Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13513) > Сторінка 129 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCR2LE105,LM(CT TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE105 Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA ESV
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.72 грн
16+19.50 грн
25+17.08 грн
100+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE11,LM(CT TCR2LE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA ESV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE13,LM(CT TCR2LE13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE13 Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA ESV
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.11 грн
13+23.58 грн
25+20.64 грн
100+12.54 грн
250+10.38 грн
500+8.30 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE21,LM(CT TCR2LE21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE21 Description: IC REG LINEAR 2.1V 200MA ESV
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.57 грн
14+22.24 грн
25+19.49 грн
100+11.83 грн
250+9.79 грн
500+7.83 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF08,LM(CT TCR2LF08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF08 Description: IC REG LINEAR 0.8V 200MA SMV
на замовлення 5893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF085,LM(CT TCR2LF085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF085 Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA SMV
на замовлення 5893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.03 грн
14+21.58 грн
25+18.89 грн
100+11.47 грн
250+9.49 грн
500+7.59 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF09,LM(CT TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF09 Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA SMV
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF095,LM(CT TCR2LF095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF095 Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA SMV
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF105,LM(CT TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19 Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF11,LM(CT TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF11 Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF115,LM(CT TCR2LF115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF115 Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA SMV
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.26 грн
15+20.91 грн
25+18.36 грн
100+11.14 грн
250+9.22 грн
500+7.38 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF13,LM(CT TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF13 Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA SMV
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.57 грн
14+22.24 грн
25+19.52 грн
100+11.84 грн
250+9.80 грн
500+7.84 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF21,LM(CT TCR2LF21,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF21_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LF21 Description: IC REG LINEAR 2.1V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.1V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.56V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.24 грн
52+5.78 грн
59+5.07 грн
100+4.04 грн
250+3.68 грн
500+3.47 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF28,LM(CT TCR2LF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF28 Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA SMV
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.03 грн
14+21.58 грн
25+18.89 грн
100+11.47 грн
250+9.49 грн
500+7.59 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF285,LM(CT TCR2LF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF285 Description: 200MA LDO VOUT2.85V DROPOUT220MV
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF31,LM(CT TCR2LF31,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF31 Description: 200MA LDO VOUT3.1V DROPOUT220MV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR4DG105,LF TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105_datasheet_en_20170512.pdf?did=57958&prodName=TCR4DG105 Description: IC REG LINEAR 1.05V 420MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 420mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.991V @ 420mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18A,LF TCR5AM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58512&prodName=TCR5AM18A Description: 500MA LDO VOUT1.8V DROPOUT90MV I
на замовлення 9575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.88 грн
12+26.91 грн
25+24.62 грн
100+17.19 грн
250+15.58 грн
500+12.89 грн
1000+9.51 грн
2500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM10,L3F TCR8BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM10 Description: IC REG LINEAR 1V 800MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM105,L3F TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM105 Description: 800MA LDO VOUT1.05V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11,L3F TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM11 Description: 800MA LDO VOUT1.1V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM12,L3F TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM12 Description: IC REG LINEAR 1.2V 800MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.26V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.11 грн
11+27.06 грн
25+25.27 грн
100+18.98 грн
250+17.62 грн
500+14.91 грн
1000+11.33 грн
2500+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6621&prodName=SSM3J135TU Description: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10022&prodName=SSM3K122TU Description: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 12650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.64 грн
19+16.02 грн
100+10.78 грн
500+7.84 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11045&prodName=SSM3K127TU Description: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.42 грн
15+20.83 грн
100+13.43 грн
500+9.45 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12385&prodName=SSM3K131TU Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.43 грн
11+29.29 грн
100+19.26 грн
500+13.78 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LF SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6725&prodName=SSM3K48FU Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.03 грн
13+23.87 грн
100+12.67 грн
