Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 145 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TRS6E65F,S1Q TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53517&prodName=TRS6E65F Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65F,S1Q TRS10E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53513&prodName=TRS10E65F Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65F,S1Q TRS12E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785F(Y-LF7,F TLP785F(Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785F Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08FU,LJ(CT TC7SH08FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
6000+2.60 грн
9000+2.56 грн
15000+2.35 грн
21000+2.32 грн
30000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08FU,LJ(CT TC7SH08FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 34005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.75 грн
62+4.85 грн
71+4.24 грн
100+3.35 грн
250+3.05 грн
500+2.87 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08F,LF TC7S08F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08F Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
6000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08F,LF TC7S08F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08F Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
40+7.54 грн
46+6.60 грн
100+5.26 грн
250+4.82 грн
500+4.55 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFF SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage catalog20200115.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFF SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage catalog20200115.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R104PB,L1XHQ TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=62007&prodName=TPW1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R104PB,L1XHQ TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=62007&prodName=TPW1R104PB Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+74.17 грн
100+58.44 грн
500+47.90 грн
1000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR7904PB,L1XHQ TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62009&prodName=TPWR7904PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR7904PB,L1XHQ TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62009&prodName=TPWR7904PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.38 грн
10+122.97 грн
100+84.59 грн
500+63.96 грн
1000+59.00 грн
2000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60461&prodName=SSM6N67NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.97 грн
6000+9.65 грн
9000+9.18 грн
15000+8.13 грн
21000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60461&prodName=SSM6N67NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 26041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.27 грн
11+28.36 грн
100+18.19 грн
500+12.94 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F) SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19758&prodName=SSM6N17FU Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F) SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19758&prodName=SSM6N17FU Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
19+16.12 грн
100+10.16 грн
500+7.10 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
6000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
16+19.18 грн
100+11.48 грн
500+9.98 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22360&prodName=SSM6N24TU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22360&prodName=SSM6N24TU Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
13+23.73 грн
100+14.25 грн
500+12.38 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4A65F,S1Q TRS4A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15592&prodName=TB9052FNG Description: AUTOMOTIVE H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15592&prodName=TB9052FNG Description: AUTOMOTIVE H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FNG,EL TC78H660FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FNG_datasheet_en_20200908.pdf?did=69605&prodName=TC78H660FNG Description: 2CH BRUSHED MOTOR DRIVER 18V/2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FNG,EL TC78H660FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FNG_datasheet_en_20200908.pdf?did=69605&prodName=TC78H660FNG Description: 2CH BRUSHED MOTOR DRIVER 18V/2A
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+50.59 грн
25+45.73 грн
100+37.89 грн
250+35.48 грн
500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC1949-GR,LF TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61219&prodName=TTC1949 Description: NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC1949-GR,LF TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61219&prodName=TTC1949 Description: NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TTC1949-Y,LF TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61219&prodName=TTC1949 Description: NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC1949-Y,LF TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=61219&prodName=TTC1949 Description: NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707,LF RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18903&prodName=RN2707 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707,LF RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18903&prodName=RN2707 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.93 грн
500+4.09 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
15+20.30 грн
100+10.27 грн
500+7.86 грн
1000+5.83 грн
2000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67744&prodName=TK155A65Z Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15454&prodName=TK200F04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15454&prodName=TK200F04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.14 грн
10+205.36 грн
100+145.44 грн
500+118.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VX TK20E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14970&prodName=TK20E60W5 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VE TK20J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13896&prodName=TK20J60W Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3123(D4,F TLP3123(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3123(D4,TP,F TLP3123(D4,TP,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K9A60F,S4X TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=59768&prodName=TK1K9A60F Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-GR,LF 2SA1588-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588 Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.24 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B20M4SL,L3F DF2B20M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55277&prodName=DF2B20M4SL Description: TVS DIODE 18.5VWM 30VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 500mA (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 15W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.23 грн
