Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13020) > Сторінка 48 з 217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 63 84 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TC7SH126FSTPL3 TC7SH126FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=552&prodName=TC7SH126FS Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V FSV
товар відсутній
TC7SH14FSTPL3 TC7SH14FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=546&prodName=TC7SH14FS Description: IC INVERTER SCHMITT 1CH FSV
товар відсутній
TC7SH86FSTPL3 TC7SH86FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.8ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
1SS250(TE85L,F) 1SS250(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=1SS250 Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS295(TE85L,F) 1SS295(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=1SS295 Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 4V SC59-3
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS308(TE85L,F 1SS308(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 4 Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SMV
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.8 грн
15+ 18.74 грн
100+ 9.48 грн
500+ 7.26 грн
1000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
1SS319(TE85L,F) 1SS319(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC61B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-61B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
16+ 17.36 грн
100+ 8.76 грн
500+ 6.7 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
1SS352,H3F 1SS352,H3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-76-2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 298033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.4 грн
35+ 7.89 грн
100+ 4.23 грн
500+ 3.12 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
1SS361CT(TPL3) 1SS361CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22018&prodName=1SS361CT Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: CST3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
1SS361(T5L,F,T) 1SS361(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage DST_1SS361-TDE_EN_1792.pdf Description: DIODE SW 80V 100MA SSM
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS374(TE85L,F) 1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374_datasheet_en_20171030.pdf?did=3349&prodName=1SS374 Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 24766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.52 грн
18+ 15.58 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
1SS378(TE85L,F) 1SS378(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 51452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.38 грн
19+ 14.48 грн
100+ 7.04 грн
500+ 5.51 грн
1000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
1SS383(TE85L,F) 1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383_datasheet_en_20150115.pdf?did=3360&prodName=1SS383 Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 30204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
16+ 17.36 грн
100+ 8.76 грн
500+ 6.7 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
1SS387CT,L3F 1SS387CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387CT_datasheet_en_20140404.pdf?did=22013&prodName=1SS387CT Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 180873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.68 грн
27+ 10.36 грн
100+ 5.07 грн
500+ 3.97 грн
1000+ 2.76 грн
2000+ 2.39 грн
5000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
1SS392,LF 1SS392,LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
1SS401(TE85L,F) 1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3393&prodName=1SS401 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS413,L3M 1SS413,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS413_datasheet_en_20211216.pdf?did=22694&prodName=1SS413 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: fSC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 70530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
2000+ 2.65 грн
5000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
1SS416CT,L3F 1SS416CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22034&prodName=1SS416CT Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 60071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.24 грн
22+ 12.7 грн
100+ 6.2 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 3.37 грн
2000+ 2.92 грн
5000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
1SS416(TL3,T) 1SS416(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416_en_datasheet_071101.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC
товар відсутній
1SS417CT,L3F 1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22155&prodName=1SS417CT Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: fSC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 14838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.24 грн
22+ 12.7 грн
100+ 6.2 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 3.37 грн
2000+ 2.92 грн
5000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
1SS417,L3M 1SS417,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417_datasheet_en_20140708.pdf?did=345&prodName=1SS417 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: fSC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
2000+ 2.65 грн
5000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
1SS423(TE85L,F) 1SS423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=4401&prodName=1SS423 Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSM
на замовлення 26761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.21 грн
12+ 24.78 грн
100+ 15.41 грн
500+ 9.9 грн
1000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
1SS424(TPL3,F) 1SS424(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS424_datasheet_en_20140301.pdf?did=4402&prodName=1SS424 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 41872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.97 грн
