Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 45 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1SS379,LF 1SS379,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS379_datasheet_en_20210625.pdf?did=3356&prodName=1SS379 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
на замовлення 29956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.21 грн
17+19.03 грн
100+12.88 грн
500+9.39 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1SS382TE85LF 1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS382_datasheet_en_20210625.pdf?did=3358&prodName=1SS382 Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 14308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.31 грн
21+15.65 грн
100+9.85 грн
500+7.75 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1SS384TE85LF 1SS384TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS384_datasheet_en_20180907.pdf?did=3362&prodName=1SS384 Description: DIODE ARRAY SCHOTT 10V 100MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 10311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
23+14.00 грн
100+8.89 грн
500+6.92 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1SS394TE85LF 1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394_datasheet_en_20171030.pdf?did=3380&prodName=1SS394 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 5619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.33 грн
31+10.30 грн
100+7.61 грн
500+5.27 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1SS397TE85LF 1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397_datasheet_en_20210625.pdf?did=3386&prodName=1SS397 Description: DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS398TE85LF 1SS398TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS398_datasheet_en_20210625.pdf?did=3389&prodName=1SS398 Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 400 V
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.85 грн
16+20.52 грн
100+16.78 грн
500+11.92 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1SS399TE85LF 1SS399TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3391&prodName=1SS399 Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SC61B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS402TE85LF 1SS402TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS402_datasheet_en_20140301.pdf?did=3395&prodName=1SS402 Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 14039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.86 грн
23+14.23 грн
100+10.46 грн
500+7.31 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1SS404,H3F 1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3400&prodName=1SS404 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 9503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
43+7.47 грн
100+4.91 грн
500+3.35 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF 2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163 Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
32+9.99 грн
100+6.21 грн
500+4.28 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF 2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587 Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.88 грн
38+8.34 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954BTE85LF 2SA1954BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FV.pdf Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.70 грн
35+9.12 грн
100+6.39 грн
500+4.96 грн
1000+4.64 грн
2000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FV.pdf Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.25 грн
34+9.51 грн
100+8.07 грн
500+6.75 грн
1000+6.42 грн
2000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LF 2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712_datasheet_en_20220203.pdf?did=19227&prodName=2SC2712 Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 13879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.25 грн
42+7.63 грн
100+4.70 грн
500+3.21 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF 2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.78 грн
29+11.09 грн
100+6.92 грн
500+4.77 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.78 грн
30+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 23248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.97 грн
30+10.69 грн
100+6.62 грн
500+4.57 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 107494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.68 грн
23+14.23 грн
100+8.93 грн
500+6.20 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-BL,LF 2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.43 грн
49+6.45 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213 Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.76 грн
19+16.67 грн
100+10.44 грн
500+7.28 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5084YTE85LF 2SC5084YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17653&prodName=2SC5084 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087YTE85LF 2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5232BTE85LF 2SC5232BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 12V 0.5A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
29+10.93 грн
100+9.28 грн
500+7.76 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5233BTE85LF 2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 12V 0.5A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: USM
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3 2SC6026CTGRTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ168TE85LF 2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168 Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.38 грн
10+52.92 грн
100+34.94 грн
500+25.54 грн
1000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ305TE85LF 2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305_datasheet_en_20140301.pdf?did=19508&prodName=2SJ305 Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 3 V
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.43 грн
10+36.17 грн
100+23.39 грн
500+16.76 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1828TE85LF 2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
21+15.10 грн
100+9.46 грн
500+6.57 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1829TE85LF 2SK1829TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1829_datasheet_en_20140301.pdf?did=19538&prodName=2SK1829 Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-70
