Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 127 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SSM3J36TU,LF SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
6000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
6000+7.28 грн
9000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114Y,LM TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36687&prodName=TDTA114Y Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
48+6.61 грн
100+4.10 грн
500+2.79 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114E,LM TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCS30DLU,LF TCS30DLU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.3mA
Supplier Device Package: UFV
Test Condition: 25°C
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.01 грн
11+29.25 грн
25+25.19 грн
50+22.80 грн
100+19.42 грн
500+16.89 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LF SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=365&prodName=SSM6N44FU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 14091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.50 грн
23+14.08 грн
100+8.81 грн
500+6.11 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
24+13.60 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF105,LM(CT TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.25 грн
40+7.94 грн
46+6.98 грн
100+5.56 грн
250+5.09 грн
500+4.81 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17 Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF185,LM(CT TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF19,LM(CT TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19 Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
12+27.36 грн
25+23.94 грн
100+14.55 грн
250+12.04 грн
500+9.63 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27 Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275 Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG45,LF TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10,L3F TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
11+28.62 грн
25+26.20 грн
100+18.31 грн
250+16.60 грн
500+13.73 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LF MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU Description: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
10+37.90 грн
25+34.10 грн
100+27.38 грн
250+24.88 грн
500+23.22 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LF SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 22546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.88 грн
39+8.26 грн
100+5.11 грн
500+3.50 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
19+17.30 грн
100+10.85 грн
500+7.57 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LF SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
16+19.74 грн
100+9.96 грн
500+7.62 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 14476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
15+22.33 грн
100+14.15 грн
500+9.96 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 32987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.68 грн
21+15.18 грн
100+7.42 грн
500+5.81 грн
1000+4.04 грн
2000+3.50 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
19+17.46 грн
100+8.81 грн
500+6.74 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17 Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F40,H3F CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.27 грн
6000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F40,H3F CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 12015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
16+20.13 грн
100+12.08 грн
500+10.50 грн
1000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LF RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1702 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705,LF RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.36 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LF(CT RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908 Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901,LF(CT RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2901 Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906FE,LF(CT RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907,LF(CT RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LF(CT RN2908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2908 Description: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LF(CT RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2909 Description: PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LF(CT RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LF(CT RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18854&prodName=RN2113 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.98 грн
6000+2.56 грн
9000+2.41 грн
15000+2.10 грн
21000+2.00 грн
30000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1362-GR,LF 2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19272&prodName=2SA1362 Description: TRANS PNP 15V 0.8A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4117-GR,LF 2SC4117-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19294&prodName=2SC4117 Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
6000+2.37 грн
9000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF 2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=768&prodName=2SC6100 Description: TRANS NPN 50V 2.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.36 грн
6000+9.56 грн
9000+8.60 грн
30000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6135,LF 2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6135_datasheet_en_20170731.pdf?did=22791&prodName=2SC6135 Description: TRANS NPN 50V 1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 6mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1713-GR,LF TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713 Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1713-Y,LF TTA1713-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713 Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
6000+3.35 грн
9000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S18U(TE85L,F) TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=764&prodName=TAR5S18U Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE125,LM(CT TCR2EE125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE125_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE125 Description: IC REG LINEAR 1.25V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE14,LM(CT TCR2EE14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE14_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE14 Description: IC REG LINEAR 1.4V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.42V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE17,LM(CT TCR2EE17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE17_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE17 Description: IC REG LINEAR 1.7V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.7V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 300mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE185,LM(CT TCR2EE185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE185_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE185 Description: IC REG LINEAR 1.85V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE20,LM(CT TCR2EE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE20_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE20 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE27,LM(CT TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE27 Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE275,LM(CT TCR2EE275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE275_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE275 Description: IC REG LINEAR 2.75V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.75V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE305,LM(CT TCR2EE305,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE305_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE305 Description: IC REG LINEAR 3.05V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.05V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE31,LM(CT TCR2EE31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE31_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE31 Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.1V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE32,LM(CT TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE32 Description: IC REG LINEAR 3.2V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE335,LM(CT TCR2EE335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE335_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE335 Description: IC REG LINEAR 3.35V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39 Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE40,LM(CT TCR2EE40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE40_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE40 Description: IC REG LINEAR 4V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE41,LM(CT TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE41 Description: IC REG LINEAR 4.1V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.1V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LF docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU
SSM3J36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.27 грн
6000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU
SSM6J412TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.32 грн
6000+7.28 грн
9000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F
SSM3K35CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU
SSM3K36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA114Y,LM docget.jsp?did=36687&prodName=TDTA114Y
TDTA114Y,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
48+6.61 грн
100+4.10 грн
500+2.79 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TDTC114E,LM TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E
TDTC114E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCS30DLU,LF TCS30DLU_datasheet_en_20170712.pdf?did=58705&prodName=TCS30DLU
TCS30DLU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.3mA
Supplier Device Package: UFV
Test Condition: 25°C
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.01 грн
11+29.25 грн
25+25.19 грн
50+22.80 грн
100+19.42 грн
500+16.89 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LF SSM6N44FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=365&prodName=SSM6N44FU
