Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13433) > Сторінка 146 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
7UL1G34FU,LF 7UL1G34FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
13+23.76 грн
25+21.40 грн
100+13.87 грн
250+11.69 грн
500+9.49 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G04FS,LF 7UL1G04FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G04FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=61222&prodName=7UL1G04FS Description: IC INVERTER 1CH 1-INP FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 30pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G04FS,LF 7UL1G04FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G04FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=61222&prodName=7UL1G04FS Description: IC INVERTER 1CH 1-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 30pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
13+23.76 грн
25+21.40 грн
100+13.87 грн
250+11.69 грн
500+9.49 грн
1000+7.18 грн
2500+6.46 грн
5000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G126FS,LF 7UL1G126FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G126FS_datasheet_en_20220913.pdf?did=61225&prodName=7UL1G126FS Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: fSV
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.24 грн
20000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G126FS,LF 7UL1G126FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7UL1G126FS_datasheet_en_20220913.pdf?did=61225&prodName=7UL1G126FS Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: fSV
Part Status: Active
на замовлення 36609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
15+20.92 грн
25+17.17 грн
100+12.13 грн
250+10.15 грн
500+8.94 грн
1000+7.79 грн
2500+6.71 грн
5000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV,L3F RN1112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5887&prodName=RN1112MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV,L3F RN1112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5887&prodName=RN1112MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
64+4.83 грн
100+3.23 грн
500+2.29 грн
1000+2.04 грн
2000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CT RN1113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18759&prodName=RN1113 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CT RN1113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18759&prodName=RN1113 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18759&prodName=RN1112 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F) RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F) RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.32 грн
34+9.20 грн
100+6.19 грн
500+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
13+23.60 грн
100+12.52 грн
500+7.73 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115MFV,L3F RN1115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114,LF RN1114,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114,LF RN1114,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
39+7.97 грн
100+4.96 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66018&prodName=XPH4R714MC Description: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=66018&prodName=XPH4R714MC Description: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
10+73.49 грн
100+55.07 грн
500+42.15 грн
1000+36.72 грн
2000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB Description: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB Description: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.13 грн
10+68.59 грн
100+56.16 грн
500+51.36 грн
1000+46.47 грн
2000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,H3F DF2B7AE,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE_datasheet_en_20220907.pdf?did=55583&prodName=DF2B7AE Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.35 грн
8000+1.75 грн
12000+1.68 грн
20000+1.47 грн
28000+1.44 грн
40000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,H3F DF2B7AE,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE_datasheet_en_20220907.pdf?did=55583&prodName=DF2B7AE Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 60049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.75 грн
49+6.28 грн
111+2.77 грн
500+2.50 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K7A60F,S4X TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61565&prodName=TK1K7A60F Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 460µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 300 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM10A,LF TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4DFNC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Obsolete
PSRR: 100dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM10A,LF TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4DFNC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Obsolete
PSRR: 100dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU_datasheet_en_20210107.pdf?did=60465&prodName=SSM6N68NU Description: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU_datasheet_en_20210107.pdf?did=60465&prodName=SSM6N68NU Description: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
11+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65FB,S1Q TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20200703.pdf?did=69237 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.20 грн
30+357.90 грн
120+308.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF25,LM(CT TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 2.5V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF25,LM(CT TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 2.5V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
16+19.77 грн
25+16.12 грн
100+11.33 грн
250+9.45 грн
500+8.30 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TB9058FNG,EL TB9058FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9058FNG_datasheet_en_20190222.pdf?did=65358&prodName=TB9058FNG Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 0.5V ~ 12V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB9058FNG,EL TB9058FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9058FNG_datasheet_en_20190222.pdf?did=65358&prodName=TB9058FNG Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 0.5V ~ 12V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.07 грн
10+384.55 грн
25+355.98 грн
100+304.63 грн
250+290.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S101FU(TE85L,F TC75S101FU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11316&prodName=TC75S101F Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=12
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.82 грн
10+391.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,L3F 1SV305,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305_datasheet_en_20140301.pdf?did=2830&prodName=1SV305 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3.0
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.98 грн
16000+3.80 грн
24000+3.70 грн
40000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,L3F 1SV305,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305_datasheet_en_20140301.pdf?did=2830&prodName=1SV305 Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3.0
на замовлення 93415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.67 грн
21+15.10 грн
100+7.74 грн
500+6.12 грн
1000+5.43 грн
2000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2372(V4-TPL,E TLP2372(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372 Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2372(V4-TPL,E TLP2372(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372 Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.13 грн
10+88.21 грн
100+66.89 грн
500+53.92 грн
