Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13019) > Сторінка 49 з 217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 63 84 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SK4037(TE12L,Q) 2SK4037(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037 Description: MOSFET N-CH PW-X
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 8451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.5 грн
10+ 29.94 грн
100+ 20.78 грн
500+ 15.23 грн
1000+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 42834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.31 грн
10+ 32.44 грн
100+ 24.23 грн
500+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
3SK291(TE85L,F) 3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товар відсутній
3SK293(TE85L,F) 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 26279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.48 грн
11+ 24.67 грн
100+ 17.13 грн
500+ 12.55 грн
1000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
CUS521,H3F CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.63 грн
32+ 8.58 грн
100+ 4.16 грн
500+ 3.26 грн
1000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
DF2S12FU,H3F DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3402&prodName=DF2S12FU Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.23 грн
35+ 7.77 грн
100+ 4.16 грн
500+ 3.07 грн
1000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.29 грн
11+ 25.21 грн
100+ 17.19 грн
500+ 12.1 грн
1000+ 9.07 грн
2000+ 8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
DF2S6.8UFS,L3F DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A5.6CT(TPL3) DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A5.6LFU(TE85L,F DF3A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товар відсутній
DF3A6.2CT(TPL3) DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A6.2F(TE85L,F) DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A6.2LFU(TE85L,F DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A6.8CT(TPL3) DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT Description: TVS DIODE 5VWM DST3
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8LFV Description: TVS DIODE 5VWM VESM
на замовлення 65087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.25 грн
19+ 14.46 грн
100+ 7.67 грн
500+ 4.73 грн
1000+ 3.22 грн
2000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 16
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товар відсутній
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=351&prodName=DF5A5.6CJE Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 70352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.46 грн
16+ 17.57 грн
100+ 9.31 грн
500+ 5.74 грн
1000+ 3.91 грн
2000+ 3.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF Description: TVS DIODE 5VWM SMV
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.57 грн
16+ 17.51 грн
100+ 9.93 грн
500+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
DF5A6.8LJE,LM(T DF5A6.8LJE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) HN1A01FU-Y(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1B04FU-GR,LF HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товар відсутній
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C01F Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.78 грн
14+ 19.67 грн
100+ 9.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
HN2A01FU-GR(TE85LF HN2A01FU-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товар відсутній
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21819&prodName=HN2D01JE Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+25.97 грн
16+ 17.57 грн
100+ 8.87 грн
500+ 7.37 грн
1000+ 5.74 грн
2000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
HN2D02FU(TE85L,F) HN2D02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товар відсутній
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D03F Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN2S02JE(TE85L,F) HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN2S03T(TE85L) HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4A06J.pdf Description: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
товар відсутній
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22310&prodName=HN4B01JE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN4B04J(TE85L,F) HN4B04J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Obsolete
товар відсутній
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22501&prodName=JDP2S02ACT Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: CST2
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.18 грн
13+ 22.04 грн
100+ 13.76 грн
500+ 8.84 грн
1000+ 6.8 грн
2000+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
JDP2S02AFS(TPL3) JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2891&prodName=JDP2S02AFS Description: RF DIODE PIN 30V FSC
на замовлення 12924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JDP2S08SC(TPL3) JDP2S08SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6892&prodName=JDP2S08SC Description: RF DIODE PIN 30V SC2
на замовлення 12815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JDP2S12CR(TE85L,Q JDP2S12CR(TE85L,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2164&prodName=JDP2S12CR Description: RF DIODE PIN 180V S-FLAT
товар відсутній
JDV2S10FS(TPL3) JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS_datasheet_en_20140301.pdf?did=6207&prodName=JDV2S10FS Description: RF DIODE STANDARD 10V FSC
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+25.97 грн
15+ 19.2 грн
100+ 11.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
JDV2S41FS(TPL3) JDV2S41FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=589&prodName=JDV2S41FS Description: RF DIODE STANDARD 15V FSC
на замовлення 37306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MT3S20TU(TE85L) MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20TU Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RFM00U7U(TE85L,F) RFM00U7U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RFM00U7U Description: FET RF N-CH 20V 520MHZ USQ
товар відсутній
RFM01U7P(TE12L,F) RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P_datasheet_en_20140301.pdf?did=22464&prodName=RFM01U7P Description: RF MOSFET 7.2V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 1.2W
Gain: 10.8dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 7.2 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній
RFM03U3CT(TE12L) RFM03U3CT(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22579&prodName=RFM03U3CT Description: MOSFET N-CH RF-CST3
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 2A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 4.3W
Gain: 13.3dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: PW-MINI
Voltage - Rated: 16 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 500 mA
товар відсутній
RFM08U9X(TE12L,Q) RFM08U9X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10577&prodName=RFM08U9X Description: MOSFET N-CH PW-X
товар відсутній
RFM12U7X(TE12L,Q) RFM12U7X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22576&prodName=RFM12U7X Description: MOSFET N-CH PW-X
товар відсутній
RN1102MFV(TL3,T) RN1102MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage 21311.pdf Description: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1103,LF(CT RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.74 грн
24+ 11.69 грн
100+ 6.18 грн
500+ 3.82 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 7870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1105MFV,L3F RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1105(T5L,F,T) RN1105(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 6039.pdf Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1106MFV(TL3,T) RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN1108(T5L,F,T) RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1109(T5L,F,T) RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товар відсутній
RN1112(T5L,F,T) RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товар відсутній
RN1113(T5L,F,T) RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1114(T5L,F,T) RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1115 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1115 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK4037(TE12L,Q) docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037
2SK4037(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 8451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.5 грн
10+ 29.94 грн
100+ 20.78 грн
500+ 15.23 грн
1000+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 42834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.31 грн
10+ 32.44 грн
100+ 24.23 грн
500+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
