Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13496) > Сторінка 42 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK8A60W,S4VX TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13674&prodName=TK8A60W Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12771&prodName=TPH12008NH Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.64 грн
10+70.78 грн
100+47.18 грн
500+34.79 грн
1000+31.73 грн
2000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12771&prodName=TPH12008NH Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.24 грн
10+107.36 грн
100+73.23 грн
500+54.99 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T TC7SZ02FU(T5L,JF,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T TC7SZ02FU(T5L,JF,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T TC7SZ02FU(T5L,JF,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ00FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30322&prodName=TC7SZ00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ00FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30322&prodName=TC7SZ00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.44 грн
21+15.86 грн
26+12.95 грн
100+9.06 грн
250+7.53 грн
500+6.59 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) CBS05F30(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) CBS05F30(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
на замовлення 7496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) CBS05F30(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.30 грн
20+16.93 грн
100+10.65 грн
500+7.42 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,F SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6624&prodName=SSM6J213FE Description: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13022&prodName=SSM6J414TU Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.74 грн
13+26.18 грн
100+16.72 грн
500+11.86 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,F SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13425&prodName=SSM6J215FE Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.59 грн
11+31.71 грн
100+22.03 грн
500+16.14 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,F SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6624&prodName=SSM6J213FE Description: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13022&prodName=SSM6J414TU Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5579&prodName=SSM3J334R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
6000+4.84 грн
9000+4.57 грн
15000+4.01 грн
21000+3.85 грн
30000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5579&prodName=SSM3J334R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 47395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.59 грн
21+15.86 грн
100+9.97 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,F SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13425&prodName=SSM6J215FE Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.45 грн
15+23.04 грн
100+14.64 грн
500+10.33 грн
1000+9.23 грн
2000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LF SSM6N57NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13889&prodName=SSM6N57NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 37753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.46 грн
13+27.01 грн
100+17.28 грн
500+12.25 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LF SSM6N57NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13889&prodName=SSM6N57NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.04 грн
6000+8.82 грн
9000+8.39 грн
15000+7.42 грн
21000+7.15 грн
30000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH125F,LF TC7SH125F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=435&prodName=TC7SH125F Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH125F,LF TC7SH125F,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=435&prodName=TC7SH125F Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13879&prodName=SSM3K324R Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 16168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.30 грн
20+16.85 грн
100+10.56 грн
500+7.36 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13879&prodName=SSM3K324R Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.97 грн
6000+5.21 грн
9000+4.51 грн
15000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13020&prodName=SSM3K335R Description: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13020&prodName=SSM3K335R Description: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.16 грн
17+20.40 грн
100+12.93 грн
500+9.08 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2854(TE12L,F) 2SK2854(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 10V PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 500mA
Frequency: 849MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 23dBmW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PW-MINI
Voltage - Rated: 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2854(TE12L,F) 2SK2854(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 10V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 500mA
Frequency: 849MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 23dBmW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PW-MINI
Voltage - Rated: 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1Q TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH_datasheet_en_20191018.pdf?did=13446&prodName=TPH4R50ANH Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 9435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
10+176.24 грн
100+123.47 грн
500+102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R203NC,L1Q TPN4R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13633&prodName=TPN4R203NC Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W_Rev3.0_9-17-14.pdf Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q60W,S1VQ TK5Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.80 грн
75+107.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQ TK6Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13532&prodName=TK6Q60W Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.52 грн
75+114.04 грн
150+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13675&prodName=TK8P60W Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH_datasheet_en_20191017.pdf?did=13444&prodName=TPH4R008NH Description: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 10959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.59 грн
