Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13583) > Сторінка 46 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1SS319(TE85L,F) 1SS319(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3309&prodName=1SS319 Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC61B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-61B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 14867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.91 грн
21+14.41 грн
100+9.02 грн
500+6.27 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS352,H3F 1SS352,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3327&prodName=1SS352 Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SC762
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-76-2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 244739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.11 грн
40+7.58 грн
56+5.39 грн
100+4.38 грн
500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS361CT(TPL3) 1SS361CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22018&prodName=1SS361CT Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: CST3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS361(T5L,F,T) 1SS361(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage DST_1SS361-TDE_EN_1792.pdf Description: DIODE SW 80V 100MA SSM
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS374(TE85L,F) 1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374_datasheet_en_20171030.pdf?did=3349&prodName=1SS374 Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 20061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.88 грн
33+9.14 грн
100+5.70 грн
500+4.59 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS378(TE85L,F) 1SS378(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3353&prodName=1SS378 Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 47261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.43 грн
31+9.80 грн
100+5.39 грн
500+4.34 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS383(TE85L,F) 1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383_datasheet_en_20150115.pdf?did=3360&prodName=1SS383 Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 100MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 56801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.68 грн
20+14.86 грн
50+10.68 грн
100+8.75 грн
500+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS387CT,L3F 1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22013&prodName=1SS387CT Description: DIODE STANDARD 80V 100MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 229663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.20 грн
33+9.14 грн
50+6.55 грн
100+5.33 грн
500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS392,LF 1SS392,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3375&prodName=1SS392 Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.37 грн
23+13.30 грн
50+9.55 грн
100+7.81 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS401(TE85L,F) 1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401_datasheet_en_20140301.pdf?did=3393&prodName=1SS401 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.05 грн
25+12.03 грн
100+7.52 грн
500+5.20 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS413,L3M 1SS413,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22694&prodName=1SS413 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: fSC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 62627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.97 грн
30+10.18 грн
50+7.28 грн
100+5.94 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS416CT,L3F 1SS416CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22034&prodName=1SS416CT Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 13039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.97 грн
30+10.18 грн
50+7.28 грн
100+5.94 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS416(TL3,T) 1SS416(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416_en_datasheet_071101.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS423(TE85L,F) 1SS423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS423_datasheet_en_20220720.pdf?did=4401&prodName=1SS423 Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 12719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.68 грн
20+15.15 грн
100+11.16 грн
500+7.83 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS424(TPL3,F) 1SS424(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS424_datasheet_en_20140301.pdf?did=4402&prodName=1SS424 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.43 грн
34+8.99 грн
50+6.37 грн
100+5.20 грн
500+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.74 грн
28+10.62 грн
100+6.62 грн
500+4.56 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-Y,LF 2SA1588-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588 Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.88 грн
36+8.39 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1618-GR(TE85L,F 2SA1618-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19176&prodName=2SA1618 Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF 2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832_datasheet_en_20210706.pdf?did=19185&prodName=2SA1832 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.48 грн
56+5.35 грн
100+3.62 грн
500+2.57 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1873-GR(TE85L,F 2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf Description: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.74 грн
28+10.70 грн
100+6.68 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1873-Y(TE85L,F) 2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf Description: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
24+12.48 грн
100+7.78 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F 2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=711&prodName=2SA2154CT Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.51 грн
28+10.84 грн
100+6.76 грн
500+4.66 грн
1000+4.11 грн
2000+3.65 грн
5000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17590&prodName=2SC2714 Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 7860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 200V 0.05A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3265-Y,LF 2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19281&prodName=2SC3265 Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.22 грн
20+15.60 грн
100+9.80 грн
500+6.83 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 31689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.68 грн
21+14.56 грн
100+9.13 грн
500+6.35 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 16139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.14 грн
23+13.37 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 33956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.83 грн
25+12.26 грн
100+7.68 грн
500+5.32 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
13+23.55 грн
100+11.85 грн
500+9.86 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LF 2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.11 грн
39+7.65 грн
100+4.72 грн
500+3.23 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-GR(TE85L,F 2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944 Description: TRANS NPN 50V 0.15A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 8211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
24+12.48 грн
