Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13584) > Сторінка 47 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 66 88 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
3SK291(TE85L,F) 3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK293(TE85L,F) 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293 Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
11+29.32 грн
100+21.04 грн
500+14.81 грн
1000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS521,H3F CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8859&prodName=CUS521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
39+7.94 грн
100+4.89 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S12FU,H3F DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3402&prodName=DF2S12FU Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 28856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
40+7.79 грн
56+5.54 грн
100+4.51 грн
500+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: fSC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.30 грн
13+24.74 грн
100+14.90 грн
500+12.66 грн
1000+8.25 грн
2000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3F DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6CT(TPL3) DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F DF3A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT Description: TVS DIODE 5VWM DST3
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 32166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.52 грн
50+6.18 грн
119+2.57 грн
500+2.35 грн
1000+1.86 грн
2000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=351&prodName=DF5A5.6CJE Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 34816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
25+12.37 грн
100+7.73 грн
500+5.35 грн
1000+4.73 грн
2000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
30+10.38 грн
100+5.32 грн
500+4.76 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T DF5A6.8LJE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) HN1A01FU-Y(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
26+12.06 грн
100+7.52 грн
500+5.21 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
19+16.19 грн
50+11.59 грн
100+9.49 грн
500+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF HN2A01FU-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.34 грн
16+19.70 грн
100+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) HN2D02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.26 грн
10+36.19 грн
100+23.49 грн
500+16.90 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03T(TE85L) HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4A06J.pdf Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.79 грн
22+14.13 грн
100+8.81 грн
500+6.13 грн
1000+5.43 грн
2000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22314&prodName=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 11859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
13+24.97 грн
100+15.91 грн
500+11.27 грн
1000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22501&prodName=JDP2S02ACT Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Current - Max: 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SOD-882
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.51 грн
16+19.32 грн
100+12.23 грн
500+8.60 грн
1000+7.67 грн
2000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02AFS(TPL3) JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE PIN 30V FSC
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
19+16.57 грн
100+10.46 грн
500+7.31 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S08SC(TPL3) JDP2S08SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE PIN 30V SC2
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S12CR(TE85L,Q JDP2S12CR(TE85L,Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2164&prodName=JDP2S12CR Description: RF DIODE PIN 180V S-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S10FS(TPL3) JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS_datasheet_en_20140301.pdf?did=6207&prodName=JDV2S10FS Description: RF DIODE STANDARD 10V FSC
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.34 грн
15+21.69 грн
100+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L) MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20TU Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM00U7U(TE85L,F) RFM00U7U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RFM00U7U Description: FET RF N-CH 20V 520MHZ USQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM03U3CT(TE12L) RFM03U3CT(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22579&prodName=RFM03U3CT Description: MOSFET N-CH RF-CST3
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 16 V
Supplier Device Package: PW-MINI
Technology: MOSFET
Gain: 13.3dB
Power - Output: 4.3W
Configuration: N-Channel
Frequency: 470MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2A
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM08U9X(TE12L,Q) RFM08U9X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10577&prodName=RFM08U9X Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12U7X(TE12L,Q) RFM12U7X(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22576&prodName=RFM12U7X Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T) RN1102MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage 21311.pdf Description: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CT RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
24+13.21 грн
100+6.99 грн
500+4.31 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
43+7.18 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
2000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T) RN1105(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 6039.pdf Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T) RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T) RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T) RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T) RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T) RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T) RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
39+7.94 грн
100+4.94 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T) RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1130MFV,L3F RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
38+8.17 грн
100+5.06 грн
500+3.46 грн
1000+3.04 грн
2000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
41+7.56 грн
100+4.70 грн
500+3.21 грн
1000+2.82 грн
2000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.10 грн
50+6.18 грн
100+3.83 грн
500+2.61 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F) RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LF RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F)
3SK291(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: SMQ
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK293(TE85L,F) docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293
3SK293(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.44 грн
11+29.32 грн
100+21.04 грн
500+14.81 грн
1000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS521,H3F docget.jsp?did=8859&prodName=CUS521
CUS521,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.48 грн
39+7.94 грн
100+4.89 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S12FU,H3F docget.jsp?did=3402&prodName=DF2S12FU
DF2S12FU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 28856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.48 грн
40+7.79 грн
56+5.54 грн
100+4.51 грн
