Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13432) > Сторінка 42 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 66 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1400ANH,L1Q TPH1400ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1400ANH_datasheet_en_20140217.pdf?did=12774&prodName=TPH1400ANH Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q TPH8R80ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R80ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=12776&prodName=TPH8R80ANH Description: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQ TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13666&prodName=TPN22006NH Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQ TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13035&prodName=TPN30008NH Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13091&prodName=TPN3300ANH Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q TPH1400ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1400ANH_datasheet_en_20140217.pdf?did=12774&prodName=TPH1400ANH Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 9307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
10+90.12 грн
100+61.78 грн
500+46.33 грн
1000+41.39 грн
2000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q TPH8R80ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R80ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=12776&prodName=TPH8R80ANH Description: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.13 грн
10+100.62 грн
100+71.40 грн
500+56.96 грн
1000+51.53 грн
2000+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQ TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13666&prodName=TPN22006NH Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+61.08 грн
100+46.99 грн
500+34.87 грн
1000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQ TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13035&prodName=TPN30008NH Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+62.00 грн
100+41.17 грн
500+30.21 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13091&prodName=TPN3300ANH Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.84 грн
100+41.72 грн
500+30.62 грн
1000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1X TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13464&prodName=TK42E12N1 Description: MOSFET N CH 120V 88A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX TK6A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13527&prodName=TK6A60W Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.14 грн
50+119.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R503NC,L1Q TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13638&prodName=TPN2R503NC Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R503NC,L1Q TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13638&prodName=TPN2R503NC Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK31J60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ TK39J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13496&prodName=TK39J60W Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+853.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5_datasheet_en_20131226.pdf?did=13749&prodName=TK39J60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+845.15 грн
25+649.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX TK31E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13524&prodName=TK31E60W Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ TK31J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13525&prodName=TK31J60W Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13578&prodName=TK7P60W Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13578&prodName=TK7P60W Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.64 грн
10+154.88 грн
100+107.72 грн
500+82.19 грн
1000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13460&prodName=TK32E12N1 Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.05 грн
50+81.38 грн
100+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13640&prodName=TPN6R303NC Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13640&prodName=TPN6R303NC Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62064AFG,S,EL TD62064AFG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62064AP%2CAF.pdf Description: IC TRANSCEIVER 4/0 16HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 4/0
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS398TE85LF 1SS398TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS398_datasheet_en_20210625.pdf?did=3389&prodName=1SS398 Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 400 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
6000+7.74 грн
9000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS196(TE85L,F) 1SS196(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS196_datasheet_en_20210625.pdf?did=3274&prodName=1SS196 Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SC593
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VQ TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16J60W Description: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10E60W,S1VX TK10E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13500&prodName=TK10E60W Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.95 грн
50+174.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX TK12E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13505&prodName=TK12E60W Description: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.05 грн
50+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX TK16E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13516&prodName=TK16E60W Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.86 грн
10+159.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VX TK5A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp_did%3D13585%26prodname%3Dtk5a60w.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQ TK62J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13559&prodName=TK62J60W Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.74 грн
10+1153.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13721&prodName=TPN14006NH Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13721&prodName=TPN14006NH Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A60W,S4VX TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13589&prodName=TK7A60W Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VX TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13674&prodName=TK8A60W Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH_datasheet_en_20220819.pdf?did=12771&prodName=TPH12008NH Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+56.71 грн
