Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13538) > Сторінка 143 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1310,LF RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20231102.pdf?did=18781 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.88 грн
45+6.66 грн
100+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18781&prodName=RN1310 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S16CT,L3F DF2S16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=888&prodName=DF2S16CT Description: TVS DIODE 12VWM CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S16CT,L3F DF2S16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=888&prodName=DF2S16CT Description: TVS DIODE 12VWM CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.99 грн
25+12.35 грн
100+6.70 грн
500+3.87 грн
1000+2.64 грн
2000+2.24 грн
5000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LF HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19156&prodName=HN1C03FU Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
6000+4.12 грн
9000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LF HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19156&prodName=HN1C03FU Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.53 грн
23+13.32 грн
100+8.32 грн
500+5.78 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A3.3FV,L3F DF3A3.3FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 115pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 3.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A3.3FV,L3F DF3A3.3FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 115pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 3.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
22+13.69 грн
100+7.25 грн
500+4.48 грн
1000+3.04 грн
2000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LF 2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LF 2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182 Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.87 грн
28+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC374FT 74VHC374FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15355&prodName=74VHC374FT Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 120 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC374FT 74VHC374FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15355&prodName=74VHC374FT Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 120 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62304APG,HZ TBD62304APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304AFNG_datasheet_en_20170324.pdf?did=58116&prodName=TBD62304AFNG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1.5Ohm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.56 грн
25+125.02 грн
100+101.58 грн
500+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.29 грн
10+98.25 грн
100+66.82 грн
500+50.07 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22912G,LF TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53242&prodName=TCK22912G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22912G,LF TCK22912G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53242&prodName=TCK22912G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.51 грн
10+30.38 грн
100+19.59 грн
500+14.02 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT240AFT 74VHCT240AFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14049&prodName=74VHCT240AFT Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT240AFT 74VHCT240AFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14049&prodName=74VHCT240AFT Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.87 грн
18+16.76 грн
25+14.94 грн
100+12.11 грн
250+11.19 грн
500+10.65 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT 74VHCV245FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15734&prodName=74VHCV245FT Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.26 грн
5000+8.65 грн
7500+8.51 грн
12500+7.85 грн
17500+7.77 грн
25000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT 74VHCV245FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15734&prodName=74VHCV245FT Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 26311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.53 грн
20+15.04 грн
25+13.35 грн
100+10.79 грн
250+9.97 грн
500+9.47 грн
1000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TRS16N65FB,S1F(S TRS16N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL_datasheet_en_20191017.pdf?did=59335&prodName=TPH3R70APL Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL_datasheet_en_20191017.pdf?did=59335&prodName=TPH3R70APL Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.52 грн
10+97.95 грн
100+66.80 грн
500+50.17 грн
1000+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR6003PL,L1Q TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36851&prodName=TPWR6003PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR6003PL,L1Q TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36851&prodName=TPWR6003PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 9903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.19 грн
10+171.80 грн
100+120.81 грн
500+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CT RN1101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1101MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CT RN1101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1101MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.88 грн
45+6.66 грн
100+4.12 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
2000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101-06MFV_2010-03-07.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE24,LM(CT TCR2EE24,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE24_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE24 Description: IC REG LINEAR 2.4V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.4V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE24,LM(CT TCR2EE24,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE24_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE24 Description: IC REG LINEAR 2.4V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.4V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF(CT RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902_datasheet_en_20230213.pdf?did=18950&prodName=RN4902 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF(CT RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902_datasheet_en_20230213.pdf?did=18950&prodName=RN4902 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.54 грн