100+7.78 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-Y(TE85L,F) 2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944 Description: TRANS 2NPN 50V 150MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.60 грн
24+12.48 грн
100+7.78 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5065-Y(TE85L,F) 2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17646&prodName=2SC5065 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.25 грн
14+21.84 грн
100+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 34015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.59 грн
11+29.19 грн
50+21.29 грн
100+17.58 грн
500+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 19989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.68 грн
10+30.68 грн
50+22.43 грн
100+18.54 грн
500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 17812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.68 грн
10+30.68 грн
50+22.43 грн
100+18.54 грн
500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145_datasheet_en_20140301.pdf?did=19704&prodName=2SK2145 Description: JFET 2N-CH SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.36 грн
10+46.05 грн
50+34.00 грн
100+28.26 грн
500+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17921&prodName=2SK3078A Description: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3476(TE12L,Q) 2SK3476(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17928&prodName=2SK3476 Description: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3756(TE12L,F) 2SK3756(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21363&prodName=2SK3756 Description: MOSFET N-CH PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4037(TE12L,Q) 2SK4037(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037 Description: MOSFET N-CH PW-X
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 36.5dBmW
Gain: 11.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 250 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.31 грн
10+33.94 грн
100+21.97 грн
500+15.79 грн
1000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.31 грн
10+33.35 грн
100+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F) 3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK293(TE85L,F) 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293 Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.34 грн
11+28.52 грн
100+20.47 грн
500+14.41 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS521,H3F CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8859&prodName=CUS521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.11 грн
39+7.72 грн
100+4.75 грн
500+3.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S12FU,H3F DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3402&prodName=DF2S12FU Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 28856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.11 грн
40+7.58 грн
56+5.39 грн
100+4.38 грн
500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: fSC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.40 грн
13+24.07 грн
100+14.50 грн
500+12.31 грн
1000+8.03 грн
2000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3F DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6CT(TPL3) DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F DF3A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 13432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.20 грн
33+9.14 грн
50+6.55 грн
100+5.33 грн
500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=351&prodName=DF5A5.6CJE Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 34816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.05 грн
25+12.03 грн
100+7.52 грн
500+5.20 грн
1000+4.60 грн
2000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.43 грн
30+10.10 грн
100+5.18 грн
500+4.63 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS319(TE85L,F) docget.jsp?did=3309&prodName=1SS319
1SS319(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC61B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-61B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 14867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+23.91 грн
21+14.41 грн
100+9.02 грн
500+6.27 грн
1000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS352,H3F docget.jsp?did=3327&prodName=1SS352
1SS352,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SC762
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-76-2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 244739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.11 грн
40+7.58 грн
56+5.39 грн
100+4.38 грн
500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS361CT(TPL3) 1SS361CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22018&prodName=1SS361CT
1SS361CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: CST3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS361(T5L,F,T) DST_1SS361-TDE_EN_1792.pdf
1SS361(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SW 80V 100MA SSM
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS374(TE85L,F) 1SS374_datasheet_en_20171030.pdf?did=3349&prodName=1SS374
1SS374(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 20061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.88 грн
33+9.14 грн
100+5.70 грн
500+4.59 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS378(TE85L,F) docget.jsp?did=3353&prodName=1SS378
1SS378(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 47261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.43 грн
31+9.80 грн
100+5.39 грн
500+4.34 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS383(TE85L,F) 1SS383_datasheet_en_20150115.pdf?did=3360&prodName=1SS383
1SS383(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 100MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 56801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.68 грн
20+14.86 грн
50+10.68 грн
100+8.75 грн
500+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS387CT,L3F docget.jsp?did=22013&prodName=1SS387CT
1SS387CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 229663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.20 грн
33+9.14 грн
50+6.55 грн
100+5.33 грн
500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS392,LF docget.jsp?did=3375&prodName=1SS392
1SS392,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.37 грн
23+13.30 грн
50+9.55 грн
100+7.81 грн
500+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS401(TE85L,F) 1SS401_datasheet_en_20140301.pdf?did=3393&prodName=1SS401
1SS401(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
25+12.03 грн
100+7.52 грн
500+5.20 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS413,L3M docget.jsp?did=22694&prodName=1SS413
1SS413,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: fSC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 62627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.97 грн
30+10.18 грн
50+7.28 грн
100+5.94 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS416CT,L3F docget.jsp?did=22034&prodName=1SS416CT
1SS416CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 13039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.97 грн
30+10.18 грн
50+7.28 грн
100+5.94 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS416(TL3,T) 1SS416_en_datasheet_071101.pdf
1SS416(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS423(TE85L,F) 1SS423_datasheet_en_20220720.pdf?did=4401&prodName=1SS423
1SS423(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 12719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.68 грн
20+15.15 грн
