Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13058) > Сторінка 145 з 218

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 168 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RN2426(TE85L,F) RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18885&prodName=RN2426 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
товар відсутній
RN2426(TE85L,F) RN2426(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18885&prodName=RN2426 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TPH1R306PL,L1Q TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30818&prodName=TPH1R306PL Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH1R306PL,L1Q TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30818&prodName=TPH1R306PL Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.6 грн
10+ 106.61 грн
100+ 84.86 грн
500+ 67.39 грн
1000+ 57.18 грн
2000+ 54.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
MT3S113TU,LF MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
товар відсутній
MT3S113TU,LF MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.05 грн
10+ 37.34 грн
25+ 33.71 грн
100+ 27.67 грн
250+ 24.28 грн
500+ 21.46 грн
1000+ 16.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
MT3S113P(TE12L,F) MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P_datasheet_en_20140301.pdf?did=2071&prodName=MT3S113P Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товар відсутній
MT3S113P(TE12L,F) MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P_datasheet_en_20140301.pdf?did=2071&prodName=MT3S113P Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
TTC4116FU,LF TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4359&prodName=TTC4116FU Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
TTC4116FU,LF TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4359&prodName=TTC4116FU Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.61 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.69 грн
500+ 4.13 грн
1000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
TLP3406SRL(TP,E TLP3406SRL(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRL_Prelim_DS.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+191.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TLP3406SRL(TP,E TLP3406SRL(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRL_Prelim_DS.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.31 грн
10+ 303.83 грн
100+ 248.85 грн
500+ 196.88 грн
1000+ 180.58 грн
TLP3406SRH(TP,E TLP3406SRH(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRH_Prelim_DS.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
товар відсутній
TLP3406SRH(TP,E TLP3406SRH(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRH_Prelim_DS.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.31 грн
10+ 303.83 грн
100+ 248.85 грн
500+ 196.88 грн
1000+ 180.58 грн
TLP2355(E TLP2355(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355_datasheet_en_20191119.pdf?did=11905&prodName=TLP2355 Description: X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS B
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.72 грн
10+ 40.13 грн
125+ 29.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPN2R903PL,L1Q TPN2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R903PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=55425&prodName=TPN2R903PL Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.83 грн
10000+ 16.79 грн
25000+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN2R903PL,L1Q TPN2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R903PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=55425&prodName=TPN2R903PL Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 37456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52 грн
10+ 43.67 грн
100+ 30.22 грн
500+ 23.69 грн
1000+ 20.16 грн
2000+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
товар відсутній
TRS8A65F,S1Q TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.15 грн
10+ 190.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
TRS8E65F,S1Q TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53519&prodName=TRS8E65F Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
HDEPX10GEA51F HDEPX10GEA51F Toshiba Semiconductor and Storage Description: 16TB SATA NEARLINE 512E
Packaging: Bulk
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52191.76 грн
10+ 49514 грн
MQ01ABF032 MQ01ABF032 Toshiba Semiconductor and Storage Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 5.4RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 320GB
Type: SATA III
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4310.68 грн
10+ 3761.79 грн
25+ 3632.06 грн
50+ 3286.81 грн
100+ 3238.12 грн
TC7SZ07FU,LJ(CT TC7SZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54757&prodName=TC7SZ07FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.66 грн
6000+ 3.06 грн
15000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TC7SZ07FU,LJ(CT TC7SZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54757&prodName=TC7SZ07FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 27412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.94 грн
17+ 16.48 грн
25+ 13.77 грн
100+ 8.19 грн
250+ 6.32 грн
500+ 5.39 грн
1000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAS516,L3F BAS516,L3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516_datasheet_en_20221219.pdf?did=55427&prodName=BAS516 Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.9 грн
16000+ 1.56 грн
24000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 8000
BAS516,L3F BAS516,L3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516_datasheet_en_20221219.pdf?did=55427&prodName=BAS516 Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 69440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.55 грн
35+ 8 грн
100+ 4.28 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.19 грн
2000+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN4991FE,LF(CT RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN4991FE,LF(CT RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.89 грн
27+ 10.36 грн
100+ 5.06 грн
500+ 3.96 грн
1000+ 2.75 грн
2000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
RN1911,LF(CT RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911 Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1911,LF(CT RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911 Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4908,LF(CT RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN4908,LF(CT RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908 Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.33 грн
25+ 11.47 грн
100+ 5.61 грн
500+ 4.39 грн
1000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN1707,LF RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
6000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1707,LF RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.5 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN1711,LF RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
товар відсутній
