Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13584) > Сторінка 128 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SSM3K131TU,LF SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12385&prodName=SSM3K131TU Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
11+30.16 грн
100+19.84 грн
500+14.19 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LF SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6725&prodName=SSM3K48FU Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
13+24.59 грн
100+13.05 грн
500+8.06 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H90ATU,LF SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13824&prodName=SSM5H90ATU Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LF SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
15+20.92 грн
100+13.26 грн
500+9.34 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LF SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11044&prodName=SSM6K208FE Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.82 грн
13+25.12 грн
100+16.07 грн
500+11.41 грн
1000+10.23 грн
2000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LF SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10949&prodName=SSM6K407TU Description: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 56822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.13 грн
10+31.54 грн
50+23.06 грн
100+19.06 грн
500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS321,LF 1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3312&prodName=1SS321 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 50MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
на замовлення 30232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
26+11.76 грн
50+8.44 грн
100+6.89 грн
500+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS322(TE85L,F) 1SS322(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3314&prodName=1SS322 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
27+11.45 грн
50+8.22 грн
100+6.70 грн
500+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385,LF(CT 1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3364&prodName=1SS385 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.79 грн
23+13.67 грн
100+8.56 грн
500+5.94 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385FV,L3F 1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4395&prodName=1SS385FV Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MAVESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
32+9.62 грн
50+6.87 грн
100+5.60 грн
500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM105,L3F TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM105 Description: 800MA LDO VOUT1.05V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11,L3F TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM11 Description: 800MA LDO VOUT1.1V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS360,LJ(CT 1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3331&prodName=1SS360 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS360,LJ(CT 1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3331&prodName=1SS360 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
34+9.09 грн
50+6.47 грн
100+5.27 грн
500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9056FNG(O,EL) TB9056FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9056FNG_datasheet_en_20190415.pdf?did=64558&prodName=TB9056FNG Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Supplier Device Package: 24-SSOP
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9056FNG(O,EL) TB9056FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9056FNG_datasheet_en_20190415.pdf?did=64558&prodName=TB9056FNG Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Supplier Device Package: 24-SSOP
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B000AHG TB67B000AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000AHG_datasheet_en_20190530.pdf?did=66548&prodName=TB67B000AHG Description: BRUSHLESS MOTOR DRIVER, 600V, 2A
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Supplier Device Package: 30-HDIP
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Technology: IGBT
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -30°C ~ 115°C
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.80 грн
10+507.31 грн
25+483.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X TK3R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58713&prodName=TK3R3A06PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14537&prodName=TK49N65W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 24.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60593&prodName=TK3R2A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.24 грн
10+196.46 грн
50+152.77 грн
100+130.14 грн
500+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4X TK6R7A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60599&prodName=TK6R7A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.04 грн
10+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQ TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55524&prodName=TPN5R203PL Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.33 грн
6000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14529&prodName=TK28N65W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.51 грн
30+277.68 грн
60+252.95 грн
120+217.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1Q TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53829&prodName=TPH1R405PL Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4X TK7R4A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60497&prodName=TK7R4A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.30 грн
10+117.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R1A10PL,S4X TK4R1A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60610&prodName=TK4R1A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.20 грн
10+126.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.83 грн
6000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E10PL,S1X TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60605&prodName=TK110E10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.83 грн
10+80.02 грн
50+60.12 грн
100+50.38 грн
500+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58637&prodName=TK3R2E06PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F TK49N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14538&prodName=TK49N65W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 24.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60597&prodName=TK3R9E10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X TK5R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58508&prodName=TK5R3A06PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.38 грн
10+98.58 грн
50+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8047-H(T2L1,VM TPCA8047-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+69.94 грн
100+46.78 грн
500+34.59 грн
1000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQ TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55524&prodName=TPN5R203PL Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 19796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.88 грн
10+48.79 грн
100+32.06 грн
500+23.35 грн
1000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1Q TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53829&prodName=TPH1R405PL Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.21 грн
