Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 49 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2307(TE85L,F) RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309(TE85L,F) RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.87 грн
41+7.47 грн
100+5.00 грн
500+3.57 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(TE85L,F) RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2312(TE85L,F) RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313(TE85L,F) RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2314(TE85L,F) RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316(TE85L,F) RN2316(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2317(TE85L,F) RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2318(TE85L,F) RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F) RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.82 грн
31+9.90 грн
100+6.64 грн
500+4.77 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711(TE85L,F) RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18905&prodName=RN2711 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4603(TE85L,F) RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.94 грн
23+13.56 грн
100+8.47 грн
500+5.89 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906(T5L,F,T) RN4906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LF(CT RN4981,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983(T5L,F,T) RN4983(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983 Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984(T5L,F,T) RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CT RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985_datasheet_en_20210824.pdf?did=18981&prodName=RN4985 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.99 грн
25+12.42 грн
100+6.06 грн
500+4.75 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(T5L,F,T) RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(T5L,F,T) RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(T5L,F,T) RN4989(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990(T5L,F,T) RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991(T5L,F,T) RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18994&prodName=RN4991 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L) SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
15+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT(TPL3) SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J15CT Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT(TPL3) SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J16CT Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304T(TE85L,F) SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7567&prodName=SSM3J304T Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J306T(TE85L,F) SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T_datasheet_en_20140301.pdf?did=7571&prodName=SSM3J306T Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LF SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
21+14.86 грн
100+9.31 грн
500+6.47 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3F SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10000&prodName=SSM3J35MFV Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.24 грн
37+8.38 грн
100+5.22 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
2000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3F SSM3J36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J36MFV Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 47307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.90 грн
20+15.92 грн
100+9.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
2000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F) SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K01T Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3) SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F) SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K301T Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F) SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F) SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K309T Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F) SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K310T Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LF SSM3K318T,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LF SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L11TU(TE85L,F) SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L11TU Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FE(TE85L,F) SSM6L16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F) SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11256&prodName=SSM6L35FU Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
14+23.16 грн
100+14.42 грн
500+9.26 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LF SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13890&prodName=SSM6N58NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 35104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
13+25.07 грн
100+15.99 грн
500+11.33 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P16FE(TE85L,F) SSM6P16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1228&prodName=SSM6P16FE Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB18(TE85L,F) TAR5SB18(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TAR5SB18 Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB30(TE85L,F) TAR5SB30(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB30_datasheet_en_20140301.pdf?did=18320&prodName=TAR5SB30 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
10+31.24 грн
25+29.13 грн
100+21.88 грн
250+20.31 грн
500+17.19 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB33(TE85L,F) TAR5SB33(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18320&prodName=TAR5SB49 Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 65813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
19+16.46 грн
25+14.60 грн
100+11.82 грн
250+10.92 грн
500+10.38 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB50(TE85L,F) TAR5SB50(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18320&prodName=TAR5SB49 Description: IC REG LINEAR 5V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.32 грн
19+16.61 грн
25+14.72 грн
100+11.91 грн
250+11.01 грн
500+10.46 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TC4050BF(EL,N,F) TC4050BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18381&prodName=TC4050BF Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16-SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOP
Current - Output High, Low: 8mA, 48mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 6
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.68 грн
10+31.62 грн
25+28.37 грн
100+23.28 грн
250+21.68 грн
500+20.72 грн
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC4584BF(EL,N,F) TC4584BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20900&prodName=TC4584BF Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Current - Quiescent (Max): 4 µA
Number of Circuits: 6
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF
Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V
Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
11+29.33 грн
25+26.27 грн
100+21.52 грн
250+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TC4S69F(TE85L,F) TC4S69F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20165&prodName=TC4S69F Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4SU11F(T5L,F,T) TC4SU11F(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC4SU11F Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4051AFT(EL,M TC74HC4051AFT(EL,M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16132&prodName=TC74HC4051AP Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC163FT(ELK,M TC74VHC163FT(ELK,M Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC161,163(F,FT,FK).pdf Description: IC COUNTER BINARY VHS-TS 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC27FT(ELK,M) TC74VHC27FT(ELK,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC74VHC27FT Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W51FU,LF TC75W51FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21022&prodName=TC75W51FU Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(EL,AH TC7LX1108WBG(EL,AH Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24WCSPC
Number of Circuits: 1
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Channels per Circuit: 8
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Bidirectional
Supplier Device Package: 24-WCSPC (2.05x2.05)
Data Rate: 200Mbps
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 24-UFBGA, WLCSP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.59 грн
10+37.10 грн
25+33.37 грн
100+27.47 грн
250+25.63 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFT(EL) TC7MBL3257CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57109&prodName=TC7MBL3257CFK Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08FU,LF TC7S08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 25192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