33+9.13 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S179FTG,EL TB67S179FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S179FTG_datasheet_en_20151126.pdf?did=35805&prodName=TB67S179FTG Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 60V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
Step Resolution: 1 ~ 1/32
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S179FTG,EL TB67S179FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S179FTG_datasheet_en_20151126.pdf?did=35805&prodName=TB67S179FTG Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 60V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
Step Resolution: 1 ~ 1/32
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.70 грн
10+144.19 грн
25+132.02 грн
100+111.39 грн
250+105.42 грн
500+101.82 грн
1000+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC74ACT240F(EL,F) TC74ACT240F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT240F_datasheet_en_20210323.pdf?did=70628&prodName=TC74ACT240F Description: IC BUFF INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74ACT240F(EL,F) TC74ACT240F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT240F_datasheet_en_20210323.pdf?did=70628&prodName=TC74ACT240F Description: IC BUFF INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157DL6X,L TC7SB3157DL6X,L Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MUX/DEMUX 1 X 2:1 6MP6D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 2:1
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157DL6X,L TC7SB3157DL6X,L Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MUX/DEMUX 1 X 2:1 6MP6D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 2:1
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1708JE(TE85L,F) RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19124&prodName=RN1708JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1708JE(TE85L,F) RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19124&prodName=RN1708JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.08 грн
14+22.22 грн
100+12.57 грн
500+7.81 грн
1000+5.99 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1709JE(TE85L,F) RN1709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1709JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1709JE(TE85L,F) RN1709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19124&prodName=RN1709JE Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.08 грн
14+22.22 грн
100+12.57 грн
500+7.81 грн
1000+5.99 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3F 2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3F 2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.06 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
2000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S141NG TB67S141NG Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15635&prodName=TB67S141NG Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 24SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 24-SDIP
Motor Type - Stepper: Unipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.05 грн
20+202.78 грн
40+191.72 грн
100+168.98 грн
260+160.20 грн
500+155.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SBL66CFU,LF(CT TC7SBL66CFU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12377&prodName=TC7SBL66CFU Description: IC SWITCH SPST SINGLE USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SBL66CFU,LF(CT TC7SBL66CFU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12377&prodName=TC7SBL66CFU Description: IC SWITCH SPST SINGLE USV
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.20 грн
14+21.55 грн
25+19.72 грн
100+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S102F,LF(CT TC75S102F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69107&prodName=TC75S102F Description: IC CMOS 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 350nA
Gain Bandwidth Product: 630 Hz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 11 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S102F,LF(CT TC75S102F,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69107&prodName=TC75S102F Description: IC CMOS 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 350nA
Gain Bandwidth Product: 630 Hz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 11 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 6575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.17 грн
10+32.03 грн
25+26.43 грн
100+18.87 грн
250+15.95 грн
500+14.15 грн
1000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R_datasheet_en_20221102.pdf?did=55842&prodName=SSM3K345R Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
6000+6.05 грн
9000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R_datasheet_en_20221102.pdf?did=55842&prodName=SSM3K345R Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 13824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.53 грн
16+19.83 грн
100+10.02 грн
500+8.34 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.29 грн
12+26.11 грн
100+16.69 грн
500+11.84 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.00 грн
6000+8.79 грн
9000+8.36 грн
15000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 16146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.29 грн
12+26.11 грн
100+16.69 грн
500+11.84 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.00 грн
6000+8.79 грн
9000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.29 грн
12+26.11 грн
100+16.69 грн
500+11.84 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.83 грн
6000+8.65 грн
9000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208 Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 15539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.29 грн
12+26.26 грн
100+16.81 грн
500+11.96 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310,LF datasheet_en_20231102.pdf?did=18781
RN1310,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.88 грн