1000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TE12LF 2SK3074TE12LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17914&prodName=2SK3074 Description: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9164FT 74VHC9164FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15655&prodName=74VHC9164FT Description: X34 PB-F 8-BIT SHIFT REGISTER (P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9164FT 74VHC9164FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15655&prodName=74VHC9164FT Description: X34 PB-F 8-BIT SHIFT REGISTER (P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
13+24.68 грн
25+20.26 грн
100+14.33 грн
250+12.03 грн
500+10.61 грн
1000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQ TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=60946&prodName=TPH1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQ TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=60946&prodName=TPH1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.50 грн
10+129.97 грн
100+89.55 грн
500+67.79 грн
1000+62.57 грн
2000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 19033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.13 грн
10+85.14 грн
100+57.46 грн
500+46.28 грн
1000+41.36 грн
2000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65FB,S1F(S TRS20N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(BL-TPR,E TLP183(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP750(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4ADGBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(F).pdf Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8107,LF TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20160223.pdf?did=13672 Description: MOSFET P-CH 40V 8A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PS-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3320(TP15,F TLP3320(TP15,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3320_datasheet_en_20230620.pdf?did=14605&prodName=TLP3320 Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 100 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 4-USOP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 14 Ohms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+129.73 грн
3000+120.39 грн
4500+118.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3320(TP15,F TLP3320(TP15,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3320_datasheet_en_20230620.pdf?did=14605&prodName=TLP3320 Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 100 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 4-USOP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 14 Ohms
на замовлення 6638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.96 грн
10+193.42 грн
100+152.00 грн
500+125.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65F,S1Q TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65FProductNewsen20171101.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.70 грн
50+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65F,S1Q TRS3E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65FProductNewsen20171101.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65F,S1Q TRS4E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20180627.pdf?did=53515 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65F,S1Q TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53517&prodName=TRS6E65F Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65F,S1Q TRS10E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53513&prodName=TRS10E65F Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G34FU,LF
7UL1G34FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
13+23.76 грн
25+21.40 грн
100+13.87 грн
250+11.69 грн
500+9.49 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G04FS,LF 7UL1G04FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=61222&prodName=7UL1G04FS
7UL1G04FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 30pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G04FS,LF 7UL1G04FS_datasheet_en_20221021.pdf?did=61222&prodName=7UL1G04FS
7UL1G04FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 0.75V ~ 2.48V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.4ns @ 3.3V, 30pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
13+23.76 грн
25+21.40 грн
100+13.87 грн
250+11.69 грн
500+9.49 грн
1000+7.18 грн
2500+6.46 грн
5000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G126FS,LF 7UL1G126FS_datasheet_en_20220913.pdf?did=61225&prodName=7UL1G126FS
7UL1G126FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: fSV
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.24 грн
20000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
7UL1G126FS,LF 7UL1G126FS_datasheet_en_20220913.pdf?did=61225&prodName=7UL1G126FS
7UL1G126FS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: fSV
Part Status: Active
на замовлення 36609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
15+20.92 грн
25+17.17 грн
100+12.13 грн
250+10.15 грн
500+8.94 грн
1000+7.79 грн
2500+6.71 грн
5000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV,L3F RN1112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5887&prodName=RN1112MFV
RN1112MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112MFV,L3F RN1112MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5887&prodName=RN1112MFV
RN1112MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.16 грн
64+4.83 грн
100+3.23 грн
500+2.29 грн
1000+2.04 грн
2000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CT docget.jsp?did=18759&prodName=RN1113
RN1113,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113,LF(CT docget.jsp?did=18759&prodName=RN1113
RN1113,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(TE85L,F) docget.jsp?did=18759&prodName=RN1112
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F) docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
RN1117(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(TE85L,F) docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
RN1117(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
34+9.20 грн
100+6.19 грн
500+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(TE85L,F) docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(TE85L,F) docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
13+23.60 грн
100+12.52 грн
500+7.73 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115MFV,L3F docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1115MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114,LF docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1114,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114,LF docget.jsp?did=18763&prodName=RN1114
RN1114,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
39+7.97 грн
100+4.96 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ docget.jsp?did=66018&prodName=XPH4R714MC
XPH4R714MC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R714MC,L1XHQ docget.jsp?did=66018&prodName=XPH4R714MC
XPH4R714MC,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+73.49 грн
100+55.07 грн
500+42.15 грн
1000+36.72 грн
2000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB
XPH4R10ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPH4R10ANB,L1XHQ docget.jsp?did=68580&prodName=XPH4R10ANB
XPH4R10ANB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+68.59 грн
100+56.16 грн
500+51.36 грн
1000+46.47 грн
2000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,H3F DF2B7AE_datasheet_en_20220907.pdf?did=55583&prodName=DF2B7AE
DF2B7AE,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+2.35 грн
8000+1.75 грн
12000+1.68 грн
20000+1.47 грн
28000+1.44 грн
40000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7AE,H3F DF2B7AE_datasheet_en_20220907.pdf?did=55583&prodName=DF2B7AE
DF2B7AE,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 8.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: ESC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 80W
Power Line Protection: No
на замовлення 60049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.75 грн
49+6.28 грн
111+2.77 грн
500+2.50 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K7A60F,S4X TK1K7A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61565&prodName=TK1K7A60F