500+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS.pdf
DF2S6.8MFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: fSC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V (Typ)
Power Line Protection: No
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.30 грн
13+24.74 грн
100+14.90 грн
500+12.66 грн
1000+8.25 грн
2000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS
DF2S6.8UFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT
DF3A5.6CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT
DF3A6.2CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F
DF3A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT
DF3A6.8CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM DST3
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F docget.jsp?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV
DF3A6.8LFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: VESM
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 32166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.52 грн
50+6.18 грн
119+2.57 грн
500+2.35 грн
1000+1.86 грн
2000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV.pdf
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM docget.jsp?did=351&prodName=DF5A5.6CJE
DF5A5.6CJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 34816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.62 грн
25+12.37 грн
100+7.73 грн
500+5.35 грн
1000+4.73 грн
2000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF
DF5A6.8LF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Power Line Protection: No
на замовлення 8871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
30+10.38 грн
100+5.32 грн
500+4.76 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE
DF5A6.8LJE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F
HN1C01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.62 грн
26+12.06 грн
100+7.52 грн
500+5.21 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU
HN1D01FU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.96 грн
19+16.19 грн
50+11.59 грн
100+9.49 грн
500+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU
HN2A01FU-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F)
HN2D01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.34 грн
16+19.70 грн
100+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU
HN2D02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F
HN2D03F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.26 грн
10+36.19 грн
100+23.49 грн
500+16.90 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE
HN2S02JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE.pdf
HN2S03FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03T(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T
HN2S03T(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J.pdf
HN4A06J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE
HN4B01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.79 грн
22+14.13 грн
100+8.81 грн
500+6.13 грн
1000+5.43 грн
2000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) docget.jsp?did=22314&prodName=HN4C51J
HN4C51J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 11859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.03 грн
13+24.97 грн
100+15.91 грн
500+11.27 грн
1000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22501&prodName=JDP2S02ACT
JDP2S02ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Current - Max: 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SOD-882
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.51 грн
16+19.32 грн
100+12.23 грн
500+8.60 грн
1000+7.67 грн
2000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02AFS(TPL3)
JDP2S02AFS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V FSC
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.55 грн
19+16.57 грн
100+10.46 грн
500+7.31 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S08SC(TPL3)
JDP2S08SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V SC2
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S12CR(TE85L,Q docget.jsp?did=2164&prodName=JDP2S12CR
JDP2S12CR(TE85L,Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 180V S-FLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S10FS(TPL3) JDV2S10FS_datasheet_en_20140301.pdf?did=6207&prodName=JDV2S10FS
JDV2S10FS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE STANDARD 10V FSC
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.34 грн
15+21.69 грн
100+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20TU
MT3S20TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM00U7U(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RFM00U7U
RFM00U7U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FET RF N-CH 20V 520MHZ USQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM03U3CT(TE12L) docget.jsp?did=22579&prodName=RFM03U3CT
RFM03U3CT(TE12L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH RF-CST3
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P
RFM04U6P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 16 V
Supplier Device Package: PW-MINI
Technology: MOSFET
Gain: 13.3dB
Power - Output: 4.3W
Configuration: N-Channel
Frequency: 470MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2A
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM08U9X(TE12L,Q) docget.jsp?did=10577&prodName=RFM08U9X
RFM08U9X(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM12U7X(TE12L,Q) docget.jsp?did=22576&prodName=RFM12U7X
RFM12U7X(TE12L,Q)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH PW-X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T) 21311.pdf
RN1102MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN VESM
на замовлення 6679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101
RN1103,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.65 грн
24+13.21 грн
100+6.99 грн
500+4.31 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1104MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.69 грн
43+7.18 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
2000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1105MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T) 6039.pdf
RN1105(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T) RN110xMFV.pdf
RN1106MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1108(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1109(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112
RN1112(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)
RN1113(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1114(T5L,F,T)
RN1114(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
RN1115,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.48 грн
39+7.94 грн
100+4.94 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114
RN1118(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1130MFV,L3F docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV
RN1130MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.48 грн
38+8.17 грн
100+5.06 грн
500+3.46 грн
1000+3.04 грн
2000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.69 грн
41+7.56 грн
100+4.70 грн
500+3.21 грн
1000+2.82 грн
2000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301
RN1301,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+11.10 грн
50+6.18 грн
100+3.83 грн
500+2.61 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F) docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1303(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1308,LF docget.jsp?did=18778&prodName=RN1308
RN1308,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 66 88 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]