Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 49 з 226
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN4985,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RN4986(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN4988(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN4989(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN4990(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN4991(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3J118TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: UFM Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3J16CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 |
на замовлення 9153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3J304T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3J325F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINIInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: S-Mini Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J35MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESMInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Supplier Device Package: VESM Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 64429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J36MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM |
на замовлення 9353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3J56MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
на замовлення 7344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3K01T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3K16CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS |
на замовлення 3531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3K301T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3K302T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSMInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Supplier Device Package: TSM Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3K309T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3K310T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3K318T,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM3K7002BF,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-59 Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM6L11TU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM6L16FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6 |
на замовлення 3829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SSM6L35FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 200mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM6N58NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 37237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM6P16FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: ES6 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TAR5SB18(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV |
на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TAR5SB30(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 200mA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 850 µA Voltage - Input (Max): 15V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: SMV Voltage - Output (Min/Fixed): 3V Control Features: Enable Part Status: Active PSRR: 70dB (1kHz) Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA Protection Features: Over Current, Over Temperature |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TAR5SB33(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 200mA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 850 µA Voltage - Input (Max): 15V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: SMV Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V Control Features: Enable Part Status: Active PSRR: 70dB (1kHz) Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA Protection Features: Over Current, Over Temperature |
на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC4050BF(EL,N,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16-SOPPart Status: Active Supplier Device Package: 16-SOP Current - Output High, Low: 8mA, 48mA Number of Bits per Element: 1 Voltage - Supply: 3V ~ 18V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Logic Type: Buffer, Non-Inverting Number of Elements: 6 Mounting Type: Surface Mount Output Type: Push-Pull Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC4584BF(EL,N,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOPCurrent - Quiescent (Max): 4 µA Number of Circuits: 6 Part Status: Active Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V Supplier Device Package: 14-SOP Number of Inputs: 1 Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA Voltage - Supply: 3V ~ 18V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Logic Type: Inverter Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Features: Schmitt Trigger Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC4S69F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC4SU11F(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC74HC4051AFT(EL,M | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC74VHC163FT(ELK,M | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC COUNTER BINARY VHS-TS 16TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC74VHC27FT(ELK,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC75W51FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC7LX1108WBG(EL,AH | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC XLTR VL BIDIR 24-WCSPCNumber of Circuits: 1 Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Channels per Circuit: 8 Translator Type: Voltage Level Channel Type: Bidirectional Supplier Device Package: 24-WCSPC (2.05x2.05) Data Rate: 200Mbps Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Output Type: Tri-State, Non-Inverted Package / Case: 24-UFBGA, WLCSP Features: Auto-Direction Sensing Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC7MBL3257CFT(EL) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC7S08FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Logic Type: AND Gate Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 6V Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 5-SSOP Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 1 µA |
на замовлення 23175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC7SET08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC7SET125F(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC7SET125FU,LJ(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 5-SSOPSupplier Device Package: 5-SSOP Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Bits per Element: 1 Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Logic Type: Buffer, Non-Inverting Number of Elements: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: 3-State Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC7SH02F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TC7SH32F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
TC7SH34FS(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE L-MOS FSV |
на замовлення 12469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC7SZ17FU,LJ(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFF 1.65V 5-SSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V Input Type: Schmitt Trigger Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: 32mA, 32mA Supplier Device Package: 5-SSOP |
на замовлення 23042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC7W02FK(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8 |
на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC7W240FU(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER INVERT 6V SM8Supplier Device Package: 8-SSOP Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA Number of Bits per Element: 1 Voltage - Supply: 2V ~ 6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Logic Type: Buffer, Inverting Number of Elements: 2 Mounting Type: Surface Mount Output Type: 3-State Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
TC7WP3125FK(T5L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8Supplier Device Package: 8-SSOP Current - Output High, Low: 12mA, 12mA Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC7WPN3125FC(TE85L | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8 |
на замовлення 3793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TC7WPN3125FK(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8 |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DF2S6.8CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TVS DIODE 5VWM CST2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN1104T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN1106T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN2118MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN2119MFV(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
