Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 144 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TCR3RM10A,LF TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4DFNC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
PSRR: 100dB (1kHz)
Part Status: Obsolete
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM10A,LF TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4DFNC
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
PSRR: 100dB (1kHz)
Part Status: Obsolete
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60465&prodName=SSM6N68NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60465&prodName=SSM6N68NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
12+27.32 грн
100+17.46 грн
500+12.39 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65FB,S1Q TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20200703.pdf?did=69237 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.69 грн
30+229.28 грн
60+208.16 грн
120+178.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF25,LM(CT TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 2.5V 300MA SMV
Current - Supply (Max): 78 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF25,LM(CT TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 2.5V 300MA SMV
Current - Supply (Max): 78 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
39+7.77 грн
45+6.85 грн
100+5.45 грн
250+4.99 грн
500+4.71 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9058FNG,EL TB9058FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9058FNG_datasheet_en_20190222.pdf?did=65358&prodName=TB9058FNG Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 0.5V ~ 12V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9058FNG,EL TB9058FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9058FNG_datasheet_en_20190222.pdf?did=65358&prodName=TB9058FNG Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 0.5V ~ 12V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.51 грн
10+369.77 грн
25+342.34 грн
100+292.95 грн
250+284.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S101FU(TE85L,F TC75S101FU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11316&prodName=TC75S101F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66028&prodName=TRS12A65F Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,L3F 1SV305,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2830&prodName=1SV305 Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Capacitance Ratio: 3.0
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.10 грн
16000+4.48 грн
24000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,L3F 1SV305,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2830&prodName=1SV305 Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance Ratio: 3.0
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
на замовлення 28580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.30 грн
100+10.21 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2372(V4-TPL,E TLP2372(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372 Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2372(V4-TPL,E TLP2372(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372 Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+84.31 грн
100+63.93 грн
500+51.53 грн
1000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9164FT 74VHC9164FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15655&prodName=74VHC9164FT Description: X34 PB-F 8-BIT SHIFT REGISTER (P
Number of Bits per Element: 8
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Shift Register
Function: Universal
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9164FT 74VHC9164FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15655&prodName=74VHC9164FT Description: X34 PB-F 8-BIT SHIFT REGISTER (P
Number of Bits per Element: 8
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Shift Register
Function: Universal
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
13+24.30 грн
25+19.96 грн
100+14.12 грн
250+11.85 грн
500+10.45 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQ TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=60946&prodName=TPH1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQ TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=60946&prodName=TPH1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+101.44 грн
100+69.24 грн
500+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.72 грн
100+58.71 грн
500+43.85 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65FB,S1F(S TRS20N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(BL-TPR,E TLP183(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 6-SOP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP750(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4ADGBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781%28F%29.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3320(TP15,F TLP3320(TP15,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3320_datasheet_en_20230620.pdf?did=14605&prodName=TLP3320 Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 100 mA
Approval Agency: UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-USOP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 14 Ohms
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+149.81 грн
3000+139.31 грн
4500+136.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3320(TP15,F TLP3320(TP15,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3320_datasheet_en_20230620.pdf?did=14605&prodName=TLP3320 Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 100 mA
Approval Agency: UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-USOP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 14 Ohms
на замовлення 20773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+185.68 грн
25+177.28 грн
50+160.69 грн
100+155.18 грн
250+148.19 грн
500+140.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65F,S1Q TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65FProductNewsen20171101.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
50+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65F,S1Q TRS3E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65FProductNewsen20171101.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65F,S1Q TRS4E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20180627.pdf?did=53515 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65F,S1Q TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53517&prodName=TRS6E65F Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65F,S1Q TRS10E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53513&prodName=TRS10E65F Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65F,S1Q TRS12E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785F(Y-LF7,F TLP785F(Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785F Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08FU,LJ(CT TC7SH08FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
6000+2.63 грн
9000+2.58 грн
15000+2.37 грн
21000+2.34 грн
30000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08FU,LJ(CT TC7SH08FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 34005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
