Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 126 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TLP2766A(TP4,E TLP2766A(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A_datasheet_en_20180522.pdf?did=61849&prodName=TLP2766A Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Current - Output / Channel: 10 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Supplier Device Package: 6-SO
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 20MBd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V (Max)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.25 грн
10+72.54 грн
100+54.73 грн
500+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2304(TPR,E TLP2304(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304_datasheet_en_20180904.pdf?did=63378&prodName=TLP2304 Description: OPTOISOLTR 3.75KV OPEN COLL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 550ns, 400ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 15 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2304(TPR,E TLP2304(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304_datasheet_en_20180904.pdf?did=63378&prodName=TLP2304 Description: OPTOISOLTR 3.75KV OPEN COLL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 550ns, 400ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 15 mA
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.53 грн
10+66.43 грн
100+49.79 грн
500+39.80 грн
1000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPR04GEA51F HDEPR04GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG04ACAxxxN_product-overview.pdf Description: 1TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 1TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10015.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPR03GEA51F HDEPR03GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG04ACAxxxN_product-overview.pdf Description: 2TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 2TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11006.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPR01GEA51F HDEPR01GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG04ACAxxxN_product-overview.pdf Description: 4TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 4TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16755.38 грн
10+14314.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV10GEA51F HDEPV10GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACA-Product-Manual.pdf Description: 10TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 10TB
Packaging: Bulk
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22604.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV11GEA51F HDEPV11GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf Description: 8TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 8TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV13GEA51F HDEPV13GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf Description: 6TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 6TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV20GEA51F HDEPV20GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACA-Product-Manual.pdf Description: 10TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Memory Size: 10TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24803.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV21GEA51F HDEPV21GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf Description: 8TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 8TB
Packaging: Bulk
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20938.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV23GEA51F HDEPV23GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf Description: 6TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 6TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPW11GEA51F HDEPW11GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG07ACA-Product_Overview_rev3s.pdf Description: 12TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28539.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPW10GEA51F HDEPW10GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG07ACA-Product_Overview_rev3s.pdf Description: 14TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29059.25 грн
10+25093.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPW21GEA51F HDEPW21GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG07ACA-Product_Overview_rev3s.pdf Description: 12TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 12TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29269.38 грн
20+25024.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPW20GEA51F HDEPW20GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage eHDD-MG07ACA-Product_Overview_rev3s.pdf Description: 14TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29059.25 грн
20+25093.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114Y,LM TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36687&prodName=TDTA114Y Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Resistors Included: R1 and R2
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114E,LM TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCS30DLU,LF TCS30DLU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: UFV
Current - Supply (Max): 1.3mA
Current - Output (Max): 5mA
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.12 грн
6000+3.66 грн
9000+3.30 грн
15000+3.05 грн
21000+3.04 грн
30000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF105,LM(CT TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17 Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF185,LM(CT TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF19,LM(CT TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19 Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27 Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275 Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG35,LF TCR3DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36247&prodName=TCR3DG35 Description: IC REG LINEAR 3.5V 300MA 4-WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG45,LF TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10,L3F TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM10 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5-DFNB
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
PSRR: 98dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LF MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU Description: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LF SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.65 грн
6000+2.28 грн
9000+1.80 грн
15000+1.68 грн
21000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.07 грн
6000+5.29 грн
9000+5.00 грн
15000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LF SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
6000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.08 грн
6000+7.07 грн
9000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11229&prodName=SSM3K35CT Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114Y,LM TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36687&prodName=TDTA114Y Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
48+6.41 грн
100+3.98 грн
500+2.71 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114E,LM TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCS30DLU,LF TCS30DLU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: UFV
