Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 141 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TA76432S(F,M) TA76432S(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432FT%2CFC%2CF%2CFR%2CS.pdf Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S(T6MURATFM TA76432S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76432FT,FC,F,FR,S.pdf Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S(TE6,F,M) TA76432S(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432FT%2CFC%2CF%2CFR%2CS.pdf Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,F(J TA76432S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432FT%2CFC%2CF%2CFR%2CS.pdf Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,T6F(J TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432FT,FC,F,FR,S.pdf Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,T6MURAF(J TA76432S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432FT%2CFC%2CF%2CFR%2CS.pdf Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,T6WNLF(J TA76432S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432FT,FC,F,FR,S.pdf Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,WNLF(J TA76432S,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432FT,FC,F,FR,S.pdf Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S(T6SOY,AQ TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431FT%2CS.pdf Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S(T6SOY,QM TA76L431S(T6SOY,QM Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431FT%2CS.pdf Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S,Q(J TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431FT%2CS.pdf Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S,T6Q(J TA76L431S,T6Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431FT%2CS.pdf Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S,T6Q(M TA76L431S,T6Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431FT,S.pdf Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LSTM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 24V DIP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG10,LF TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36247&prodName=TCR3DG10 Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4-WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.75V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG10,LF TCR3DG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36247&prodName=TCR3DG10 Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4-WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.75V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
28+10.82 грн
32+9.55 грн
100+7.65 грн
250+7.04 грн
500+6.67 грн
1000+6.26 грн
2500+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20200703.pdf?did=69235 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2426(TE85L,F) RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18885&prodName=RN2426 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2426(TE85L,F) RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18885&prodName=RN2426 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30818&prodName=TPH1R306PL Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30818&prodName=TPH1R306PL Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.30 грн
10+137.00 грн
100+94.72 грн
500+71.93 грн
1000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113TU,LF MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113TU,LF MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
10+40.07 грн
25+36.18 грн
100+29.69 грн
250+26.06 грн
500+23.03 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113P(TE12L,F) MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P_datasheet_en_20140301.pdf?did=2071&prodName=MT3S113P Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113P(TE12L,F) MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P_datasheet_en_20140301.pdf?did=2071&prodName=MT3S113P Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC4116FU,LF TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4359&prodName=TTC4116FU Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC4116FU,LF TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4359&prodName=TTC4116FU Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
22+13.58 грн
100+7.18 грн
500+4.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3406SRL(TP,E TLP3406SRL(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRL_Prelim_DS.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3406SRL(TP,E TLP3406SRL(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRL_Prelim_DS.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3406SRH(TP,E TLP3406SRH(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRH_Prelim_DS.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+234.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3406SRH(TP,E TLP3406SRH(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRH_Prelim_DS.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.27 грн
10+338.78 грн
100+273.70 грн
500+230.18 грн
1000+227.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2355(E TLP2355(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355_datasheet_en_20191119.pdf?did=11905&prodName=TLP2355 Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+49.62 грн
125+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q TPN2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55425&prodName=TPN2R903PL Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.77 грн
10000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q TPN2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55425&prodName=TPN2R903PL Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 24105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+48.88 грн
100+32.18 грн
500+23.46 грн
1000+21.29 грн
2000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8A65F,S1Q TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20200928.pdf?did=55567 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65F,S1Q TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53519&prodName=TRS8E65F Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPX10GEA51F HDEPX10GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 16TB SATA NEARLINE 512E
Packaging: Bulk
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+54065.31 грн
10+49257.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ABF032 MQ01ABF032 Toshiba Semiconductor and Storage Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 5.4RPM