100+44.12 грн
500+35.10 грн
1000+28.59 грн
2000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH_datasheet_en_20220819.pdf?did=12771&prodName=TPH12008NH Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+99.70 грн
100+80.17 грн
500+61.81 грн
1000+51.22 грн
2000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T TC7SZ02FU(T5L,JF,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T TC7SZ02FU(T5L,JF,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T TC7SZ02FU(T5L,JF,T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ00FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30322&prodName=TC7SZ00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ00FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30322&prodName=TC7SZ00FU Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
21+14.71 грн
26+12.02 грн
100+8.41 грн
250+6.99 грн
500+6.11 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) CBS05F30(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) CBS05F30(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
на замовлення 7496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) CBS05F30(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
20+15.71 грн
100+9.88 грн
500+6.89 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,F SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=6624&prodName=SSM6J213FE Description: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU_datasheet_en_20140404.pdf?did=13022&prodName=SSM6J414TU Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 8110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.83 грн
15+20.61 грн
100+13.93 грн
500+10.19 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,F SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J215FE_datasheet_en_20140404.pdf?did=13425&prodName=SSM6J215FE Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
11+29.43 грн
100+20.45 грн
500+14.98 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,F SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=6624&prodName=SSM6J213FE Description: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J414TU_datasheet_en_20140404.pdf?did=13022&prodName=SSM6J414TU Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.84 грн
6000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J334R_datasheet_en_20181004.pdf?did=5579&prodName=SSM3J334R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
6000+5.09 грн
9000+4.81 грн
15000+4.22 грн
21000+4.05 грн
30000+3.88 грн
75000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J334R_datasheet_en_20181004.pdf?did=5579&prodName=SSM3J334R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 127242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
19+16.25 грн
100+10.18 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q TPH1400ANH_datasheet_en_20140217.pdf?did=12774&prodName=TPH1400ANH
TPH1400ANH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q TPH8R80ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=12776&prodName=TPH8R80ANH
TPH8R80ANH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+54.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQ TPN22006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13666&prodName=TPN22006NH
TPN22006NH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQ TPN30008NH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13035&prodName=TPN30008NH
TPN30008NH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13091&prodName=TPN3300ANH
TPN3300ANH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1400ANH,L1Q TPH1400ANH_datasheet_en_20140217.pdf?did=12774&prodName=TPH1400ANH
TPH1400ANH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 9307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+90.12 грн
100+61.78 грн
500+46.33 грн
1000+41.39 грн
2000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R80ANH,L1Q TPH8R80ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=12776&prodName=TPH8R80ANH
TPH8R80ANH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
на замовлення 29260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.13 грн
10+100.62 грн
100+71.40 грн
500+56.96 грн
1000+51.53 грн
2000+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN22006NH,LQ TPN22006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13666&prodName=TPN22006NH
TPN22006NH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
на замовлення 5722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+61.08 грн
100+46.99 грн
500+34.87 грн
1000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN30008NH,LQ TPN30008NH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13035&prodName=TPN30008NH
TPN30008NH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
10+62.00 грн
100+41.17 грн
500+30.21 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3300ANH,LQ TPN3300ANH_datasheet_en_20140218.pdf?did=13091&prodName=TPN3300ANH
TPN3300ANH,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+62.84 грн
100+41.72 грн
500+30.62 грн
1000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK42E12N1,S1X docget.jsp?did=13464&prodName=TK42E12N1
TK42E12N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 120V 88A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX docget.jsp?did=13527&prodName=TK6A60W
TK6A60W,S4VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.14 грн
50+119.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R503NC,L1Q docget.jsp?did=13638&prodName=TPN2R503NC
TPN2R503NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R503NC,L1Q docget.jsp?did=13638&prodName=TPN2R503NC
TPN2R503NC,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W5,S1VQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK31J60W5
TK31J60W5,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W,S1VQ docget.jsp?did=13496&prodName=TK39J60W
TK39J60W,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+853.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39J60W5,S1VQ TK39J60W5_datasheet_en_20131226.pdf?did=13749&prodName=TK39J60W5
TK39J60W5,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+845.15 грн
25+649.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31E60W,S1VX TK31E60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13524&prodName=TK31E60W
TK31E60W,S1VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+545.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK31J60W,S1VQ docget.jsp?did=13525&prodName=TK31J60W
TK31J60W,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13578&prodName=TK7P60W
TK7P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P60W,RVQ TK7P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13578&prodName=TK7P60W
TK7P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.64 грн
