Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 54 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1588-Y,LF 2SA1588-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588 Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF 2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832_datasheet_en_20210706.pdf?did=19185&prodName=2SA1832 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1873-GR(TE85L,F 2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf Description: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1873-Y(TE85L,F) 2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf Description: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F 2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=711&prodName=2SA2154CT Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-GR(TPL3 Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2714-Y(TE85L,F) 2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17590&prodName=2SC2714 Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2859-Y(TE85L,F) 2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 200V 0.05A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3265-Y,LF 2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19281&prodName=2SC3265 Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-236
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+4.55 грн
9000+4.30 грн
15000+3.77 грн
21000+3.61 грн
30000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
6000+4.14 грн
9000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207 Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
6000+3.68 грн
9000+3.48 грн
15000+3.04 грн
21000+2.92 грн
30000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F) 2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Frequency - Transition: 550MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 100mW
Gain: 17dB ~ 23dB
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-BL(TE85L,F 2SC4738-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738_datasheet_en_20210629.pdf?did=19314&prodName=2SC4738 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LF 2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.60 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-GR(TE85L,F 2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944 Description: TRANS NPN 50V 0.15A USV
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-Y(TE85L,F) 2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944 Description: TRANS 2NPN 50V 150MA USV
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5065-Y(TE85L,F) 2SC5065-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17646&prodName=2SC5065 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 16.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2035(T5L,F,T) 2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.67 грн
6000+10.28 грн
9000+9.79 грн
15000+8.67 грн
21000+8.37 грн
30000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+10.90 грн
9000+10.39 грн
15000+9.21 грн
21000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209 Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.14 грн
6000+10.70 грн
9000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145_datasheet_en_20140301.pdf?did=19704&prodName=2SK2145 Description: JFET 2N-CH SMV
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F) 3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF MOSFET 6V SMQ
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 12.5 V
Supplier Device Package: SMQ
Noise Figure: 2.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 22.5dB
Configuration: N-Channel Dual Gate
Frequency: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 30mA
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK293(TE85L,F) 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293 Description: RF MOSFET 6V USQ
Gain: 22dB
Configuration: N-Channel Dual Gate
Frequency: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 30mA
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 12.5 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: USQ
Noise Figure: 2.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
6000+10.88 грн
9000+10.30 грн
15000+9.19 грн
21000+8.88 грн
30000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS521,H3F CUS521,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=8859&prodName=CUS521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S12FU,H3F DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3402&prodName=DF2S12FU Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.20 грн
6000+1.88 грн
9000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8MFS.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3F DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6CT(TPL3) DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F DF3A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT Description: TVS DIODE 5VWM CST3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Applications: General Purpose
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: VESM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=351&prodName=DF5A5.6CJE Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.77 грн
8000+3.27 грн
12000+3.09 грн
20000+2.70 грн
28000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.75 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T DF5A6.8LJE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) HN1A01FU-Y(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 800MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF HN2A01FU-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ESV
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) HN2D02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1588-Y,LF docget.jsp?did=19174&prodName=2SA1588
2SA1588-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF 2SA1832_datasheet_en_20210706.pdf?did=19185&prodName=2SA1832
2SA1832-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1873-GR(TE85L,F 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf
2SA1873-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1873-Y(TE85L,F) 2SA1873-%28G%2CY%29.pdf
2SA1873-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 150MA USV
Part Status: Active
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F docget.jsp?did=711&prodName=2SA2154CT
2SA2154CT-GR,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-Y(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-GR(TPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2714-Y(TE85L,F) docget.jsp?did=17590&prodName=2SC2714
2SC2714-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 550MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2859-Y(TE85L,F)
2SC2859-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3138-Y(TE85L,F)
2SC3138-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 200V 0.05A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3265-Y,LF docget.jsp?did=19281&prodName=2SC3265
