Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13451) > Сторінка 48 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC3265-Y,LF 2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19281&prodName=2SC3265 Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.99 грн
20+16.05 грн
100+10.08 грн
500+7.03 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 42325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
22+14.22 грн
100+8.89 грн
500+6.18 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 16139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
23+13.76 грн
100+8.61 грн
500+5.97 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 37944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
23+13.68 грн
100+8.57 грн
500+5.95 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
13+24.23 грн
100+12.20 грн
500+10.14 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-BL(TE85L,F 2SC4738-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738_datasheet_en_20210629.pdf?did=19314&prodName=2SC4738 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LF 2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 12637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
41+7.57 грн
100+4.69 грн
500+3.20 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-GR(TE85L,F 2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944 Description: TRANS NPN 50V 0.15A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 10131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.88 грн
32+9.63 грн
100+6.03 грн
500+4.19 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-Y(TE85L,F) 2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19320&prodName=2SC4944 Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A USV
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
16+19.95 грн
100+11.33 грн
500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5065-Y(TE85L,F) 2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17646&prodName=2SC5065 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
13+25.46 грн
100+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5084-O(TE85L,F) 2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5085-Y(TE85L,F) 2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 16.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-Y(TPL3) 2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 57023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
12+27.75 грн
100+18.30 грн
500+13.19 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 11676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
12+27.37 грн
100+19.33 грн
500+13.94 грн
1000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 18662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.66 грн
11+28.21 грн
100+19.33 грн
500+13.94 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145_datasheet_en_20140301.pdf?did=19704&prodName=2SK2145 Description: JFET 2N-CH SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 13974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.27 грн
10+43.50 грн
100+29.13 грн
500+22.05 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17921&prodName=2SK3078A Description: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3476(TE12L,Q) 2SK3476(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17928&prodName=2SK3476 Description: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3756(TE12L,F) 2SK3756(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21363&prodName=2SK3756 Description: MOSFET N-CH PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4037(TE12L,Q) 2SK4037(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037 Description: MOSFET N-CH PW-X
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 8884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.72 грн
10+37.54 грн
100+24.32 грн
500+17.47 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+37.31 грн
100+24.32 грн
500+17.47 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F) 3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK293(TE85L,F) 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293 Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.49 грн
11+29.36 грн
100+21.07 грн
500+14.83 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CUS521,H3F CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8859&prodName=CUS521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.73 грн
52+5.89 грн
100+3.94 грн
500+2.99 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S12FU,H3F DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3402&prodName=DF2S12FU Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 8008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.94 грн
61+5.05 грн
127+2.41 грн
500+2.22 грн
1000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: fSC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
13+24.77 грн
100+14.92 грн
500+12.67 грн
1000+8.26 грн
2000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3F DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6CT(TPL3) DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F DF3A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT Description: TVS DIODE 5VWM DST3
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8LFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 54405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.32 грн
45+6.88 грн
103+2.99 грн
500+2.67 грн
1000+2.53 грн
2000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=351&prodName=DF5A5.6CJE Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 57742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.32 грн
44+6.96 грн
100+3.57 грн
500+3.28 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.88 грн
30+10.40 грн
100+5.33 грн
500+4.77 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T DF5A6.8LJE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) HN1A01FU-Y(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C01F Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
18+17.58 грн
100+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF HN2A01FU-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
16+19.72 грн
100+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) HN2D02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.34 грн
10+36.24 грн
100+23.52 грн
500+16.92 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03T(TE85L) HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4A06J.pdf Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
22+14.14 грн
100+8.82 грн
500+6.13 грн
1000+5.44 грн
2000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22501&prodName=JDP2S02ACT Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: CST2
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
16+19.34 грн
100+12.25 грн
500+8.61 грн
1000+7.68 грн
2000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02AFS(TPL3) JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE PIN 30V FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: fSC
Current - Max: 50 mA
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
19+16.59 грн
100+10.47 грн
500+7.32 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3265-Y,LF docget.jsp?did=19281&prodName=2SC3265
2SC3265-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
20+16.05 грн
100+10.08 грн
500+7.03 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324.pdf
2SC3324-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 42325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
22+14.22 грн
100+8.89 грн
