Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.15 грн
2+482.15 грн
6+456.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+838.97 грн
2+600.84 грн
6+547.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2120.46 грн
2+1861.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2544.55 грн
2+2319.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3 IGW40N120H3 Infineon Technologies Infineon-IGW40N120H3-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.59 грн
10+250.85 грн
100+181.65 грн
480+158.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.61 грн
4+304.81 грн
9+288.18 грн
30+278.68 грн
90+277.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+571.94 грн
4+379.84 грн
9+345.82 грн
30+334.42 грн
90+332.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.85 грн
5+195.55 грн
14+185.26 грн
30+178.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+395.96 грн
2+327.55 грн
5+234.66 грн
14+222.31 грн
30+213.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.01 грн
10+201.91 грн
100+131.49 грн
480+117.05 грн
1200+100.33 грн
2640+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.69 грн
10+589.99 грн
100+440.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.46 грн
10+451.89 грн
100+327.58 грн
480+291.86 грн
1200+259.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ40N120CT2-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.19 грн
10+464.12 грн
100+336.70 грн
480+320.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a17ad12da3 IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.51 грн
10+357.49 грн
100+250.82 грн
480+223.45 грн
1200+190.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+420.34 грн
4+261.27 грн
10+247.02 грн
30+239.89 грн
60+237.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+504.41 грн
4+325.58 грн
10+296.42 грн
30+287.87 грн
60+285.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.49 грн
10+249.98 грн
100+187.73 грн
480+171.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+295.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.39 грн
10+295.43 грн
100+214.33 грн
480+190.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.99 грн
10+399.44 грн
100+281.22 грн
480+251.58 грн
2640+213.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+315.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.82 грн
4+297.68 грн
9+281.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+556.59 грн
4+370.96 грн
9+337.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.90 грн
10+284.94 грн
100+230.29 грн
480+201.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.60 грн
10+399.44 грн
100+289.58 грн
480+258.42 грн
1200+229.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+458.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.06 грн
2+455.24 грн
3+405.36 грн
5+396.65 грн
7+383.19 грн
10+380.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+631.28 грн
2+567.29 грн
3+486.43 грн
5+475.98 грн
7+459.83 грн
10+456.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.60 грн
10+322.53 грн
100+243.21 грн
480+219.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+992.24 грн
10+593.48 грн
100+441.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.46 грн
10+335.64 грн
100+245.50 грн
480+221.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.17 грн
10+340.88 грн
100+240.17 грн
480+217.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.79 грн
10+310.29 грн
100+226.49 грн
480+201.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a5233ca273fe IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.86 грн
10+375.84 грн
100+268.30 грн
480+222.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1393.04 грн
10+991.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1375.30 грн
10+1030.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1385.94 грн
10+1093.44 грн
120+902.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.80 грн
10+617.96 грн
500+516.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.27 грн
120+628.44 грн
510+535.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+955.00 грн
10+673.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+963.87 грн
10+578.62 грн
120+430.95 грн
510+430.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+833.52 грн
10+545.41 грн
510+465.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.69 грн
10+607.47 грн
120+491.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+962.98 грн
10+708.86 грн
120+533.55 грн
510+504.67 грн
1020+428.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3353.58 грн
10+2379.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn140n120a4_datasheet.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4114.39 грн
10+3310.04 грн
100+2341.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.92 грн
3+238.31 грн
5+191.60 грн
14+181.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.71 грн
3+296.97 грн
5+229.91 грн
14+217.56 грн
240+209.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.92 грн
3+238.31 грн
5+191.60 грн
14+181.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.71 грн
3+296.97 грн
5+229.91 грн
14+217.56 грн
240+209.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.92 грн
3+238.31 грн
5+191.60 грн
14+181.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.71 грн
3+296.97 грн
5+229.91 грн
14+217.56 грн
240+209.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA(TO-247AB).pdf IGBTs
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+884.95 грн
10+604.85 грн
100+418.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG onsemi NGTB40N120FL2W-D.PDF IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.27 грн
10+325.15 грн
120+213.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.22 грн
3+421.19 грн
7+398.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+789.86 грн
3+524.87 грн
7+477.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi 81EA9C1A987C7B3C0B6C54AD8B65AFB866A09DFC13C9612853020D648D05F0F2.pdf IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.88 грн
10+285.82 грн
120+181.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+738.64 грн
10+546.28 грн
100+394.46 грн
500+367.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi NTBG040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1363.78 грн
10+1104.80 грн
100+954.62 грн
500+945.50 грн
800+900.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi NTH4L040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1151.85 грн
10+678.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+699.15 грн
2+482.15 грн
6+456.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+838.97 грн
2+600.84 грн
6+547.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2120.46 грн