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009TE85LF 2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009_datasheet_en_20140301.pdf?did=19542&prodName=2SK2009 Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.81 грн
10+33.03 грн
100+21.99 грн
500+15.78 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2034TE85LF 2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-70
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3079ATE12LQ 2SK3079ATE12LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17923&prodName=2SK3079A Description: MOSF RF N CH 10V PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3475TE12LF 2SK3475TE12LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17925&prodName=2SK3475 Description: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880GRTE85LF 2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
10+32.40 грн
100+21.67 грн
500+16.60 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2FS,L3M DF2S6.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2FS_datasheet_en_20211216.pdf?did=22218&prodName=DF2S6.2FS Description: TVS DIODE 5VWM SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 43771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.17 грн
61+5.19 грн
135+2.34 грн
500+2.05 грн
1000+1.91 грн
2000+1.84 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2FUTE85LF DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22225&prodName=DF3A6.2FU Description: TVS DIODE 3VWM USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
26+12.11 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CFUTE85LF DF5A5.6CFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=350&prodName=DF5A5.6CFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
19+16.91 грн
100+10.61 грн
500+7.41 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6FTE85LF DF5A5.6FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A5.6F Description: TVS DIODE 2.5VWM SMV
на замовлення 6954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6FUTE85LF DF5A5.6FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22252&prodName=DF5A5.6FU Description: TVS DIODE 2.5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 65pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.31 грн
22+14.86 грн
100+9.31 грн
500+6.48 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2LFUTE85LF DF5A6.2LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22261&prodName=DF5A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.9V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.60 грн
25+12.90 грн
100+6.65 грн
500+5.93 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8FUTE85LF DF5A6.8FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3419&prodName=DF5A6.8FU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.97 грн
27+11.95 грн
100+6.14 грн
500+5.49 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LFUTE85LF DF5A6.8LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3424&prodName=DF5A6.8LFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 26136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.60 грн
25+12.90 грн
100+6.65 грн
500+5.93 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LF HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.78 грн
29+10.85 грн
100+6.79 грн
500+4.68 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LF HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19165&prodName=HN1C01F Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LF HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3639&prodName=HN1D03F Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 23738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.05 грн
23+14.00 грн
100+8.20 грн
500+6.84 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LF HN1D04FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D04FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21822&prodName=HN1D04FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FEYTE85LF HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01FTE85LF HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3462&prodName=HN2D01F Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.48 грн
14+23.28 грн
100+11.72 грн
500+9.75 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S01FUTE85LF HN2S01FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S01FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3705&prodName=HN2S01FU Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 12445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.05 грн
22+14.31 грн
100+9.60 грн
500+6.95 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FUTE85LF HN2S03FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21837&prodName=HN2S03FU Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN3C10FUTE85LF HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
10+34.44 грн
100+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51JTE85LF HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51J_datasheet_en_20140301.pdf?did=22329&prodName=HN4A51J Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 7492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.10 грн
12+26.26 грн
100+16.73 грн
500+11.84 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN4K03JUTE85LF HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4K03JU Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDH2S01FSTPL3 JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDH2S01FS Description: DIODE SCHOTTKY 4V 25MA FSC
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDH2S02FSTPL3 JDH2S02FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02FS_datasheet_en_20170803.pdf?did=6616&prodName=JDH2S02FS Description: RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: fSC
Part Status: Not For New Designs
Current - Max: 10 mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
12+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
JDH3D01STE85LF JDH3D01STE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDH3D01S Description: DIODE SCHOTTKY 4V 25MA SSM
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S07FSTPL3 JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE VARICAP VCO 10V FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Diode Type: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: fSC
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 2.3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S09FSTPL3 JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDV2S09FS Description: DIODE STANDARD 10V FSC
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS379,LF 1SS379_datasheet_en_20210625.pdf?did=3356&prodName=1SS379