500+7.82 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H90ATU,LF SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13824&prodName=SSM5H90ATU Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LF SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.88 грн
15+20.32 грн
100+12.88 грн
500+9.07 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LF SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11044&prodName=SSM6K208FE Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.58 грн
13+24.39 грн
100+15.60 грн
500+11.08 грн
1000+9.93 грн
2000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LF SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10949&prodName=SSM6K407TU Description: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.12 грн
11+27.95 грн
100+17.97 грн
500+12.80 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1SS321,LF 1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3312&prodName=1SS321 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 50MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
на замовлення 38177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.09 грн
36+8.30 грн
100+6.18 грн
500+4.26 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
1SS322(TE85L,F) 1SS322(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3314&prodName=1SS322 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.86 грн
36+8.38 грн
100+5.98 грн
500+4.12 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385,LF(CT 1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3364&prodName=1SS385 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.10 грн
23+13.27 грн
100+8.31 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385FV,L3F 1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4395&prodName=1SS385FV Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MAVESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.32 грн
42+7.19 грн
100+5.10 грн
500+3.49 грн
1000+2.76 грн
2000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM105,L3F TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM105 Description: 800MA LDO VOUT1.05V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11,L3F TCR8BM11,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM11 Description: 800MA LDO VOUT1.1V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS360,LJ(CT 1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3331&prodName=1SS360 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS360,LJ(CT 1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3331&prodName=1SS360 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.01 грн
45+6.67 грн
100+4.87 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TB9056FNG(O,EL) TB9056FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9056FNG_datasheet_en_20190415.pdf?did=64558&prodName=TB9056FNG Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB9056FNG(O,EL) TB9056FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9056FNG_datasheet_en_20190415.pdf?did=64558&prodName=TB9056FNG Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B000AHG TB67B000AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000AHG_datasheet_en_20190530.pdf?did=66548&prodName=TB67B000AHG Description: BRUSHLESS MOTOR DRIVER, 600V, 2A
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 115°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.93 грн
10+492.62 грн
25+469.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X TK3R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58713&prodName=TK3R3A06PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14537&prodName=TK49N65W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 24.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.81 грн
30+500.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60593&prodName=TK3R2A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4X TK6R7A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60599&prodName=TK6R7A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQ TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55524&prodName=TPN5R203PL Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.83 грн
6000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14529&prodName=TK28N65W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1Q TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53829&prodName=TPH1R405PL Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4X TK7R4A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60497&prodName=TK7R4A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R1A10PL,S4X TK4R1A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60610&prodName=TK4R1A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.96 грн
6000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E10PL,S1X TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60605&prodName=TK110E10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 6622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.90 грн
50+66.03 грн
100+59.21 грн
500+44.33 грн
1000+40.71 грн
2000+37.67 грн
5000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58637&prodName=TK3R2E06PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F TK49N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14538&prodName=TK49N65W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 24.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.00 грн
30+544.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X TK3R9E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60597&prodName=TK3R9E10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X TK5R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58508&prodName=TK5R3A06PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8047-H(T2L1,VM TPCA8047-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.88 грн
10+67.92 грн
100+45.42 грн
500+33.59 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE105,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE105
TCR2LE105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA ESV
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.72 грн
16+19.50 грн
25+17.08 грн
100+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE11,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE11
TCR2LE11,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA ESV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE13,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE13
TCR2LE13,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA ESV
