Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGL40N120AND
Код товару: 94242
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
очікується: 5 шт
5 шт - очікується 09.10.2025
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.19 грн
3+441.36 грн
6+416.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+823.42 грн
3+550.01 грн
6+500.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2112.13 грн
2+1854.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2534.56 грн
2+2311.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3 IGW40N120H3 Infineon Technologies Infineon-IGW40N120H3-DS-v02_02-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.38 грн
10+250.17 грн
100+181.16 грн
480+154.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.31 грн
4+303.98 грн
9+287.40 грн
30+277.92 грн
90+276.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+570.38 грн
4+378.81 грн
9+344.88 грн
30+333.51 грн
90+331.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.13 грн
5+195.81 грн
14+184.76 грн
30+177.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+394.88 грн
2+326.66 грн
5+234.97 грн
14+221.71 грн
30+213.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW40N120R5-DataSheet-v02_03-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.16 грн
10+201.36 грн
100+131.13 грн
480+116.73 грн
1200+100.05 грн
2640+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.00 грн
10+588.38 грн
100+438.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.74 грн
10+450.65 грн
100+326.69 грн
480+291.06 грн
1200+259.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ40N120CT2-DS-v02_03-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.30 грн
10+462.86 грн
100+335.78 грн
480+319.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a17ad12da3 IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.22 грн
10+356.51 грн
100+250.13 грн
480+222.85 грн
1200+190.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.82 грн
4+260.55 грн
10+246.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+600.99 грн
4+324.69 грн
10+295.61 грн
120+284.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.69 грн
10+263.25 грн
100+194.04 грн
480+170.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+290.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.97 грн
10+294.63 грн
100+213.75 грн
480+189.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.50 грн
10+398.35 грн
100+280.45 грн
480+250.89 грн
2640+212.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+310.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.56 грн
4+296.87 грн
9+280.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.36 грн
10+288.52 грн
100+230.42 грн
480+200.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.03 грн
10+398.35 грн
100+288.79 грн
480+257.71 грн
1200+228.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+452.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.92 грн
3+404.25 грн
7+382.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+757.10 грн
3+503.76 грн
7+458.58 грн
240+440.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.57 грн
10+325.13 грн
100+242.55 грн
480+219.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+989.54 грн
10+591.87 грн
100+440.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY40N120CH3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.87 грн
10+334.72 грн
100+244.83 грн
480+220.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.87 грн
10+339.95 грн
100+239.52 грн
480+216.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.44 грн
10+309.44 грн
100+225.88 грн
480+200.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a5233ca273fe IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.72 грн
10+394.87 грн
100+286.52 грн
480+254.68 грн
1200+227.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120A2-Datasheet.PDF IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1388.36 грн
10+1095.69 грн
120+859.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1371.56 грн
10+1027.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH40N120C3D1-Datasheet.PDF IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1113.34 грн
10+849.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.09 грн
10+616.27 грн
500+514.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.46 грн
120+626.73 грн
510+534.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH40N120B3D1-Datasheet.PDF IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+953.28 грн
10+672.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYH40N120B4H1-Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+961.24 грн
10+577.05 грн
120+429.77 грн
510+429.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH40N120C3-Datasheet.PDF IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+831.25 грн
10+543.92 грн
510+463.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYH40N120C4H1-Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.36 грн
10+706.93 грн
120+532.10 грн
510+503.30 грн
1020+427.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyk140n120a4-datasheet.pdf IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3344.44 грн
10+2372.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyn140n120a4-datasheet.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4103.18 грн
10+3301.03 грн
100+2335.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.75 грн
3+233.71 грн
6+183.18 грн
14+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.75 грн
3+233.71 грн
6+183.18 грн
14+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.75 грн
3+233.71 грн
6+183.18 грн
14+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA(TO-247AB).pdf IGBTs
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+882.54 грн
10+603.20 грн
100+416.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+656.43 грн
3+420.05 грн
7+397.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+787.71 грн
3+523.44 грн
7+476.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi 81EA9C1A987C7B3C0B6C54AD8B65AFB866A09DFC13C9612853020D648D05F0F2.pdf IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.98 грн
10+285.04 грн
120+181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.63 грн
10+544.80 грн
100+393.39 грн
500+366.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi NTBG040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1551.07 грн
10+1202.04 грн
100+1031.61 грн
500+964.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi NTH4L040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1150.48 грн
10+676.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi NTH4L040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1590.87 грн
10+1102.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi NTHL040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+837.44 грн
10+492.50 грн
120+402.49 грн
510+393.39 грн
1020+390.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi NTHL040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1537.81 грн
10+1087.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1369.79 грн
10+1145.38 грн
100+930.04 грн
500+828.47 грн
800+827.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi NVBG040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1871.19 грн
10+1548.96 грн
100+1284.77 грн
500+1165.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGL40N120AND
Код товару: 94242
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
очікується: 5 шт
5 шт - очікується 09.10.2025
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.19 грн
3+441.36 грн
6+416.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+823.42 грн
3+550.01 грн
6+500.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2112.13 грн
2+1854.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2534.56 грн
2+2311.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3 Infineon-IGW40N120H3-DS-v02_02-EN.pdf
IGW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.38 грн