1SS379,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 80 V
на замовлення 29956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.21 грн
17+19.03 грн
100+12.88 грн
500+9.39 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1SS382TE85LF 1SS382_datasheet_en_20210625.pdf?did=3358&prodName=1SS382
1SS382TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 14308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.31 грн
21+15.65 грн
100+9.85 грн
500+7.75 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1SS384TE85LF 1SS384_datasheet_en_20180907.pdf?did=3362&prodName=1SS384
1SS384TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 10V 100MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 10311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.86 грн
23+14.00 грн
100+8.89 грн
500+6.92 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1SS394TE85LF 1SS394_datasheet_en_20171030.pdf?did=3380&prodName=1SS394
1SS394TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 5619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.33 грн
31+10.30 грн
100+7.61 грн
500+5.27 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1SS397TE85LF 1SS397_datasheet_en_20210625.pdf?did=3386&prodName=1SS397
1SS397TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS398TE85LF 1SS398_datasheet_en_20210625.pdf?did=3389&prodName=1SS398
1SS398TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 400 V
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.85 грн
16+20.52 грн
100+16.78 грн
500+11.92 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1SS399TE85LF docget.jsp?did=3391&prodName=1SS399
1SS399TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SC61B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS402TE85LF 1SS402_datasheet_en_20140301.pdf?did=3395&prodName=1SS402
1SS402TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Supplier Device Package: USQ
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
на замовлення 14039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.86 грн
23+14.23 грн
100+10.46 грн
500+7.31 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
1SS404,H3F docget.jsp?did=3400&prodName=1SS404
1SS404,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 20 V
на замовлення 9503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
43+7.47 грн
100+4.91 грн
500+3.35 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1163-GR,LF docget.jsp?did=19353&prodName=2SA1163
2SA1163-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 22292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.15 грн
32+9.99 грн
100+6.21 грн
500+4.28 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1587-GR,LF docget.jsp?did=19172&prodName=2SA1587
2SA1587-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.88 грн
38+8.34 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954BTE85LF
2SA1954BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FV.pdf
2SA1955FVATPL3Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.70 грн
35+9.12 грн
100+6.39 грн
500+4.96 грн
1000+4.64 грн
2000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3Z 2SA1955FV.pdf
2SA1955FVBTPL3Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.25 грн
34+9.51 грн
100+8.07 грн
500+6.75 грн
1000+6.42 грн
2000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LF 2SC2712_datasheet_en_20220203.pdf?did=19227&prodName=2SC2712
2SC2712-OTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 13879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.25 грн
42+7.63 грн
100+4.70 грн
500+3.21 грн
1000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF 2SC2713.pdf
2SC2713-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 10666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.78 грн
29+11.09 грн
100+6.92 грн
500+4.77 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713.pdf
2SC2713-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 11720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.78 грн
30+10.77 грн
100+6.70 грн
500+4.61 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 23248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.97 грн
30+10.69 грн
100+6.62 грн
500+4.57 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 107494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.68 грн
23+14.23 грн
100+8.93 грн
500+6.20 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-BL,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.43 грн
49+6.45 грн
100+4.01 грн
500+2.73 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213
2SC4213BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.76 грн
19+16.67 грн
100+10.44 грн
500+7.28 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5084YTE85LF docget.jsp?did=17653&prodName=2SC5084
2SC5084YTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087YTE85LF
2SC5087YTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5232BTE85LF
2SC5232BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 12V 0.5A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
29+10.93 грн
100+9.28 грн
500+7.76 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5233BTE85LF
2SC5233BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 12V 0.5A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: USM
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3 docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT
2SC6026CTGRTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ168TE85LF 2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168
2SJ168TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.38 грн
10+52.92 грн
100+34.94 грн
500+25.54 грн
1000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ305TE85LF 2SJ305_datasheet_en_20140301.pdf?did=19508&prodName=2SJ305
2SJ305TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 3 V
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.43 грн
10+36.17 грн
100+23.39 грн
500+16.76 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1828TE85LF
2SK1828TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
21+15.10 грн
100+9.46 грн
500+6.57 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1829TE85LF 2SK1829_datasheet_en_20140301.pdf?did=19538&prodName=2SK1829
2SK1829TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-70
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009TE85LF 2SK2009_datasheet_en_20140301.pdf?did=19542&prodName=2SK2009
2SK2009TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.81 грн
10+33.03 грн
100+21.99 грн
