Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (12996) > Сторінка 50 з 217
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RN1112(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1113(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1114(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1115,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1117(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1118(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1130MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1131MFV(TL3,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1301,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1303(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1308,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM |
на замовлення 7466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1310(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM |
на замовлення 2626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1413(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 5675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1507(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMV |
на замовлення 4478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SM6 |
на замовлення 5560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN1904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN US6 |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN1961FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1962FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1963FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN1966FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2301,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2303(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2304(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2305(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN2309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2316(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
на замовлення 2565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN2506(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMV |
на замовлення 3171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4603(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4606(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active |
на замовлення 3939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN4906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 7895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4985,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 2981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RN4986(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4988(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4989(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4990(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
RN4991(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товар відсутній |
||||||||||||||
SSM3J118TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Supplier Device Package: UFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SSM3J15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
SSM3J16CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 |
на замовлення 9153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
RN1112(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товар відсутній
RN1113(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1114(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1115,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1117(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
товар відсутній
RN1118(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товар відсутній
RN1130MFV,L3F |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
товар відсутній
RN1131MFV(TL3,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 13.63 грн |
30+ | 9.46 грн |
100+ | 5.11 грн |
500+ | 3.77 грн |
1000+ | 2.61 грн |
2000+ | 2.17 грн |
RN1301,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 12.19 грн |
26+ | 10.77 грн |
100+ | 5.87 грн |
500+ | 3.39 грн |
1000+ | 2.31 грн |
RN1303(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1308,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1309(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1310(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1312(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1313(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1314(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1316,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1317(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1318(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1413(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1507(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.95 грн |
18+ | 15.47 грн |
100+ | 7.83 грн |
500+ | 6 грн |
1000+ | 4.45 грн |
RN1602(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.38 грн |
18+ | 16.23 грн |
100+ | 8.22 грн |
500+ | 6.29 грн |
1000+ | 4.67 грн |
RN1903,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.93 грн |
25+ | 11.46 грн |
RN1904(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN US6
Description: TRANSISTOR NPN US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1906(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN1961FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1962FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1963FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1964FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN1966FE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2301,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2303(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.93 грн |
23+ | 12.02 грн |
100+ | 5.84 грн |
RN2304(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2305(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.93 грн |
23+ | 12.02 грн |
100+ | 5.84 грн |
RN2307(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
RN2309(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.93 грн |
23+ | 12.02 грн |
100+ | 5.84 грн |
500+ | 4.57 грн |
1000+ | 3.18 грн |
RN2311(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2312(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2313(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2314(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2316(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2317(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2318(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN2506(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.95 грн |
19+ | 15.33 грн |
100+ | 7.75 грн |
500+ | 5.94 грн |
1000+ | 4.4 грн |
RN2711(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товар відсутній
RN4603(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товар відсутній
RN4606(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.38 грн |
18+ | 16.23 грн |
100+ | 8.22 грн |
500+ | 6.29 грн |
1000+ | 4.67 грн |
RN4906(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
RN4981,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4983(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товар відсутній
RN4984(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4985,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.93 грн |
25+ | 11.46 грн |
100+ | 5.61 грн |
500+ | 4.39 грн |
1000+ | 3.05 грн |
RN4986(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4988(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4989(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4990(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)RN4991(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товар відсутній
SSM3J118TU(TE85L) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.1 грн |
15+ | 19.68 грн |
100+ | 13.36 грн |
SSM3J15CT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SSM3J16CT(TPL3) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)