10+96.29 грн
100+65.07 грн
500+48.63 грн
1000+44.63 грн
2000+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8052-H(T2L1,VM TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8047-H(T2L1,VM TPCA8047-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8052-H(T2L1,VM TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651AFNG,EL TC78H651AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651AFNG_datasheet_en_20190131.pdf?did=64622&prodName=TC78H651AFNG Description: BRUSHED DC MOTOR DRIVER, DUAL-CH
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Load: 1.8V ~ 7.5V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651AFNG,EL TC78H651AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651AFNG_datasheet_en_20190131.pdf?did=64622&prodName=TC78H651AFNG Description: BRUSHED DC MOTOR DRIVER, DUAL-CH
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Load: 1.8V ~ 7.5V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.93 грн
10+84.91 грн
25+71.41 грн
100+52.63 грн
250+45.56 грн
500+41.20 грн
1000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4ASL,L3F DF2B5M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66263&prodName=DF2B5M4ASL Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.04 грн
20000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4ASL,L3F DF2B5M4ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66263&prodName=DF2B5M4ASL Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 24643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.59 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.22 грн
2000+4.65 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(F TLP785(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Output Type: Transistor
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP624-4(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250F(D4INV-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785F(D4BLT7,F TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785F Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP352F(D4-TP4,S) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TORX1850(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSCEIVING MODULE
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700AF(D4-TP,6) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250(D4-FA-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250HF(D4-TP4,F) TLP250HF(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H_datasheet_en_20151224.pdf?did=13872&prodName=TLP250H Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 5mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 40kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161J(T5TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627F-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250HF(F) TLP250HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H_datasheet_en_20151224.pdf?did=13872&prodName=TLP250H Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 5mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 40kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5701(LF4,E TLP5701(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20221208.pdf?did=15224 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Part Status: Active
Packaging: Tube
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 600mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+76.13 грн
125+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250(D4-TP5,NP,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF docget.jsp?did=12385&prodName=SSM3K131TU
SSM3K131TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.78 грн
11+30.16 грн
100+19.84 грн
500+14.19 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LF docget.jsp?did=6725&prodName=SSM3K48FU
SSM3K48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
13+24.59 грн
100+13.05 грн
500+8.06 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H90ATU,LF docget.jsp?did=13824&prodName=SSM5H90ATU
SSM5H90ATU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.89 грн
15+20.92 грн
100+13.26 грн
500+9.34 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LF docget.jsp?did=11044&prodName=SSM6K208FE
SSM6K208FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.82 грн
13+25.12 грн
100+16.07 грн
500+11.41 грн
1000+10.23 грн
2000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LF docget.jsp?did=10949&prodName=SSM6K407TU
SSM6K407TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU
SSM6P69NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 56822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.13 грн
10+31.54 грн
50+23.06 грн
100+19.06 грн
500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS321,LF docget.jsp?did=3312&prodName=1SS321
1SS321,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 50MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
на замовлення 30232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.62 грн
26+11.76 грн
50+8.44 грн
100+6.89 грн
500+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS322(TE85L,F) docget.jsp?did=3314&prodName=1SS322
1SS322(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.82 грн
27+11.45 грн
50+8.22 грн
100+6.70 грн
500+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385,LF(CT docget.jsp?did=3364&prodName=1SS385
1SS385,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.79 грн
23+13.67 грн
100+8.56 грн
500+5.94 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385FV,L3F docget.jsp?did=4395&prodName=1SS385FV
1SS385FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MAVESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.65 грн
32+9.62 грн
50+6.87 грн
100+5.60 грн
500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM105,L3F docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM105
TCR8BM105,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO VOUT1.05V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11,L3F docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM11
TCR8BM11,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO VOUT1.1V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS360,LJ(CT docget.jsp?did=3331&prodName=1SS360
1SS360,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS360,LJ(CT docget.jsp?did=3331&prodName=1SS360
1SS360,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
34+9.09 грн
50+6.47 грн
100+5.27 грн
500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9056FNG(O,EL) TB9056FNG_datasheet_en_20190415.pdf?did=64558&prodName=TB9056FNG
TB9056FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Supplier Device Package: 24-SSOP
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9056FNG(O,EL) TB9056FNG_datasheet_en_20190415.pdf?did=64558&prodName=TB9056FNG
TB9056FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Supplier Device Package: 24-SSOP
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B000AHG TB67B000AHG_datasheet_en_20190530.pdf?did=66548&prodName=TB67B000AHG
TB67B000AHG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHLESS MOTOR DRIVER, 600V, 2A
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Motor Type - Stepper: Multiphase
Supplier Device Package: 30-HDIP
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Technology: IGBT
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -30°C ~ 115°C
Interface: PWM