TK1K7A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 460µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 300 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM10A,LF TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A
TCR3RM10A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4DFNC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Obsolete
PSRR: 100dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3RM10A,LF TCR3RM33A_datasheet_en_20220705.pdf?did=69842&prodName=TCR3RM33A
TCR3RM10A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 300MA 4DFNC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFNC (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Part Status: Obsolete
PSRR: 100dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.13V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF SSM6N68NU_datasheet_en_20210107.pdf?did=60465&prodName=SSM6N68NU
SSM6N68NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF SSM6N68NU_datasheet_en_20210107.pdf?did=60465&prodName=SSM6N68NU
SSM6N68NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
11+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65FB,S1Q datasheet_en_20200703.pdf?did=69237
TRS20N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+646.20 грн
30+357.90 грн
120+308.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF25,LM(CT
TCR3DF25,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.5V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3DF25,LM(CT
TCR3DF25,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.5V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
16+19.77 грн
25+16.12 грн
100+11.33 грн
250+9.45 грн
500+8.30 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TB9058FNG,EL TB9058FNG_datasheet_en_20190222.pdf?did=65358&prodName=TB9058FNG
TB9058FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 0.5V ~ 12V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB9058FNG,EL TB9058FNG_datasheet_en_20190222.pdf?did=65358&prodName=TB9058FNG
TB9058FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H SWITCH MOTOR DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Current - Output: 2A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Voltage - Load: 0.5V ~ 12V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Motor Type - AC, DC: Servo DC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.07 грн
10+384.55 грн
25+355.98 грн
100+304.63 грн
250+290.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC75S101FU(TE85L,F docget.jsp?did=11316&prodName=TC75S101F
TC75S101FU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12A65F,S1Q
TRS12A65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=12
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.82 грн
10+391.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,L3F 1SV305_datasheet_en_20140301.pdf?did=2830&prodName=1SV305
1SV305,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3.0
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.98 грн
16000+3.80 грн
24000+3.70 грн
40000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
1SV305,L3F 1SV305_datasheet_en_20140301.pdf?did=2830&prodName=1SV305
1SV305,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARACTOR 10V ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 6.6pF @ 4V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Supplier Device Package: ESC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 3.0
на замовлення 93415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
21+15.10 грн
100+7.74 грн
500+6.12 грн
1000+5.43 грн
2000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2372(V4-TPL,E docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372
TLP2372(V4-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2372(V4-TPL,E docget.jsp?did=68833&prodName=TLP2372
TLP2372(V4-TPL,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.53V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 2.2ns, 1.6ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 8 mA
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.13 грн
10+88.21 грн
100+66.89 грн
500+53.92 грн
1000+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TE12LF docget.jsp?did=17914&prodName=2SK3074
2SK3074TE12LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9164FT docget.jsp?did=15655&prodName=74VHC9164FT
74VHC9164FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X34 PB-F 8-BIT SHIFT REGISTER (P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC9164FT docget.jsp?did=15655&prodName=74VHC9164FT
74VHC9164FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X34 PB-F 8-BIT SHIFT REGISTER (P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Universal
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
13+24.68 грн
25+20.26 грн
100+14.33 грн
250+12.03 грн
500+10.61 грн
1000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQ TPH1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=60946&prodName=TPH1R104PB
TPH1R104PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R104PB,L1XHQ TPH1R104PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=60946&prodName=TPH1R104PB
TPH1R104PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.50 грн
10+129.97 грн
100+89.55 грн
500+67.79 грн
1000+62.57 грн
2000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB
TPH1R204PB,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB
TPH1R204PB,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 19033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.13 грн
10+85.14 грн
100+57.46 грн
500+46.28 грн
1000+41.36 грн
2000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N65FB,S1F(S
TRS20N65FB,S1F(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP183(BL-TPR,E
TLP183(BL-TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOCOUPLER TRANS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 200% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-2(SANYD,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP750(D4-SANYD,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP523-4(SANYD,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP781F(D4ADGBT7,F TLP781(F).pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCP8107,LF datasheet_en_20160223.pdf?did=13672
TPCP8107,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 8A PS-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PS-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3320(TP15,F TLP3320_datasheet_en_20230620.pdf?did=14605&prodName=TLP3320
TLP3320(TP15,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 100 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 4-USOP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 14 Ohms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+129.73 грн
3000+120.39 грн
4500+118.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3320(TP15,F TLP3320_datasheet_en_20230620.pdf?did=14605&prodName=TLP3320
TLP3320(TP15,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.128", 3.25mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 100 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 4-USOP
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 100 V
On-State Resistance (Max): 14 Ohms
на замовлення 6638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.96 грн
10+193.42 грн
100+152.00 грн
500+125.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TRS2E65F,S1Q TRS3E65FProductNewsen20171101.pdf
TRS2E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8.7pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
50+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRS3E65F,S1Q TRS3E65FProductNewsen20171101.pdf
TRS3E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4E65F,S1Q datasheet_en_20180627.pdf?did=53515
TRS4E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65F,S1Q TRS6E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53517&prodName=TRS6E65F
TRS6E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65F,S1Q TRS10E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53513&prodName=TRS10E65F
TRS10E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]