Результат пошуку "40n120" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS media-3319578.pdf IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3468.36 грн
10+ 3046.45 грн
20+ 2490.86 грн
50+ 2408.08 грн
100+ 2325.3 грн
200+ 2241.84 грн
500+ 2138.36 грн
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Co MIW40N120FLA(TO-247AB).pdf Description: IGBT 1200V 40A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.23 грн
10+ 599.81 грн
100+ 499.85 грн
500+ 413.91 грн
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf IGBT Transistors
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+778.88 грн
10+ 657.97 грн
25+ 518.74 грн
100+ 476.68 грн
250+ 448.64 грн
500+ 421.26 грн
1000+ 378.54 грн
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi NGTB40N120FL3W_D-2318217.pdf IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+567.8 грн
10+ 515.93 грн
30+ 334.47 грн
120+ 307.77 грн
300+ 285.74 грн
600+ 269.05 грн
1050+ 263.71 грн
NGTB40N120IHRWG NGTB40N120IHRWG onsemi ngtb40n120ihr-d.pdf Description: IGBT 1200V 80A 384W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 384 W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.92 грн
30+ 303.32 грн
NTBG040N120M3S ON Semiconductor ntbg040n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+565.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S_D-3150529.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+950.24 грн
10+ 825.34 грн
25+ 698.32 грн
50+ 659.6 грн
100+ 620.88 грн
250+ 601.52 грн
500+ 562.8 грн
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.83 грн
10+ 752.59 грн
100+ 650.87 грн
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 ON Semiconductor ntbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+946.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+904.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi NTBG040N120SC1_D-2318664.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1235.31 грн
10+ 1114.78 грн
25+ 925.31 грн
50+ 923.98 грн
100+ 874.57 грн
250+ 873.24 грн
500+ 857.21 грн
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1364.19 грн
10+ 1167 грн
100+ 1020.7 грн
NTC040N120SC1 onsemi NTC040N120SC1_D-2318499.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die
на замовлення 51 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+1483.77 грн
10+ 1289.06 грн
25+ 1090.21 грн
50+ 1029.46 грн
100+ 968.71 грн
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 29885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.61 грн
10+ 767.96 грн
450+ 601.89 грн
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi NTH4L040N120M3S_D-3150422.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.71 грн
10+ 842.23 грн
25+ 713.01 грн
50+ 672.95 грн
100+ 633.56 грн
250+ 613.54 грн
450+ 573.48 грн
NTH4L040N120M3S ON Semiconductor nth4l040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+577.15 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi NTH4L040N120SC1_D-2318873.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1449.5 грн
10+ 1332.05 грн
25+ 1031.46 грн
100+ 968.71 грн
250+ 964.7 грн
450+ 843.2 грн
2700+ 830.51 грн
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.97 грн
30+ 1083.16 грн
120+ 1015.46 грн
510+ 813.2 грн
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 ON Semiconductor nth4l040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+940.89 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.84 грн
30+ 670.79 грн
120+ 631.33 грн
510+ 536.94 грн
1020+ 492.5 грн
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi NTHL040N120M3S_D-3150625.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.2 грн
10+ 800.77 грн
25+ 677.63 грн
50+ 639.57 грн
100+ 601.52 грн
250+ 582.83 грн
450+ 545.44 грн
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi NTHL040N120SC1_D-2318968.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1433.14 грн
10+ 1353.55 грн
25+ 1018.78 грн
50+ 1001.42 грн
100+ 974.71 грн
250+ 974.05 грн
450+ 831.18 грн
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1338.19 грн
30+ 1068.16 грн
120+ 1001.4 грн
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1347.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S_D-3150266.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in D2PAK-7LD package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2176.97 грн
10+ 1907.1 грн
25+ 1546.86 грн
50+ 1498.79 грн
100+ 1450.06 грн
250+ 1353.25 грн
500+ 1237.09 грн
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2032.21 грн
10+ 1738.78 грн
100+ 1520.8 грн
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2628.73 грн
10+ 2249.58 грн
100+ 1967.55 грн
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1143.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi NVBG040N120SC1_D-2319545.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2748.67 грн
10+ 2533.59 грн
25+ 2184.43 грн
50+ 2183.09 грн
100+ 2050.91 грн
250+ 2050.24 грн
500+ 2049.57 грн
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1743.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi nvh4l040n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2301.58 грн
30+ 1837.63 грн
120+ 1722.78 грн
NVH4L040N120M3S ON Semiconductor nvh4l040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+834.18 грн
Мінімальне замовлення: 450
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi NVH4L040N120M3S_D-3150382.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2465.94 грн
10+ 2159.69 грн
25+ 1751.82 грн
50+ 1697.74 грн
100+ 1643 грн
250+ 1533.51 грн
450+ 1401.32 грн
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi NVH4L040N120SC1_D-2319373.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3036.86 грн
10+ 2971.21 грн
25+ 2366.02 грн
50+ 2364.02 грн
100+ 2345.99 грн