500+15.78 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2034TE85LF
2SK2034TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-70
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3079ATE12LQ docget.jsp?did=17923&prodName=2SK3079A
2SK3079ATE12LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 10V PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3475TE12LF docget.jsp?did=17925&prodName=2SK3475
2SK3475TE12LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880GRTE85LF 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880GRTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.45 грн
10+32.40 грн
100+21.67 грн
500+16.60 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2FS,L3M DF2S6.2FS_datasheet_en_20211216.pdf?did=22218&prodName=DF2S6.2FS
DF2S6.2FS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 43771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.17 грн
61+5.19 грн
135+2.34 грн
500+2.05 грн
1000+1.91 грн
2000+1.84 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2FUTE85LF DF3A6.2FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22225&prodName=DF3A6.2FU
DF3A6.2FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Supplier Device Package: USM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
26+12.11 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CFUTE85LF DF5A5.6CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=350&prodName=DF5A5.6CFU
DF5A5.6CFUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
19+16.91 грн
100+10.61 грн
500+7.41 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6FTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A5.6F
DF5A5.6FTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM SMV
на замовлення 6954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6FUTE85LF DF5A5.6FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22252&prodName=DF5A5.6FU
DF5A5.6FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 65pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 11607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.31 грн
22+14.86 грн
100+9.31 грн
500+6.48 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2LFUTE85LF DF5A6.2LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22261&prodName=DF5A6.2LFU
DF5A6.2LFUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.9V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.60 грн
25+12.90 грн
100+6.65 грн
500+5.93 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8FUTE85LF DF5A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3419&prodName=DF5A6.8FU
DF5A6.8FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: USV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.97 грн
27+11.95 грн
100+6.14 грн
500+5.49 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LFUTE85LF DF5A6.8LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3424&prodName=DF5A6.8LFU
DF5A6.8LFUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: 5-SSOP
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 26136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.60 грн
25+12.90 грн
100+6.65 грн
500+5.93 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LF docget.jsp?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.78 грн
29+10.85 грн
100+6.79 грн
500+4.68 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LF docget.jsp?did=19165&prodName=HN1C01F
HN1C01FYTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LF HN1D03F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3639&prodName=HN1D03F
HN1D03FTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 23738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.05 грн
23+14.00 грн
100+8.20 грн
500+6.84 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LF HN1D04FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21822&prodName=HN1D04FU
HN1D04FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FEYTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE
HN2C01FEYTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01FTE85LF HN2D01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3462&prodName=HN2D01F
HN2D01FTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.48 грн
14+23.28 грн
100+11.72 грн
500+9.75 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S01FUTE85LF HN2S01FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3705&prodName=HN2S01FU
HN2S01FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 12445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.05 грн
22+14.31 грн
100+9.60 грн
500+6.95 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FUTE85LF HN2S03FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21837&prodName=HN2S03FU
HN2S03FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN3C10FUTE85LF
HN3C10FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.65 грн
10+34.44 грн
100+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51JTE85LF HN4A51J_datasheet_en_20140301.pdf?did=22329&prodName=HN4A51J
HN4A51JTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 7492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.10 грн
12+26.26 грн
100+16.73 грн
500+11.84 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN4K03JUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4K03JU
HN4K03JUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDH2S01FSTPL3 docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDH2S01FS
JDH2S01FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 25MA FSC
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDH2S02FSTPL3 JDH2S02FS_datasheet_en_20170803.pdf?did=6616&prodName=JDH2S02FS
JDH2S02FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: fSC
Part Status: Not For New Designs
Current - Max: 10 mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.56 грн
12+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
JDH3D01STE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDH3D01S
JDH3D01STE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 25MA SSM
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S07FSTPL3
JDV2S07FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARICAP VCO 10V FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Diode Type: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: fSC
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio: 2.3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S09FSTPL3 docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDV2S09FS
JDV2S09FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 10V FSC
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]