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.11 грн
13+23.58 грн
25+20.64 грн
100+12.54 грн
250+10.38 грн
500+8.30 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE21,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE21
TCR2LE21,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.1V 200MA ESV
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.57 грн
14+22.24 грн
25+19.49 грн
100+11.83 грн
250+9.79 грн
500+7.83 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF08,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF08
TCR2LF08,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.8V 200MA SMV
на замовлення 5893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF085,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF085
TCR2LF085,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.85V 200MA SMV
на замовлення 5893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.03 грн
14+21.58 грн
25+18.89 грн
100+11.47 грн
250+9.49 грн
500+7.59 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF09,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF09
TCR2LF09,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 200MA SMV
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF095,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF095
TCR2LF095,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.95V 200MA SMV
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF105,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF19
TCR2LF105,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF11,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF11
TCR2LF11,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 200MA SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF115,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF115
TCR2LF115,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.15V 200MA SMV
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.26 грн
15+20.91 грн
25+18.36 грн
100+11.14 грн
250+9.22 грн
500+7.38 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF13,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF13
TCR2LF13,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA SMV
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.57 грн
14+22.24 грн
25+19.52 грн
100+11.84 грн
250+9.80 грн
500+7.84 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF21,LM(CT TCR2LF21_datasheet_en_20141106.pdf?did=28807&prodName=TCR2LF21
TCR2LF21,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.1V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.1V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.56V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.24 грн
52+5.78 грн
59+5.07 грн
100+4.04 грн
250+3.68 грн
500+3.47 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF28,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF28
TCR2LF28,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 200MA SMV
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.03 грн
14+21.58 грн
25+18.89 грн
100+11.47 грн
250+9.49 грн
500+7.59 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF285,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF285
TCR2LF285,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 200MA LDO VOUT2.85V DROPOUT220MV
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF31,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LF31
TCR2LF31,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 200MA LDO VOUT3.1V DROPOUT220MV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR4DG105,LF TCR4DG105_datasheet_en_20170512.pdf?did=57958&prodName=TCR4DG105
TCR4DG105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 420MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 420mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.05V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.991V @ 420mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM18A,LF docget.jsp?did=58512&prodName=TCR5AM18A
TCR5AM18A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 500MA LDO VOUT1.8V DROPOUT90MV I
на замовлення 9575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.88 грн
12+26.91 грн
25+24.62 грн
100+17.19 грн
250+15.58 грн
500+12.89 грн
1000+9.51 грн
2500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM10,L3F TCR8BM10_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM10
TCR8BM10,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 800MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Current Limit, Enable
Part Status: Active
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM105,L3F docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM105
TCR8BM105,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO VOUT1.05V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11,L3F docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM11
TCR8BM11,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO VOUT1.1V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM12,L3F TCR8BM12_datasheet_en_20220902.pdf?did=63495&prodName=TCR8BM12
TCR8BM12,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 800MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 800mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 98dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.26V @ 800mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.11 грн
11+27.06 грн
25+25.27 грн
100+18.98 грн
250+17.62 грн
500+14.91 грн
1000+11.33 грн
2500+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J135TU,LF docget.jsp?did=6621&prodName=SSM3J135TU
SSM3J135TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3A UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K122TU,LF docget.jsp?did=10022&prodName=SSM3K122TU
SSM3K122TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 12650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.64 грн
19+16.02 грн
100+10.78 грн
500+7.84 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K127TU,LF docget.jsp?did=11045&prodName=SSM3K127TU
SSM3K127TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.42 грн
15+20.83 грн
100+13.43 грн
500+9.45 грн
1000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K131TU,LF docget.jsp?did=12385&prodName=SSM3K131TU
SSM3K131TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 12250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.43 грн
11+29.29 грн
100+19.26 грн
500+13.78 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K48FU,LF docget.jsp?did=6725&prodName=SSM3K48FU