Part Status: Active
Form Factor: 2.5"
Voltage - Supply: 5V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Type: SATA III
Memory Size: 320GB
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Packaging: Bulk
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4689.74 грн
10+4092.80 грн
25+3951.71 грн
50+3576.07 грн
100+3523.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ07FU,LJ(CT TC7SZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54757&prodName=TC7SZ07FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.76 грн
6000+3.23 грн
9000+3.03 грн
15000+2.63 грн
21000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ07FU,LJ(CT TC7SZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54757&prodName=TC7SZ07FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 24103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.49 грн
32+9.37 грн
100+6.52 грн
250+5.40 грн
500+4.71 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS516,L3F BAS516,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55427&prodName=BAS516 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS516,L3F BAS516,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55427&prodName=BAS516 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LF(CT RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LF(CT RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
28+10.97 грн
100+5.34 грн
500+4.18 грн
1000+2.91 грн
2000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LF(CT RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911 Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LF(CT RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911 Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LF(CT RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LF(CT RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
44+6.94 грн
100+4.65 грн
500+3.32 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707,LF RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18819&prodName=RN1707 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707,LF RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18819&prodName=RN1707 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.93 грн
500+4.09 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711,LF RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18821&prodName=RN1711 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711,LF RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18821&prodName=RN1711 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.93 грн
500+4.09 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18900&prodName=RN2702 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18900&prodName=RN2702 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.93 грн
500+4.09 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708,LF RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18903&prodName=RN2708 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708,LF RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18903&prodName=RN2708 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
30+10.07 грн
100+6.24 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2714,LF RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714_datasheet_en_20191030.pdf?did=6018&prodName=RN2714 Description: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2714,LF RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714_datasheet_en_20191030.pdf?did=6018&prodName=RN2714 Description: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CT RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CT RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
25+12.24 грн
100+6.66 грн
500+3.85 грн
1000+2.62 грн
2000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S(F,M) TA76432FT%2CFC%2CF%2CFR%2CS.pdf
TA76432S(F,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S(T6MURATFM TA76432FT,FC,F,FR,S.pdf
TA76432S(T6MURATFM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S(TE6,F,M) TA76432FT%2CFC%2CF%2CFR%2CS.pdf
TA76432S(TE6,F,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,F(J TA76432FT%2CFC%2CF%2CFR%2CS.pdf
TA76432S,F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,T6F(J TA76432FT,FC,F,FR,S.pdf
TA76432S,T6F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,T6MURAF(J TA76432FT%2CFC%2CF%2CFR%2CS.pdf
TA76432S,T6MURAF(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,T6WNLF(J TA76432FT,FC,F,FR,S.pdf
TA76432S,T6WNLF(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76432S,WNLF(J TA76432FT,FC,F,FR,S.pdf
TA76432S,WNLF(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 15MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S(T6SOY,AQ TA76L431FT%2CS.pdf
TA76L431S(T6SOY,AQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S(T6SOY,QM TA76L431FT%2CS.pdf
TA76L431S(T6SOY,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S,Q(J TA76L431FT%2CS.pdf
TA76L431S,Q(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S,T6Q(J TA76L431FT%2CS.pdf
TA76L431S,T6Q(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Supplier Device Package: LSTM
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA76L431S,T6Q(M TA76L431FT,S.pdf
TA76L431S,T6Q(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC VREF 0.5MA LSTM
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LSTM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIA78L24BP
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 24V DIP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG10,LF docget.jsp?did=36247&prodName=TCR3DG10
TCR3DG10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4-WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.75V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DG10,LF docget.jsp?did=36247&prodName=TCR3DG10
TCR3DG10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4-WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.75V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
28+10.82 грн
32+9.55 грн
100+7.65 грн
250+7.04 грн
500+6.67 грн
1000+6.26 грн
2500+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS16N65FB,S1Q datasheet_en_20200703.pdf?did=69235
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2426(TE85L,F) docget.jsp?did=18885&prodName=RN2426
RN2426(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2426(TE85L,F) docget.jsp?did=18885&prodName=RN2426
RN2426(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q TPH1R306PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30818&prodName=TPH1R306PL
