.49 грн
25+56.88 грн
100+40.46 грн
250+34.43 грн
500+32.71 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FSTD16211MTDX FSTD16211MTDX onsemi ONSM-S-A0003586458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC BUS SWITCH 12 X 1:1 56TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 onsemi fzt649-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.99 грн
10+48.79 грн
100+31.81 грн
500+23.03 грн
1000+20.83 грн
2000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FZT790A FZT790A onsemi fzt790a-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A GF1A onsemi GF1A-D.PDF Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 107370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.60 грн
16+21.74 грн
100+17.17 грн
500+12.18 грн
1000+10.10 грн
2000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M GF1M onsemi GF1M-D.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 310676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.88 грн
17+19.83 грн
100+16.51 грн
500+11.69 грн
1000+10.17 грн
2000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST onsemi HUF75321D3ST-D.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.43 грн
10+66.46 грн
100+44.16 грн
500+32.46 грн
1000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75345S3ST HUF75345S3ST onsemi huf75345s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.22 грн
10+346.49 грн
100+261.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560S3ST ISL9R1560S3ST onsemi Description: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSH3055TF KSH3055TF onsemi KSH3055.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TF MJD47TF onsemi MJD47%2C50.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF MJD50TF onsemi MJD47%2C50.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 13502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.68 грн
10+45.97 грн
100+29.94 грн
500+21.62 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC02MTCX MM74HC02MTCX onsemi mm74hc02-d.pdf Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 54003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.40 грн
23+14.93 грн
26+13.24 грн
100+10.68 грн
250+9.86 грн
500+9.36 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC04MTCX MM74HC04MTCX onsemi mm74hc04-d.pdf Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 16ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 267455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.30 грн
18+19.42 грн
25+17.29 грн
100+14.03 грн
250+12.98 грн
500+12.35 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC126MX MM74HC126MX onsemi MM74HC126-D.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 14-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+31.02 грн
17+20.49 грн
25+18.25 грн
100+14.85 грн
250+13.75 грн
500+13.09 грн
1000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC132MX MM74HC132MX onsemi mm74hc132-d.pdf Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 10830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+31.02 грн
16+21.16 грн
25+18.88 грн
100+15.35 грн
250+14.22 грн
500+13.54 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC244MTCX MM74HC244MTCX onsemi MM74HC244-D.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 37545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.80 грн
12+30.12 грн
25+26.98 грн
100+22.11 грн
250+20.57 грн
500+19.64 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC245AWMX MM74HC245AWMX onsemi MM74HC245A-D.PDF Description: IC TXRX NON-INVERT 6V 20-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.45 грн
10+40.99 грн
25+36.84 грн
100+30.34 грн
250+28.32 грн
500+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC32MTCX MM74HC32MTCX onsemi mm74hc32-d.pdf Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.54 грн
24+14.10 грн
27+12.51 грн
100+10.08 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC540WMX MM74HC540WMX onsemi MM74HC541-D.PDF Description: IC BUFFER INVERTING 6V 20-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.87 грн
10+38.91 грн
25+34.95 грн
100+28.77 грн
250+26.84 грн
500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC573MTCX MM74HC573MTCX onsemi mm74hc573-d.pdf Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Delay Time - Propagation: 15ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.54 грн
11+31.02 грн
25+27.80 грн
100+22.77 грн
250+21.19 грн
500+20.24 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT04MTCX MM74HCT04MTCX onsemi MM74HCT04-D.pdf Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4.8mA, 4.8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.54 грн
24+14.35 грн
27+12.71 грн
100+10.27 грн
250+9.47 грн
500+8.98 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT14MTCX MM74HCT14MTCX onsemi mm74hct14-d.pdf Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4.8mA, 4.8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.9V ~ 2.1V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.40 грн
23+15.02 грн
25+13.34 грн
100+10.76 грн
250+9.93 грн
500+9.43 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT541MTCX MM74HCT541MTCX onsemi mm74hct541-d.pdf Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.2mA, 7.2mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.39 грн
11+32.28 грн
25+28.91 грн
100+23.69 грн
250+22.05 грн
500+21.06 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7660 fdmc7660-d.pdf
FDMC7660
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.22 грн
10+110.77 грн
100+75.59 грн
500+56.81 грн
1000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC7692 fdmc7692-d.pdf
FDMC7692
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.51 грн
10+56.67 грн
100+44.04 грн
500+35.03 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102 fdmc86102-d.pdf
FDMC86102
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.44 грн
10+138.39 грн