45+6.66 грн
100+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1311,LF docget.jsp?did=18781&prodName=RN1310
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S16CT,L3F docget.jsp?did=888&prodName=DF2S16CT
DF2S16CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S16CT,L3F docget.jsp?did=888&prodName=DF2S16CT
DF2S16CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 12VWM CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: CST2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+13.99 грн
25+12.35 грн
100+6.70 грн
500+3.87 грн
1000+2.64 грн
2000+2.24 грн
5000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LF HN1C03FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19156&prodName=HN1C03FU
HN1C03FU-B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
6000+4.12 грн
9000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LF HN1C03FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19156&prodName=HN1C03FU
HN1C03FU-B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.53 грн
23+13.32 грн
100+8.32 грн
500+5.78 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A3.3FV,L3F
DF3A3.3FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 115pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 3.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A3.3FV,L3F
DF3A3.3FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 115pF @ 1MHz
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 3.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.09 грн
22+13.69 грн
100+7.25 грн
500+4.48 грн
1000+3.04 грн
2000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LF docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182
2SA1182-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1182-GR,LF docget.jsp?did=19355&prodName=2SA1182
2SA1182-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.87 грн
28+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.62 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC374FT docget.jsp?did=15355&prodName=74VHC374FT
74VHC374FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 120 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC374FT docget.jsp?did=15355&prodName=74VHC374FT
74VHC374FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 120 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.1ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62304APG,HZ TBD62304AFNG_datasheet_en_20170324.pdf?did=58116&prodName=TBD62304AFNG
TBD62304APG,HZ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 1.5Ohm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 400mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.56 грн
25+125.02 грн
100+101.58 грн
500+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LXHQ docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK100S04N1L,LXHQ docget.jsp?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.29 грн
10+98.25 грн
100+66.82 грн
500+50.07 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22912G,LF docget.jsp?did=53242&prodName=TCK22912G
TCK22912G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22912G,LF docget.jsp?did=53242&prodName=TCK22912G
TCK22912G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 31mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.51 грн
10+30.38 грн
100+19.59 грн
500+14.02 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT240AFT docget.jsp?did=14049&prodName=74VHCT240AFT
74VHCT240AFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT240AFT docget.jsp?did=14049&prodName=74VHCT240AFT
74VHCT240AFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.87 грн
18+16.76 грн
25+14.94 грн
100+12.11 грн
250+11.19 грн
500+10.65 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT docget.jsp?did=15734&prodName=74VHCV245FT
74VHCV245FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.26 грн
5000+8.65 грн
7500+8.51 грн
12500+7.85 грн
17500+7.77 грн
25000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT docget.jsp?did=15734&prodName=74VHCV245FT
74VHCV245FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 16mA, 16mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 26311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.53 грн
20+15.04 грн
25+13.35 грн
100+10.79 грн
250+9.97 грн
500+9.47 грн
1000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TRS16N65FB,S1F(S
TRS16N65FB,S1F(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL_datasheet_en_20191017.pdf?did=59335&prodName=TPH3R70APL
TPH3R70APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R70APL,L1Q TPH3R70APL_datasheet_en_20191017.pdf?did=59335&prodName=TPH3R70APL
TPH3R70APL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.52 грн
10+97.95 грн
100+66.80 грн
500+50.17 грн
1000+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR6003PL,L1Q docget.jsp?did=36851&prodName=TPWR6003PL
TPWR6003PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR6003PL,L1Q docget.jsp?did=36851&prodName=TPWR6003PL
TPWR6003PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 9903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.19 грн
10+171.80 грн
100+120.81 грн
500+102.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CT RN1101MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1101MFV
RN1101MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F(CT RN1101MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1101MFV
RN1101MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.88 грн
45+6.66 грн
100+4.12 грн
500+2.80 грн
1000+2.46 грн
2000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1101MFV,L3F RN1101-06MFV_2010-03-07.pdf
RN1101MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE24,LM(CT TCR2EE24_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE24
TCR2EE24,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.4V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.4V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EE24,LM(CT TCR2EE24_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EE24
TCR2EE24,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.4V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.4V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF(CT RN4902_datasheet_en_20230213.pdf?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LF(CT RN4902_datasheet_en_20230213.pdf?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.54 грн