62+4.91 грн
71+4.29 грн
100+3.39 грн
250+3.09 грн
500+2.90 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08F,LF TC7S08F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08F Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
6000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08F,LF TC7S08F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08F Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
40+7.62 грн
46+6.67 грн
100+5.32 грн
250+4.87 грн
500+4.60 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFF SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage catalog20200115.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFF SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage catalog20200115.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R104PB,L1XHQ TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=62007&prodName=TPW1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R104PB,L1XHQ TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=62007&prodName=TPW1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+75.03 грн
100+59.11 грн
500+48.45 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR7904PB,L1XHQ TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62009&prodName=TPWR7904PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR7904PB,L1XHQ TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62009&prodName=TPWR7904PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
10+124.39 грн
100+85.56 грн
500+64.69 грн
1000+59.68 грн
2000+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60461&prodName=SSM6N67NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60461&prodName=SSM6N67NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 37236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.61 грн
50+20.88 грн
100+17.23 грн
500+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F) SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19758&prodName=SSM6N17FU Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F) SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19758&prodName=SSM6N17FU Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.30 грн
100+10.27 грн
500+7.18 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
6000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
16+19.40 грн
100+11.62 грн
500+10.09 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22360&prodName=SSM6N24TU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22360&prodName=SSM6N24TU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
13+24.00 грн
100+14.42 грн
500+12.53 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4A65F,S1Q TRS4A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15592&prodName=TB9052FNG Description: AUTOMOTIVE H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15592&prodName=TB9052FNG Description: AUTOMOTIVE H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FNG,EL TC78H660FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FNG_datasheet_en_20200908.pdf?did=69605&prodName=TC78H660FNG Description: 2CH BRUSHED MOTOR DRIVER 18V/2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM10A,LF TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A
TCR3RM10A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4DFNC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
PSRR: 100dB (1kHz)
Part Status: Obsolete
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM10A,LF TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A
TCR3RM10A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4DFNC
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
PSRR: 100dB (1kHz)
Part Status: Obsolete
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF docget.jsp?did=60465&prodName=SSM6N68NU
SSM6N68NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF docget.jsp?did=60465&prodName=SSM6N68NU
SSM6N68NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.25 грн
12+27.32 грн
100+17.46 грн
500+12.39 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65FB,S1Q datasheet_en_20200703.pdf?did=69237
TRS20N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+421.69 грн
30+229.28 грн
60+208.16 грн
120+178.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF25,LM(CT
TCR3DF25,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.5V 300MA SMV
Current - Supply (Max): 78 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF25,LM(CT
TCR3DF25,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.5V 300MA SMV
Current - Supply (Max): 78 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
39+7.77 грн
45+6.85 грн
100+5.45 грн
250+4.99 грн
500+4.71 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9058FNG,EL TB9058FNG_datasheet_en_20190222.pdf?did=65358&prodName=TB9058FNG
TB9058FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 0.5V ~ 12V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9058FNG,EL TB9058FNG_datasheet_en_20190222.pdf?did=65358&prodName=TB9058FNG
TB9058FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 0.5V ~ 12V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+498.51 грн
10+369.77 грн
25+342.34 грн
100+292.95 грн
250+284.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S101FU(TE85L,F docget.jsp?did=11316&prodName=TC75S101F
TC75S101FU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q docget.jsp?did=66028&prodName=TRS12A65F
TRS12A65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,L3F docget.jsp?did=2830&prodName=1SV305
1SV305,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Capacitance Ratio: 3.0
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.10 грн
16000+4.48 грн
24000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,L3F docget.jsp?did=2830&prodName=1SV305
1SV305,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V SINGLE ESC
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Capacitance Ratio: 3.0
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Supplier Device Package: ESC
на замовлення 28580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
19+16.30 грн
100+10.21 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
2000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2372(V4-TPL,E docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372
TLP2372(V4-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2372(V4-TPL,E docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372
TLP2372(V4-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.06 грн
10+84.31 грн
100+63.93 грн
500+51.53 грн
1000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9164FT docget.jsp?did=15655&prodName=74VHC9164FT
74VHC9164FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X34 PB-F 8-BIT SHIFT REGISTER (P
Number of Bits per Element: 8
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Shift Register
Function: Universal
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9164FT docget.jsp?did=15655&prodName=74VHC9164FT
74VHC9164FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X34 PB-F 8-BIT SHIFT REGISTER (P
Number of Bits per Element: 8
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: Shift Register
Function: Universal
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.11 грн
13+24.30 грн
25+19.96 грн