TPH1R306PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL,L1Q TPH1R306PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30818&prodName=TPH1R306PL
TPH1R306PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.30 грн
10+137.00 грн
100+94.72 грн
500+71.93 грн
1000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113TU,LF MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU
MT3S113TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113TU,LF MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU
MT3S113TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.27 грн
10+40.07 грн
25+36.18 грн
100+29.69 грн
250+26.06 грн
500+23.03 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113P(TE12L,F) MT3S113P_datasheet_en_20140301.pdf?did=2071&prodName=MT3S113P
MT3S113P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113P(TE12L,F) MT3S113P_datasheet_en_20140301.pdf?did=2071&prodName=MT3S113P
MT3S113P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC4116FU,LF docget.jsp?did=4359&prodName=TTC4116FU
TTC4116FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC4116FU,LF docget.jsp?did=4359&prodName=TTC4116FU
TTC4116FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.82 грн
22+13.58 грн
100+7.18 грн
500+4.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3406SRL(TP,E TLP3406SRL_Prelim_DS.pdf
TLP3406SRL(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3406SRL(TP,E TLP3406SRL_Prelim_DS.pdf
TLP3406SRL(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3406SRH(TP,E TLP3406SRH_Prelim_DS.pdf
TLP3406SRH(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+234.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3406SRH(TP,E TLP3406SRH_Prelim_DS.pdf
TLP3406SRH(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+467.27 грн
10+338.78 грн
100+273.70 грн
500+230.18 грн
1000+227.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2355(E TLP2355_datasheet_en_20191119.pdf?did=11905&prodName=TLP2355
TLP2355(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.62 грн
10+49.62 грн
125+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q docget.jsp?did=55425&prodName=TPN2R903PL
TPN2R903PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+18.77 грн
10000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R903PL,L1Q docget.jsp?did=55425&prodName=TPN2R903PL
TPN2R903PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 24105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.37 грн
10+48.88 грн
100+32.18 грн
500+23.46 грн
1000+21.29 грн
2000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8A65F,S1Q datasheet_en_20200928.pdf?did=55567
TRS8A65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS8E65F,S1Q TRS8E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53519&prodName=TRS8E65F
TRS8E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HDEPX10GEA51F
HDEPX10GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16TB SATA NEARLINE 512E
Packaging: Bulk
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+54065.31 грн
10+49257.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MQ01ABF032
MQ01ABF032
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 5.4RPM
Part Status: Active
Form Factor: 2.5"
Voltage - Supply: 5V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Type: SATA III
Memory Size: 320GB
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Packaging: Bulk
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4689.74 грн
10+4092.80 грн
25+3951.71 грн
50+3576.07 грн
100+3523.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ07FU,LJ(CT TC7SZ07FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54757&prodName=TC7SZ07FU
TC7SZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.76 грн
6000+3.23 грн
9000+3.03 грн
15000+2.63 грн
21000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ07FU,LJ(CT TC7SZ07FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54757&prodName=TC7SZ07FU
TC7SZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 24103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.15 грн
26+11.49 грн
32+9.37 грн
100+6.52 грн
250+5.40 грн
500+4.71 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS516,L3F docget.jsp?did=55427&prodName=BAS516
BAS516,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS516,L3F docget.jsp?did=55427&prodName=BAS516
BAS516,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
28+10.97 грн
100+5.34 грн
500+4.18 грн
1000+2.91 грн
2000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LF(CT docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911
RN1911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.81 грн
6000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LF(CT docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911
RN1911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4908,LF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.85 грн
44+6.94 грн
100+4.65 грн
500+3.32 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707,LF docget.jsp?did=18819&prodName=RN1707
RN1707,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1707,LF docget.jsp?did=18819&prodName=RN1707
RN1707,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.93 грн
500+4.09 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711,LF docget.jsp?did=18821&prodName=RN1711
RN1711,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711,LF docget.jsp?did=18821&prodName=RN1711
RN1711,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.93 грн
500+4.09 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF docget.jsp?did=18900&prodName=RN2702
RN2702,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2702,LF docget.jsp?did=18900&prodName=RN2702
RN2702,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.93 грн
500+4.09 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708,LF docget.jsp?did=18903&prodName=RN2708
RN2708,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708,LF docget.jsp?did=18903&prodName=RN2708
RN2708,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.05 грн
30+10.07 грн
100+6.24 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2714,LF RN2714_datasheet_en_20191030.pdf?did=6018&prodName=RN2714
RN2714,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2714,LF RN2714_datasheet_en_20191030.pdf?did=6018&prodName=RN2714
RN2714,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
25+12.24 грн
100+6.66 грн
500+3.85 грн
1000+2.62 грн
2000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]