500+6.18 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 16139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
23+13.76 грн
100+8.61 грн
500+5.97 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 37944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
23+13.68 грн
100+8.57 грн
500+5.95 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F)
2SC4215-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
13+24.23 грн
100+12.20 грн
500+10.14 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-BL(TE85L,F 2SC4738_datasheet_en_20210629.pdf?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LF docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 12637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
41+7.57 грн
100+4.69 грн
500+3.20 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-GR(TE85L,F 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944
2SC4944-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 10131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
32+9.63 грн
100+6.03 грн
500+4.19 грн
1000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-Y(TE85L,F) docget.jsp?did=19320&prodName=2SC4944
2SC4944-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A USV
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
16+19.95 грн
100+11.33 грн
500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5065-Y(TE85L,F) docget.jsp?did=17646&prodName=2SC5065
2SC5065-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
13+25.46 грн
100+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5084-O(TE85L,F)
2SC5084-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5085-Y(TE85L,F)
2SC5085-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 16.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-O(TE85L,F)
2SC5095-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-R(TE85L,F)
2SC5095-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-Y(TPL3) docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT
2SC6026CT-Y(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 57023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
12+27.75 грн
100+18.30 грн
500+13.19 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 11676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
12+27.37 грн
100+19.33 грн
500+13.94 грн
1000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 18662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
11+28.21 грн
100+19.33 грн
500+13.94 грн
1000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145_datasheet_en_20140301.pdf?did=19704&prodName=2SK2145
2SK2145-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET 2N-CH SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 13974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.27 грн
10+43.50 грн
100+29.13 грн
500+22.05 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q) docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3078A(TE12L,F) docget.jsp?did=17921&prodName=2SK3078A
2SK3078A(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3476(TE12L,Q) docget.jsp?did=17928&prodName=2SK3476
2SK3476(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3756(TE12L,F) docget.jsp?did=21363&prodName=2SK3756
2SK3756(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4037(TE12L,Q) docget.jsp?did=10418&prodName=2SK4037
2SK4037(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 8884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.72 грн
10+37.54 грн
100+24.32 грн
500+17.47 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.92 грн
10+37.31 грн
100+24.32 грн
500+17.47 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F)
3SK291(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK293(TE85L,F) docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293
3SK293(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
11+29.36 грн
100+21.07 грн
500+14.83 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CUS521,H3F docget.jsp?did=8859&prodName=CUS521
CUS521,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.73 грн
52+5.89 грн
100+3.94 грн
500+2.99 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S12FU,H3F DF2S12FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3402&prodName=DF2S12FU
DF2S12FU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 8008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.94 грн
61+5.05 грн
127+2.41 грн
500+2.22 грн
1000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS.pdf
DF2S6.8MFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: fSC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
13+24.77 грн
100+14.92 грн
500+12.67 грн
1000+8.26 грн
2000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS
DF2S6.8UFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT
DF3A5.6CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT
DF3A6.2CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F
DF3A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT
DF3A6.8CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM DST3
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV
DF3A6.8LFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 54405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.32 грн
45+6.88 грн
103+2.99 грн
500+2.67 грн
1000+2.53 грн
2000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV.pdf
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=351&prodName=DF5A5.6CJE
DF5A5.6CJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 57742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.32 грн
44+6.96 грн
100+3.57 грн
500+3.28 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF
DF5A6.8LF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
30+10.40 грн
100+5.33 грн
500+4.77 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE
DF5A6.8LJE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1C01F
HN1C01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU
HN1D01FU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
18+17.58 грн
100+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU
HN2A01FU-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F)
HN2D01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
16+19.72 грн
100+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU
HN2D02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F
HN2D03F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+36.24 грн
100+23.52 грн
500+16.92 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE
HN2S02JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE.pdf
HN2S03FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03T(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T
HN2S03T(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J.pdf
HN4A06J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE
HN4B01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
22+14.14 грн
100+8.82 грн
500+6.13 грн
1000+5.44 грн
2000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J
HN4C51J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22501&prodName=JDP2S02ACT
JDP2S02ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: CST2
Part Status: Active
Current - Max: 50 mA
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
16+19.34 грн
100+12.25 грн
500+8.61 грн
1000+7.68 грн
2000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02AFS(TPL3)
JDP2S02AFS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: fSC
Current - Max: 50 mA
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
19+16.59 грн
100+10.47 грн
500+7.32 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]