Current - Supply (Max): 1.3mA
Current - Output (Max): 5mA
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
11+28.40 грн
25+24.46 грн
50+22.14 грн
100+18.86 грн
500+16.40 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LF SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=365&prodName=SSM6N44FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 13678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.41 грн
25+12.52 грн
100+7.82 грн
500+5.42 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
24+13.21 грн
100+8.25 грн
500+5.73 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF105,LM(CT TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
40+7.71 грн
46+6.78 грн
100+5.40 грн
250+4.94 грн
500+4.67 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17 Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF185,LM(CT TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF19,LM(CT TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19 Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
12+26.57 грн
25+23.24 грн
100+14.12 грн
250+11.69 грн
500+9.35 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27 Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275 Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG45,LF TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10,L3F TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM10 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5-DFNB
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
PSRR: 98dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
24+13.21 грн
27+11.70 грн
100+9.45 грн
250+8.71 грн
500+8.26 грн
1000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LF MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU Description: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.95 грн
10+36.80 грн
25+33.11 грн
100+26.58 грн
250+24.15 грн
500+22.55 грн
1000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LF SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 22546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
39+8.02 грн
100+4.96 грн
500+3.40 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.80 грн
100+10.54 грн
500+7.35 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LF SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
16+19.17 грн
100+9.67 грн
500+7.40 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.47 грн
15+21.69 грн
100+13.74 грн
500+9.67 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11229&prodName=SSM3K35CT Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 7682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.24 грн
29+10.61 грн
100+6.60 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
2000+3.56 грн
5000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
19+16.95 грн
100+8.55 грн
500+6.55 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17 Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F40,H3F CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2766A(TP4,E TLP2766A_datasheet_en_20180522.pdf?did=61849&prodName=TLP2766A
TLP2766A(TP4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Current - Output / Channel: 10 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 55ns, 55ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Supplier Device Package: 6-SO
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 20MBd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.8V (Max)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.25 грн
10+72.54 грн
100+54.73 грн
500+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2304(TPR,E TLP2304_datasheet_en_20180904.pdf?did=63378&prodName=TLP2304
TLP2304(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV OPEN COLL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 550ns, 400ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 15 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2304(TPR,E TLP2304_datasheet_en_20180904.pdf?did=63378&prodName=TLP2304
TLP2304(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV OPEN COLL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Data Rate: 1MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 550ns, 400ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 15 mA
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.53 грн
10+66.43 грн
100+49.79 грн
500+39.80 грн
1000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPR04GEA51F eHDD-MG04ACAxxxN_product-overview.pdf
HDEPR04GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 1TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10015.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPR03GEA51F eHDD-MG04ACAxxxN_product-overview.pdf
HDEPR03GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 2TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+11006.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPR01GEA51F eHDD-MG04ACAxxxN_product-overview.pdf
HDEPR01GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 4TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 4TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+16755.38 грн
10+14314.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV10GEA51F eHDD-MG06ACA-Product-Manual.pdf
HDEPV10GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 10TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 10TB
Packaging: Bulk
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+22604.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV11GEA51F eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf
HDEPV11GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 8TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV13GEA51F eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf
HDEPV13GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 6TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV20GEA51F eHDD-MG06ACA-Product-Manual.pdf
HDEPV20GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 10TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Memory Size: 10TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+24803.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV21GEA51F eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf
HDEPV21GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 8TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 8TB
Packaging: Bulk
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+20938.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPV23GEA51F eHDD-MG06ACAxxx-Product_Overview.pdf
HDEPV23GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6TB 3.5" SATAIII 5V-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 6TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPW11GEA51F eHDD-MG07ACA-Product_Overview_rev3s.pdf
HDEPW11GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 12TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+28539.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPW10GEA51F eHDD-MG07ACA-Product_Overview_rev3s.pdf
HDEPW10GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 14TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+29059.25 грн
10+25093.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPW21GEA51F eHDD-MG07ACA-Product_Overview_rev3s.pdf
HDEPW21GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 12TB 3.5" SATAIII 5-12V 7.2K RPM
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Size: 12TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+29269.38 грн