RN1711,LF RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.5 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN2702,LF RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702_datasheet_en_20191024.pdf?did=18900&prodName=RN2702 Description: TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2702,LF RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702_datasheet_en_20191024.pdf?did=18900&prodName=RN2702 Description: TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.5 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN2708,LF RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708_datasheet_en_20191029.pdf?did=18903&prodName=RN2708 Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2708,LF RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708_datasheet_en_20191029.pdf?did=18903&prodName=RN2708 Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.5 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN2714,LF RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714_datasheet_en_20191030.pdf?did=6018&prodName=RN2714 Description: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товар відсутній
RN2714,LF RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714_datasheet_en_20191030.pdf?did=6018&prodName=RN2714 Description: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товар відсутній
RN1106MFV,L3F(CT RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN1106MFV,L3F(CT RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13 грн
25+ 11.41 грн
100+ 6.2 грн
500+ 3.58 грн
1000+ 2.44 грн
2000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
TCR3DG13,LF TCR3DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.3V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG13,LF TCR3DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.3V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG135,LF TCR3DG135,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.53V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG135,LF TCR3DG135,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.53V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR2DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR2DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR2EE145,LM(CT TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13794&prodName=TCR2EE145 Description: IC REG LINEAR 1.45V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.45V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Protection Features: Over Current
товар відсутній
TCR2EE145,LM(CT TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13794&prodName=TCR2EE145 Description: IC REG LINEAR 1.45V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.45V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Protection Features: Over Current
товар відсутній
TLP731(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-GB-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-GB-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-BL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-GB-LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
RN2426(TE85L,F) docget.jsp?did=18885&prodName=RN2426
RN2426(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
товар відсутній
RN2426(TE85L,F) docget.jsp?did=18885&prodName=RN2426
RN2426(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TPH1R306PL,L1Q TPH1R306PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30818&prodName=TPH1R306PL
TPH1R306PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH1R306PL,L1Q TPH1R306PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=30818&prodName=TPH1R306PL
TPH1R306PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.6 грн
10+ 106.61 грн
100+ 84.86 грн
500+ 67.39 грн
1000+ 57.18 грн
2000+ 54.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
MT3S113TU,LF MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU
MT3S113TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
товар відсутній
MT3S113TU,LF MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU
MT3S113TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.05 грн
10+ 37.34 грн
25+ 33.71 грн
100+ 27.67 грн
250+ 24.28 грн
500+ 21.46 грн
1000+ 16.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
MT3S113P(TE12L,F) MT3S113P_datasheet_en_20140301.pdf?did=2071&prodName=MT3S113P
MT3S113P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товар відсутній
MT3S113P(TE12L,F) MT3S113P_datasheet_en_20140301.pdf?did=2071&prodName=MT3S113P
MT3S113P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
TTC4116FU,LF docget.jsp?did=4359&prodName=TTC4116FU
TTC4116FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
TTC4116FU,LF docget.jsp?did=4359&prodName=TTC4116FU
TTC4116FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.61 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.69 грн
500+ 4.13 грн
1000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
TLP3406SRL(TP,E TLP3406SRL_Prelim_DS.pdf
TLP3406SRL(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+191.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TLP3406SRL(TP,E TLP3406SRL_Prelim_DS.pdf
TLP3406SRL(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.31 грн
10+ 303.83 грн
100+ 248.85 грн
500+ 196.88 грн
1000+ 180.58 грн
TLP3406SRH(TP,E TLP3406SRH_Prelim_DS.pdf
TLP3406SRH(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
товар відсутній
TLP3406SRH(TP,E TLP3406SRH_Prelim_DS.pdf
TLP3406SRH(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 1.5A 0-30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD (0.079", 2.00mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.4VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Load Current: 1.5 A
Supplier Device Package: S-VSON4T
Part Status: Active
Voltage - Load: 0 V ~ 30 V
On-State Resistance (Max): 200 mOhms
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.31 грн
10+ 303.83 грн
100+ 248.85 грн
500+ 196.88 грн
1000+ 180.58 грн
TLP2355(E TLP2355_datasheet_en_20191119.pdf?did=11905&prodName=TLP2355
TLP2355(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X36 PB-F PHOTOCOUPLER SO6 ROHS B
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 20mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 25 mA
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.72 грн
10+ 40.13 грн
125+ 29.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPN2R903PL,L1Q TPN2R903PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=55425&prodName=TPN2R903PL
TPN2R903PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.83 грн
10000+ 16.79 грн
25000+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPN2R903PL,L1Q TPN2R903PL_datasheet_en_20191030.pdf?did=55425&prodName=TPN2R903PL
TPN2R903PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 37456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52 грн
10+ 43.67 грн
100+ 30.22 грн
500+ 23.69 грн
1000+ 20.16 грн
2000+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
TPN2R805PL,L1Q docget.jsp?did=53831&prodName=TPN2R805PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
товар відсутній
TRS8A65F,S1Q
TRS8A65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.15 грн
10+ 190.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
TRS8E65F,S1Q TRS8E65F_datasheet_en_20180627.pdf?did=53519&prodName=TRS8E65F
