Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 179 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21 Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.94 грн
25+209.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC174FT 74VHC174FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15747&prodName=74VHC174FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 120 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.2ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Bits per Element: 6
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX374FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15176&prodName=74LCX374FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.5ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(E TLP2710(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710_datasheet_en_20180309.pdf?did=29698&prodName=TLP2710 Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.65 грн
10+73.84 грн
125+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22925G,LF TCK22925G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22925G,LF TCK22925G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.61 грн
11+29.66 грн
100+20.64 грн
500+15.12 грн
1000+12.29 грн
2000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT4053D 74HCT4053D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT4053D_datasheet_en_20201117.pdf?did=54977&prodName=74HCT4053D Description: IC SWITCH SPDT X 3 110OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 110Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 59ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.01 грн
5000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT4053D 74HCT4053D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT4053D_datasheet_en_20201117.pdf?did=54977&prodName=74HCT4053D Description: IC SWITCH SPDT X 3 110OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 110Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 59ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.36 грн
22+14.75 грн
25+13.05 грн
100+10.54 грн
250+9.72 грн
500+9.23 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70,LM BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55438&prodName=BAV70 Description: DIODE ARR GP 100V 215MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70,LM BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55438&prodName=BAV70 Description: DIODE ARR GP 100V 215MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.76 грн
52+6.14 грн
100+4.57 грн
500+3.12 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785 Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ30V,H3F CUZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ30V Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ30V,H3F CUZ30V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ30V Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.76 грн
46+7.02 грн
100+4.07 грн
500+3.68 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQ TK25S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQ TK25S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS516,H3F BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516_datasheet_en_20221219.pdf?did=55427&prodName=BAS516 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS516,H3F BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516_datasheet_en_20221219.pdf?did=55427&prodName=BAS516 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV,L3F RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=727&prodName=RN1132MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV,L3F RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=727&prodName=RN1132MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
45+7.10 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.62 грн
2000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN2131MFV,L3F RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1075&prodName=RN2131MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2131MFV,L3F RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1075&prodName=RN2131MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.59 грн
45+7.10 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.62 грн
2000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(GBTPR,E TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4_datasheet_en_20190520.pdf?did=15287&prodName=TLP293-4 Description: OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(GBTPR,E TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4_datasheet_en_20190520.pdf?did=15287&prodName=TLP293-4 Description: OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.30 грн
10+74.71 грн
100+56.28 грн
500+45.16 грн
1000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP187(TPR,E TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187_datasheet_en_20191119.pdf?did=13690&prodName=TLP187 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH DARL 6-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP187(TPR,E TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187_datasheet_en_20191119.pdf?did=13690&prodName=TLP187 Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH DARL 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.52 грн
10+50.47 грн
100+37.41 грн
500+29.63 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL,LF 2SC2712-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL,LF 2SC2712-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.42 грн
42+7.73 грн
100+4.77 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H450AFNG,EL TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG_datasheet_en_20250730.pdf?did=70454&prodName=TB67H450AFNG Description: IC BRUSHED MOTOR DRVR 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+27.15 грн
7000+25.53 грн
10500+25.22 грн
17500+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H450AFNG,EL TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG_datasheet_en_20250730.pdf?did=70454&prodName=TB67H450AFNG Description: IC BRUSHED MOTOR DRVR 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 21557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.62 грн
10+40.67 грн
25+36.55 грн
100+30.10 грн
250+28.10 грн
500+26.90 грн
1000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188_datasheet_en_20191119.pdf?did=13932&prodName=TLP188 Description: TRANSISTOR COUPLER; DC INPUT,VCE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.93 грн
10+39.15 грн
125+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(LF5,E TLP628M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.93 грн
10+42.34 грн
100+31.10 грн
500+24.48 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(LF1,E TLP628M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.10 грн
10+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF1,E TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.10 грн
10+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628MF(GB,E TLP628MF(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB,E TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.93 грн
10+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF5,E TLP628M(GB-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.10 грн
10+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(E TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.93 грн
10+42.34 грн
100+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E65Z,S1X TK110E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z_datasheet_en_20220201.pdf?did=139853&prodName=TK110E65Z Description: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT RN2105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT RN2105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
16+21.13 грн
100+11.98 грн
500+7.44 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
16+21.13 грн
100+11.98 грн
500+7.44 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
16+21.13 грн
100+11.98 грн
500+7.44 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2107 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT RN2107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2107 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
16+21.13 грн
100+11.98 грн
500+7.44 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.73 грн
23+13.87 грн
100+7.55 грн
500+4.36 грн
1000+2.98 грн
2000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.39 грн
24+13.40 грн
100+7.10 грн
500+4.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.67 грн
19+17.22 грн
100+8.68 грн
500+6.65 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CT RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT40QR21(STA1,E,D docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21
GT40QR21(STA1,E,D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.94 грн
25+209.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC174FT docget.jsp?did=15747&prodName=74VHC174FT
74VHC174FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 120 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.2ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Bits per Element: 6
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX374FT docget.jsp?did=15176&prodName=74LCX374FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 7 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.5ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2710(E TLP2710_datasheet_en_20180309.pdf?did=29698&prodName=TLP2710
TLP2710(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 5KV PUSH PULL 6-SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.9V (Max)
