Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 48 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 16 V
Supplier Device Package: PW-MINI
Technology: MOSFET
Gain: 13.3dB
Power - Output: 4.3W
Configuration: N-Channel
Frequency: 470MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2A
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM08U9X(TE12L,Q) RFM08U9X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10577&prodName=RFM08U9X Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12U7X(TE12L,Q) RFM12U7X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22576&prodName=RFM12U7X Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T) RN1102MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage 21311.pdf Description: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CT RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
24+12.91 грн
100+6.83 грн
500+4.21 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
45+6.64 грн
100+4.10 грн
500+2.80 грн
1000+2.45 грн
2000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T) RN1105(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 6039.pdf Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T) RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T) RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T) RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T) RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T) RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T) RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.83 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T) RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1130MFV,L3F RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
38+7.98 грн
100+4.95 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
2000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
41+7.39 грн
100+4.59 грн
500+3.13 грн
1000+2.75 грн
2000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.85 грн
50+6.04 грн
100+3.75 грн
500+2.55 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F) RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LF RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309(TE85L,F) RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310(TE85L,F) RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
32+9.40 грн
100+5.86 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1312(TE85L,F) RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1313(TE85L,F) RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1314(TE85L,F) RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1316,LF RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1317(TE85L,F) RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1318(TE85L,F) RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413(TE85L,F) RN1413(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18794&prodName=RN1412 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1507(TE85L,F) RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
18+16.72 грн
100+8.46 грн
500+6.48 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F) RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.95 грн
100+8.73 грн
500+6.06 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CT RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
25+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(T5L,F,T) RN1904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902 Description: TRANSISTOR NPN US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906(T5L,F,T) RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961FE(TE85L,F) RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FE(TE85L,F) RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FE(TE85L,F) RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964FE(TE85L,F) RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FE(TE85L,F) RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2301,LF RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303(TE85L,F) RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
41+7.31 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304(TE85L,F) RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305(TE85L,F) RN2305(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
41+7.31 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307(TE85L,F) RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309(TE85L,F) RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
41+7.31 грн
100+4.90 грн
500+3.50 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(TE85L,F) RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2312(TE85L,F) RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313(TE85L,F) RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2314(TE85L,F) RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316(TE85L,F) RN2316(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2317(TE85L,F) RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2318(TE85L,F) RN2318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F) RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 21093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
23+13.51 грн
100+8.40 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711(TE85L,F) RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18905&prodName=RN2711 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4603(TE85L,F) RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.28 грн
100+8.30 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906(T5L,F,T) RN4906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LF(CT RN4981,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983(T5L,F,T) RN4983(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983 Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P
RFM04U6P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 16 V
Supplier Device Package: PW-MINI
Technology: MOSFET
Gain: 13.3dB
Power - Output: 4.3W
Configuration: N-Channel
Frequency: 470MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2A
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM08U9X(TE12L,Q) docget.jsp?did=10577&prodName=RFM08U9X
RFM08U9X(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12U7X(TE12L,Q) docget.jsp?did=22576&prodName=RFM12U7X
RFM12U7X(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T) 21311.pdf
RN1102MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101
RN1103,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
24+12.91 грн
100+6.83 грн
500+4.21 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN110xMFV.pdf
RN1104MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.85 грн
45+6.64 грн
100+4.10 грн
500+2.80 грн
1000+2.45 грн
2000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1105MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T) 6039.pdf
RN1105(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T) RN110xMFV.pdf
RN1106MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1108(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1109(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112
RN1112(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)
RN1113(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T)
RN1114(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
RN1115,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.83 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114
RN1118(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1130MFV,L3F docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV
RN1130MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
38+7.98 грн
100+4.95 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
2000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.40 грн
41+7.39 грн
100+4.59 грн
500+3.13 грн
1000+2.75 грн
2000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301
RN1301,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.85 грн
50+6.04 грн
100+3.75 грн
500+2.55 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F) docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1303(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LF docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308
RN1308,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1307
RN1309(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310(TE85L,F)
RN1310(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
32+9.40 грн
100+5.86 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312
RN1312(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312
RN1313(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1314(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1316,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1316,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1317(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1317(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1318(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1314
RN1318(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1413(TE85L,F) docget.jsp?did=18794&prodName=RN1412
RN1413(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1507(TE85L,F)
RN1507(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
18+16.72 грн
100+8.46 грн
500+6.48 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
RN1602(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
на замовлення 9440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
22+13.95 грн
100+8.73 грн
500+6.06 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CT RN190x.pdf
RN1903,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
25+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902
RN1904(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE
RN1961FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1962FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1963FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1964FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1966FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1966FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2301,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2301
RN2301,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2303(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
41+7.31 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2304(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305(TE85L,F) RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301
RN2305(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
41+7.31 грн
100+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2307(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2309(TE85L,F) RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307
RN2309(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
41+7.31 грн
100+4.90 грн
500+3.50 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2311(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2310
RN2311(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2312(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2312(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2313(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2312
RN2313(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2314(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2314(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2316(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2316(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2317(TE85L,F) docget.jsp?did=18872&prodName=RN2318
RN2317(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2318(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2314
RN2318(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F) RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501
RN2506(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 21093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
23+13.51 грн
100+8.40 грн
500+5.83 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711(TE85L,F) docget.jsp?did=18905&prodName=RN2711
RN2711(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4603(TE85L,F) docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603
RN4603(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606
RN4606(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+13.28 грн
100+8.30 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981
RN4981,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983
RN4983(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]