2+1861.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2544.55 грн
2+2319.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3 Infineon-IGW40N120H3-DS-v02_02-EN.pdf
IGW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.59 грн
10+250.85 грн
100+181.65 грн
480+158.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.61 грн
4+304.81 грн
9+288.18 грн
30+278.68 грн
90+277.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.94 грн
4+379.84 грн
9+345.82 грн
30+334.42 грн
90+332.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.85 грн
5+195.55 грн
14+185.26 грн
30+178.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.96 грн
2+327.55 грн
5+234.66 грн
14+222.31 грн
30+213.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.01 грн
10+201.91 грн
100+131.49 грн
480+117.05 грн
1200+100.33 грн
2640+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon-IKQ140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKQ140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.69 грн
10+589.99 грн
100+440.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_03-EN.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.46 грн
10+451.89 грн
100+327.58 грн
480+291.86 грн
1200+259.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon-IKQ40N120CT2-DS-v02_03-EN.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.19 грн
10+464.12 грн
100+336.70 грн
480+320.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon-IKW40N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a17ad12da3
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.51 грн
10+357.49 грн
100+250.82 грн
480+223.45 грн
1200+190.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+420.34 грн
4+261.27 грн
10+247.02 грн
30+239.89 грн
60+237.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.41 грн
4+325.58 грн
10+296.42 грн
30+287.87 грн
60+285.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.49 грн
10+249.98 грн
100+187.73 грн
480+171.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.39 грн
10+295.43 грн
100+214.33 грн
480+190.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.99 грн
10+399.44 грн
100+281.22 грн
480+251.58 грн
2640+213.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+315.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.82 грн
4+297.68 грн
9+281.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.59 грн
4+370.96 грн
9+337.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.90 грн
10+284.94 грн
100+230.29 грн
480+201.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.60 грн
10+399.44 грн
100+289.58 грн
480+258.42 грн
1200+229.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+458.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.06 грн
2+455.24 грн
3+405.36 грн
5+396.65 грн
7+383.19 грн
10+380.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+631.28 грн
2+567.29 грн
3+486.43 грн
5+475.98 грн
7+459.83 грн
10+456.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.60 грн
10+322.53 грн
100+243.21 грн
480+219.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon-IKY140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+992.24 грн
10+593.48 грн
100+441.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.46 грн
10+335.64 грн
100+245.50 грн
480+221.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon-IKY40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKY40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.17 грн
10+340.88 грн
100+240.17 грн
480+217.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.79 грн
10+310.29 грн
100+226.49 грн
480+201.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a5233ca273fe
IKZA40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.86 грн
10+375.84 грн
100+268.30 грн
480+222.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1393.04 грн
10+991.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1375.30 грн
10+1030.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1385.94 грн
10+1093.44 грн
120+902.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.80 грн
10+617.96 грн
500+516.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.27 грн
120+628.44 грн
510+535.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+955.00 грн
10+673.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+963.87 грн
10+578.62 грн
120+430.95 грн
510+430.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+833.52 грн
10+545.41 грн
510+465.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.69 грн
10+607.47 грн
120+491.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+962.98 грн
10+708.86 грн
120+533.55 грн
510+504.67 грн
1020+428.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3353.58 грн
10+2379.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn140n120a4_datasheet.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4114.39 грн
10+3310.04 грн
100+2341.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.92 грн
3+238.31 грн
5+191.60 грн
14+181.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.71 грн
3+296.97 грн
5+229.91 грн
14+217.56 грн
240+209.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.92 грн
3+238.31 грн
5+191.60 грн
14+181.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.71 грн
3+296.97 грн
5+229.91 грн
14+217.56 грн
240+209.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.92 грн
3+238.31 грн
5+191.60 грн
14+181.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.71 грн
3+296.97 грн
5+229.91 грн
14+217.56 грн
240+209.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA(TO-247AB).pdf
MIW40N120FLA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+884.95 грн
10+604.85 грн
100+418.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2W-D.PDF
NGTB40N120FL2WG
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.27 грн
10+325.15 грн
120+213.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+658.22 грн
3+421.19 грн
7+398.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.86 грн
3+524.87 грн
7+477.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG 81EA9C1A987C7B3C0B6C54AD8B65AFB866A09DFC13C9612853020D648D05F0F2.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.88 грн
10+285.82 грн
120+181.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.64 грн
10+546.28 грн
100+394.46 грн
500+367.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1-D.PDF
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1363.78 грн
10+1104.80 грн
100+954.62 грн
500+945.50 грн
800+900.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S-D.PDF
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1151.85 грн
10+678.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]