SSM3K48FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
на замовлення 14961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.03 грн
13+23.87 грн
100+12.67 грн
500+7.82 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5H90ATU,LF docget.jsp?did=13824&prodName=SSM5H90ATU
SSM5H90ATU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LF SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU
SSM6J422TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.88 грн
15+20.32 грн
100+12.88 грн
500+9.07 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K208FE,LF docget.jsp?did=11044&prodName=SSM6K208FE
SSM6K208FE,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.58 грн
13+24.39 грн
100+15.60 грн
500+11.08 грн
1000+9.93 грн
2000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K407TU,LF docget.jsp?did=10949&prodName=SSM6K407TU
SSM6K407TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A UF6
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P69NU,LF docget.jsp?did=61140&prodName=SSM6P69NU
SSM6P69NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.12 грн
11+27.95 грн
100+17.97 грн
500+12.80 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1SS321,LF docget.jsp?did=3312&prodName=1SS321
1SS321,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 50MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 10 V
на замовлення 38177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.09 грн
36+8.30 грн
100+6.18 грн
500+4.26 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
1SS322(TE85L,F) docget.jsp?did=3314&prodName=1SS322
1SS322(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+13.86 грн
36+8.38 грн
100+5.98 грн
500+4.12 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385,LF(CT docget.jsp?did=3364&prodName=1SS385
1SS385,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.10 грн
23+13.27 грн
100+8.31 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1SS385FV,L3F docget.jsp?did=4395&prodName=1SS385FV
1SS385FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MAVESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VESM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.32 грн
42+7.19 грн
100+5.10 грн
500+3.49 грн
1000+2.76 грн
2000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM105,L3F docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM105
TCR8BM105,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO VOUT1.05V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR8BM11,L3F docget.jsp?did=63495&prodName=TCR8BM11
TCR8BM11,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 800MA LDO VOUT1.1V DROPOUT170MV
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS360,LJ(CT docget.jsp?did=3331&prodName=1SS360
1SS360,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS360,LJ(CT docget.jsp?did=3331&prodName=1SS360
1SS360,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.01 грн
45+6.67 грн
100+4.87 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TB9056FNG(O,EL) TB9056FNG_datasheet_en_20190415.pdf?did=64558&prodName=TB9056FNG
TB9056FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB9056FNG(O,EL) TB9056FNG_datasheet_en_20190415.pdf?did=64558&prodName=TB9056FNG
TB9056FNG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67B000AHG TB67B000AHG_datasheet_en_20190530.pdf?did=66548&prodName=TB67B000AHG
TB67B000AHG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHLESS MOTOR DRIVER, 600V, 2A
Packaging: Tube
Package / Case: 30-PowerDIP Module
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -30°C ~ 115°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Voltage - Load: 50V ~ 450V
Supplier Device Package: 30-HDIP
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.93 грн
10+492.62 грн
25+469.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R3A06PL,S4X docget.jsp?did=58713&prodName=TK3R3A06PL
TK3R3A06PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W5,S1F docget.jsp?did=14537&prodName=TK49N65W5
TK49N65W5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 24.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+917.81 грн
30+500.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2A10PL,S4X docget.jsp?did=60593&prodName=TK3R2A10PL
TK3R2A10PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4X docget.jsp?did=60599&prodName=TK6R7A10PL
TK6R7A10PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN5R203PL,LQ docget.jsp?did=55524&prodName=TPN5R203PL
TPN5R203PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.83 грн
6000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F docget.jsp?did=14529&prodName=TK28N65W5
TK28N65W5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R405PL,L1Q TPH1R405PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=53829&prodName=TPH1R405PL
TPH1R405PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7R4A10PL,S4X docget.jsp?did=60497&prodName=TK7R4A10PL
TK7R4A10PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R1A10PL,S4X docget.jsp?did=60610&prodName=TK4R1A10PL
TK4R1A10PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL
TPH2R003PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.96 грн
6000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E10PL,S1X docget.jsp?did=60605&prodName=TK110E10PL
TK110E10PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 6622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.90 грн
50+66.03 грн
100+59.21 грн
500+44.33 грн
1000+40.71 грн
2000+37.67 грн
5000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X docget.jsp?did=58637&prodName=TK3R2E06PL
TK3R2E06PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK49N65W,S1F docget.jsp?did=14538&prodName=TK49N65W
TK49N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 24.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.00 грн
30+544.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R9E10PL,S1X docget.jsp?did=60597&prodName=TK3R9E10PL
TK3R9E10PL,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R3A06PL,S4X docget.jsp?did=58508&prodName=TK5R3A06PL
TK5R3A06PL,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 30 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8047-H(T2L1,VM
TPCA8047-H(T2L1,VM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL
TPH2R003PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.88 грн
10+67.92 грн
100+45.42 грн
500+33.59 грн
1000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]