28+ 10.16 грн
100+ 4.96 грн
500+ 3.88 грн
1000+ 2.7 грн
2000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1163-BL,LF 2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 47134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.38 грн
20+ 13.86 грн
100+ 6.76 грн
500+ 5.29 грн
1000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1312-BL(TE85L,F 2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1588-Y,LF 2SA1588-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588_datasheet_en_20210625.pdf?did=19174&prodName=2SA1588 Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 10675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.97 грн
28+ 9.81 грн
100+ 4.78 грн
500+ 3.75 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1618-GR(TE85L,F 2SA1618-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19176&prodName=2SA1618 Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
товар відсутній
2SA1832-GR,LF 2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.25 грн
25+ 11.19 грн
100+ 5.93 грн
500+ 3.66 грн
1000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1873-GR(TE85L,F 2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.09 грн
19+ 15.03 грн
100+ 7.32 грн
500+ 5.73 грн
1000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA1873-Y(TE85L,F) 2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-(G,Y).pdf Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA2154CT-GR,L3F 2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 24328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.38 грн
20+ 13.86 грн
100+ 6.76 грн
500+ 5.29 грн
1000+ 3.68 грн
2000+ 3.19 грн
5000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA2154CT-Y(TPL3) 2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=711&prodName=2SA2154CT Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
товар відсутній
2SA2154MFV-GR(TPL3 2SA2154MFV-GR(TPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6105&prodName=2SA2154MFV Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.51 грн
15+ 19.29 грн
100+ 9.72 грн
500+ 7.45 грн
1000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC2859-Y(TE85L,F) 2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 200V 0.05A TO236
товар відсутній
2SC3265-Y,LF 2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19281&prodName=2SC3265 Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.22 грн
14+ 19.77 грн
100+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 73438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
16+ 17.36 грн
100+ 8.76 грн
500+ 6.7 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 19545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 25892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.36 грн
13+ 21.76 грн
100+ 10.95 грн
500+ 9.11 грн
1000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC4738-BL(TE85L,F 2SC4738-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738_datasheet_en_20210629.pdf?did=19314&prodName=2SC4738 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
2SC4738-Y,LF 2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738_datasheet_en_20210629.pdf?did=19314&prodName=2SC4738 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.83 грн
32+ 8.72 грн
100+ 4.23 грн
500+ 3.31 грн
1000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SC4944-GR(TE85L,F 2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19320&prodName=2SC4944 Description: TRANS NPN 50V 0.15A USV
на замовлення 11624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.37 грн
15+ 18.87 грн
100+ 10.7 грн
500+ 6.65 грн
1000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC4944-Y(TE85L,F) 2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19320&prodName=2SC4944 Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A USV
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.94 грн
16+ 17.91 грн
100+ 10.17 грн
500+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC5065-Y(TE85L,F) 2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.22 грн
13+ 21.55 грн
100+ 12.93 грн
500+ 11.23 грн
1000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5084-O(TE85L,F) 2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SC5085-Y(TE85L,F) 2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 16.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SC6026CT-Y(TPL3) 2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 73388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.8 грн
12+ 22.99 грн
100+ 15.98 грн
500+ 11.71 грн
1000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
12+ 24.64 грн
100+ 17.14 грн
500+ 12.56 грн
1000+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 20885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
12+ 24.64 грн
100+ 17.14 грн
500+ 12.56 грн
1000+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145_datasheet_en_20140301.pdf?did=19704&prodName=2SK2145 Description: JFET 2N-CH SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.47 грн
10+ 35.96 грн
100+ 24.91 грн
500+ 19.54 грн
1000+ 16.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075 Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
товар відсутній
2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17921&prodName=2SK3078A Description: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI
товар відсутній
2SK3476(TE12L,Q) 2SK3476(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17928&prodName=2SK3476 Description: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X
товар відсутній
2SK3756(TE12L,F) 2SK3756(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=21363&prodName=2SK3756 Description: MOSFET N-CH PW-MINI
товар відсутній
TC7SH126FSTPL3 docget.jsp?did=552&prodName=TC7SH126FS
TC7SH126FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V FSV
товар відсутній
TC7SH14FSTPL3 docget.jsp?did=546&prodName=TC7SH14FS
TC7SH14FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER SCHMITT 1CH FSV