450+ 2345.32 грн
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1811.22 грн
30+ 1591.4 грн
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.76 грн
30+ 1014.54 грн
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi NVHL040N120SC1_D-2319550.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?3L
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2449.58 грн
10+ 2309.41 грн
25+ 1776.52 грн
50+ 1765.17 грн
100+ 1752.48 грн
450+ 1751.82 грн
SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v_7-2956163.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+1464.3 грн
10+ 1278.31 грн
25+ 1096.22 грн
50+ 1076.19 грн
100+ 964.03 грн
250+ 954.69 грн
500+ 873.24 грн
SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1406.08 грн
30+ 1095.74 грн
120+ 1031.29 грн
510+ 877.09 грн
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v-1916581.pdf MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1505.58 грн
10+ 1307.49 грн
25+ 1105.57 грн
50+ 1044.15 грн
100+ 982.73 грн
250+ 952.68 грн
600+ 891.26 грн
SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag-1761445.pdf MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1537.51 грн
25+ 1256.05 грн
100+ 1024.12 грн
250+ 879.25 грн
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1435.69 грн
30+ 1145.88 грн
120+ 1074.26 грн
510+ 860.29 грн
TW140N120C,S1F TW140N120C,S1F Toshiba Toshiba_TW140N120C_E_20220615.pdf MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+792.12 грн
10+ 677.16 грн
30+ 500.04 грн
120+ 490.03 грн
270+ 480.68 грн
510+ 470.67 грн
Транзистор IGBT IHW40N1203 80A 1200V TO-247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+605.43 грн
Транзистор IGBT IKW40N120H3(K40H1203)+diode 40А 1200V TO-247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+386.86 грн
7MBI40N-120 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120 FUJI 40A/1200V/IGBT/7U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120 FUJI D4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120 FUJI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120 FUJI MODULE
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120 FUJI 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N120 FUJI MODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL40N120AND FAIRCH 09+ DIP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL40N120AND FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL40N120ANTU ON Semiconductor FGL40N120AN.pdf
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW40N120H3FKSA1 Infineon DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120FL2WAG ON Semiconductor ngtb40n120fl2wa-d.pdf
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120IHRWG ON Semiconductor ngtb40n120ihr-d.pdf
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120S3WG ON Semiconductor ngtb40n120s3w-d.pdf
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXYN140N120A4 media-3319578.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3468.36 грн
10+ 3046.45 грн
20+ 2490.86 грн
50+ 2408.08 грн
100+ 2325.3 грн
200+ 2241.84 грн
500+ 2138.36 грн
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA(TO-247AB).pdf
MIW40N120FLA-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: IGBT 1200V 40A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+727.23 грн
10+ 599.81 грн
100+ 499.85 грн
500+ 413.91 грн
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf
MIW40N120FLA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+778.88 грн
10+ 657.97 грн
25+ 518.74 грн
100+ 476.68 грн
250+ 448.64 грн
500+ 421.26 грн
1000+ 378.54 грн
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3W_D-2318217.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+567.8 грн
10+ 515.93 грн
30+ 334.47 грн
120+ 307.77 грн
300+ 285.74 грн
600+ 269.05 грн
1050+ 263.71 грн
NGTB40N120IHRWG ngtb40n120ihr-d.pdf
NGTB40N120IHRWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 80A 384W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 384 W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.92 грн
30+ 303.32 грн
NTBG040N120M3S ntbg040n120m3s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+565.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S_D-3150529.pdf
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+950.24 грн
10+ 825.34 грн
25+ 698.32 грн
50+ 659.6 грн
100+ 620.88 грн
250+ 601.52 грн
500+ 562.8 грн
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+886.83 грн
10+ 752.59 грн
100+ 650.87 грн
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+946.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+904.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1_D-2318664.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK?7L
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1235.31 грн
10+ 1114.78 грн
25+ 925.31 грн
50+ 923.98 грн
100+ 874.57 грн
250+ 873.24 грн
500+ 857.21 грн
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1364.19 грн
10+ 1167 грн
100+ 1020.7 грн
NTC040N120SC1 NTC040N120SC1_D-2318499.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die
на замовлення 51 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1483.77 грн
10+ 1289.06 грн
25+ 1090.21 грн
50+ 1029.46 грн
100+ 968.71 грн
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 29885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+905.61 грн
10+ 767.96 грн
450+ 601.89 грн
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S_D-3150422.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+969.71 грн
10+ 842.23 грн
25+ 713.01 грн
50+ 672.95 грн
100+ 633.56 грн
250+ 613.54 грн
450+ 573.48 грн
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+577.15 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1_D-2318873.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1449.5 грн
