Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 48 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DF3A5.6LFU(TE85L,F DF3A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT Description: TVS DIODE 5VWM DST3
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 54405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.62 грн
45+7.08 грн
103+3.07 грн
500+2.74 грн
1000+2.60 грн
2000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=351&prodName=DF5A5.6CJE Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 57742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.62 грн
44+7.16 грн
100+3.67 грн
500+3.38 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
30+10.69 грн
100+5.48 грн
500+4.90 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T DF5A6.8LJE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) HN1A01FU-Y(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.23 грн
26+12.42 грн
100+7.75 грн
500+5.37 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
18+18.09 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF HN2A01FU-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.21 грн
16+20.29 грн
100+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) HN2D02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+37.27 грн
100+24.19 грн
500+17.40 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03T(TE85L) HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4A06J.pdf Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.50 грн
22+14.55 грн
100+9.07 грн
500+6.31 грн
1000+5.59 грн
2000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22501&prodName=JDP2S02ACT Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: CST2
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.48 грн
16+19.89 грн
100+12.60 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
2000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02AFS(TPL3) JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE PIN 30V FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: fSC
Current - Max: 50 mA
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.40 грн
19+17.06 грн
100+10.77 грн
500+7.53 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S08SC(TPL3) JDP2S08SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE PIN 30V SC2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: SC2
Current - Max: 50 mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S12CR(TE85L,Q JDP2S12CR(TE85L,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2164&prodName=JDP2S12CR Description: RF DIODE PIN 180V S-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S10FS(TPL3) JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS_datasheet_en_20140301.pdf?did=6207&prodName=JDV2S10FS Description: RF DIODE STANDARD 10V FSC
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.21 грн
15+22.33 грн
100+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L) MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20TU Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM00U7U(TE85L,F) RFM00U7U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RFM00U7U Description: FET RF N-CH 20V 520MHZ USQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM01U7P(TE12L,F) RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P_datasheet_en_20140301.pdf?did=22464&prodName=RFM01U7P Description: RF MOSFET 7.2V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 1.2W
Gain: 10.8dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 7.2 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM03U3CT(TE12L) RFM03U3CT(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22579&prodName=RFM03U3CT Description: MOSFET N-CH RF-CST3
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 2A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 4.3W
Gain: 13.3dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: PW-MINI
Voltage - Rated: 16 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 500 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM08U9X(TE12L,Q) RFM08U9X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10577&prodName=RFM08U9X Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12U7X(TE12L,Q) RFM12U7X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22576&prodName=RFM12U7X Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T) RN1102MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage 21311.pdf Description: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CT RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
24+13.60 грн
100+7.20 грн
500+4.44 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
45+7.00 грн
100+4.32 грн
500+2.95 грн
1000+2.58 грн
2000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T) RN1105(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 6039.pdf Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T) RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T) RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T) RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T) RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T) RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T) RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.88 грн
39+8.18 грн
100+5.09 грн
500+3.48 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T) RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1130MFV,L3F RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T) RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
40+7.94 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
50+6.37 грн
100+3.95 грн
500+2.68 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F) RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LF RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309(TE85L,F) RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310(TE85L,F) RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
32+9.91 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1312(TE85L,F) RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1313(TE85L,F) RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1314(TE85L,F) RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1316,LF RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT
DF3A6.2CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F
DF3A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT
DF3A6.8CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM DST3
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV
DF3A6.8LFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 54405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.62 грн
45+7.08 грн
103+3.07 грн
500+2.74 грн
1000+2.60 грн
2000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV.pdf
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=351&prodName=DF5A5.6CJE
DF5A5.6CJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 57742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.62 грн
44+7.16 грн
100+3.67 грн
500+3.38 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF
DF5A6.8LF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
30+10.69 грн
100+5.48 грн
500+4.90 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE
DF5A6.8LJE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F
HN1C01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.23 грн
26+12.42 грн
100+7.75 грн
500+5.37 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU
HN1D01FU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.95 грн
18+18.09 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU
HN2A01FU-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F)
HN2D01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.21 грн
16+20.29 грн
100+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU
HN2D02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F
HN2D03F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.06 грн
10+37.27 грн
100+24.19 грн
500+17.40 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE
HN2S02JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE.pdf
HN2S03FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03T(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T
HN2S03T(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J.pdf
HN4A06J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE
HN4B01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.50 грн
22+14.55 грн
100+9.07 грн
500+6.31 грн
1000+5.59 грн
2000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J
HN4C51J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22501&prodName=JDP2S02ACT
JDP2S02ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: CST2
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.48 грн
16+19.89 грн
100+12.60 грн
500+8.86 грн
1000+7.90 грн
2000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02AFS(TPL3)
JDP2S02AFS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: fSC
Current - Max: 50 mA
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.40 грн
19+17.06 грн
100+10.77 грн
500+7.53 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S08SC(TPL3)
JDP2S08SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V SC2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: SC2
Current - Max: 50 mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S12CR(TE85L,Q docget.jsp?did=2164&prodName=JDP2S12CR
JDP2S12CR(TE85L,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 180V S-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S10FS(TPL3) JDV2S10FS_datasheet_en_20140301.pdf?did=6207&prodName=JDV2S10FS
JDV2S10FS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE STANDARD 10V FSC
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.21 грн
15+22.33 грн
100+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20TU
MT3S20TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM00U7U(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RFM00U7U
RFM00U7U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FET RF N-CH 20V 520MHZ USQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM01U7P(TE12L,F) RFM01U7P_datasheet_en_20140301.pdf?did=22464&prodName=RFM01U7P
RFM01U7P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 7.2V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 1.2W
Gain: 10.8dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 7.2 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM03U3CT(TE12L) docget.jsp?did=22579&prodName=RFM03U3CT
RFM03U3CT(TE12L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH RF-CST3
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P
RFM04U6P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 2A
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 470MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 4.3W
Gain: 13.3dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: PW-MINI
Voltage - Rated: 16 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 500 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM08U9X(TE12L,Q) docget.jsp?did=10577&prodName=RFM08U9X
RFM08U9X(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12U7X(TE12L,Q) docget.jsp?did=22576&prodName=RFM12U7X
RFM12U7X(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T) 21311.pdf
RN1102MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101
RN1103,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.15 грн
24+13.60 грн
100+7.20 грн
500+4.44 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN110xMFV.pdf
RN1104MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
45+7.00 грн
100+4.32 грн
500+2.95 грн
1000+2.58 грн
2000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1105MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T) 6039.pdf
RN1105(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T) RN110xMFV.pdf
RN1106MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1108(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1109(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112
RN1112(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)
RN1113(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T)
RN1114(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
RN1115,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.88 грн
39+8.18 грн
100+5.09 грн
500+3.48 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114
RN1118(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1130MFV,L3F docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV
RN1130MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T)
RN1131MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
40+7.94 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301
RN1301,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
50+6.37 грн
100+3.95 грн
500+2.68 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F) docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1303(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LF docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308
RN1308,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1307
RN1309(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310(TE85L,F)
RN1310(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.15 грн
32+9.91 грн
100+6.17 грн
500+4.24 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312
RN1312(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312
RN1313(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1314(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1316,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1316,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]