Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13433) > Сторінка 50 з 224
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN2506(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMV |
на замовлення 4489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4603(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4606(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active |
на замовлення 6309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN4906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 7895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4985,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN4986(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4988(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4989(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4990(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
RN4991(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3J118TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Supplier Device Package: UFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM3J15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3J16CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 9153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3J304T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3J306T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Supplier Device Package: TSM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3J325F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Supplier Device Package: S-Mini Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V |
на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM3J35MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: VESM Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V |
на замовлення 64429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM3J36MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 9353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3J56MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
на замовлення 286344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM3K01T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3K16CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 3531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3K301T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3K302T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Supplier Device Package: TSM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3K309T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3K310T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3K318T,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM3K7002BF,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: SC-59 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM6L11TU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM6L16FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 3829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SSM6L35FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM6N58NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 142358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM6P16FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Supplier Device Package: ES6 Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TAR5SB18(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 2561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TAR5SB30(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 200mA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 850 µA Voltage - Input (Max): 15V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: SMV Voltage - Output (Min/Fixed): 3V Control Features: Enable Part Status: Active PSRR: 70dB (1kHz) Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA Protection Features: Over Current, Over Temperature |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TAR5SB33(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 200mA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 850 µA Voltage - Input (Max): 15V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: SMV Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V Control Features: Enable Part Status: Active PSRR: 70dB (1kHz) Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA Protection Features: Over Current, Over Temperature |
на замовлення 31083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TAR5SB50(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 200mA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 850 µA Voltage - Input (Max): 15V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: SMV Voltage - Output (Min/Fixed): 5V Control Features: Enable Part Status: Active PSRR: 70dB (1kHz) Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA Protection Features: Over Current, Over Temperature |
на замовлення 4661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TC4050BF(EL,N,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 6 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 18V Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: 8mA, 48mA Supplier Device Package: 16-SOP Part Status: Active |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TC4584BF(EL,N,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Features: Schmitt Trigger Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3V ~ 18V Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: 14-SOP Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF Part Status: Active Number of Circuits: 6 Current - Quiescent (Max): 4 µA |
на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TC4S69F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC4SU11F(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC74HC4051AFT(EL,M | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC74VHC163FT(ELK,M | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC74VHC27FT(ELK,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC75W51FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC7LX1108WBG(EL,AH | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24WCSPC Packaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 24-UFBGA, WLCSP Output Type: Tri-State, Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 200Mbps Supplier Device Package: 24-WCSPC (2.05x2.05) Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 8 Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V Number of Circuits: 1 |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TC7MBL3257CFT(EL) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC7S08FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Logic Type: AND Gate Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 6V Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 5-SSOP Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 1 µA |
на замовлення 33897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TC7SET08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC7SET125F(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TC7SET125FU,LJ(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: 3-State Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Supplier Device Package: 5-SSOP |
на замовлення 44953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TC7SH02F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC7SH08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Logic Type: AND Gate Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: SMV Input Logic Level - High: 1.5V Input Logic Level - Low: 0.5V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 2 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
TC7SH32F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