3SK291(TE85L,F)
3SK291(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товар відсутній
3SK293(TE85L,F)
3SK293(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 26279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.48 грн
11+ 24.67 грн
100+ 17.13 грн
500+ 12.55 грн
1000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
CUS521,H3F
CUS521,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.63 грн
32+ 8.58 грн
100+ 4.16 грн
500+ 3.26 грн
1000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
DF2S12FU,H3F DF2S12FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3402&prodName=DF2S12FU
DF2S12FU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.23 грн
35+ 7.77 грн
100+ 4.16 грн
500+ 3.07 грн
1000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS.pdf
DF2S6.8MFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.29 грн
11+ 25.21 грн
100+ 17.19 грн
500+ 12.1 грн
1000+ 9.07 грн
2000+ 8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
DF2S6.8UFS,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS
DF2S6.8UFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A5.6CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT
DF3A5.6CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товар відсутній
DF3A6.2CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT
DF3A6.2CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F
DF3A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A6.2LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A6.8CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT
DF3A6.8CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM DST3
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DF3A6.8LFV,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8LFV
DF3A6.8LFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM VESM
на замовлення 65087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.25 грн
19+ 14.46 грн
100+ 7.67 грн
500+ 4.73 грн
1000+ 3.22 грн
2000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 16
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV.pdf
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товар відсутній
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=351&prodName=DF5A5.6CJE
DF5A5.6CJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 70352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.46 грн
16+ 17.57 грн
100+ 9.31 грн
500+ 5.74 грн
1000+ 3.91 грн
2000+ 3.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF
DF5A6.8LF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.57 грн
16+ 17.51 грн
100+ 9.93 грн
500+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
DF5A6.8LJE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE
DF5A6.8LJE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1B04FU-GR,LF docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товар відсутній
HN1C01F-GR(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C01F
HN1C01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU
HN1D01FU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.78 грн
14+ 19.67 грн
100+ 9.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
HN2A01FU-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU
HN2A01FU-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товар відсутній
HN2D01JE(TE85L,F) docget.jsp?did=21819&prodName=HN2D01JE
HN2D01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+25.97 грн
16+ 17.57 грн
100+ 8.87 грн
500+ 7.37 грн
1000+ 5.74 грн
2000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
HN2D02FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU
HN2D02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товар відсутній
HN2D03F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D03F
HN2D03F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN2S02JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE
HN2S02JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE.pdf
HN2S03FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN2S03T(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T
HN2S03T(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J.pdf
HN4A06J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
товар відсутній
HN4B01JE(TE85L,F) docget.jsp?did=22310&prodName=HN4B01JE
HN4B01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HN4B04J(TE85L,F)
HN4B04J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Obsolete
товар відсутній
HN4C51J(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J
HN4C51J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JDP2S02ACT(TPL3) docget.jsp?did=22501&prodName=JDP2S02ACT
JDP2S02ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: CST2
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
13+ 22.04 грн
100+ 13.76 грн
500+ 8.84 грн
1000+ 6.8 грн
2000+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
JDP2S02AFS(TPL3) docget.jsp?did=2891&prodName=JDP2S02AFS
JDP2S02AFS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V FSC
на замовлення 12924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JDP2S08SC(TPL3) docget.jsp?did=6892&prodName=JDP2S08SC
JDP2S08SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V SC2
на замовлення 12815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JDP2S12CR(TE85L,Q docget.jsp?did=2164&prodName=JDP2S12CR
JDP2S12CR(TE85L,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 180V S-FLAT
товар відсутній
JDV2S10FS(TPL3) JDV2S10FS_datasheet_en_20140301.pdf?did=6207&prodName=JDV2S10FS
JDV2S10FS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE STANDARD 10V FSC
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+25.97 грн
15+ 19.2 грн
100+ 11.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
JDV2S41FS(TPL3) docget.jsp?did=589&prodName=JDV2S41FS
JDV2S41FS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE STANDARD 15V FSC
на замовлення 37306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MT3S20TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20TU
MT3S20TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RFM00U7U(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RFM00U7U
RFM00U7U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FET RF N-CH 20V 520MHZ USQ
товар відсутній
RFM01U7P(TE12L,F) RFM01U7P_datasheet_en_20140301.pdf?did=22464&prodName=RFM01U7P
RFM01U7P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 7.2V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 1.2W
Gain: 10.8dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 7.2 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній
RFM03U3CT(TE12L) docget.jsp?did=22579&prodName=RFM03U3CT
RFM03U3CT(TE12L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH RF-CST3
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P
RFM04U6P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 2A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 4.3W
Gain: 13.3dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: PW-MINI
Voltage - Rated: 16 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 500 mA
товар відсутній
RFM08U9X(TE12L,Q) docget.jsp?did=10577&prodName=RFM08U9X
RFM08U9X(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
товар відсутній
RFM12U7X(TE12L,Q) docget.jsp?did=22576&prodName=RFM12U7X
RFM12U7X(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
товар відсутній
RN1102MFV(TL3,T) 21311.pdf
RN1102MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1103,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101
RN1103,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.74 грн
24+ 11.69 грн
100+ 6.18 грн
500+ 3.82 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN1104MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 7870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1105MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1105MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1105(T5L,F,T) 6039.pdf
RN1105(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1106MFV(TL3,T) RN110xMFV.pdf
RN1106MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN1108(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1108(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1109(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1109(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товар відсутній
RN1112(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112
RN1112(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товар відсутній
RN1113(T5L,F,T)
RN1113(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1114(T5L,F,T) docget.jsp?did=18763&prodName=RN1115
RN1114(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1115,LF(CT docget.jsp?did=18763&prodName=RN1115
RN1115,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 63 84 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]