Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 179 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2107MFV,L3F(CT RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5884 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5884 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
49+6.19 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
2000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
24+12.54 грн
100+6.65 грн
500+4.11 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTC015B,Q TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28833&prodName=TTC015B Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126N
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tray
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.74 грн
10+41.94 грн
250+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
21+14.48 грн
100+9.10 грн
500+6.34 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Supplier Device Package: UFV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 15V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Current - Supply (Max): 850 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Supplier Device Package: UFV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 15V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
10+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP9148J(YZK-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-LF4,E TLP5752(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(LF4,E TLP5752(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.18 грн
10+112.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(LF4,E TLP5752H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.73 грн
10+90.44 грн
125+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4LF4,E TLP5752H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.73 грн
10+90.44 грн
125+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Input Capacitance: 4 pF
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.81 грн
5000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Input Capacitance: 4 pF
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.34 грн
10+33.28 грн
25+27.55 грн
100+19.71 грн
250+16.69 грн
500+14.83 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.10 грн
10+133.27 грн
100+92.16 грн
500+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TA Toshiba Semiconductor and Storage p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V-12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 18TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TE Toshiba Semiconductor and Storage p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V-12V
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 18TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB40MU,LF(S2E TC7USB40MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13632&prodName=TC7USB40MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: USB 2.0
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.71 грн
6000+12.84 грн
9000+12.66 грн
15000+11.70 грн
21000+11.59 грн
30000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB40MU,LF(S2E TC7USB40MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13632&prodName=TC7USB40MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: USB 2.0
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 75395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
15+21.27 грн
25+18.95 грн
100+15.43 грн
250+14.31 грн
500+13.64 грн
1000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC011B,Q TTC011B,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35681&prodName=TTC011B Description: TRANS NPN 230V 1A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.24 грн
10+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+97.08 грн
100+75.69 грн
500+58.68 грн
1000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X TK6R8A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70423&prodName=TK6R8A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z_datasheet_en_20190930.pdf?did=67740&prodName=TK170V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.86 грн
10+215.28 грн
100+152.67 грн
500+124.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57939&prodName=TK6R7P06PL Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.45 грн
5000+29.95 грн
7500+28.80 грн
12500+25.81 грн
17500+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57939&prodName=TK6R7P06PL Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 21266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.89 грн
10+74.17 грн
100+49.74 грн
500+36.83 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(TP,E TLP5752H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4-TP,E TLP5752H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(E TLP5752H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SO
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2958(D4-MBT1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958_Rev3.0_11-30-15.pdf Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Supplier Device Package: 8-DIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H401FTG,EL TB67H401FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG_datasheet_en_20180426.pdf?did=61997&prodName=TB67H401FTG Description: IC MTR DRIVER 4.75V-5.25V 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 6A
Interface: Parallel, PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+157.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQ TK55S10N1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.62 грн
10+159.46 грн
100+111.51 грн
500+85.41 грн
1000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X TK090E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=139849&prodName=TK090E65Z Description: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.75 грн
10+343.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN36,LF(SE TCR2LN36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3.6V 200MA 4-SDFN
Protection Features: Over Current
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.6V
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN36,LF(SE TCR2LN36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: IC REG LINEAR 3.6V 200MA 4-SDFN
Protection Features: Over Current
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.6V
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
39+7.69 грн
45+6.78 грн
100+5.40 грн
250+4.95 грн
500+4.67 грн
1000+4.37 грн
2500+4.14 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF(SE TCR2LN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=1.15V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF(SE TCR2LN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08 Description: LDO REG VOUT=1.15V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
15+20.22 грн
25+18.27 грн
100+11.86 грн
250+9.99 грн
500+8.11 грн
1000+6.14 грн
2500+5.53 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4066D 74HC4066D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4066D_datasheet_en_20201124.pdf?did=55443&prodName=74HC4066D Description: IC MUX QUAD 1:1 80OHM 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 12ns, 12ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 15889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
16+18.66 грн
25+16.60 грн
100+13.47 грн
250+12.47 грн
500+11.87 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H451AFNG,EL TB67H451AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451AFNG_datasheet_en_20201217.pdf?did=70456&prodName=TB67H451AFNG Description: BRUSHED MOTOR DRIVER IC, 50V, 3.
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 8-HSOP
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Technology: BiCDMOS
Applications: General Purpose
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PWM
Current - Output: 3.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+41.79 грн
7000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H451AFNG,EL TB67H451AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451AFNG_datasheet_en_20201217.pdf?did=70456&prodName=TB67H451AFNG Description: BRUSHED MOTOR DRIVER IC, 50V, 3.
