Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 51 з 226
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN1312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN1313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN1314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN1316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN1317(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN1318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN1904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANSISTOR NPN US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN1906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN1961FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN2311(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN2312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN2313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN2314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN2316(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN2318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN4906(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 7895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN4983(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN4986(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN4988(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN4989(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
RN4990(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3J15CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3J16CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 |
на замовлення 9153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3J36MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM |
на замовлення 9353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3K01T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3K16CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3K301T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3K309T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3K310T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM3K318T,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM6L11TU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SSM6L16FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6 |
на замовлення 3829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TAR5SB18(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TC4SU11F(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TC74HC4051AFT(EL,M | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TC74VHC27FT(ELK,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TC7SET08F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TC7SH02F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| TC7SH32F,LJ | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
TC7SH34FS(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE L-MOS FSV |
на замовлення 12469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
TC7W02FK(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
1SS190TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: SC-59-3 Current - Average Rectified (Io): 100mA Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
1SS272TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-61BCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-61AA Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SC-61B Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
1SS302TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: SC-70 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
1SS306TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC-61BCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: SC-61B Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Diode Configuration: 2 Independent Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-61AA Packaging: Tape & Reel (TR) Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 1SS360(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SSM Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
1SS362TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA Supplier Device Package: SSM Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
1SS367,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USCPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
1SS370TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: SC-70 Current - Average Rectified (Io): 100mA Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
1SS379,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: SC-59 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Technology: Standard Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 1SS382TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
1SS384TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 10V 100MA USQCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: USQ Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Diode Configuration: 2 Independent Technology: Schottky Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
1SS394TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: SC-59 Current - Average Rectified (Io): 100mA Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
1SS397TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70Current - Average Rectified (Io): 100mA Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: SC-70 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
1SS402TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA USQPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA Supplier Device Package: USQ Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
1SS404,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USCPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SA1312GRTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINIPower - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2SA1587-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 100 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RN1312(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1313(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1314(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1316,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1317(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1318(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1904(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN US6
Description: TRANSISTOR NPN US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1906(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1961FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2311(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2312(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2313(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2314(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2316(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2318(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4906(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4981,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4983(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4984(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4986(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4988(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4989(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4990(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J15CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J16CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3J36MFV,L3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K01T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3K16CT(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3K301T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K309T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM3K310T(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SSM3K318T,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM6L11TU(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SSM6L16FE(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
на замовлення 3829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TAR5SB18(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC4SU11F(T5L,F,T) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC74HC4051AFT(EL,M |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC74VHC27FT(ELK,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SET08F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH02F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH32F,LJ |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TC7SH34FS(TPL3) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS FSV
Description: IC GATE L-MOS FSV
на замовлення 12469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TC7W02FK(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1SS190TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59-3
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59-3
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.10 грн |
| 6000+ | 3.66 грн |
| 9000+ | 3.04 грн |
| 30000+ | 2.80 грн |
| 1SS272TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-61B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-61B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.92 грн |
| 6000+ | 3.67 грн |
| 9000+ | 3.57 грн |
| 15000+ | 3.33 грн |
| 1SS302TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1SS306TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC-61B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Description: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC-61B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-61B
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 53.01 грн |
| 6000+ | 48.98 грн |
| 1SS360(T5L,F,T) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1SS362TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.26 грн |
| 6000+ | 3.68 грн |
| 9000+ | 3.47 грн |
| 15000+ | 3.03 грн |
| 1SS367,H3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.83 грн |
| 6000+ | 2.43 грн |
| 9000+ | 2.28 грн |
| 15000+ | 1.98 грн |
| 21000+ | 1.89 грн |
| 30000+ | 1.80 грн |
| 1SS370TE85LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1SS379,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.35 грн |
| 6000+ | 5.97 грн |
| 1SS382TE85LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.27 грн |
| 1SS384TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 10V 100MA USQ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: USQ
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 10V 100MA USQ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: USQ
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.10 грн |
| 6000+ | 3.77 грн |
| 9000+ | 3.47 грн |
| 1SS394TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-59
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.40 грн |
| 1SS397TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Description: DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-70
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1SS402TE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA USQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA USQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.18 грн |
| 6000+ | 5.39 грн |
| 9000+ | 5.10 грн |
| 15000+ | 4.48 грн |
| 1SS404,H3F |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.26 грн |
| 6000+ | 1.84 грн |
| 9000+ | 1.82 грн |
| 15000+ | 1.63 грн |
| 21000+ | 1.56 грн |
| 30000+ | 1.48 грн |
| 2SA1312GRTE85LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA1587-GR,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.86 грн |
| 6000+ | 2.46 грн |
| 9000+ | 2.31 грн |
| 15000+ | 2.01 грн |





























