Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 178 з 227

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 198 220 227  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TB67H450AFNG,EL TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG_datasheet_en_20250730.pdf?did=70454&prodName=TB67H450AFNG Description: IC BRUSHED MOTOR DRVR 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+28.40 грн
7000+26.71 грн
10500+26.39 грн
17500+24.43 грн
24500+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H450AFNG,EL TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG_datasheet_en_20250730.pdf?did=70454&prodName=TB67H450AFNG Description: IC BRUSHED MOTOR DRVR 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 73397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+42.49 грн
25+38.22 грн
100+31.49 грн
250+29.40 грн
500+28.14 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188_datasheet_en_20191119.pdf?did=13932&prodName=TLP188 Description: TRANSISTOR COUPLER; DC INPUT,VCE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+37.06 грн
125+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(LF5,E TLP628M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+40.98 грн
100+30.12 грн
500+23.71 грн
1000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(LF1,E TLP628M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF1,E TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628MF(GB,E TLP628MF(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+40.98 грн
100+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB,E TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF5,E TLP628M(GB-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(E TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628docgetjsp.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+40.98 грн
100+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E65Z,S1X TK110E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E65Z_datasheet_en_20220201.pdf?did=139853&prodName=TK110E65Z Description: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT RN2105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT RN2105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102 Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
23+13.13 грн
100+7.15 грн
500+4.13 грн
1000+2.82 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
24+12.68 грн
100+6.73 грн
500+4.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
19+16.30 грн
100+8.22 грн
500+6.30 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CT RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT RN2104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5884 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5884 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
24+12.68 грн
100+6.73 грн
500+4.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTC015B,Q TTC015B,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28833&prodName=TTC015B Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126N
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tray
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.42 грн
250+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.64 грн
100+9.20 грн
500+6.42 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Supplier Device Package: UFV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 15V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Current - Supply (Max): 850 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Supplier Device Package: UFV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 15V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP9148J(YZK-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-LF4,E TLP5752(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(LF4,E TLP5752(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752 Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+113.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(LF4,E TLP5752H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+105.67 грн
125+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4LF4,E TLP5752H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+105.67 грн
125+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Input Capacitance: 4 pF
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.96 грн
5000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Input Capacitance: 4 pF
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+33.66 грн
25+27.87 грн
100+19.94 грн
250+16.88 грн
500+15.00 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+134.80 грн
100+93.22 грн
500+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TA MG09ACP18TA Toshiba Semiconductor and Storage p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 18TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TE MG09ACP18TE Toshiba Semiconductor and Storage p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 18TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H450AFNG,EL TB67H450AFNG_datasheet_en_20250730.pdf?did=70454&prodName=TB67H450AFNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BRUSHED MOTOR DRVR 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+28.40 грн
7000+26.71 грн
10500+26.39 грн
17500+24.43 грн
24500+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67H450AFNG,EL TB67H450AFNG_datasheet_en_20250730.pdf?did=70454&prodName=TB67H450AFNG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BRUSHED MOTOR DRVR 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 44V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 44V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
на замовлення 73397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.92 грн
10+42.49 грн
25+38.22 грн
100+31.49 грн
250+29.40 грн
500+28.14 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP188(GB,E TLP188_datasheet_en_20191119.pdf?did=13932&prodName=TLP188
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR COUPLER; DC INPUT,VCE
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.57 грн
10+37.06 грн
125+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(LF5,E TLP628docgetjsp.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+40.98 грн
100+30.12 грн
500+23.71 грн
1000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(LF1,E TLP628docgetjsp.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF1,E TLP628docgetjsp.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628MF(GB,E TLP628docgetjsp.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+40.98 грн
100+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB,E TLP628docgetjsp.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(GB-LF5,E TLP628docgetjsp.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP628M(E TLP628docgetjsp.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 350V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 10µs, 10µs
Rise / Fall Time (Typ): 5.5µs, 10µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+40.98 грн
100+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK110E65Z,S1X TK110E65Z_datasheet_en_20220201.pdf?did=139853&prodName=TK110E65Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS VI TO-220 110MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2106,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2102
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
16+20.00 грн
100+11.34 грн
500+7.04 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2105MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
на замовлення 6627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.89 грн
23+13.13 грн
100+7.15 грн
500+4.13 грн
1000+2.82 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2105,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2105
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
24+12.68 грн
100+6.73 грн
500+4.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3XHF(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
19+16.30 грн
100+8.22 грн
500+6.30 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101,LF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2101
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2104
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5884
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5884
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2108,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
24+12.68 грн
100+6.73 грн
500+4.15 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TTC015B,Q docget.jsp?did=28833&prodName=TTC015B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126N
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126N
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tray
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.54 грн
10+42.42 грн
250+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903,LXHF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
21+14.64 грн
100+9.20 грн
500+6.42 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Supplier Device Package: UFV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 15V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Supply (Max): 850 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5S16U(TE85L,F) TAR5S16U_datasheet_en_20220801.pdf?did=764&prodName=TAR5S16U
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.6V 200MA UFV
Current - Supply (Max): 850 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
PSRR: 70dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.6V
Supplier Device Package: UFV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 15V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.03 грн
10+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP9148J(YZK-TL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(V4-TPR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2066(TPR,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads
Output Type: Push-Pull, Totem Pole
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Data Rate: 20Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 25mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 6-MFSOP, 5 Lead
Rise / Fall Time (Typ): 5ns, 4ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 15kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(D4-LF4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Supplier Device Package: 6-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752(LF4,E docget.jsp?did=15367&prodName=TLP5752
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Packaging: Tube
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.03 грн
10+113.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(LF4,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+105.67 грн
125+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP5752H(D4LF4,E TLP5752H_datasheet_en_20200901.pdf?did=66188&prodName=TLP5752H
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DVR 6SO
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Pulse Width Distortion (Max): 50ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 35kV/µs
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 8ns
Supplier Device Package: 6-SO
Approval Agency: CQC, CSA, cUL, UL, VDE
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output High, Low: 2.5A, 2.5A
Technology: Optical Coupling
Current - Peak Output: 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.55V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.84 грн
10+105.67 грн
125+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Input Capacitance: 4 pF
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.96 грн
5000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273FT 74VHC273FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=14592&prodName=74VHC273FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOPB
Number of Bits per Element: 8
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Supplier Device Package: 20-TSSOPB
Input Capacitance: 4 pF
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: D-Type
Function: Master Reset
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Clock Frequency: 110 MHz
Trigger Type: Positive Edge
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.00 грн
10+33.66 грн
25+27.87 грн
100+19.94 грн
250+16.88 грн
500+15.00 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+72.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.55 грн
10+134.80 грн
100+93.22 грн
500+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K404TU,LF docget.jsp?did=10333&prodName=SSM6K404TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TA p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 18TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MG09ACP18TE p_l_mg09aca16tay_210202072836_1_0_0e.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: HDD 18TB 3.5" SATA III 5V/12V
Form Factor: 3.5"
Voltage - Supply: 5V, 12V
Operating Temperature: 5°C ~ 55°C
Type: SATA III
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Memory Size: 18TB
Size / Dimension: 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 198 220 227  Наступна Сторінка >> ]