20000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B20M4SL,L3F DF2B20M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55277&prodName=DF2B20M4SL Description: TVS DIODE 18.5VWM 30VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 500mA (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 15W
Power Line Protection: No
на замовлення 23054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
27+11.12 грн
100+6.92 грн
500+4.78 грн
1000+4.22 грн
2000+3.75 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET126F,LJ(CT TC7SET126F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=659&prodName=TC7SET126F Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET126F,LJ(CT TC7SET126F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=659&prodName=TC7SET126F Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP197A(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Supplier Device Package: 6-SOP (2.54mm)
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF30A,LM(CT TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68764 Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
6000+6.36 грн
9000+6.26 грн
15000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF30A,LM(CT TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68764 Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
на замовлення 18149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
27+11.12 грн
31+9.79 грн
100+7.87 грн
250+7.24 грн
500+6.86 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP(TE6,F,M TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78LyyyAP.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP(TORI,FM TA78L005AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78LyyyAP.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,6FNCF(J TA78L005AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78LyyyAP.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,6KEHF(M TA78L005AP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78LyyyAP.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,F(J TA78L005AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78LyyyAP.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,HOTIF(M TA78L005AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78LyyyAP.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,SDENF(J TA78L005AP,SDENF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78LyyyAP.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS6E65F,S1Q TRS6E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53517&prodName=TRS6E65F
TRS6E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS10E65F,S1Q TRS10E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53513&prodName=TRS10E65F
TRS10E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2L
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS12E65F,S1Q
TRS12E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220-2L
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 650V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785F(Y-LF7,F TLP785F_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785F
TLP785F(Y-LF7,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 150% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08FU,LJ(CT TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU
TC7SH08FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.80 грн
6000+2.60 грн
9000+2.56 грн
15000+2.35 грн
21000+2.32 грн
30000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08FU,LJ(CT TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU
TC7SH08FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 34005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.75 грн
62+4.85 грн
71+4.24 грн
100+3.35 грн
250+3.05 грн
500+2.87 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08F,LF docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08F
TC7S08F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.48 грн
6000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08F,LF docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08F
TC7S08F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 1
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
40+7.54 грн
46+6.60 грн
100+5.26 грн
250+4.82 грн
500+4.55 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFF catalog20200115.pdf
SSM6N951L,EFF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFF catalog20200115.pdf
SSM6N951L,EFF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R104PB,L1XHQ docget.jsp?did=62007&prodName=TPW1R104PB
TPW1R104PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPW1R104PB,L1XHQ docget.jsp?did=62007&prodName=TPW1R104PB
TPW1R104PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.83 грн
10+74.17 грн
100+58.44 грн
500+47.90 грн
1000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR7904PB,L1XHQ TPWR7904PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62009&prodName=TPWR7904PB
TPWR7904PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR7904PB,L1XHQ TPWR7904PB_datasheet_en_20200624.pdf?did=62009&prodName=TPWR7904PB
TPWR7904PB,L1XHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
10+122.97 грн
100+84.59 грн
500+63.96 грн
1000+59.00 грн
2000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF docget.jsp?did=60461&prodName=SSM6N67NU
SSM6N67NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.97 грн
6000+9.65 грн
9000+9.18 грн
15000+8.13 грн
21000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF docget.jsp?did=60461&prodName=SSM6N67NU
SSM6N67NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 26041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.27 грн
11+28.36 грн
100+18.19 грн
500+12.94 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F) docget.jsp?did=19758&prodName=SSM6N17FU
SSM6N17FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N17FU(TE85L,F) docget.jsp?did=19758&prodName=SSM6N17FU
SSM6N17FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
19+16.12 грн
100+10.16 грн
500+7.10 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF
SSM6N36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.91 грн
6000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N36TU,LF
SSM6N36TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.57 грн
16+19.18 грн
100+11.48 грн
500+9.98 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF SSM6N24TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22360&prodName=SSM6N24TU
SSM6N24TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N24TU,LF SSM6N24TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22360&prodName=SSM6N24TU
SSM6N24TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.77 грн
13+23.73 грн
100+14.25 грн
500+12.38 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS4A65F,S1Q