10+250.17 грн
100+181.16 грн
480+154.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.31 грн
4+303.98 грн
9+287.40 грн
30+277.92 грн
90+276.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.38 грн
4+378.81 грн
9+344.88 грн
30+333.51 грн
90+331.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.13 грн
5+195.81 грн
14+184.76 грн
30+177.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.88 грн
2+326.66 грн
5+234.97 грн
14+221.71 грн
30+213.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon-IHW40N120R5-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.16 грн
10+201.36 грн
100+131.13 грн
480+116.73 грн
1200+100.05 грн
2640+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon-IKQ140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKQ140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.00 грн
10+588.38 грн
100+438.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon-IKQ40N120CH3-DS-v02_03-EN.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+628.74 грн
10+450.65 грн
100+326.69 грн
480+291.06 грн
1200+259.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon-IKQ40N120CT2-DS-v02_03-EN.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+693.30 грн
10+462.86 грн
100+335.78 грн
480+319.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon-IKW40N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a17ad12da3
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.22 грн
10+356.51 грн
100+250.13 грн
480+222.85 грн
1200+190.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.82 грн
4+260.55 грн
10+246.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.99 грн
4+324.69 грн
10+295.61 грн
120+284.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.69 грн
10+263.25 грн
100+194.04 грн
480+170.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.97 грн
10+294.63 грн
100+213.75 грн
480+189.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.50 грн
10+398.35 грн
100+280.45 грн
480+250.89 грн
2640+212.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+310.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4B1227AD871CC&compId=IKW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=f8b339f1e873d397d5d01461d09440706297c41f
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.56 грн
4+296.87 грн
9+280.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon-IKW40N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.36 грн
10+288.52 грн
100+230.42 грн
480+200.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.03 грн
10+398.35 грн
100+288.79 грн
480+257.71 грн
1200+228.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+452.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.92 грн
3+404.25 грн
7+382.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+757.10 грн
3+503.76 грн
7+458.58 грн
240+440.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.57 грн
10+325.13 грн
100+242.55 грн
480+219.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon-IKY140N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+989.54 грн
10+591.87 грн
100+440.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon-IKY40N120CH3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.87 грн
10+334.72 грн
100+244.83 грн
480+220.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon-IKY40N120CS6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKY40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.87 грн
10+339.95 грн
100+239.52 грн
480+216.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.44 грн
10+309.44 грн
100+225.88 грн
480+200.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a5233ca273fe
IKZA40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+567.72 грн
10+394.87 грн
100+286.52 грн
480+254.68 грн
1200+227.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120A2-Datasheet.PDF
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1388.36 грн
10+1095.69 грн
120+859.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1371.56 грн
10+1027.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH40N120C3D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1113.34 грн
10+849.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.09 грн
10+616.27 грн
500+514.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.46 грн
120+626.73 грн
510+534.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH40N120B3D1-Datasheet.PDF
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+953.28 грн
10+672.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYH40N120B4H1-Datasheet.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.24 грн
10+577.05 грн
120+429.77 грн
510+429.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH40N120C3-Datasheet.PDF
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+831.25 грн
10+543.92 грн
510+463.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYH40N120C4H1-Datasheet.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.36 грн
10+706.93 грн
120+532.10 грн
510+503.30 грн
1020+427.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyk140n120a4-datasheet.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3344.44 грн
10+2372.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyn140n120a4-datasheet.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4103.18 грн
10+3301.03 грн
100+2335.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D58F04A27BA0DF&compId=LGEGW40N120F.pdf?ci_sign=34bfd58e82610e625b2c324fae182c73a7102b29
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 134ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.75 грн
3+233.71 грн
6+183.18 грн
14+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D59C277ED4E0DF&compId=LGEGW40N120F2.pdf?ci_sign=73a03c89b6ff7695ebfee4df0daac1b77dc8736c
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 135ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.75 грн
3+233.71 грн
6+183.18 грн
14+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D5A343C32320DF&compId=LGEGW40N120TS.pdf?ci_sign=2515977ba6ffd0ff6662addc9640a15f1d6aaa84
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 121ns
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.75 грн
3+233.71 грн
6+183.18 грн
14+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA(TO-247AB).pdf
MIW40N120FLA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+882.54 грн
10+603.20 грн
100+416.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+656.43 грн
3+420.05 грн
7+397.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.71 грн
3+523.44 грн
7+476.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG 81EA9C1A987C7B3C0B6C54AD8B65AFB866A09DFC13C9612853020D648D05F0F2.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.98 грн
10+285.04 грн
120+181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.63 грн
10+544.80 грн
100+393.39 грн
500+366.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1-D.PDF
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1551.07 грн
10+1202.04 грн
100+1031.61 грн
500+964.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S-D.PDF
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1150.48 грн
10+676.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1-D.PDF
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1590.87 грн
10+1102.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S-D.PDF
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+837.44 грн
10+492.50 грн
120+402.49 грн
510+393.39 грн
1020+390.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1-D.PDF
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1537.81 грн
10+1087.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1369.79 грн
10+1145.38 грн
100+930.04 грн
500+828.47 грн
800+827.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1-D.PDF
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1871.19 грн
10+1548.96 грн
100+1284.77 грн
500+1165.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]