100+11.16 грн
500+7.83 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS424(TPL3,F) 1SS424_datasheet_en_20140301.pdf?did=4402&prodName=1SS424
1SS424(TPL3,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.43 грн
34+8.99 грн
50+6.37 грн
100+5.20 грн
500+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-BL,LF docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.74 грн
28+10.62 грн
100+6.62 грн
500+4.56 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-Y,LF docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588
2SA1588-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.88 грн
36+8.39 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1618-GR(TE85L,F docget.jsp?did=19176&prodName=2SA1618
2SA1618-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF 2SA1832_datasheet_en_20210706.pdf?did=19185&prodName=2SA1832
2SA1832-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.48 грн
56+5.35 грн
100+3.62 грн
500+2.57 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1873-GR(TE85L,F 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf
2SA1873-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.74 грн
28+10.70 грн
100+6.68 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1873-Y(TE85L,F) 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf
2SA1873-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
24+12.48 грн
100+7.78 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F docget.jsp?did=711&prodName=2SA2154CT
2SA2154CT-GR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.51 грн
28+10.84 грн
100+6.76 грн
500+4.66 грн
1000+4.11 грн
2000+3.65 грн
5000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2714-Y(TE85L,F) docget.jsp?did=17590&prodName=2SC2714
2SC2714-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 7860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.45 грн
20+15.15 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3138-Y(TE85L,F)
2SC3138-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 200V 0.05A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3265-Y,LF docget.jsp?did=19281&prodName=2SC3265
2SC3265-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.22 грн
20+15.60 грн
100+9.80 грн
500+6.83 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 31689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.68 грн
21+14.56 грн
100+9.13 грн
500+6.35 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 16139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.14 грн
23+13.37 грн
100+8.36 грн
500+5.80 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 33956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.83 грн
25+12.26 грн
100+7.68 грн
500+5.32 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F)
2SC4215-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
13+23.55 грн
100+11.85 грн
500+9.86 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LF docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.11 грн
39+7.65 грн
100+4.72 грн
500+3.23 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-GR(TE85L,F 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944
2SC4944-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 8211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
24+12.48 грн
100+7.78 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-Y(TE85L,F) 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944
2SC4944-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 150MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.60 грн
24+12.48 грн
100+7.78 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5065-Y(TE85L,F) docget.jsp?did=17646&prodName=2SC5065
2SC5065-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.25 грн
14+21.84 грн
100+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-O(TE85L,F)
2SC5095-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-R(TE85L,F)
2SC5095-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 34015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.59 грн
11+29.19 грн
50+21.29 грн
100+17.58 грн
500+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 19989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+51.68 грн
10+30.68 грн
50+22.43 грн
100+18.54 грн
500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 17812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+51.68 грн
10+30.68 грн
50+22.43 грн
100+18.54 грн
500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145_datasheet_en_20140301.pdf?did=19704&prodName=2SK2145
2SK2145-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET 2N-CH SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.36 грн
10+46.05 грн
50+34.00 грн
100+28.26 грн
500+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3078A(TE12L,F) docget.jsp?did=17921&prodName=2SK3078A
2SK3078A(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3476(TE12L,Q) docget.jsp?did=17928&prodName=2SK3476
2SK3476(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3756(TE12L,F) docget.jsp?did=21363&prodName=2SK3756
2SK3756(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4037(TE12L,Q) docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037
2SK4037(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 36.5dBmW
Gain: 11.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 250 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.31 грн
10+33.94 грн
100+21.97 грн
500+15.79 грн
1000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.31 грн
10+33.35 грн
100+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F)
3SK291(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK293(TE85L,F) docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293
3SK293(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.34 грн
11+28.52 грн
100+20.47 грн
500+14.41 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS521,H3F docget.jsp?did=8859&prodName=CUS521
CUS521,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.11 грн
39+7.72 грн
100+4.75 грн
500+3.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S12FU,H3F docget.jsp?did=3402&prodName=DF2S12FU
DF2S12FU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 28856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.11 грн
40+7.58 грн
56+5.39 грн
100+4.38 грн
500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS.pdf
DF2S6.8MFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: fSC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.40 грн
13+24.07 грн
100+14.50 грн
500+12.31 грн
1000+8.03 грн
2000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS
DF2S6.8UFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT
DF3A5.6CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F
DF3A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F docget.jsp?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV
DF3A6.8LFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 13432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.20 грн
33+9.14 грн
50+6.55 грн
100+5.33 грн
500+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV.pdf
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM docget.jsp?did=351&prodName=DF5A5.6CJE
DF5A5.6CJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 34816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.05 грн
25+12.03 грн
100+7.52 грн
500+5.20 грн
1000+4.60 грн
2000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF
DF5A6.8LF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.43 грн
30+10.10 грн
100+5.18 грн
500+4.63 грн
1000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.