Data Rate: 5MBd
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 8mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 25kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 250ns, 250ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.65 грн
10+73.84 грн
125+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22925G,LF TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G
TCK22925G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCK22925G,LF TCK22921G_datasheet_en_20211118.pdf?did=53117&prodName=TCK22921G
TCK22925G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 WCSP6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-WCSPE (0.80x1.2)
Fault Protection: Reverse Current
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.61 грн
11+29.66 грн
100+20.64 грн
500+15.12 грн
1000+12.29 грн
2000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT4053D 74HCT4053D_datasheet_en_20201117.pdf?did=54977&prodName=74HCT4053D
74HCT4053D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SWITCH SPDT X 3 110OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 110Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 59ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.01 грн
5000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT4053D 74HCT4053D_datasheet_en_20201117.pdf?did=54977&prodName=74HCT4053D
74HCT4053D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SWITCH SPDT X 3 110OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 110Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 5.5V
Crosstalk: -90dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Typ)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 45ns, 59ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.36 грн
22+14.75 грн
25+13.05 грн
100+10.54 грн
250+9.72 грн
500+9.23 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70,LM docget.jsp?did=55438&prodName=BAV70
BAV70,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR GP 100V 215MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70,LM docget.jsp?did=55438&prodName=BAV70
BAV70,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR GP 100V 215MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.76 грн
52+6.14 грн
100+4.57 грн
500+3.12 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TLP785(TELS,F TLP785_datasheet_en_20190311.pdf?did=10569&prodName=TLP785
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER TRANS OUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ30V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ30V
CUZ30V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CUZ30V,H3F docget.jsp?did=155999&prodName=CUZ30V
CUZ30V,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 30VWM 47.5VC USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 21pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V (Typ)
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.76 грн
46+7.02 грн
100+4.07 грн
500+3.68 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQ docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L
TK25S06N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LXHQ docget.jsp?did=29750&prodName=TK25S06N1L
TK25S06N1L,LXHQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25S06N1L,LQ
TK25S06N1L,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS516,H3F BAS516_datasheet_en_20221219.pdf?did=55427&prodName=BAS516
BAS516,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS516,H3F BAS516_datasheet_en_20221219.pdf?did=55427&prodName=BAS516
BAS516,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV,L3F docget.jsp?did=727&prodName=RN1132MFV
RN1131MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV,L3F docget.jsp?did=727&prodName=RN1132MFV
RN1131MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
45+7.10 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.62 грн
2000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN2131MFV,L3F docget.jsp?did=1075&prodName=RN2131MFV
RN2131MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2131MFV,L3F docget.jsp?did=1075&prodName=RN2131MFV
RN2131MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.59 грн
45+7.10 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.62 грн
2000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(GBTPR,E TLP293-4_datasheet_en_20190520.pdf?did=15287&prodName=TLP293-4
TLP293-4(GBTPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(GBTPR,E TLP293-4_datasheet_en_20190520.pdf?did=15287&prodName=TLP293-4
TLP293-4(GBTPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.30 грн
10+74.71 грн
100+56.28 грн
500+45.16 грн
1000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP187(TPR,E TLP187_datasheet_en_20191119.pdf?did=13690&prodName=TLP187
TLP187(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH DARL 6-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP187(TPR,E TLP187_datasheet_en_20191119.pdf?did=13690&prodName=TLP187
TLP187(TPR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLTR 3.75KV 1CH DARL 6-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 150mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 1000% @ 1mA
Vce Saturation (Max): 1.2V
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 300V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 50µs, 15µs
Rise / Fall Time (Typ): 40µs, 15µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.52 грн
10+50.47 грн
100+37.41 грн
500+29.63 грн
1000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL,LF docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712
2SC2712-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-BL,LF docget.jsp?did=19227&prodName=2SC2712
2SC2712-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.42 грн
42+7.73 грн
100+4.77 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H450AFNG,EL TB67H450AFNG_datasheet_en_20250730.pdf?did=70454&prodName=TB67H450AFNG
TB67H450AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BRUSHED MOTOR DRVR 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+27.15 грн
7000+25.53 грн
10500+25.22 грн
17500+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H450AFNG,EL TB67H450AFNG_datasheet_en_20250730.pdf?did=70454&prodName=TB67H450AFNG
TB67H450AFNG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BRUSHED MOTOR DRVR 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 21557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.62 грн
10+40.67 грн
25+36.55 грн
100+30.10 грн
250+28.10 грн
500+26.90 грн
1000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP188(GB,E TLP188_datasheet_en_20191119.pdf?did=13932&prodName=TLP188
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR COUPLER; DC INPUT,VCE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.93 грн
10+39.15 грн
125+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(LF5,E TLP628docgetjsp.pdf
TLP628M(LF5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.93 грн
10+42.34 грн
100+31.10 грн
500+24.48 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(LF1,E
TLP628M(LF1,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.10 грн
10+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF1,E
TLP628M(GB-LF1,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.10 грн
10+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628MF(GB,E
TLP628MF(GB,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB,E TLP628docgetjsp.pdf
TLP628M(GB,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.93 грн
10+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF5,E
TLP628M(GB-LF5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.10 грн
10+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(E TLP628docgetjsp.pdf
TLP628M(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.93 грн
10+42.34 грн
100+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E65Z,S1X TK110E65Z_datasheet_en_20220201.pdf?did=139853&prodName=TK110E65Z
TK110E65Z,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
RN2105,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
RN2105,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
16+21.13 грн
100+11.98 грн
500+7.44 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
16+21.13 грн
100+11.98 грн
500+7.44 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102
RN2102,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102
RN2102,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
16+21.13 грн
100+11.98 грн
500+7.44 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2107
RN2107,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2107
RN2107,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.98 грн
16+21.13 грн
100+11.98 грн
500+7.44 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.73 грн
23+13.87 грн
100+7.55 грн
500+4.36 грн
1000+2.98 грн
2000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
RN2105,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
RN2105,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.39 грн
24+13.40 грн
100+7.10 грн
500+4.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2101,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2101,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.67 грн
19+17.22 грн
100+8.68 грн
500+6.65 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2101,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104
RN2104,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104
RN2104,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]