SSM6N44FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 14091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.50 грн
23+14.08 грн
100+8.81 грн
500+6.11 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LF docget.jsp?did=22743&prodName=SSM6P15FU
SSM6P15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.86 грн
24+13.60 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF105,LM(CT
TCR3DF105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.77V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.25 грн
40+7.94 грн
46+6.98 грн
100+5.56 грн
250+5.09 грн
500+4.81 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17
TCR3DF17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF185,LM(CT
TCR3DF185,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.85V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF19,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF19
TCR3DF19,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.9V DROPOUT=230M
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.38 грн
12+27.36 грн
25+23.94 грн
100+14.55 грн
250+12.04 грн
500+9.63 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF27,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF27
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.7V DROPOUT=230M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF275,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF275
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=2.75V DROPOUT=230
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG45,LF
TCR3DG45,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 125 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.185V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5BM10,L3F TCR5BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63493&prodName=TCR5BM10
TCR5BM10,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.135V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
11+28.62 грн
25+26.20 грн
100+18.31 грн
250+16.60 грн
500+13.73 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LF MT3S111TU_datasheet_en_20140926.pdf?did=22549&prodName=MT3S111TU
MT3S111TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.45 грн
10+37.90 грн
25+34.10 грн
100+27.38 грн
250+24.88 грн
500+23.22 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J09FU,LF docget.jsp?did=19575&prodName=SSM3J09FU
SSM3J09FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA USM
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15F,LF docget.jsp?did=22748&prodName=SSM3J15F
SSM3J15F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 22546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.88 грн
39+8.26 грн
100+5.11 грн
500+3.50 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R
SSM3J340R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
19+17.30 грн
100+10.85 грн
500+7.57 грн
1000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36TU,LF docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU
SSM3J36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
16+19.74 грн
100+9.96 грн
500+7.62 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF SSM6J412TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2403&prodName=SSM6J412TU
SSM6J412TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 14476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.56 грн
15+22.33 грн
100+14.15 грн
500+9.96 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CT,L3F
SSM3K35CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 3 V
на замовлення 32987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.68 грн
21+15.18 грн
100+7.42 грн
500+5.81 грн
1000+4.04 грн
2000+3.50 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K36TU,LF docget.jsp?did=11222&prodName=SSM3K36TU
SSM3K36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
19+17.46 грн
100+8.81 грн
500+6.74 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF17,LM(CT docget.jsp?did=14709&prodName=TCR3DF17
TCR3DF17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 300MA LDO VOUT=1.7V DROPOUT=230M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F40,H3F CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40
CUHS15F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.27 грн
6000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUHS15F40,H3F CUHS15F40_datasheet_en_20190925.pdf?did=63603&prodName=CUHS15F40
CUHS15F40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: US2H
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 12015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.95 грн
16+20.13 грн
100+12.08 грн
500+10.50 грн
1000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1702
RN1702,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705
RN1705,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.36 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LF(CT docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908
RN1908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901,LF(CT docget.jsp?did=18907&prodName=RN2901
RN2901,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906FE,LF(CT RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2906FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907,LF(CT RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907
RN2907,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LF(CT RN2908_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2908
RN2908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LF(CT RN2909_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2909
RN2909,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104
RN2104,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LF(CT docget.jsp?did=18854&prodName=RN2113
RN2113,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.98 грн
6000+2.56 грн
9000+2.41 грн
15000+2.10 грн
21000+2.00 грн
30000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1362-GR,LF docget.jsp?did=19272&prodName=2SA1362
2SA1362-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 15V 0.8A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4117-GR,LF docget.jsp?did=19294&prodName=2SC4117
2SC4117-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.75 грн
6000+2.37 грн
9000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF docget.jsp?did=768&prodName=2SC6100
2SC6100,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 2.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.36 грн
6000+9.56 грн
9000+8.60 грн
30000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6135,LF 2SC6135_datasheet_en_20170731.pdf?did=22791&prodName=2SC6135
2SC6135,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 1A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 6mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1713-GR,LF TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713
TTA1713-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1713-Y,LF TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713
TTA1713-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.88 грн
6000+3.35 грн
9000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S18U(TE85L,F) docget.jsp?did=764&prodName=TAR5S18U
TAR5S18U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE125,LM(CT TCR2EE125_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE125
TCR2EE125,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.25V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE14,LM(CT TCR2EE14_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE14
TCR2EE14,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.4V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.42V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE17,LM(CT TCR2EE17_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE17
TCR2EE17,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.7V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.7V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 300mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE185,LM(CT TCR2EE185_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE185
TCR2EE185,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.85V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.85V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE20,LM(CT TCR2EE20_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE20
TCR2EE20,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE27,LM(CT TCR2EE27_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE27
TCR2EE27,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.7V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE275,LM(CT TCR2EE275_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE275
TCR2EE275,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.75V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.75V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE305,LM(CT TCR2EE305_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE305
TCR2EE305,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.05V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.05V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE31,LM(CT TCR2EE31_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE31
TCR2EE31,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.1V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.1V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE32,LM(CT TCR2EE32_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE32
TCR2EE32,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.2V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE335,LM(CT TCR2EE335_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE335
TCR2EE335,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.35V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.35V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE39,LM(CT TCR2EE39_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE39
TCR2EE39,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.9V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.9V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE40,LM(CT TCR2EE40_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE40
TCR2EE40,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE41,LM(CT TCR2EE41_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE41
TCR2EE41,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.1V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.1V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]