TRS4A65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=4A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB9052FNG(EL) docget.jsp?did=15592&prodName=TB9052FNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB9052FNG(EL) docget.jsp?did=15592&prodName=TB9052FNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTOMOTIVE H-BRIDGE DRIVER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 100mA
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 18V
Technology: Bi-CMOS
Supplier Device Package: 48-HTSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FNG,EL TC78H660FNG_datasheet_en_20200908.pdf?did=69605&prodName=TC78H660FNG
TC78H660FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2CH BRUSHED MOTOR DRIVER 18V/2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC78H660FNG,EL TC78H660FNG_datasheet_en_20200908.pdf?did=69605&prodName=TC78H660FNG
TC78H660FNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 2CH BRUSHED MOTOR DRIVER 18V/2A
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Load: 2.5V ~ 16V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 1.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+50.59 грн
25+45.73 грн
100+37.89 грн
250+35.48 грн
500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC1949-GR,LF docget.jsp?did=61219&prodName=TTC1949
TTC1949-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC1949-GR,LF docget.jsp?did=61219&prodName=TTC1949
TTC1949-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TTC1949-Y,LF docget.jsp?did=61219&prodName=TTC1949
TTC1949-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC1949-Y,LF docget.jsp?did=61219&prodName=TTC1949
TTC1949-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707,LF docget.jsp?did=18903&prodName=RN2707
RN2707,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707,LF docget.jsp?did=18903&prodName=RN2707
RN2707,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.55 грн
100+5.93 грн
500+4.09 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE
RN1711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1711JE(TE85L,F) RN1711JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19128&prodName=RN1711JE
RN1711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.22 грн
15+20.30 грн
100+10.27 грн
500+7.86 грн
1000+5.83 грн
2000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X docget.jsp?did=67744&prodName=TK155A65Z
TK155A65Z,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+315.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ docget.jsp?did=15454&prodName=TK200F04N1L
TK200F04N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ docget.jsp?did=15454&prodName=TK200F04N1L
TK200F04N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.14 грн
10+205.36 грн
100+145.44 грн
500+118.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W5,S1VX docget.jsp?did=14970&prodName=TK20E60W5
TK20E60W5,S1VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+342.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20J60W,S1VE docget.jsp?did=13896&prodName=TK20J60W
TK20J60W,S1VE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+564.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3123(D4,F
TLP3123(D4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-40V
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP3123(D4,TP,F
TLP3123(D4,TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 0-40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.33VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 1 A
Approval Agency: CSA, cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 40 V
On-State Resistance (Max): 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1K9A60F,S4X docget.jsp?did=59768&prodName=TK1K9A60F
TK1K9A60F,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-GR,LF docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588
2SA1588-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.24 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B20M4SL,L3F docget.jsp?did=55277&prodName=DF2B20M4SL
DF2B20M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 18.5VWM 30VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 500mA (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 15W
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.23 грн
20000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B20M4SL,L3F docget.jsp?did=55277&prodName=DF2B20M4SL
DF2B20M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 18.5VWM 30VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 500mA (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V
Power - Peak Pulse: 15W
Power Line Protection: No
на замовлення 23054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
27+11.12 грн
100+6.92 грн
500+4.78 грн
1000+4.22 грн
2000+3.75 грн
5000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET126F,LJ(CT docget.jsp?did=659&prodName=TC7SET126F
TC7SET126F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET126F,LJ(CT docget.jsp?did=659&prodName=TC7SET126F
TC7SET126F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP197A(F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 400MA 0-60V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.15VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 400 mA
Supplier Device Package: 6-SOP (2.54mm)
Voltage - Load: 0 V ~ 60 V
On-State Resistance (Max): 2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF30A,LM(CT docget.jsp?did=68764
TCR3UF30A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.82 грн
6000+6.36 грн
9000+6.26 грн
15000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR3UF30A,LM(CT docget.jsp?did=68764
TCR3UF30A,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 300MA SMV
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.287V @ 300mA
PSRR: 70dB (1kHz)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 680 nA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
на замовлення 18149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.05 грн
27+11.12 грн
31+9.79 грн
100+7.87 грн
250+7.24 грн
500+6.86 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP(TE6,F,M TA78LyyyAP.pdf
TA78L005AP(TE6,F,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP(TORI,FM TA78LyyyAP.pdf
TA78L005AP(TORI,FM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,6FNCF(J TA78LyyyAP.pdf
TA78L005AP,6FNCF(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,6KEHF(M TA78LyyyAP.pdf
TA78L005AP,6KEHF(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,F(J TA78LyyyAP.pdf
TA78L005AP,F(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,HOTIF(M TA78LyyyAP.pdf
TA78L005AP,HOTIF(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TA78L005AP,SDENF(J TA78LyyyAP.pdf
TA78L005AP,SDENF(J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA LSTM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: LSTM
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 49dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.7V @ 40mA (Typ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]