20+25024.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPW20GEA51F eHDD-MG07ACA-Product_Overview_rev3s.pdf
HDEPW20GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 14TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 14TB
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+29059.25 грн
20+25093.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114Y,LM docget.jsp?did=36687&prodName=TDTA114Y
TDTA114Y,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Resistors Included: R1 and R2
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114E,LM TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E
TDTC114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCS30DLU,LF TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU
TCS30DLU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: UFV
Current - Supply (Max): 1.3mA
Current - Output (Max): 5mA
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
SSM6P15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.12 грн
6000+3.66 грн
9000+3.30 грн
15000+3.05 грн
21000+3.04 грн
30000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF105,LM(CT
TCR3DF105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17
TCR3DF17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF185,LM(CT
TCR3DF185,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF19,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19
TCR3DF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF27,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF275,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG35,LF docget.jsp?did=36247&prodName=TCR3DG35
TCR3DG35,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.5V 300MA 4-WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.215V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG45,LF
TCR3DG45,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10,L3F docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM10
TCR5BM10,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5-DFNB
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
PSRR: 98dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LF MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU
MT3S111TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LF docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU
SSM3J09FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F
SSM3J15F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.65 грн
6000+2.28 грн
9000+1.80 грн
15000+1.68 грн
21000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R
SSM3J340R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.07 грн
6000+5.29 грн
9000+5.00 грн
15000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LF docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU
SSM3J36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.11 грн
6000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU
SSM6J412TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.08 грн
6000+7.07 грн
9000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F docget.jsp?did=11229&prodName=SSM3K35CT
SSM3K35CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU
SSM3K36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114Y,LM docget.jsp?did=36687&prodName=TDTA114Y
TDTA114Y,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.10 грн
48+6.41 грн
100+3.98 грн
500+2.71 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114E,LM TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E
TDTC114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCS30DLU,LF TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU
TCS30DLU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: UFV
Current - Supply (Max): 1.3mA
Current - Output (Max): 5mA
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.85 грн
11+28.40 грн
25+24.46 грн
50+22.14 грн
100+18.86 грн
500+16.40 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LF docget.jsp?did=365&prodName=SSM6N44FU
SSM6N44FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 13678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.41 грн
25+12.52 грн
100+7.82 грн
500+5.42 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
SSM6P15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.20 грн
24+13.21 грн
100+8.25 грн
500+5.73 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF105,LM(CT
TCR3DF105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.89 грн
40+7.71 грн
46+6.78 грн
100+5.40 грн
250+4.94 грн
500+4.67 грн
1000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17
TCR3DF17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF185,LM(CT
TCR3DF185,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF19,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19
TCR3DF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.27 грн
12+26.57 грн
25+23.24 грн
100+14.12 грн
250+11.69 грн
500+9.35 грн
1000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF27,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF275,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG45,LF
TCR3DG45,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10,L3F docget.jsp?did=63493&prodName=TCR5BM10
TCR5BM10,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5-DFNB
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
PSRR: 98dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
24+13.21 грн
27+11.70 грн
100+9.45 грн
250+8.71 грн
500+8.26 грн
1000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LF MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU
MT3S111TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+49.95 грн
10+36.80 грн
25+33.11 грн
100+26.58 грн
250+24.15 грн
500+22.55 грн
1000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LF docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU
SSM3J09FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F
SSM3J15F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: S-Mini
на замовлення 22546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.48 грн
39+8.02 грн
100+4.96 грн
500+3.40 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R
SSM3J340R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.75 грн
19+16.80 грн
100+10.54 грн
500+7.35 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LF docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU
SSM3J36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+28.55 грн
16+19.17 грн
100+9.67 грн
500+7.40 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU
SSM6J412TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.47 грн
15+21.69 грн
100+13.74 грн
500+9.67 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F docget.jsp?did=11229&prodName=SSM3K35CT
SSM3K35CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 7682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.24 грн
29+10.61 грн
100+6.60 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
2000+3.56 грн
5000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU
SSM3K36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.37 грн
19+16.95 грн
100+8.55 грн
500+6.55 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17
TCR3DF17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F40,H3F CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40
CUHS15F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.06 грн
6000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]