10+176.24 грн
100+123.47 грн
500+102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH_datasheet_en_20191017.pdf?did=13444&prodName=TPH4R008NH Description: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1Q TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH_datasheet_en_20191018.pdf?did=13446&prodName=TPH4R50ANH Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R203NC,L1Q TPN4R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13633&prodName=TPN4R203NC Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W_Rev3.0_9-17-14.pdf Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.94 грн
10+111.16 грн
100+88.45 грн
500+70.24 грн
1000+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q60W,S1VQ TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK8Q60W Description: MOSFET N CH 600V 8A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13675&prodName=TK8P60W Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13511&prodName=TK12P60W Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.39 грн
10+132.55 грн
100+95.57 грн
500+86.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13511&prodName=TK12P60W Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQ TK12Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13513&prodName=TK12Q60W Description: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13520&prodName=TK16G60W Description: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.64 грн
10+399.89 грн
100+293.30 грн
500+243.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13520&prodName=TK16G60W Description: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH_datasheet_en_20191024.pdf?did=13732&prodName=TPH2R306NH Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.25 грн
10+114.88 грн
100+78.60 грн
500+59.18 грн
1000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W,S1VF TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13611&prodName=TK16N60W Description: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13612&prodName=TK31N60W Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13613&prodName=TK39N60W Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.02 грн
30+287.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF TK62N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13614&prodName=TK62N60W Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.71 грн
30+899.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK100L60W,VQ TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13695&prodName=TK100L60W Description: MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 797W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH_datasheet_en_20191024.pdf?did=13732&prodName=TPH2R306NH Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VX TK8A60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13674&prodName=TK8A60W
TK8A60W,S4VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q docget.jsp?did=12771&prodName=TPH12008NH
TPH12008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.64 грн
10+70.78 грн
100+47.18 грн
500+34.79 грн
1000+31.73 грн
2000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q docget.jsp?did=12771&prodName=TPH12008NH
TPH12008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH
TPH8R008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH
TPH8R008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.24 грн
10+107.36 грн
100+73.23 грн
500+54.99 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU
TC7SZ02FU(T5L,JF,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU
TC7SZ02FU(T5L,JF,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU
TC7SZ02FU(T5L,JF,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30322&prodName=TC7SZ00FU
TC7SZ00F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30322&prodName=TC7SZ00FU
TC7SZ00F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.44 грн
21+15.86 грн
26+12.95 грн
100+9.06 грн
250+7.53 грн
500+6.59 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30
CBS05F30(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30
CBS05F30(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
на замовлення 7496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30
CBS05F30(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R
SSM3J331R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R
SSM3J331R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.30 грн
20+16.93 грн
100+10.65 грн
500+7.42 грн
1000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,F docget.jsp?did=6624&prodName=SSM6J213FE
SSM6J213FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF docget.jsp?did=13022&prodName=SSM6J414TU
SSM6J414TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.74 грн
13+26.18 грн
100+16.72 грн
500+11.86 грн
1000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,F docget.jsp?did=13425&prodName=SSM6J215FE
SSM6J215FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU
SSM6J505NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.59 грн
11+31.71 грн
100+22.03 грн
500+16.14 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,F docget.jsp?did=6624&prodName=SSM6J213FE
SSM6J213FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF docget.jsp?did=13022&prodName=SSM6J414TU
SSM6J414TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU
SSM6J505NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF docget.jsp?did=5579&prodName=SSM3J334R
SSM3J334R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.56 грн
6000+4.84 грн
9000+4.57 грн
15000+4.01 грн
21000+3.85 грн
30000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF docget.jsp?did=5579&prodName=SSM3J334R
SSM3J334R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 47395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.59 грн
21+15.86 грн
100+9.97 грн
500+6.95 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,F docget.jsp?did=13425&prodName=SSM6J215FE
SSM6J215FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.45 грн
15+23.04 грн
100+14.64 грн
500+10.33 грн
1000+9.23 грн
2000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LF docget.jsp?did=13889&prodName=SSM6N57NU
SSM6N57NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 37753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.46 грн