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Packaging: Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+582.80 грн
10+507.31 грн
25+483.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X docget.jsp?did=58713&prodName=TK3R3A06PL
TK3R3A06PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F docget.jsp?did=14537&prodName=TK49N65W5
TK49N65W5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 24.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X docget.jsp?did=60593&prodName=TK3R2A10PL
TK3R2A10PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.24 грн
10+196.46 грн
50+152.77 грн
100+130.14 грн
500+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4X docget.jsp?did=60599&prodName=TK6R7A10PL
TK6R7A10PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.04 грн
10+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQ docget.jsp?did=55524&prodName=TPN5R203PL
TPN5R203PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.33 грн
6000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F docget.jsp?did=14529&prodName=TK28N65W5
TK28N65W5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.51 грн
30+277.68 грн
60+252.95 грн
120+217.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1Q TPH1R405PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53829&prodName=TPH1R405PL
TPH1R405PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4X docget.jsp?did=60497&prodName=TK7R4A10PL
TK7R4A10PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.30 грн
10+117.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R1A10PL,S4X docget.jsp?did=60610&prodName=TK4R1A10PL
TK4R1A10PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.20 грн
10+126.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL
TPH2R003PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.83 грн
6000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E10PL,S1X docget.jsp?did=60605&prodName=TK110E10PL
TK110E10PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 5466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.83 грн
10+80.02 грн
50+60.12 грн
100+50.38 грн
500+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X docget.jsp?did=58637&prodName=TK3R2E06PL
TK3R2E06PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F docget.jsp?did=14538&prodName=TK49N65W
TK49N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 24.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X docget.jsp?did=60597&prodName=TK3R9E10PL
TK3R9E10PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X docget.jsp?did=58508&prodName=TK5R3A06PL
TK5R3A06PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.38 грн
10+98.58 грн
50+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8047-H(T2L1,VM
TPCA8047-H(T2L1,VM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL
TPH2R003PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.18 грн
10+69.94 грн
100+46.78 грн
500+34.59 грн
1000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQ docget.jsp?did=55524&prodName=TPN5R203PL
TPN5R203PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 19796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.88 грн
10+48.79 грн
100+32.06 грн
500+23.35 грн
1000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1Q TPH1R405PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53829&prodName=TPH1R405PL
TPH1R405PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.21 грн
10+96.29 грн
100+65.07 грн
500+48.63 грн
1000+44.63 грн
2000+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8052-H(T2L1,VM
TPCA8052-H(T2L1,VM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8047-H(T2L1,VM
TPCA8047-H(T2L1,VM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8052-H(T2L1,VM
TPCA8052-H(T2L1,VM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651AFNG,EL TC78H651AFNG_datasheet_en_20190131.pdf?did=64622&prodName=TC78H651AFNG
TC78H651AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHED DC MOTOR DRIVER, DUAL-CH
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Load: 1.8V ~ 7.5V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H651AFNG,EL TC78H651AFNG_datasheet_en_20190131.pdf?did=64622&prodName=TC78H651AFNG
TC78H651AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHED DC MOTOR DRIVER, DUAL-CH
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Load: 1.8V ~ 7.5V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.93 грн
10+84.91 грн
25+71.41 грн
100+52.63 грн
250+45.56 грн
500+41.20 грн
1000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4ASL,L3F docget.jsp?did=66263&prodName=DF2B5M4ASL
DF2B5M4ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.04 грн
20000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4ASL,L3F docget.jsp?did=66263&prodName=DF2B5M4ASL
DF2B5M4ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 15VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.15pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 24643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.99 грн
23+13.59 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.22 грн
2000+4.65 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250(LF5,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(F TLP785_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785
TLP785(F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Output Type: Transistor
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP624-4(BV,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250F(D4INV-T4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785F(D4BLT7,F docget.jsp?did=10569&prodName=TLP785F
TLP785F(D4BLT7,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP352F(D4-TP4,S)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TORX1850(MEIDEN,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVING MODULE
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP700AF(D4-TP,6)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250(D4-FA-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250(D4-TP4,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250HF(D4-TP4,F) TLP250H_datasheet_en_20151224.pdf?did=13872&prodName=TLP250H
TLP250HF(D4-TP4,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 5mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 40kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP161J(T5TL,U,C,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP627F-2(D4,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250HF(F) TLP250H_datasheet_en_20151224.pdf?did=13872&prodName=TLP250H
TLP250HF(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 5mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 40kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5701(LF4,E datasheet_en_20221208.pdf?did=15224
TLP5701(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Part Status: Active
Packaging: Tube
Current - Output High, Low: 400mA, 400mA
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 600mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.57V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Voltage - Output Supply: 10V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 350ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 500ns, 500ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 50ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.80 грн
10+76.13 грн
125+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP250(D4-TP5,NP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]