товар відсутній
TC7SH86FSTPL3
TC7SH86FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE XOR 1CH 2-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: fSV
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 8.8ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
1SS250(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=1SS250
1SS250(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS295(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=1SS295
1SS295(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 4V SC59-3
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS308(TE85L,F
1SS308(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 4 Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SMV
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.8 грн
15+ 18.74 грн
100+ 9.48 грн
500+ 7.26 грн
1000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
1SS319(TE85L,F)
1SS319(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC61B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-61B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.66 грн
16+ 17.36 грн
100+ 8.76 грн
500+ 6.7 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
1SS352,H3F
1SS352,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-76-2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 298033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.4 грн
35+ 7.89 грн
100+ 4.23 грн
500+ 3.12 грн
1000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
1SS361CT(TPL3) 1SS361CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22018&prodName=1SS361CT
1SS361CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: CST3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
1SS361(T5L,F,T) DST_1SS361-TDE_EN_1792.pdf
1SS361(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SW 80V 100MA SSM
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS374(TE85L,F) 1SS374_datasheet_en_20171030.pdf?did=3349&prodName=1SS374
1SS374(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 24766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.52 грн
18+ 15.58 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
1SS378(TE85L,F)
1SS378(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 51452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.38 грн
19+ 14.48 грн
100+ 7.04 грн
500+ 5.51 грн
1000+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
1SS383(TE85L,F) 1SS383_datasheet_en_20150115.pdf?did=3360&prodName=1SS383
1SS383(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 30204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.66 грн
16+ 17.36 грн
100+ 8.76 грн
500+ 6.7 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
1SS387CT,L3F 1SS387CT_datasheet_en_20140404.pdf?did=22013&prodName=1SS387CT
1SS387CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 180873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.68 грн
27+ 10.36 грн
100+ 5.07 грн
500+ 3.97 грн
1000+ 2.76 грн
2000+ 2.39 грн
5000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
1SS392,LF
1SS392,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
1SS401(TE85L,F) docget.jsp?did=3393&prodName=1SS401
1SS401(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1SS413,L3M 1SS413_datasheet_en_20211216.pdf?did=22694&prodName=1SS413
1SS413,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50mA
Supplier Device Package: fSC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 70530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
2000+ 2.65 грн
5000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
1SS416CT,L3F 1SS416CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22034&prodName=1SS416CT
1SS416CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 60071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.24 грн
22+ 12.7 грн
100+ 6.2 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 3.37 грн
2000+ 2.92 грн
5000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
1SS416(TL3,T) 1SS416_en_datasheet_071101.pdf
1SS416(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC
товар відсутній
1SS417CT,L3F 1SS417CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22155&prodName=1SS417CT
1SS417CT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: fSC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 14838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.24 грн
22+ 12.7 грн
100+ 6.2 грн
500+ 4.85 грн
1000+ 3.37 грн
2000+ 2.92 грн
5000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
1SS417,L3M 1SS417_datasheet_en_20140708.pdf?did=345&prodName=1SS417
1SS417,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: fSC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
2000+ 2.65 грн
5000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
1SS423(TE85L,F) docget.jsp?did=4401&prodName=1SS423
1SS423(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSM
на замовлення 26761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.21 грн
12+ 24.78 грн
100+ 15.41 грн
500+ 9.9 грн
1000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
1SS424(TPL3,F) 1SS424_datasheet_en_20140301.pdf?did=4402&prodName=1SS424
1SS424(TPL3,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 200MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 41872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.97 грн
28+ 10.16 грн
100+ 4.96 грн
500+ 3.88 грн
1000+ 2.7 грн
2000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1163-BL,LF 2SA1163_datasheet_en_20220302.pdf?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 47134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.38 грн
20+ 13.86 грн
100+ 6.76 грн
500+ 5.29 грн
1000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA1312-BL(TE85L,F
2SA1312-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SA1588-Y,LF 2SA1588_datasheet_en_20210625.pdf?did=19174&prodName=2SA1588
2SA1588-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 10675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.97 грн