10+ 1332.05 грн
25+ 1031.46 грн
100+ 968.71 грн
250+ 964.7 грн
450+ 843.2 грн
2700+ 830.51 грн
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1356.97 грн
30+ 1083.16 грн
120+ 1015.46 грн
510+ 813.2 грн
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+940.89 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+860.84 грн
30+ 670.79 грн
120+ 631.33 грн
510+ 536.94 грн
1020+ 492.5 грн
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S_D-3150625.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+922.2 грн
10+ 800.77 грн
25+ 677.63 грн
50+ 639.57 грн
100+ 601.52 грн
250+ 582.83 грн
450+ 545.44 грн
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1_D-2318968.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1433.14 грн
10+ 1353.55 грн
25+ 1018.78 грн
50+ 1001.42 грн
100+ 974.71 грн
250+ 974.05 грн
450+ 831.18 грн
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1338.19 грн
30+ 1068.16 грн
120+ 1001.4 грн
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1347.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S_D-3150266.pdf
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in D2PAK-7LD package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2176.97 грн
10+ 1907.1 грн
25+ 1546.86 грн
50+ 1498.79 грн
100+ 1450.06 грн
250+ 1353.25 грн
500+ 1237.09 грн
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2032.21 грн
10+ 1738.78 грн
100+ 1520.8 грн
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2628.73 грн
10+ 2249.58 грн
100+ 1967.55 грн
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1143.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1_D-2319545.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2748.67 грн
10+ 2533.59 грн
25+ 2184.43 грн
50+ 2183.09 грн
100+ 2050.91 грн
250+ 2050.24 грн
500+ 2049.57 грн
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1743.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
NVH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -3V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2301.58 грн
30+ 1837.63 грн
120+ 1722.78 грн
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+834.18 грн
Мінімальне замовлення: 450
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S_D-3150382.pdf
NVH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in TO247-4LD package
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2465.94 грн
10+ 2159.69 грн
25+ 1751.82 грн
50+ 1697.74 грн
100+ 1643 грн
250+ 1533.51 грн
450+ 1401.32 грн
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1_D-2319373.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?4L
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3036.86 грн
10+ 2971.21 грн
25+ 2366.02 грн
50+ 2364.02 грн
100+ 2345.99 грн
450+ 2345.32 грн
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1811.22 грн
30+ 1591.4 грн
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1154.76 грн
30+ 1014.54 грн
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1_D-2319550.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247-3L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, TO247?3L
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2449.58 грн
10+ 2309.41 грн
25+ 1776.52 грн
50+ 1765.17 грн
100+ 1752.48 грн
450+ 1751.82 грн
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v_7-2956163.pdf
SCTH40N120G2V-7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1464.3 грн
10+ 1278.31 грн
25+ 1096.22 грн
50+ 1076.19 грн
100+ 964.03 грн
250+ 954.69 грн
500+ 873.24 грн
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1406.08 грн
30+ 1095.74 грн
120+ 1031.29 грн
510+ 877.09 грн
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v-1916581.pdf
SCTW40N120G2V
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1505.58 грн
10+ 1307.49 грн
25+ 1105.57 грн
50+ 1044.15 грн
100+ 982.73 грн
250+ 952.68 грн
600+ 891.26 грн
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag-1761445.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1537.51 грн
25+ 1256.05 грн
100+ 1024.12 грн
250+ 879.25 грн
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
Description: SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1435.69 грн
30+ 1145.88 грн
120+ 1074.26 грн
510+ 860.29 грн
TW140N120C,S1F Toshiba_TW140N120C_E_20220615.pdf
TW140N120C,S1F
Виробник: Toshiba
MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+792.12 грн
10+ 677.16 грн
30+ 500.04 грн
120+ 490.03 грн
270+ 480.68 грн
510+ 470.67 грн
Транзистор IGBT IHW40N1203 80A 1200V TO-247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+605.43 грн
Транзистор IGBT IKW40N120H3(K40H1203)+diode 40А 1200V TO-247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.86 грн
7MBI40N-120
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120
Виробник: FUJI
40A/1200V/IGBT/7U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120
Виробник: FUJI
D4-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120
Виробник: FUJI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N-120
Виробник: FUJI
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7MBI40N120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL40N120AND
Виробник: FAIRCH
09+ DIP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL40N120AND
Виробник: FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGL40N120ANTU FGL40N120AN.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW40N120H3FKSA1 DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d
Виробник: Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120FL2WAG ngtb40n120fl2wa-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120IHRWG ngtb40n120ihr-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N120S3WG ngtb40n120s3w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]