Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 129 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCR2EF32,LM(CT TCR2EF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF32_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF32 Description: IC REG LINEAR 3.2V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF50,LM(CT TCR2EF50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF50_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF50 Description: IC REG LINEAR 5V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.35 грн
6000+3.12 грн
9000+3.06 грн
15000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE08,LM(CT TCR2LE08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE08 Description: 200MA LDO VOUT0.8V DROPOUT220MV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE105,LM(CT TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE105 Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE11,LM(CT TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA ESV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE13,LM(CT TCR2LE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE13 Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE21,LM(CT TCR2LE21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE21 Description: IC REG LINEAR 2.1V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF08,LM(CT TCR2LF08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF08 Description: IC REG LINEAR 0.8V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF085,LM(CT TCR2LF085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF085 Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF09,LM(CT TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF09 Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF095,LM(CT TCR2LF095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF095 Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF105,LM(CT TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19 Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF11,LM(CT TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF115,LM(CT TCR2LF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF115 Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF13,LM(CT TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF13 Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF21,LM(CT TCR2LF21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF21 Description: IC REG LINEAR 2.1V 200MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF28,LM(CT TCR2LF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF285,LM(CT TCR2LF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF285 Description: 200MA LDO VOUT2.85V DROPOUT220MV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF31,LM(CT TCR2LF31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF31 Description: 200MA LDO VOUT3.1V DROPOUT220MV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR4DG105,LF TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105_datasheet_en_20170512.pdf?did=57958&prodName=TCR4DG105 Description: IC REG LINEAR 1.05V 420MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 420mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.991V @ 420mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18A,LF TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58512&prodName=TCR5AM18A Description: 500MA LDO VOUT1.8V DROPOUT90MV I
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM10,L3F TCR8BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM10 Description: IC REG LINEAR 1V 800MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM105,L3F TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM105 Description: 800MA LDO VOUT1.05V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11,L3F TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM11 Description: 800MA LDO VOUT1.1V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM12,L3F TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM12 Description: IC REG LINEAR 1.2V 800MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.26V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6621&prodName=SSM3J135TU Description: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10022&prodName=SSM3K122TU Description: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
6000+6.17 грн
9000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11045&prodName=SSM3K127TU Description: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=12385&prodName=SSM3K131TU Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
6000+10.73 грн
9000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LF SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6725&prodName=SSM3K48FU Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
6000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H90ATU,LF SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13824&prodName=SSM5H90ATU Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LF SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LF SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11044&prodName=SSM6K208FE Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LF SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10949&prodName=SSM6K407TU Description: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
6000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS321,LF 1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS321_datasheet_en_20171026.pdf?did=3312&prodName=1SS321 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 50MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.76 грн
6000+2.52 грн
9000+2.51 грн
15000+2.34 грн
21000+2.26 грн
30000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS322(TE85L,F) 1SS322(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS322_datasheet_en_20150115.pdf?did=3314&prodName=1SS322 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385,LF(CT 1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3364&prodName=1SS385 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385FV,L3F 1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=4395&prodName=1SS385FV Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MAVESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LF RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.69 грн
23+13.72 грн
100+6.71 грн
500+5.25 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705,LF RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705 Description: NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 8673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
30+10.50 грн
100+6.53 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LF(CT RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908 Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901,LF(CT RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2901 Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906FE,LF(CT RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.12 грн
34+9.12 грн
100+5.64 грн
500+3.87 грн
1000+3.40 грн
2000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907,LF(CT RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907 Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LF(CT RN2908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2908 Description: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LF(CT RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2909 Description: PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LF RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18796&prodName=RN1418 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LF(CT RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.51 грн
23+13.64 грн
100+7.23 грн
500+4.47 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LF(CT RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18854&prodName=RN2113 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
30+10.50 грн
100+5.11 грн
500+4.00 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.35 грн
45+6.90 грн
100+4.59 грн
500+3.27 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1362-GR,LF 2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19272&prodName=2SA1362 Description: TRANS PNP 15V 0.8A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
21+14.94 грн
100+9.35 грн
500+6.50 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4117-GR,LF 2SC4117-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4117_datasheet_en_20210625.pdf?did=19294&prodName=2SC4117 Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.12 грн
36+8.74 грн
100+5.41 грн
500+3.70 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF 2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=768&prodName=2SC6100 Description: TRANS NPN 50V 2.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 42351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
11+27.97 грн
100+16.77 грн
500+14.57 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6135,LF 2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6135_datasheet_en_20170731.pdf?did=22791&prodName=2SC6135 Description: TRANS NPN 50V 1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 6mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
13+24.60 грн
100+14.78 грн
500+12.85 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1713-GR,LF TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713 Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
29+10.88 грн
100+6.77 грн
500+4.66 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1713-Y,LF TTA1713-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713 Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
29+10.88 грн
100+6.77 грн
500+4.66 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S18U(TE85L,F) TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=764&prodName=TAR5S18U Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
11+29.96 грн
25+28.02 грн
100+21.01 грн
250+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE125,LM(CT TCR2EE125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE125_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE125 Description: IC REG LINEAR 1.25V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
20+15.86 грн
25+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE14,LM(CT TCR2EE14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE14_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE14 Description: IC REG LINEAR 1.4V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.42V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF32,LM(CT TCR2EF32_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF32
