Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13583) > Сторінка 177 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLP628MF(GB,E TLP628MF(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.42 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB,E TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.42 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF5,E TLP628M(GB-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.42 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(E TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.42 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E65Z,S1X TK110E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z_datasheet_en_20220201.pdf?did=139853&prodName=TK110E65Z Description: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT RN2105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT RN2105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.00 грн
16+19.68 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.00 грн
16+19.68 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.00 грн
16+19.68 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.66 грн
23+12.92 грн
100+7.03 грн
500+4.07 грн
1000+2.77 грн
2000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.20 грн
24+12.48 грн
100+6.62 грн
500+4.09 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.91 грн
19+16.04 грн
100+8.09 грн
500+6.20 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CT RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5884 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5884 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.57 грн
45+6.61 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.43 грн
2000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.20 грн
24+12.48 грн
100+6.62 грн
500+4.09 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTC015B,Q TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28833&prodName=TTC015B Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.42 грн
10+41.74 грн
250+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.68 грн
21+14.41 грн
100+9.05 грн
500+6.31 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.28 грн
10+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP9148J(YZK-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-LF4,E TLP5752(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(LF4,E TLP5752(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.43 грн
10+111.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(LF4,E TLP5752H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.41 грн
10+103.99 грн
125+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4LF4,E TLP5752H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.41 грн
10+103.99 грн
125+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 110 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.75 грн
5000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 110 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.08 грн
10+33.13 грн
25+27.42 грн
100+19.62 грн
250+16.61 грн
500+14.76 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.60 грн
10+137.63 грн
50+105.53 грн
100+89.33 грн
500+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TA MG09ACP18TA Toshiba Semiconductor and Storage p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TE MG09ACP18TE Toshiba Semiconductor and Storage p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB40MU,LF(S2E TC7USB40MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13632&prodName=TC7USB40MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
6000+13.63 грн
9000+13.44 грн
15000+12.41 грн
21000+12.30 грн
30000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB40MU,LF(S2E TC7USB40MU,LF(S2E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13632&prodName=TC7USB40MU Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 66127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
14+22.58 грн
25+20.11 грн
100+16.39 грн
250+15.19 грн
500+14.47 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC011B,Q TTC011B,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35681&prodName=TTC011B Description: TRANS NPN 230V 1A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.85 грн
10+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+96.63 грн
100+75.34 грн
500+58.41 грн
1000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X TK6R8A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70423&prodName=TK6R8A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628MF(GB,E TLP628docgetjsp.pdf
TLP628MF(GB,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.42 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB,E TLP628docgetjsp.pdf
TLP628M(GB,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.42 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF5,E TLP628docgetjsp.pdf
TLP628M(GB-LF5,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.42 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(E TLP628docgetjsp.pdf
TLP628M(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.42 грн
10+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E65Z,S1X TK110E65Z_datasheet_en_20220201.pdf?did=139853&prodName=TK110E65Z
TK110E65Z,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
RN2105,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
RN2105,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.00 грн
16+19.68 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.00 грн
16+19.68 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102
RN2102,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102
RN2102,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.00 грн
16+19.68 грн
100+11.16 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
RN2105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.66 грн
23+12.92 грн
100+7.03 грн
500+4.07 грн
1000+2.77 грн
2000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
RN2105,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
RN2105,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.20 грн
24+12.48 грн
100+6.62 грн
500+4.09 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2101,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2101,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.91 грн
19+16.04 грн
100+8.09 грн
500+6.20 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
RN2101,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104
RN2104,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104
RN2104,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5884
RN2107MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5884
RN2107MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.57 грн
45+6.61 грн
100+4.08 грн
500+2.78 грн
1000+2.43 грн
2000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.20 грн
24+12.48 грн
100+6.62 грн
500+4.09 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
RN2109,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
RN2109,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTC015B,Q docget.jsp?did=28833&prodName=TTC015B
TTC015B,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.42 грн
10+41.74 грн
250+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2903,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.68 грн
21+14.41 грн
100+9.05 грн
500+6.31 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U
TAR5S16U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U
TAR5S16U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: UFV
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 850 µA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.28 грн
10+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP9148J(YZK-TL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-LF4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(D4-LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(LF4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
TLP5752(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.43 грн
10+111.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(LF4,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.41 грн
10+103.99 грн
125+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4LF4,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
TLP5752H(D4LF4,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.41 грн
10+103.99 грн
125+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT
74VHC273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 110 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.75 грн
5000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT
74VHC273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 110 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.08 грн
10+33.13 грн
25+27.42 грн
100+19.62 грн
250+16.61 грн
500+14.76 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L
TK60F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L
TK60F10N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.60 грн
10+137.63 грн
50+105.53 грн
100+89.33 грн
500+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU
SSM6K404TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU
SSM6K404TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TA p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf
MG09ACP18TA
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TE p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf
MG09ACP18TE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Memory Size: 18TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA III
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 5V, 12V
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB40MU,LF(S2E docget.jsp?did=13632&prodName=TC7USB40MU
TC7USB40MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.55 грн
6000+13.63 грн
9000+13.44 грн
15000+12.41 грн
21000+12.30 грн
30000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB40MU,LF(S2E docget.jsp?did=13632&prodName=TC7USB40MU
TC7USB40MU,LF(S2E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC USB SWITCH SPDT DUAL 10UQFN
Features: USB 2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 14Ohm
-3db Bandwidth: 1.5GHz
Supplier Device Package: 10-UQFN (1.8x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.3V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 66127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
14+22.58 грн
25+20.11 грн
100+16.39 грн
250+15.19 грн
500+14.47 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTC011B,Q docget.jsp?did=35681&prodName=TTC011B
TTC011B,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-126N
Packaging: Tray
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.85 грн
10+50.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM
TK5R1P08QM,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM
TK5R1P08QM,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.61 грн
10+96.63 грн
100+75.34 грн
500+58.41 грн
1000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X docget.jsp?did=70423&prodName=TK6R8A08QM
TK6R8A08QM,S4X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.