33+9.13 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S179FTG,EL TB67S179FTG_datasheet_en_20151126.pdf?did=35805&prodName=TB67S179FTG
TB67S179FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 60V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
Step Resolution: 1 ~ 1/32
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S179FTG,EL TB67S179FTG_datasheet_en_20151126.pdf?did=35805&prodName=TB67S179FTG
TB67S179FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 60V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - Stepper: Unipolar
Step Resolution: 1 ~ 1/32
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.70 грн
10+144.19 грн
25+132.02 грн
100+111.39 грн
250+105.42 грн
500+101.82 грн
1000+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC74ACT240F(EL,F) TC74ACT240F_datasheet_en_20210323.pdf?did=70628&prodName=TC74ACT240F
TC74ACT240F(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74ACT240F(EL,F) TC74ACT240F_datasheet_en_20210323.pdf?did=70628&prodName=TC74ACT240F
TC74ACT240F(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157DL6X,L
TC7SB3157DL6X,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 1 X 2:1 6MP6D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 2:1
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SB3157DL6X,L
TC7SB3157DL6X,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 1 X 2:1 6MP6D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 2:1
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 6-MP6D (1.45x1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1708JE(TE85L,F) RN1708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19124&prodName=RN1708JE
RN1708JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1708JE(TE85L,F) RN1708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19124&prodName=RN1708JE
RN1708JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.08 грн
14+22.22 грн
100+12.57 грн
500+7.81 грн
1000+5.99 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1709JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1709JE
RN1709JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER=2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1709JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19124&prodName=RN1709JE
RN1709JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN X 2 BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER=2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.08 грн
14+22.22 грн
100+12.57 грн
500+7.81 грн
1000+5.99 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFV-Y,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026MFV-Y,L3F docget.jsp?did=6106&prodName=2SC6026MFV
2SC6026MFV-Y,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.66 грн
46+6.58 грн
100+4.06 грн
500+2.77 грн
1000+2.43 грн
2000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TB67S141NG docget.jsp?did=15635&prodName=TB67S141NG
TB67S141NG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 24SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 10V ~ 40V
Supplier Device Package: 24-SDIP
Motor Type - Stepper: Unipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.05 грн
20+202.78 грн
40+191.72 грн
100+168.98 грн
260+160.20 грн
500+155.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SBL66CFU,LF(CT docget.jsp?did=12377&prodName=TC7SBL66CFU
TC7SBL66CFU,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SWITCH SPST SINGLE USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SBL66CFU,LF(CT docget.jsp?did=12377&prodName=TC7SBL66CFU
TC7SBL66CFU,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SWITCH SPST SINGLE USV
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.20 грн
14+21.55 грн
25+19.72 грн
100+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S102F,LF(CT docget.jsp?did=69107&prodName=TC75S102F
TC75S102F,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 350nA
Gain Bandwidth Product: 630 Hz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 11 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S102F,LF(CT docget.jsp?did=69107&prodName=TC75S102F
TC75S102F,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC CMOS 1 CIRCUIT SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Current - Supply: 350nA
Gain Bandwidth Product: 630 Hz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 11 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 6575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.17 грн
10+32.03 грн
25+26.43 грн
100+18.87 грн
250+15.95 грн
500+14.15 грн
1000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF SSM3K345R_datasheet_en_20221102.pdf?did=55842&prodName=SSM3K345R
SSM3K345R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
6000+6.05 грн
9000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K345R,LF SSM3K345R_datasheet_en_20221102.pdf?did=55842&prodName=SSM3K345R
SSM3K345R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 10 V
на замовлення 13824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.53 грн
16+19.83 грн
100+10.02 грн
500+8.34 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-Y(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.29 грн
12+26.11 грн
100+16.69 грн
500+11.84 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.00 грн
6000+8.79 грн
9000+8.36 грн
15000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 16146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.29 грн
12+26.11 грн
100+16.69 грн
500+11.84 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.00 грн
6000+8.79 грн
9000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-O(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.29 грн
12+26.11 грн
100+16.69 грн
500+11.84 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.83 грн
6000+8.65 грн
9000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208_datasheet_en_20140301.pdf?did=19660&prodName=2SK208
2SK208-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300 µA @ 10 V
на замовлення 15539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.29 грн
12+26.26 грн
100+16.81 грн
500+11.96 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]