RN2412TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN4984(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4985,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.60 грн |
| 25+ | 12.16 грн |
| 100+ | 5.94 грн |
| 500+ | 4.65 грн |
| 1000+ | 3.23 грн |
| RN4986(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4988(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4989(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4990(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4991(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3J118TU(TE85L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.87 грн |
| 15+ | 20.97 грн |
| SSM3J15CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J16CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J304T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J325F,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.02 грн |
| 21+ | 14.55 грн |
| 100+ | 9.12 грн |
| 500+ | 6.34 грн |
| 1000+ | 5.62 грн |
| SSM3J35MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.95 грн |
| 37+ | 8.21 грн |
| 100+ | 5.11 грн |
| 500+ | 3.50 грн |
| 1000+ | 3.08 грн |
| 2000+ | 2.73 грн |
| SSM3J36MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J56MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 7344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.45 грн |
| 18+ | 17.09 грн |
| 100+ | 10.74 грн |
| 500+ | 7.50 грн |
| 1000+ | 6.67 грн |
| 2000+ | 5.97 грн |
| SSM3K01T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3K16CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K301T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K302T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3K309T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3K310T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K318T,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3K7002BF,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM6L11TU(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM6L16FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM6L35FU(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.00 грн |
| 14+ | 22.68 грн |
| 100+ | 14.13 грн |
| 500+ | 9.07 грн |
| 1000+ | 6.98 грн |
| SSM6N58NU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 37237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.17 грн |
| 12+ | 26.42 грн |
| 100+ | 16.87 грн |
| 500+ | 11.98 грн |
| 1000+ | 10.73 грн |
| SSM6P16FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TAR5SB18(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TAR5SB30(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.20 грн |
| 10+ | 30.59 грн |
| 25+ | 28.53 грн |
| 100+ | 21.43 грн |
| 250+ | 19.90 грн |
| 500+ | 16.83 грн |
| 1000+ | 12.80 грн |
| TAR5SB33(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.80 грн |
| 18+ | 16.64 грн |
| 25+ | 14.75 грн |
| 100+ | 11.94 грн |
| 250+ | 11.03 грн |
| 500+ | 10.49 грн |
| 1000+ | 9.87 грн |
| TC4050BF(EL,N,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16-SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOP
Current - Output High, Low: 8mA, 48mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 6
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16-SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOP
Current - Output High, Low: 8mA, 48mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 6
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.72 грн |
| 10+ | 30.97 грн |
| 25+ | 27.79 грн |
| 100+ | 22.80 грн |
| 250+ | 21.24 грн |
| 500+ | 20.29 грн |
| 1000+ | 19.62 грн |
| TC4584BF(EL,N,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Current - Quiescent (Max): 4 µA
Number of Circuits: 6
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF
Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V
Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Current - Quiescent (Max): 4 µA
Number of Circuits: 6
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF
Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V
Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.85 грн |
| 11+ | 28.73 грн |
| 25+ | 25.73 грн |
| 100+ | 21.08 грн |
| 250+ | 19.62 грн |
| TC4S69F(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC4SU11F(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC74HC4051AFT(EL,M |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC74VHC163FT(ELK,M |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COUNTER BINARY VHS-TS 16TSSOP
Description: IC COUNTER BINARY VHS-TS 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC74VHC27FT(ELK,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC75W51FU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7LX1108WBG(EL,AH |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC XLTR VL BIDIR 24-WCSPC
Number of Circuits: 1
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Channels per Circuit: 8
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Bidirectional
Supplier Device Package: 24-WCSPC (2.05x2.05)
Data Rate: 200Mbps
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 24-UFBGA, WLCSP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC XLTR VL BIDIR 24-WCSPC
Number of Circuits: 1
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Channels per Circuit: 8
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Bidirectional
Supplier Device Package: 24-WCSPC (2.05x2.05)
Data Rate: 200Mbps
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 24-UFBGA, WLCSP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.24 грн |
| 10+ | 37.31 грн |
| 25+ | 33.58 грн |
| 100+ | 27.65 грн |
| 250+ | 25.80 грн |
| 500+ | 24.69 грн |
| TC7MBL3257CFT(EL) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7S08FU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 23175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.62 грн |
| 40+ | 7.54 грн |
| 46+ | 6.60 грн |
| 100+ | 5.26 грн |
| 250+ | 4.82 грн |
| 500+ | 4.55 грн |
| 1000+ | 4.25 грн |
| TC7SET08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SET125F(TE85L,F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.65 грн |
| 12+ | 25.67 грн |
| 25+ | 22.42 грн |
| 100+ | 13.62 грн |
| 250+ | 11.27 грн |
| 500+ | 9.02 грн |
| 1000+ | 6.80 грн |
| TC7SET125FU,LJ(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 5-SSOP
Supplier Device Package: 5-SSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 5-SSOP
Supplier Device Package: 5-SSOP
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 7.75 грн |
| 62+ | 4.85 грн |
| 71+ | 4.24 грн |
| 100+ | 3.35 грн |
| 250+ | 3.05 грн |
| 500+ | 2.87 грн |
| 1000+ | 2.67 грн |
| TC7SH02F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH32F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SH34FS(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS FSV
Description: IC GATE L-MOS FSV
на замовлення 12469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7SZ17FU,LJ(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 1.65V 5-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Description: IC BUFF 1.65V 5-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 23042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 7.75 грн |
| 62+ | 4.85 грн |
| 71+ | 4.24 грн |
| 100+ | 3.35 грн |
| 250+ | 3.05 грн |
| 500+ | 2.87 грн |
| 1000+ | 2.67 грн |
| TC7W02FK(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7W240FU(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 6V SM8
Supplier Device Package: 8-SSOP
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC BUFFER INVERT 6V SM8
Supplier Device Package: 8-SSOP
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7WP3125FK(T5L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Supplier Device Package: 8-SSOP
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Supplier Device Package: 8-SSOP
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.20 грн |
| 11+ | 29.10 грн |
| TC7WPN3125FC(TE85L |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.80 грн |
| 15+ | 20.52 грн |
| 25+ | 19.22 грн |
| 100+ | 16.33 грн |
| 250+ | 15.30 грн |
| 500+ | 14.55 грн |
| 1000+ | 13.58 грн |
| 2500+ | 12.71 грн |
| TC7WPN3125FK(T5L,F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DF2S6.8CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM CST2
Description: TVS DIODE 5VWM CST2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1104T5LFT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1106T5LFT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM
Description: TRANS NPN 50V 100MA SSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2118MFV(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2119MFV(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2412TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







