10+154.88 грн
100+107.72 грн
500+82.19 грн
1000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK32E12N1,S1X TK32E12N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13460&prodName=TK32E12N1
TK32E12N1,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.05 грн
50+81.38 грн
100+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R303NC,LQ docget.jsp?did=13640&prodName=TPN6R303NC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN6R303NC,LQ docget.jsp?did=13640&prodName=TPN6R303NC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD62064AFG,S,EL TD62064AP%2CAF.pdf
TD62064AFG,S,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSCEIVER 4/0 16HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Type: Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Number of Drivers/Receivers: 4/0
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS398TE85LF 1SS398_datasheet_en_20210625.pdf?did=3389&prodName=1SS398
1SS398TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 400 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.20 грн
6000+7.74 грн
9000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SS196(TE85L,F) 1SS196_datasheet_en_20210625.pdf?did=3274&prodName=1SS196
1SS196(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SC593
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16J60W,S1VQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK16J60W
TK16J60W,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK10E60W,S1VX TK10E60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13500&prodName=TK10E60W
TK10E60W,S1VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.95 грн
50+174.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX TK12E60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13505&prodName=TK12E60W
TK12E60W,S1VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.05 грн
50+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX TK16E60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13516&prodName=TK16E60W
TK16E60W,S1VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.86 грн
10+159.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A60W,S4VX docget.jsp_did%3D13585%26prodname%3Dtk5a60w.pdf
TK5A60W,S4VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQ docget.jsp?did=13559&prodName=TK62J60W
TK62J60W,S1VQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1302.74 грн
10+1153.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q TPN14006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13721&prodName=TPN14006NH
TPN14006NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN14006NH,L1Q TPN14006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13721&prodName=TPN14006NH
TPN14006NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A60W,S4VX TK7A60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13589&prodName=TK7A60W
TK7A60W,S4VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W,S4VX TK8A60W_datasheet_en_20140105.pdf?did=13674&prodName=TK8A60W
TK8A60W,S4VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q TPH12008NH_datasheet_en_20220819.pdf?did=12771&prodName=TPH12008NH
TPH12008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+56.71 грн
100+44.12 грн
500+35.10 грн
1000+28.59 грн
2000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q TPH12008NH_datasheet_en_20220819.pdf?did=12771&prodName=TPH12008NH
TPH12008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH
TPH8R008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH8R008NH,L1Q docget.jsp?did=12775&prodName=TPH8R008NH
TPH8R008NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.39 грн
10+99.70 грн
100+80.17 грн
500+61.81 грн
1000+51.22 грн
2000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU
TC7SZ02FU(T5L,JF,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU
TC7SZ02FU(T5L,JF,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ02FU(T5L,JF,T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ02FU
TC7SZ02FU(T5L,JF,T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30322&prodName=TC7SZ00FU
TC7SZ00F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30322&prodName=TC7SZ00FU
TC7SZ00F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
21+14.71 грн
26+12.02 грн
100+8.41 грн
250+6.99 грн
500+6.11 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30
CBS05F30(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30
CBS05F30(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
на замовлення 7496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CBS05F30(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CBS05F30
CBS05F30(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R
SSM3J331R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R
SSM3J331R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
20+15.71 грн
100+9.88 грн
500+6.89 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,F SSM6J213FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=6624&prodName=SSM6J213FE
SSM6J213FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU_datasheet_en_20140404.pdf?did=13022&prodName=SSM6J414TU
SSM6J414TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 8110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
15+20.61 грн
100+13.93 грн
500+10.19 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,F SSM6J215FE_datasheet_en_20140404.pdf?did=13425&prodName=SSM6J215FE
SSM6J215FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU
SSM6J505NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
11+29.43 грн
100+20.45 грн
500+14.98 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,F SSM6J213FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=6624&prodName=SSM6J213FE
SSM6J213FE(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF SSM6J414TU_datasheet_en_20140404.pdf?did=13022&prodName=SSM6J414TU
SSM6J414TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.84 грн
6000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J505NU,LF SSM6J505NU_datasheet_en_20210917.pdf?did=13456&prodName=SSM6J505NU
SSM6J505NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF SSM3J334R_datasheet_en_20181004.pdf?did=5579&prodName=SSM3J334R
SSM3J334R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.85 грн
6000+5.09 грн
9000+4.81 грн
15000+4.22 грн
21000+4.05 грн
30000+3.88 грн
75000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF SSM3J334R_datasheet_en_20181004.pdf?did=5579&prodName=SSM3J334R
SSM3J334R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 127242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.25 грн
100+10.18 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 66 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]