Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AU40N120T3A5 AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5_LUXIN-SEMI_0001.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11; AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+163.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+694.79 грн
3+581.98 грн
10+513.80 грн
30+462.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor DACMI40N1200.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2797.07 грн
3+2198.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.14 грн
10+302.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.64 грн
3+189.56 грн
10+153.81 грн
20+143.00 грн
30+136.35 грн
120+133.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.77 грн
10+180.31 грн
100+129.16 грн
480+116.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.77 грн
10+386.03 грн
100+283.19 грн
480+274.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+424.40 грн
5+371.63 грн
10+356.67 грн
30+322.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.21 грн
10+266.09 грн
100+193.40 грн
480+174.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+371.57 грн
5+320.09 грн
10+291.82 грн
30+263.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon TIKW40n120cs6_INFINEON_0001.pdf IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+320.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.02 грн
10+283.57 грн
100+205.83 грн
480+188.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.15 грн
10+359.02 грн
100+252.80 грн
480+223.79 грн
1200+198.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon info-tikw40n120h3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+252.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+464.69 грн
5+355.01 грн
10+314.27 грн
30+283.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.38 грн
10+281.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.17 грн
10+420.19 грн
100+294.93 грн
480+261.77 грн
1200+232.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon info-tikw40n120t2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+498.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+496.92 грн
2+435.65 грн
3+414.87 грн
5+386.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.09 грн
10+335.20 грн
100+245.20 грн
480+232.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.90 грн
10+590.17 грн
100+459.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+659.96 грн
10+381.27 грн
100+280.42 грн
480+271.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.66 грн
10+305.01 грн
100+222.40 грн
480+205.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1560.06 грн
10+1148.56 грн
120+863.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1537.49 грн
10+1131.88 грн
120+765.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1307.84 грн
10+888.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.57 грн
10+407.48 грн
100+261.08 грн
500+254.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.63 грн
10+414.63 грн
120+276.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+903.32 грн
10+564.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1018.55 грн
10+817.34 грн
120+591.93 грн
510+528.38 грн
1020+494.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+912.18 грн
10+670.39 грн
120+484.87 грн
510+432.38 грн
1020+410.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1043.53 грн
10+837.19 грн
120+606.43 грн
510+540.82 грн
1020+513.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1018.55 грн
10+817.34 грн
120+591.93 грн
510+527.69 грн
1020+493.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3378.78 грн
10+2824.54 грн
100+2411.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn140n120a4_datasheet.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4377.99 грн
10+3749.11 грн
100+2728.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx140n120a4_datasheet.pdf IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3350.57 грн
10+2601.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+299.94 грн
3+250.25 грн
10+221.15 грн
30+205.35 грн
120+192.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+308.90 грн
3+257.73 грн
10+227.80 грн
30+211.17 грн
120+197.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+299.94 грн
3+250.25 грн
10+221.15 грн
30+205.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ONSEMI ngtb40n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+486.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG onsemi ngtb40n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.94 грн
10+295.48 грн
120+215.50 грн
600+214.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+729.26 грн
10+502.00 грн
100+358.47 грн
500+334.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1328.79 грн
10+1053.24 грн
100+909.65 грн
500+878.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1078.98 грн
10+678.33 грн
120+535.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 ONSEMI NTH4L040N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1343.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1407.76 грн
10+1004.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.10 грн
10+480.55 грн
120+355.02 грн
510+354.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1366.66 грн
10+1014.32 грн
120+861.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1456.11 грн
10+1027.03 грн
100+802.59 грн
500+749.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1843.70 грн
10+1411.48 грн
100+1170.73 грн
500+1062.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi nvh4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1493.98 грн
10+926.16 грн
120+797.76 грн
510+774.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1438.38 грн
10+1262.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1908.97 грн
10+1435.30 грн
120+1120.31 грн
510+1058.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1275.60 грн
10+780.00 грн
100+632.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS40N120HB,S1Q TRS40N120HB,S1Q Toshiba TRS40N120HB_datasheet_en_20240612.pdf SiC Schottky Diodes 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1356.18 грн
10+959.52 грн
100+732.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IHW40N1203 80A 1200V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+718.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW40N120H3(K40H1203)+diode 40А 1200V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+459.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI40N-120 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI40N120 FUJI MODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AU40N120T3A5 TAU40n120t3a5_LUXIN-SEMI_0001.pdf