2SC3265-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-236
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324.pdf
2SC3324-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-A,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.24 грн
6000+4.55 грн
9000+4.30 грн
15000+3.77 грн
21000+3.61 грн
30000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-GR(TE85L,F 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.77 грн
6000+4.14 грн
9000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4207-Y(TE85L,F) 2SC4207_datasheet_en_20210625.pdf?did=19298&prodName=2SC4207
2SC4207-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 150MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.25 грн
6000+3.68 грн
9000+3.48 грн
15000+3.04 грн
21000+2.92 грн
30000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4215-Y(TE85L,F)
2SC4215-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz
Frequency - Transition: 550MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Power - Max: 100mW
Gain: 17dB ~ 23dB
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-BL(TE85L,F 2SC4738_datasheet_en_20210629.pdf?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4738-Y,LF docget.jsp?did=19314&prodName=2SC4738
2SC4738-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.60 грн
6000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-GR(TE85L,F 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944
2SC4944-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A USV
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4944-Y(TE85L,F) 2SC4944_datasheet_en_20210625.pdf?did=19320&prodName=2SC4944
2SC4944-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 150MA USV
Supplier Device Package: USV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5065-Y(TE85L,F) docget.jsp?did=17646&prodName=2SC5065
2SC5065-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5084-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5085-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 16.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-O(TE85L,F)
2SC5095-O(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5095-R(TE85L,F)
2SC5095-R(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 7.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CT-Y(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2035(T5L,F,T)
2SK2035(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.67 грн
6000+10.28 грн
9000+9.79 грн
15000+8.67 грн
21000+8.37 грн
30000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-GR(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.36 грн
6000+10.90 грн
9000+10.39 грн
15000+9.21 грн
21000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK209-Y(TE85L,F) 2SK209_datasheet_en_20140301.pdf?did=19662&prodName=2SK209
2SK209-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.14 грн
6000+10.70 грн
9000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145_datasheet_en_20140301.pdf?did=19704&prodName=2SK2145
2SK2145-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET 2N-CH SMV
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 200 mV @ 100 nA
Power - Max: 300 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880-BL(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880-Y(TE85L,F) 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880-Y(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V USM
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3SK291(TE85L,F)
3SK291(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V SMQ
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 12.5 V
Supplier Device Package: SMQ
Noise Figure: 2.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 22.5dB
Configuration: N-Channel Dual Gate
Frequency: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 30mA
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK293(TE85L,F) docget.jsp?did=17968&prodName=3SK293
3SK293(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ
Gain: 22dB
Configuration: N-Channel Dual Gate
Frequency: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 30mA
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 12.5 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: USQ
Noise Figure: 2.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.28 грн
6000+10.88 грн
9000+10.30 грн
15000+9.19 грн
21000+8.88 грн
30000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CUS521,H3F docget.jsp?did=8859&prodName=CUS521
CUS521,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.61 грн
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S12FU,H3F docget.jsp?did=3402&prodName=DF2S12FU
DF2S12FU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 9VWM USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 15pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9V
Supplier Device Package: USC
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.20 грн
6000+1.88 грн
9000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8MFS,L3F DF2S6.8MFS.pdf
DF2S6.8MFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC FSC
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS
DF2S6.8UFS,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6CT
DF3A5.6CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM CST3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT
DF3A6.2CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F
DF3A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT
DF3A6.8CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM CST3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F docget.jsp?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV
DF3A6.8LFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Applications: General Purpose
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: VESM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV.pdf
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM docget.jsp?did=351&prodName=DF5A5.6CJE
DF5A5.6CJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.77 грн
8000+3.27 грн
12000+3.09 грн
20000+2.70 грн
28000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF
DF5A6.8LF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.75 грн
6000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE
DF5A6.8LJE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F
HN1C01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 800MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU
HN1D01FU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU
HN2A01FU-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F)
HN2D01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ESV
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU
HN2D02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F
HN2D03F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE
HN2S02JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE.pdf
HN2S03FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]