13+27.01 грн
100+17.28 грн
500+12.25 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LF docget.jsp?did=13889&prodName=SSM6N57NU
SSM6N57NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.04 грн
6000+8.82 грн
9000+8.39 грн
15000+7.42 грн
21000+7.15 грн
30000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH125F,LF docget.jsp?did=435&prodName=TC7SH125F
TC7SH125F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH125F,LF docget.jsp?did=435&prodName=TC7SH125F
TC7SH125F,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF docget.jsp?did=13879&prodName=SSM3K324R
SSM3K324R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 16168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.30 грн
20+16.85 грн
100+10.56 грн
500+7.36 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K324R,LF docget.jsp?did=13879&prodName=SSM3K324R
SSM3K324R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.97 грн
6000+5.21 грн
9000+4.51 грн
15000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF docget.jsp?did=13020&prodName=SSM3K335R
SSM3K335R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K335R,LF docget.jsp?did=13020&prodName=SSM3K335R
SSM3K335R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.16 грн
17+20.40 грн
100+12.93 грн
500+9.08 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2854(TE12L,F)
2SK2854(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 10V PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 500mA
Frequency: 849MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 23dBmW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PW-MINI
Voltage - Rated: 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2854(TE12L,F)
2SK2854(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 10V PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 500mA
Frequency: 849MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 23dBmW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PW-MINI
Voltage - Rated: 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1Q TPH4R50ANH_datasheet_en_20191018.pdf?did=13446&prodName=TPH4R50ANH
TPH4R50ANH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 9435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.59 грн
10+176.24 грн
100+123.47 грн
500+102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R203NC,L1Q TPN4R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13633&prodName=TPN4R203NC
TPN4R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W_Rev3.0_9-17-14.pdf
TK5P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+60.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q60W,S1VQ
TK5Q60W,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.80 грн
75+107.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQ TK6Q60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13532&prodName=TK6Q60W
TK6Q60W,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.52 грн
75+114.04 грн
150+93.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ docget.jsp?did=13675&prodName=TK8P60W
TK8P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q TPH4R008NH_datasheet_en_20191017.pdf?did=13444&prodName=TPH4R008NH
TPH4R008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 10959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.59 грн
10+176.24 грн
100+123.47 грн
500+102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R008NH,L1Q TPH4R008NH_datasheet_en_20191017.pdf?did=13444&prodName=TPH4R008NH
TPH4R008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH4R50ANH,L1Q TPH4R50ANH_datasheet_en_20191018.pdf?did=13446&prodName=TPH4R50ANH
TPH4R50ANH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R203NC,L1Q TPN4R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13633&prodName=TPN4R203NC
TPN4R203NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W_Rev3.0_9-17-14.pdf
TK5P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.94 грн
10+111.16 грн
100+88.45 грн
500+70.24 грн
1000+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q60W,S1VQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK8Q60W
TK8Q60W,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 8A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W,RVQ docget.jsp?did=13675&prodName=TK8P60W
TK8P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ TK12P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13511&prodName=TK12P60W
TK12P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.39 грн
10+132.55 грн
100+95.57 грн
500+86.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ TK12P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13511&prodName=TK12P60W
TK12P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQ TK12Q60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13513&prodName=TK12Q60W
TK12Q60W,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ docget.jsp?did=13520&prodName=TK16G60W
TK16G60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+610.64 грн
10+399.89 грн
100+293.30 грн
500+243.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK16G60W,RVQ docget.jsp?did=13520&prodName=TK16G60W
TK16G60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q TPH2R306NH_datasheet_en_20191024.pdf?did=13732&prodName=TPH2R306NH
TPH2R306NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.25 грн
10+114.88 грн
100+78.60 грн
500+59.18 грн
1000+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK16N60W,S1VF docget.jsp?did=13611&prodName=TK16N60W
TK16N60W,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31N60W,S1VF docget.jsp?did=13612&prodName=TK31N60W
TK31N60W,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W,S1VF docget.jsp?did=13613&prodName=TK39N60W
TK39N60W,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.02 грн
30+287.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF docget.jsp?did=13614&prodName=TK62N60W
TK62N60W,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1453.71 грн
30+899.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK100L60W,VQ docget.jsp?did=13695&prodName=TK100L60W
TK100L60W,VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 797W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R306NH,L1Q TPH2R306NH_datasheet_en_20191024.pdf?did=13732&prodName=TPH2R306NH
TPH2R306NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]