AU40N120T3A5
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11; AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+694.79 грн
3+581.98 грн
10+513.80 грн
30+462.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200.pdf
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2797.07 грн
3+2198.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3-DTE.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+358.14 грн
10+302.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.64 грн
3+189.56 грн
10+153.81 грн
20+143.00 грн
30+136.35 грн
120+133.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.77 грн
10+180.31 грн
100+129.16 грн
480+116.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.77 грн
10+386.03 грн
100+283.19 грн
480+274.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+424.40 грн
5+371.63 грн
10+356.67 грн
30+322.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.21 грн
10+266.09 грн
100+193.40 грн
480+174.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+371.57 грн
5+320.09 грн
10+291.82 грн
30+263.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 TIKW40n120cs6_INFINEON_0001.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.02 грн
10+283.57 грн
100+205.83 грн
480+188.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.15 грн
10+359.02 грн
100+252.80 грн
480+223.79 грн
1200+198.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 info-tikw40n120h3.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+252.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3-DTE.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.69 грн
5+355.01 грн
10+314.27 грн
30+283.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.38 грн
10+281.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.17 грн
10+420.19 грн
100+294.93 грн
480+261.77 грн
1200+232.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 info-tikw40n120t2.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+498.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.92 грн
2+435.65 грн
3+414.87 грн
5+386.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.09 грн
10+335.20 грн
100+245.20 грн
480+232.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.90 грн
10+590.17 грн
100+459.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+659.96 грн
10+381.27 грн
100+280.42 грн
480+271.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.66 грн
10+305.01 грн
100+222.40 грн
480+205.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1560.06 грн
10+1148.56 грн
120+863.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1537.49 грн
10+1131.88 грн
120+765.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1307.84 грн
10+888.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.57 грн
10+407.48 грн
100+261.08 грн
500+254.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.63 грн
10+414.63 грн
120+276.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+903.32 грн
10+564.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1018.55 грн
10+817.34 грн
120+591.93 грн
510+528.38 грн
1020+494.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.18 грн
10+670.39 грн
120+484.87 грн
510+432.38 грн
1020+410.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1043.53 грн
10+837.19 грн
120+606.43 грн
510+540.82 грн
1020+513.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1018.55 грн
10+817.34 грн
120+591.93 грн
510+527.69 грн
1020+493.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3378.78 грн
10+2824.54 грн
100+2411.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn140n120a4_datasheet.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4377.99 грн
10+3749.11 грн
100+2728.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx140n120a4_datasheet.pdf
IXYX140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3350.57 грн
10+2601.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F.pdf
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.94 грн
3+250.25 грн
10+221.15 грн
30+205.35 грн
120+192.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2.pdf
LGEGW40N120F2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.90 грн
3+257.73 грн
10+227.80 грн
30+211.17 грн
120+197.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS.pdf
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.94 грн
3+250.25 грн
10+221.15 грн
30+205.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.94 грн
10+295.48 грн
120+215.50 грн
600+214.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+729.26 грн
10+502.00 грн
100+358.47 грн
500+334.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1328.79 грн
10+1053.24 грн
100+909.65 грн
500+878.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1078.98 грн
10+678.33 грн
120+535.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1.PDF
NTH4L040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1343.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1407.76 грн
10+1004.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.10 грн
10+480.55 грн
120+355.02 грн
510+354.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1366.66 грн
10+1014.32 грн
120+861.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1456.11 грн
10+1027.03 грн
100+802.59 грн
500+749.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1843.70 грн
10+1411.48 грн
100+1170.73 грн
500+1062.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
NVH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1493.98 грн
10+926.16 грн
120+797.76 грн
510+774.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1438.38 грн
10+1262.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1908.97 грн
10+1435.30 грн
120+1120.31 грн
510+1058.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1275.60 грн
10+780.00 грн
100+632.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS40N120HB,S1Q TRS40N120HB_datasheet_en_20240612.pdf
TRS40N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1356.18 грн
10+959.52 грн
100+732.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IHW40N1203 80A 1200V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+718.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW40N120H3(K40H1203)+diode 40А 1200V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+459.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI40N-120
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI40N120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]