28+ 9.81 грн
100+ 4.78 грн
500+ 3.75 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1618-GR(TE85L,F docget.jsp?did=19176&prodName=2SA1618
2SA1618-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
товар відсутній
2SA1832-GR,LF docget.jsp?did=19185&prodName=2SA1832
2SA1832-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.25 грн
25+ 11.19 грн
100+ 5.93 грн
500+ 3.66 грн
1000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1873-GR(TE85L,F 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf
2SA1873-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.09 грн
19+ 15.03 грн
100+ 7.32 грн
500+ 5.73 грн
1000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA1873-Y(TE85L,F) 2SA1873-(G,Y).pdf
2SA1873-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: USV
Part Status: Active
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SA2154CT-GR,L3F
2SA2154CT-GR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 24328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.38 грн
20+ 13.86 грн
100+ 6.76 грн
500+ 5.29 грн
1000+ 3.68 грн
2000+ 3.19 грн
5000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
2SA2154CT-Y(TPL3) docget.jsp?did=711&prodName=2SA2154CT
2SA2154CT-Y(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
товар відсутній
2SA2154MFV-GR(TPL3 docget.jsp?did=6105&prodName=2SA2154MFV
2SA2154MFV-GR(TPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SC2714-Y(TE85L,F)
2SC2714-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.51 грн
15+ 19.29 грн
100+ 9.72 грн
500+ 7.45 грн
1000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC2859-Y(TE85L,F)
2SC2859-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 30V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SC3138-Y(TE85L,F)
2SC3138-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 200V 0.05A TO236
товар відсутній
2SC3265-Y,LF docget.jsp?did=19281&prodName=2SC3265
2SC3265-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.22 грн
14+ 19.77 грн
100+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324.pdf
2SC3324-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній
2SC3326-A,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625.pdf?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 73438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.66 грн
16+ 17.36 грн
100+ 8.76 грн
500+ 6.7 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 19545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 25892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.81 грн
18+ 15.37 грн
100+ 7.78 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SC4215-Y(TE85L,F)
2SC4215-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 17dB ~ 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.36 грн
13+ 21.76 грн
100+ 10.95 грн
500+ 9.11 грн
1000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC4738-BL(TE85L,F 2SC4738_datasheet_en_20210629.pdf?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товар відсутній
2SC4738-Y,LF 2SC4738_datasheet_en_20210629.pdf?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.83 грн
32+ 8.72 грн
100+ 4.23 грн
500+ 3.31 грн
1000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SC4944-GR(TE85L,F docget.jsp?did=19320&prodName=2SC4944
2SC4944-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A USV
на замовлення 11624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.37 грн
15+ 18.87 грн
100+ 10.7 грн
500+ 6.65 грн
1000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SC4944-Y(TE85L,F) docget.jsp?did=19320&prodName=2SC4944
2SC4944-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A USV
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.94 грн
16+ 17.91 грн
100+ 10.17 грн
500+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SC5065-Y(TE85L,F)
2SC5065-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.22 грн
13+ 21.55 грн
100+ 12.93 грн
500+ 11.23 грн
1000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SC5084-O(TE85L,F)
2SC5084-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SC5085-Y(TE85L,F)
2SC5085-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 16.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SC5095-O(TE85L,F)
2SC5095-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SC5095-R(TE85L,F)
2SC5095-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SC6026CT-Y(TPL3) docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT
2SC6026CT-Y(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 73388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.8 грн
12+ 22.99 грн
100+ 15.98 грн
500+ 11.71 грн
1000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.93 грн
12+ 24.64 грн
100+ 17.14 грн
500+ 12.56 грн
1000+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 20885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.93 грн
12+ 24.64 грн
100+ 17.14 грн
500+ 12.56 грн
1000+ 10.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145_datasheet_en_20140301.pdf?did=19704&prodName=2SK2145
2SK2145-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET 2N-CH SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.47 грн
10+ 35.96 грн
100+ 24.91 грн
500+ 19.54 грн
1000+ 16.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SK3075(TE12L,Q) docget.jsp?did=17990&prodName=2SK3075
2SK3075(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
товар відсутній
2SK3078A(TE12L,F) docget.jsp?did=17921&prodName=2SK3078A
2SK3078A(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI
товар відсутній
2SK3476(TE12L,Q) docget.jsp?did=17928&prodName=2SK3476
2SK3476(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X
товар відсутній
2SK3756(TE12L,F) docget.jsp?did=21363&prodName=2SK3756
2SK3756(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-MINI
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 21 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 63 84 105 126 147 168 189 210 217  [ Наступна Сторінка >> ]