100+95.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS3572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.80 грн
10+100.39 грн
100+79.91 грн
500+63.46 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3590 fds3590-d.pdf
FDS3590
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.46 грн
10+69.94 грн
100+46.46 грн
500+34.12 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 fds5690-d.pdf
FDS5690
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
на замовлення 51346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.96 грн
10+59.24 грн
100+46.07 грн
500+36.65 грн
1000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576 fds6576-d.pdf
FDS6576
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.75 грн
10+70.19 грн
100+54.59 грн
500+43.43 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896-d.pdf
FDS8896
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.24 грн
10+46.80 грн
100+32.33 грн
500+24.17 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 fds8978-d.pdf
FDS8978
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.49 грн
10+73.93 грн
100+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9934C fds9934c-d.pdf
FDS9934C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.21 грн
10+52.44 грн
100+40.83 грн
500+32.48 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A fds9953a-d.pdf
FDS9953A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT3612 fdt3612-d.pdf
FDT3612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
на замовлення 17662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.85 грн
10+49.28 грн
100+32.31 грн
500+23.46 грн
1000+21.25 грн
2000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P fdt458p-d.pdf
FDT458P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.31 грн
10+50.61 грн
100+35.03 грн
500+27.47 грн
1000+23.38 грн
2000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1048MTCX ONSM-S-A0003589267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FIN1048MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSCEIVER 0/4 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Receiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Number of Drivers/Receivers: 0/4
Data Rate: 400Mbps
Protocol: LVDS
Supplier Device Package: 16-TSSOP
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.91 грн
10+229.75 грн
25+197.07 грн
100+150.33 грн
250+133.33 грн
500+122.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 58514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.06 грн
10+127.53 грн
100+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10CN-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 8242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.84 грн
10+156.07 грн
100+126.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 fqb47p06-d.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.44 грн
10+205.35 грн
100+153.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.02 грн
10+139.97 грн
100+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM fqb5n90-d.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.46 грн
10+155.24 грн
100+124.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB6N80TM fqb6n80-d.pdf
FQB6N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.35 грн
10+74.67 грн
100+49.94 грн
500+36.92 грн
1000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.72 грн
10+49.87 грн
100+32.72 грн
500+23.77 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10-D.pdf
FQD13N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.09 грн
10+60.15 грн
100+39.75 грн
500+29.10 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM fqd18n20v2-d.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.75 грн
10+88.78 грн
100+59.87 грн
500+44.57 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 6359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.39 грн
10+66.13 грн
100+47.67 грн
500+35.17 грн
1000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N80TM fqu1n80-d.pdf
FQD1N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.64 грн
10+60.15 грн
100+42.01 грн
500+34.69 грн
1000+31.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM fqu2n60c-d.pdf
FQD2N60CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.64 грн
10+57.91 грн
100+38.24 грн
500+27.98 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tm-d.pdf
FQD3P50TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 14427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.06 грн
10+91.52 грн
100+61.82 грн
500+46.08 грн
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
FQD5P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.81 грн
10+61.07 грн
100+40.41 грн
500+29.60 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM fqd6n40c-d.pdf
FQD6N40CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 9941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.48 грн
10+52.35 грн
100+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM fqd7p06-d.pdf
FQD7P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM fqd7p20-d.pdf
FQD7P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.38 грн
10+78.32 грн
100+52.50 грн
500+38.87 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM fqu8p10-d.pdf
FQD8P10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.27 грн
10+53.93 грн
100+35.49 грн
500+25.87 грн
1000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF fqt3p20-d.pdf
FQT3P20TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.93 грн
10+58.25 грн
100+44.66 грн
500+33.14 грн
1000+26.51 грн
2000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF fqt4n20l-d.pdf
FQT4N20LTF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.21 грн
10+48.37 грн
100+33.35 грн
500+25.51 грн
1000+23.14 грн
2000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TF fqt4n25-d.pdf
FQT4N25TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.56 грн
10+43.97 грн
100+30.40 грн
500+23.84 грн