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 8-HSOP
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Technology: BiCDMOS
Applications: General Purpose
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PWM
Current - Output: 3.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 10110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+60.59 грн
25+54.89 грн
100+45.60 грн
250+42.79 грн
500+41.09 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH00FU,LJ(CT TC7WH00FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH00FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20115&prodName=TC7WH00FU Description: IC GATE NAND 2CH 2-INP 8SSOP
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Number of Circuits: 2
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V
Input Logic Level - High: 1.5V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: NAND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
35+8.58 грн
40+7.52 грн
100+6.04 грн
250+5.53 грн
500+5.23 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH241FUTE12LF TC7WH241FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH241FU%2CFK.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
Supplier Device Package: 8-SSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W_datasheet_en_20160908.pdf?did=35696&prodName=TK10E80W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.97 грн
50+189.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B36FU,H3XHF DF2B36FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36248&prodName=DF2B36FU Description: TVS DIODE 28VWM 60VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 32V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 60V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B36FU,H3XHF DF2B36FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36248&prodName=DF2B36FU Description: TVS DIODE 28VWM 60VC USC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 150W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 60V
Voltage - Breakdown (Min): 32V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
27+11.19 грн
100+7.21 грн
500+5.55 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX573FT 74LCX573FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15276&prodName=74LCX573FT Description: IC D-TYPE 8:8 20-TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Delay Time - Propagation: 8ns
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.81 грн
5000+11.04 грн
7500+10.87 грн
12500+10.03 грн
17500+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX573FT 74LCX573FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15276&prodName=74LCX573FT Description: IC D-TYPE 8:8 20-TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Delay Time - Propagation: 8ns
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 23601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
17+18.28 грн
25+16.33 грн
100+13.26 грн
250+12.28 грн
500+11.68 грн
1000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5884
RN2107MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5884
RN2107MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 15080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.85 грн
49+6.19 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.28 грн
2000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
24+12.54 грн
100+6.65 грн
500+4.11 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
RN2109,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
RN2109,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTC015B,Q docget.jsp?did=28833&prodName=TTC015B
TTC015B,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126N
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tray
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.74 грн
10+41.94 грн
250+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
21+14.48 грн
100+9.10 грн
500+6.34 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U
TAR5S16U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Supplier Device Package: UFV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 15V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U
TAR5S16U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Current - Supply (Max): 850 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Supplier Device Package: UFV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 15V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
10+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP9148J(YZK-TL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-LF4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(LF4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.18 грн
10+112.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(LF4,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.73 грн
10+90.44 грн
125+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4LF4,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(D4LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.73 грн
10+90.44 грн
125+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT
74VHC273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Input Capacitance: 4 pF
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.81 грн
5000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT
74VHC273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Input Capacitance: 4 pF
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.34 грн
10+33.28 грн
25+27.55 грн
100+19.71 грн
250+16.69 грн
500+14.83 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L
TK60F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L
TK60F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.10 грн
10+133.27 грн
100+92.16 грн
500+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU
SSM6K404TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU
SSM6K404TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TA p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V-12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 18TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TE p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V-12V
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 18TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB40MU,LF(S2E docget.jsp?did=13632&prodName=TC7USB40MU
TC7USB40MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: USB 2.0
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.71 грн
6000+12.84 грн
9000+12.66 грн
15000+11.70 грн
21000+11.59 грн
30000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB40MU,LF(S2E docget.jsp?did=13632&prodName=TC7USB40MU
TC7USB40MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: USB 2.0
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 75395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.00 грн
15+21.27 грн
25+18.95 грн
100+15.43 грн
250+14.31 грн
500+13.64 грн
1000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC011B,Q docget.jsp?did=35681&prodName=TTC011B
TTC011B,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.24 грн
10+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM
TK5R1P08QM,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM
TK5R1P08QM,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.14 грн
10+97.08 грн
100+75.69 грн
500+58.68 грн
1000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X docget.jsp?did=70423&prodName=TK6R8A08QM
TK6R8A08QM,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ TK170V65Z_datasheet_en_20190930.pdf?did=67740&prodName=TK170V65Z
TK170V65Z,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.86 грн
10+215.28 грн
100+152.67 грн