100+14.12 грн
250+11.85 грн
500+10.45 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQ TPH1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=60946&prodName=TPH1R104PB
TPH1R104PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQ TPH1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=60946&prodName=TPH1R104PB
TPH1R104PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.47 грн
10+101.44 грн
100+69.24 грн
500+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB
TPH1R204PB,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB
TPH1R204PB,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.09 грн
10+86.72 грн
100+58.71 грн
500+43.85 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65FB,S1F(S
TRS20N65FB,S1F(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(BL-TPR,E
TLP183(BL-TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 6-SOP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(SANYD,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP750(D4-SANYD,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(SANYD,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4ADGBT7,F TLP781%28F%29.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Number of Channels: 1
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Voltage - Output (Max): 80V
Supplier Device Package: 4-DIP
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 50mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Transistor
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3320(TP15,F TLP3320_datasheet_en_20230620.pdf?did=14605&prodName=TLP3320
TLP3320(TP15,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 100 mA
Approval Agency: UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-USOP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 14 Ohms
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+149.81 грн
3000+139.31 грн
4500+136.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3320(TP15,F TLP3320_datasheet_en_20230620.pdf?did=14605&prodName=TLP3320
TLP3320(TP15,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 100 mA
Approval Agency: UL
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-USOP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 14 Ohms
на замовлення 20773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.33 грн
10+185.68 грн
25+177.28 грн
50+160.69 грн
100+155.18 грн
250+148.19 грн
500+140.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65F,S1Q TRS3E65FProductNewsen20171101.pdf
TRS2E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.68 грн
50+60.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65F,S1Q TRS3E65FProductNewsen20171101.pdf
TRS3E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65F,S1Q datasheet_en_20180627.pdf?did=53515
TRS4E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65F,S1Q TRS6E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53517&prodName=TRS6E65F
TRS6E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65F,S1Q TRS10E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53513&prodName=TRS10E65F
TRS10E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65F,S1Q
TRS12E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785F(Y-LF7,F TLP785F_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785F
TLP785F(Y-LF7,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08FU,LJ(CT TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU
TC7SH08FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.84 грн
6000+2.63 грн
9000+2.58 грн
15000+2.37 грн
21000+2.34 грн
30000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08FU,LJ(CT TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU
TC7SH08FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 34005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.84 грн
62+4.91 грн
71+4.29 грн
100+3.39 грн
250+3.09 грн
500+2.90 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08F,LF docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08F
TC7S08F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.53 грн
6000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08F,LF docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08F
TC7S08F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
40+7.62 грн
46+6.67 грн
100+5.32 грн
250+4.87 грн
500+4.60 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFF catalog20200115.pdf
SSM6N951L,EFF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFF catalog20200115.pdf
SSM6N951L,EFF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R104PB,L1XHQ docget.jsp?did=62007&prodName=TPW1R104PB
TPW1R104PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R104PB,L1XHQ docget.jsp?did=62007&prodName=TPW1R104PB
TPW1R104PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
10+75.03 грн
100+59.11 грн
500+48.45 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR7904PB,L1XHQ TPWR7904PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62009&prodName=TPWR7904PB
TPWR7904PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR7904PB,L1XHQ TPWR7904PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62009&prodName=TPWR7904PB
TPWR7904PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.66 грн
10+124.39 грн
100+85.56 грн
500+64.69 грн
1000+59.68 грн
2000+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF docget.jsp?did=60461&prodName=SSM6N67NU
SSM6N67NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.07 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF docget.jsp?did=60461&prodName=SSM6N67NU
SSM6N67NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 37236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.81 грн
11+28.61 грн
50+20.88 грн
100+17.23 грн
500+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F) docget.jsp?did=19758&prodName=SSM6N17FU
SSM6N17FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F) docget.jsp?did=19758&prodName=SSM6N17FU
SSM6N17FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
19+16.30 грн
100+10.27 грн
500+7.18 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF
SSM6N36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.99 грн
6000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF
SSM6N36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.87 грн
16+19.40 грн
100+11.62 грн
500+10.09 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF SSM6N24TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22360&prodName=SSM6N24TU
SSM6N24TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF SSM6N24TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22360&prodName=SSM6N24TU
SSM6N24TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
13+24.00 грн
100+14.42 грн
500+12.53 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4A65F,S1Q
TRS4A65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB9052FNG(EL) docget.jsp?did=15592&prodName=TB9052FNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9052FNG(EL) docget.jsp?did=15592&prodName=TB9052FNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FNG,EL TC78H660FNG_datasheet_en_20200908.pdf?did=69605&prodName=TC78H660FNG
TC78H660FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2CH BRUSHED MOTOR DRIVER 18V/2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]