1000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FST3245MTCX fst3245-d.pdf
FST3245MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC BUS SWITCH 8 X 1:1 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8 x 1:1
Type: Bus Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 6179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.51 грн
10+60.49 грн
25+56.88 грн
100+40.46 грн
250+34.43 грн
500+32.71 грн
1000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FSTD16211MTDX ONSM-S-A0003586458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FSTD16211MTDX
Виробник: onsemi
Description: IC BUS SWITCH 12 X 1:1 56TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 fzt649-d.pdf
FZT649
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.99 грн
10+48.79 грн
100+31.81 грн
500+23.03 грн
1000+20.83 грн
2000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FZT790A fzt790a-d.pdf
FZT790A
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A GF1A-D.PDF
GF1A
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 107370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.60 грн
16+21.74 грн
100+17.17 грн
500+12.18 грн
1000+10.10 грн
2000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GF1M GF1M-D.pdf
GF1M
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 310676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.88 грн
17+19.83 грн
100+16.51 грн
500+11.69 грн
1000+10.17 грн
2000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75321D3ST HUF75321D3ST-D.pdf
HUF75321D3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.43 грн
10+66.46 грн
100+44.16 грн
500+32.46 грн
1000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75345S3ST huf75345s3s-d.pdf
HUF75345S3ST
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.22 грн
10+346.49 грн
100+261.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9R1560S3ST
ISL9R1560S3ST
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSH3055TF KSH3055.pdf
KSH3055TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD47TF MJD47%2C50.pdf
MJD47TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD50TF MJD47%2C50.pdf
MJD50TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 13502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.68 грн
10+45.97 грн
100+29.94 грн
500+21.62 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC02MTCX mm74hc02-d.pdf
MM74HC02MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 54003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.40 грн
23+14.93 грн
26+13.24 грн
100+10.68 грн
250+9.86 грн
500+9.36 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC04MTCX mm74hc04-d.pdf
MM74HC04MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 16ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 267455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.30 грн
18+19.42 грн
25+17.29 грн
100+14.03 грн
250+12.98 грн
500+12.35 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC126MX MM74HC126-D.pdf
MM74HC126MX
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 14-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.02 грн
17+20.49 грн
25+18.25 грн
100+14.85 грн
250+13.75 грн
500+13.09 грн
1000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC132MX mm74hc132-d.pdf
MM74HC132MX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 10830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.02 грн
16+21.16 грн
25+18.88 грн
100+15.35 грн
250+14.22 грн
500+13.54 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC244MTCX MM74HC244-D.pdf
MM74HC244MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 37545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.80 грн
12+30.12 грн
25+26.98 грн
100+22.11 грн
250+20.57 грн
500+19.64 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC245AWMX MM74HC245A-D.PDF
MM74HC245AWMX
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX NON-INVERT 6V 20-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.45 грн
10+40.99 грн
25+36.84 грн
100+30.34 грн
250+28.32 грн
500+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC32MTCX mm74hc32-d.pdf
MM74HC32MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.54 грн
24+14.10 грн
27+12.51 грн
100+10.08 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC540WMX MM74HC541-D.PDF
MM74HC540WMX
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER INVERTING 6V 20-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.87 грн
10+38.91 грн
25+34.95 грн
100+28.77 грн
250+26.84 грн
500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC573MTCX mm74hc573-d.pdf
MM74HC573MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE TRANSP 8:8 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Delay Time - Propagation: 15ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.54 грн
11+31.02 грн
25+27.80 грн
100+22.77 грн
250+21.19 грн
500+20.24 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT04MTCX MM74HCT04-D.pdf
MM74HCT04MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4.8mA, 4.8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.54 грн
24+14.35 грн
27+12.71 грн
100+10.27 грн
250+9.47 грн
500+8.98 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT14MTCX mm74hct14-d.pdf
MM74HCT14MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4.8mA, 4.8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.9V ~ 2.1V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.40 грн
23+15.02 грн
25+13.34 грн
100+10.76 грн
250+9.93 грн
500+9.43 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT541MTCX mm74hct541-d.pdf
MM74HCT541MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.2mA, 7.2mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.39 грн
11+32.28 грн
25+28.91 грн
100+23.69 грн
250+22.05 грн
500+21.06 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 474 475 476 477 478 479 480 481 482 483 484 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2350 2356  [ Наступна Сторінка >> ]