TRS8E65F,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
HDEPX10GEA51F
HDEPX10GEA51F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 16TB SATA NEARLINE 512E
Packaging: Bulk
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+52191.76 грн
10+ 49514 грн
MQ01ABF032
MQ01ABF032
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 320GB 2.5" SATA III 5V 5.4RPM
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 100.45mm x 69.85mm x 9.50mm
Memory Size: 320GB
Type: SATA III
Weight: 3.26 oz (92.89 g)
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V
Form Factor: 2.5"
Part Status: Active
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4310.68 грн
10+ 3761.79 грн
25+ 3632.06 грн
50+ 3286.81 грн
100+ 3238.12 грн
TC7SZ07FU,LJ(CT TC7SZ07FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54757&prodName=TC7SZ07FU
TC7SZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.66 грн
6000+ 3.06 грн
15000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TC7SZ07FU,LJ(CT TC7SZ07FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54757&prodName=TC7SZ07FU
TC7SZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
на замовлення 27412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.94 грн
17+ 16.48 грн
25+ 13.77 грн
100+ 8.19 грн
250+ 6.32 грн
500+ 5.39 грн
1000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAS516,L3F BAS516_datasheet_en_20221219.pdf?did=55427&prodName=BAS516
BAS516,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+1.9 грн
16000+ 1.56 грн
24000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 8000
BAS516,L3F BAS516_datasheet_en_20221219.pdf?did=55427&prodName=BAS516
BAS516,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 69440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.55 грн
35+ 8 грн
100+ 4.28 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.19 грн
2000+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN4991FE,LF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN4991FE,LF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.89 грн
27+ 10.36 грн
100+ 5.06 грн
500+ 3.96 грн
1000+ 2.75 грн
2000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
RN1911,LF(CT docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911
RN1911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.55 грн
6000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1911,LF(CT docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911
RN1911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4908,LF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN4908,LF(CT RN4908_datasheet_en_20210824.pdf?did=18963&prodName=RN4908
RN4908,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.33 грн
25+ 11.47 грн
100+ 5.61 грн
500+ 4.39 грн
1000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN1707,LF
RN1707,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.22 грн
6000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN1707,LF
RN1707,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.5 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN1711,LF
RN1711,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
товар відсутній
RN1711,LF
RN1711,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.5 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN2702,LF RN2702_datasheet_en_20191024.pdf?did=18900&prodName=RN2702
RN2702,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2702,LF RN2702_datasheet_en_20191024.pdf?did=18900&prodName=RN2702
RN2702,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.5 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN2708,LF RN2708_datasheet_en_20191029.pdf?did=18903&prodName=RN2708
RN2708,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2708,LF RN2708_datasheet_en_20191029.pdf?did=18903&prodName=RN2708
RN2708,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.5 грн
22+ 12.66 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN2714,LF RN2714_datasheet_en_20191030.pdf?did=6018&prodName=RN2714
RN2714,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товар відсутній
RN2714,LF RN2714_datasheet_en_20191030.pdf?did=6018&prodName=RN2714
RN2714,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM
товар відсутній
RN1106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN1106MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
RN1106MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13 грн
25+ 11.41 грн
100+ 6.2 грн
500+ 3.58 грн
1000+ 2.44 грн
2000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
TCR3DG13,LF
TCR3DG13,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.3V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG13,LF
TCR3DG13,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.3V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.3V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.55V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG135,LF
TCR3DG135,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4WCSPE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.53V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR3DG135,LF
TCR3DG135,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.35V 300MA 4WCSPE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSPE (0.65x0.65)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.35V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.53V @ 300mA
Protection Features: Inrush Current, Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR2DG13,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA 4WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR2DG13,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.3V 200MA 4WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLCSP
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-WCSP (0.79x0.79)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.3V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.7V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товар відсутній
TCR2EE145,LM(CT docget.jsp?did=13794&prodName=TCR2EE145
TCR2EE145,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.45V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.45V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Protection Features: Over Current
товар відсутній
TCR2EE145,LM(CT docget.jsp?did=13794&prodName=TCR2EE145
TCR2EE145,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.45V 200MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.45V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Protection Features: Over Current
товар відсутній
TLP731(D4-LF2,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-GB-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-BL-TP1,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(GR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-GB-LF2,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-BL-LF2,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(D4-GB-LF4,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TLP731(GB-LF1,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 63 84 105 126 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 168 189 210 218  [ Наступна Сторінка >> ]