500+124.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ docget.jsp?did=57939&prodName=TK6R7P06PL
TK6R7P06PL,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.45 грн
5000+29.95 грн
7500+28.80 грн
12500+25.81 грн
17500+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ docget.jsp?did=57939&prodName=TK6R7P06PL
TK6R7P06PL,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 21266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.89 грн
10+74.17 грн
100+49.74 грн
500+36.83 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(TP,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4-TP,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(D4-TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 2CH GATE DVR 6SO
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2958(D4-MBT1,F) TLP2958_Rev3.0_11-30-15.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Current - Output / Channel: 25 mA
Number of Channels: 1
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 20kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Supplier Device Package: 8-DIP
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Input Type: DC
Data Rate: 5Mbps
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H401FTG,EL TB67H401FTG_datasheet_en_20180426.pdf?did=61997&prodName=TB67H401FTG
TB67H401FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTR DRIVER 4.75V-5.25V 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 6A
Interface: Parallel, PWM
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 10V ~ 47V
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+157.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK55S10N1,LQ docget.jsp?did=13952&prodName=TK55S10N1
TK55S10N1,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.62 грн
10+159.46 грн
100+111.51 грн
500+85.41 грн
1000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK090E65Z,S1X docget.jsp?did=139849&prodName=TK090E65Z
TK090E65Z,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.75 грн
10+343.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN36,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN36,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.6V 200MA 4-SDFN
Protection Features: Over Current
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.6V
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN36,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN36,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.6V 200MA 4-SDFN
Protection Features: Over Current
Voltage Dropout (Max): 0.28V @ 150mA
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.6V
Supplier Device Package: 4-SDFN (0.8x0.8)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
39+7.69 грн
45+6.78 грн
100+5.40 грн
250+4.95 грн
500+4.67 грн
1000+4.37 грн
2500+4.14 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN115,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.15V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LN115,LF(SE TCR2LN08_datasheet_en_20210831.pdf?did=139781&prodName=TCR2LN08
TCR2LN115,LF(SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LDO REG VOUT=1.15V I=200MA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
15+20.22 грн
25+18.27 грн
100+11.86 грн
250+9.99 грн
500+8.11 грн
1000+6.14 грн
2500+5.53 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC4066D 74HC4066D_datasheet_en_20201124.pdf?did=55443&prodName=74HC4066D
74HC4066D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX QUAD 1:1 80OHM 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 12V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 12ns, 12ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 15889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
16+18.66 грн
25+16.60 грн
100+13.47 грн
250+12.47 грн
500+11.87 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H451AFNG,EL TB67H451AFNG_datasheet_en_20201217.pdf?did=70456&prodName=TB67H451AFNG
TB67H451AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHED MOTOR DRIVER IC, 50V, 3.
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 8-HSOP
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Technology: BiCDMOS
Applications: General Purpose
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PWM
Current - Output: 3.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+41.79 грн
7000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H451AFNG,EL TB67H451AFNG_datasheet_en_20201217.pdf?did=70456&prodName=TB67H451AFNG
TB67H451AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: BRUSHED MOTOR DRIVER IC, 50V, 3.
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 8-HSOP
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Technology: BiCDMOS
Applications: General Purpose
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PWM
Current - Output: 3.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 10110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.01 грн
10+60.59 грн
25+54.89 грн
100+45.60 грн
250+42.79 грн
500+41.09 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH00FU,LJ(CT TC7WH00FU_datasheet_en_20200205.pdf?did=20115&prodName=TC7WH00FU
TC7WH00FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 2CH 2-INP 8SSOP
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Number of Circuits: 2
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.5V
Input Logic Level - High: 1.5V
Supplier Device Package: 8-SSOP
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: NAND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
35+8.58 грн
40+7.52 грн
100+6.04 грн
250+5.53 грн
500+5.23 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH241FUTE12LF TC7WH241FU%2CFK.pdf
TC7WH241FUTE12LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
Supplier Device Package: 8-SSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10E80W,S1X TK10E80W_datasheet_en_20160908.pdf?did=35696&prodName=TK10E80W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.97 грн
50+189.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B36FU,H3XHF docget.jsp?did=36248&prodName=DF2B36FU
DF2B36FU,H3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 28VWM 60VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V (Max)
Supplier Device Package: USC
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 32V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 60V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B36FU,H3XHF docget.jsp?did=36248&prodName=DF2B36FU
DF2B36FU,H3XHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 28VWM 60VC USC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 150W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 60V
Voltage - Breakdown (Min): 32V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.82 грн
27+11.19 грн
100+7.21 грн
500+5.55 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX573FT docget.jsp?did=15276&prodName=74LCX573FT
74LCX573FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE 8:8 20-TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Delay Time - Propagation: 8ns
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+11.81 грн
5000+11.04 грн
7500+10.87 грн
12500+10.03 грн
17500+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX573FT docget.jsp?did=15276&prodName=74LCX573FT
74LCX573FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC D-TYPE 8:8 20-TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Delay Time - Propagation: 8ns
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Part Status: Active
на замовлення 23601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
17+18.28 грн
25+16.33 грн
100+13.26 грн
250+12.28 грн
500+11.68 грн
1000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]