TCR2EF32,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.2V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF50,LM(CT TCR2EF50_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF50
TCR2EF50,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.35 грн
6000+3.12 грн
9000+3.06 грн
15000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE08,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE08
TCR2LE08,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 200MA LDO VOUT0.8V DROPOUT220MV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE105,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE105
TCR2LE105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE11,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE11
TCR2LE11,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA ESV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE13,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE13
TCR2LE13,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE21,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE21
TCR2LE21,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.1V 200MA ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF08,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF08
TCR2LF08,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.8V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF085,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF085
TCR2LF085,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF09,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF09
TCR2LF09,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF095,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF095
TCR2LF095,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF105,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19
TCR2LF105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF11,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF11
TCR2LF11,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF115,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF115
TCR2LF115,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF13,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF13
TCR2LF13,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF21,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF21
TCR2LF21,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.1V 200MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF28,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF28
TCR2LF28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF285,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF285
TCR2LF285,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 200MA LDO VOUT2.85V DROPOUT220MV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF31,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF31
TCR2LF31,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 200MA LDO VOUT3.1V DROPOUT220MV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR4DG105,LF TCR4DG105_datasheet_en_20170512.pdf?did=57958&prodName=TCR4DG105
TCR4DG105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 420MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 420mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.991V @ 420mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18A,LF docget.jsp?did=58512&prodName=TCR5AM18A
TCR5AM18A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500MA LDO VOUT1.8V DROPOUT90MV I
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM10,L3F TCR8BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM10
TCR8BM10,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 800MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM105,L3F docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM105
TCR8BM105,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO VOUT1.05V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11,L3F docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM11
TCR8BM11,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO VOUT1.1V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM12,L3F TCR8BM12_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM12
TCR8BM12,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 800MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.26V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF docget.jsp?did=6621&prodName=SSM3J135TU
SSM3J135TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF docget.jsp?did=10022&prodName=SSM3K122TU
SSM3K122TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.98 грн
6000+6.17 грн
9000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF docget.jsp?did=11045&prodName=SSM3K127TU
SSM3K127TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF SSM3K131TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=12385&prodName=SSM3K131TU
SSM3K131TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.74 грн
6000+10.73 грн
9000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LF docget.jsp?did=6725&prodName=SSM3K48FU
SSM3K48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
6000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H90ATU,LF docget.jsp?did=13824&prodName=SSM5H90ATU
SSM5H90ATU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LF docget.jsp?did=11044&prodName=SSM6K208FE
SSM6K208FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LF docget.jsp?did=10949&prodName=SSM6K407TU
SSM6K407TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU
SSM6P69NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.24 грн
6000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS321,LF 1SS321_datasheet_en_20171026.pdf?did=3312&prodName=1SS321
1SS321,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 50MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.76 грн
6000+2.52 грн
9000+2.51 грн
15000+2.34 грн
21000+2.26 грн
30000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS322(TE85L,F) 1SS322_datasheet_en_20150115.pdf?did=3314&prodName=1SS322
1SS322(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385,LF(CT docget.jsp?did=3364&prodName=1SS385
1SS385,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385FV,L3F 1SS385FV_datasheet_en_20140301.pdf?did=4395&prodName=1SS385FV
1SS385FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MAVESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1702,LF
RN1702,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
23+13.72 грн
100+6.71 грн
500+5.25 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705,LF docget.jsp?did=18817&prodName=RN1705
RN1705,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 8673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
30+10.50 грн
100+6.53 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908,LF(CT docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908
RN1908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901,LF(CT docget.jsp?did=18907&prodName=RN2901
RN2901,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906FE,LF(CT RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2906FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
34+9.12 грн
100+5.64 грн
500+3.87 грн
1000+3.40 грн
2000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907,LF(CT RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907
RN2907,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908,LF(CT RN2908_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2908
RN2908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LF(CT RN2909_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2909
RN2909,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1418,LF docget.jsp?did=18796&prodName=RN1418
RN1418,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104
RN2104,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
23+13.64 грн
100+7.23 грн
500+4.47 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LF(CT docget.jsp?did=18854&prodName=RN2113
RN2113,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
30+10.50 грн
100+5.11 грн
500+4.00 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
45+6.90 грн
100+4.59 грн
500+3.27 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1362-GR,LF docget.jsp?did=19272&prodName=2SA1362
2SA1362-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 15V 0.8A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 7257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
21+14.94 грн
100+9.35 грн
500+6.50 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4117-GR,LF 2SC4117_datasheet_en_20210625.pdf?did=19294&prodName=2SC4117
2SC4117-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
36+8.74 грн
100+5.41 грн
500+3.70 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF docget.jsp?did=768&prodName=2SC6100
2SC6100,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 2.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 42351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
11+27.97 грн
100+16.77 грн
500+14.57 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6135,LF 2SC6135_datasheet_en_20170731.pdf?did=22791&prodName=2SC6135
2SC6135,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 1A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 6mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
13+24.60 грн
100+14.78 грн
500+12.85 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1713-GR,LF TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713
TTA1713-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
29+10.88 грн
100+6.77 грн
500+4.66 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1713-Y,LF TTA1713_datasheet_en_20180528.pdf?did=61218&prodName=TTA1713
TTA1713-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 45V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
29+10.88 грн
100+6.77 грн
500+4.66 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S18U(TE85L,F) docget.jsp?did=764&prodName=TAR5S18U
TAR5S18U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
11+29.96 грн
25+28.02 грн
100+21.01 грн
250+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE125,LM(CT TCR2EE125_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE125
TCR2EE125,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.25V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
20+15.86 грн
25+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE14,LM(CT TCR2EE14_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE14
TCR2EE14,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.4V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.4V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.42V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]