45+6.86 грн
51+6.06 грн
100+4.83 грн
250+4.42 грн
500+4.17 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2309(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.87 грн
41+7.47 грн
100+5.00 грн
500+3.57 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310
RN2311(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2312(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2313(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2314(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2316(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2317(TE85L,F) docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318
RN2317(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2318(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2318(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F) RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501
RN2506(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.82 грн
31+9.90 грн
100+6.64 грн
500+4.77 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711(TE85L,F) docget.jsp?did=18905&prodName=RN2711
RN2711(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4603(TE85L,F) docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603
RN4603(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606
RN4606(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.94 грн
23+13.56 грн
100+8.47 грн
500+5.89 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981
RN4981,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983
RN4983(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984
RN4984(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CT RN4985_datasheet_en_20210824.pdf?did=18981&prodName=RN4985
RN4985,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.99 грн
25+12.42 грн
100+6.06 грн
500+4.75 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986
RN4986(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988
RN4988(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989
RN4989(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990
RN4990(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991(T5L,F,T) docget.jsp?did=18994&prodName=RN4991
RN4991(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L)
SSM3J118TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.60 грн
15+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J15CT
SSM3J15CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J16CT
SSM3J16CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304T(TE85L,F) docget.jsp?did=7567&prodName=SSM3J304T
SSM3J304T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J306T(TE85L,F) SSM3J306T_datasheet_en_20140301.pdf?did=7571&prodName=SSM3J306T
SSM3J306T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LF SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F
SSM3J325F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.53 грн
21+14.86 грн
100+9.31 грн
500+6.47 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3F docget.jsp?did=10000&prodName=SSM3J35MFV
SSM3J35MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: VESM
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 64429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.24 грн
37+8.38 грн
100+5.22 грн
500+3.58 грн
1000+3.15 грн
2000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J36MFV
SSM3J36MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV
SSM3J56MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 47307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.90 грн
20+15.92 грн
100+9.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
2000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K01T
SSM3K01T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K16CT
SSM3K16CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K301T
SSM3K301T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F) SSM3K302T.pdf
SSM3K302T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K309T
SSM3K309T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K310T
SSM3K310T(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
SSM3K318T,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LF SSM3K7002BF.pdf
SSM3K7002BF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L11TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L11TU
SSM6L11TU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L16FE
SSM6L16FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F) docget.jsp?did=11256&prodName=SSM6L35FU
SSM6L35FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.65 грн
14+23.16 грн
100+14.42 грн
500+9.26 грн
1000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LF docget.jsp?did=13890&prodName=SSM6N58NU
SSM6N58NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 35104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.72 грн
13+25.07 грн
100+15.99 грн
500+11.33 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P16FE(TE85L,F) SSM6P16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1228&prodName=SSM6P16FE
SSM6P16FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB18(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TAR5SB18
TAR5SB18(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB30(TE85L,F) TAR5SB30_datasheet_en_20140301.pdf?did=18320&prodName=TAR5SB30
TAR5SB30(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.98 грн
10+31.24 грн
25+29.13 грн
100+21.88 грн
250+20.31 грн
500+17.19 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB33(TE85L,F) docget.jsp?did=18320&prodName=TAR5SB49
TAR5SB33(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 65813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.53 грн
19+16.46 грн
25+14.60 грн
100+11.82 грн
250+10.92 грн
500+10.38 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB50(TE85L,F) docget.jsp?did=18320&prodName=TAR5SB49
TAR5SB50(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.32 грн
19+16.61 грн
25+14.72 грн
100+11.91 грн
250+11.01 грн
500+10.46 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TC4050BF(EL,N,F) docget.jsp?did=18381&prodName=TC4050BF
TC4050BF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16-SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 16-SOP
Current - Output High, Low: 8mA, 48mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 6
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.68 грн
10+31.62 грн
25+28.37 грн
100+23.28 грн
250+21.68 грн
500+20.72 грн
1000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TC4584BF(EL,N,F) docget.jsp?did=20900&prodName=TC4584BF
TC4584BF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Current - Quiescent (Max): 4 µA
Number of Circuits: 6
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF
Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V
Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Inputs: 1
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: Inverter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.72 грн
11+29.33 грн
25+26.27 грн
100+21.52 грн
250+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TC4S69F(TE85L,F) docget.jsp?did=20165&prodName=TC4S69F
TC4S69F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4SU11F(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC4SU11F
TC4SU11F(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4051AFT(EL,M docget.jsp?did=16132&prodName=TC74HC4051AP
TC74HC4051AFT(EL,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC163FT(ELK,M TC74VHC161,163(F,FT,FK).pdf
TC74VHC163FT(ELK,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COUNTER BINARY VHS-TS 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC27FT(ELK,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC74VHC27FT
TC74VHC27FT(ELK,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W51FU,LF docget.jsp?did=21022&prodName=TC75W51FU
TC75W51FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7LX1108WBG(EL,AH
TC7LX1108WBG(EL,AH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24WCSPC
Number of Circuits: 1
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Channels per Circuit: 8
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Bidirectional
Supplier Device Package: 24-WCSPC (2.05x2.05)
Data Rate: 200Mbps
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Package / Case: 24-UFBGA, WLCSP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.59 грн
10+37.10 грн
25+33.37 грн
100+27.47 грн
250+25.63 грн
500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFT(EL) docget.jsp?did=57109&prodName=TC7MBL3257CFK
TC7MBL3257CFT(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7S08FU,LF docget.jsp?did=20179&prodName=TC7S08FU
TC7S08FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 25192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.08 грн
45+6.86 грн
51+6.06 грн
100+4.83 грн
250+4.42 грн
500+4.17 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]