TC7SH34FS(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 12469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
TC7SZ17FU,LJ(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Output Type: Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V Input Type: Schmitt Trigger Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: 32mA, 32mA Supplier Device Package: 5-SSOP |
на замовлення 17990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TC7W02FK(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
RN2506(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.92 грн |
31+ | 9.96 грн |
100+ | 6.67 грн |
500+ | 4.80 грн |
1000+ | 4.31 грн |
RN2711(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN4603(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN4606(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.08 грн |
23+ | 13.64 грн |
100+ | 8.52 грн |
500+ | 5.92 грн |
1000+ | 5.25 грн |
RN4906(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN4981,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
RN4983(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN4984(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
RN4985,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 19.10 грн |
25+ | 12.49 грн |
100+ | 6.10 грн |
500+ | 4.78 грн |
1000+ | 3.32 грн |
RN4986(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
RN4988(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
RN4989(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
RN4990(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
RN4991(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM3J118TU(TE85L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
15+ | 21.53 грн |
SSM3J15CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM3J16CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM3J304T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM3J306T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM3J325F,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.67 грн |
21+ | 14.94 грн |
100+ | 9.36 грн |
500+ | 6.51 грн |
1000+ | 5.77 грн |
SSM3J35MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
на замовлення 64429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 14.32 грн |
37+ | 8.43 грн |
100+ | 5.25 грн |
500+ | 3.60 грн |
1000+ | 3.17 грн |
2000+ | 2.80 грн |
SSM3J36MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM3J56MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 286344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.06 грн |
20+ | 16.09 грн |
100+ | 7.06 грн |
500+ | 5.92 грн |
1000+ | 4.88 грн |
2000+ | 4.81 грн |
SSM3K01T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM3K16CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM3K301T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM3K302T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM3K309T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM3K310T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM3K318T,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM3K7002BF,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SSM6L11TU(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM6L16FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SSM6L35FU(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.83 грн |
14+ | 23.30 грн |
100+ | 14.51 грн |
500+ | 9.32 грн |
1000+ | 7.17 грн |
SSM6N58NU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 142358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 34.22 грн |
12+ | 25.83 грн |
100+ | 17.54 грн |
500+ | 12.16 грн |
1000+ | 10.15 грн |
SSM6P16FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TAR5SB18(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TAR5SB30(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 38.20 грн |
10+ | 31.42 грн |
25+ | 29.30 грн |
100+ | 22.01 грн |
250+ | 20.43 грн |
500+ | 17.29 грн |
1000+ | 13.14 грн |
TAR5SB33(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 31083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.89 грн |
10+ | 33.80 грн |
25+ | 27.89 грн |
100+ | 19.94 грн |
250+ | 16.86 грн |
500+ | 14.97 грн |
1000+ | 13.16 грн |
TAR5SB50(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 26.26 грн |
18+ | 17.40 грн |
25+ | 15.48 грн |
100+ | 12.52 грн |
250+ | 11.58 грн |
500+ | 11.00 грн |
1000+ | 10.36 грн |
TC4050BF(EL,N,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 48mA
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 48mA
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.88 грн |
10+ | 57.63 грн |
25+ | 48.06 грн |
100+ | 34.92 грн |
250+ | 29.92 грн |
500+ | 26.84 грн |
1000+ | 23.86 грн |
TC4584BF(EL,N,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V
Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V
Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.52 грн |
10+ | 53.72 грн |
25+ | 44.72 грн |
100+ | 32.43 грн |
250+ | 27.73 грн |
500+ | 24.84 грн |
1000+ | 22.05 грн |
TC4S69F(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TC4SU11F(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TC74HC4051AFT(EL,M |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TC74VHC163FT(ELK,M |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC COUNTER BINARY VHS-TS 16TSSOP
Description: IC COUNTER BINARY VHS-TS 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TC74VHC27FT(ELK,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TC75W51FU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
Description: IC OPAMP GP 600KHZ 8SSOP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TC7LX1108WBG(EL,AH |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24WCSPC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-UFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 24-WCSPC (2.05x2.05)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24WCSPC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-UFBGA, WLCSP
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 200Mbps
Supplier Device Package: 24-WCSPC (2.05x2.05)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1.2 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.2 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 110.62 грн |
10+ | 65.67 грн |
25+ | 54.87 грн |
100+ | 40.07 грн |
250+ | 34.45 грн |
500+ | 31.00 грн |
TC7MBL3257CFT(EL) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TC7S08FU,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 33897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 11.94 грн |
42+ | 7.43 грн |
47+ | 6.53 грн |
100+ | 5.21 грн |
250+ | 4.76 грн |
500+ | 4.49 грн |
1000+ | 4.20 грн |
TC7SET08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TC7SET125F(TE85L,F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.61 грн |
12+ | 26.36 грн |
25+ | 23.02 грн |
100+ | 13.99 грн |
250+ | 11.58 грн |
500+ | 9.26 грн |
1000+ | 6.99 грн |
TC7SET125FU,LJ(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 44953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.67 грн |
16+ | 19.69 грн |
25+ | 16.52 грн |
100+ | 9.82 грн |
250+ | 7.58 грн |
500+ | 6.46 грн |
1000+ | 4.32 грн |
TC7SH02F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TC7SH08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TC7SH32F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TC7SH34FS(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS FSV
Description: IC GATE L-MOS FSV
на замовлення 12469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
TC7SZ17FU,LJ(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 17990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.08 грн |
25+ | 12.72 грн |
30+ | 10.33 грн |
100+ | 7.18 грн |
250+ | 5.95 грн |
500+ | 5.19 грн |
1000+ | 4.48 грн |
TC7W02FK(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.