Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 52 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SA1954BTE85LF 2SA1954BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FV.pdf Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FV.pdf Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.64 грн
6000+2.27 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF 2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19229&prodName=2SC2713 Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+3.07 грн
9000+2.89 грн
15000+2.52 грн
21000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324GRTE85LF 2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
6000+3.29 грн
9000+3.10 грн
15000+2.70 грн
21000+2.58 грн
30000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
6000+4.55 грн
9000+4.30 грн
15000+3.77 грн
21000+3.61 грн
30000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-BL,LF 2SC4116-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116 Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213 Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
6000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5232BTE85LF 2SC5232BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 12V 0.5A SC59
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5233BTE85LF 2SC5233BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN 12V 0.5A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: USM
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3 2SC6026CTGRTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ168TE85LF 2SJ168TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168 Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2999 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ305TE85LF 2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305_datasheet_en_20140301.pdf?did=19508&prodName=2SJ305 Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 3 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
6000+10.66 грн
9000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1828TE85LF 2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1829TE85LF 2SK1829TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1829_datasheet_en_20140301.pdf?did=19538&prodName=2SK1829 Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-70
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009TE85LF 2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009_datasheet_en_20140301.pdf?did=19542&prodName=2SK2009 Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2034TE85LF 2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-70
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880GRTE85LF 2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880 Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2FS,L3M DF2S6.2FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22218&prodName=DF2S6.2FS Description: TVS DIODE 5VWM SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2FUTE85LF DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22225&prodName=DF3A6.2FU Description: TVS DIODE 3VWM USM
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
6000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CFUTE85LF DF5A5.6CFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=350&prodName=DF5A5.6CFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6FTE85LF DF5A5.6FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A5.6F Description: TVS DIODE 2.5VWM SMV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6FUTE85LF DF5A5.6FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22252&prodName=DF5A5.6FU Description: TVS DIODE 2.5VWM USV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Capacitance @ Frequency: 65pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2LFUTE85LF DF5A6.2LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22261&prodName=DF5A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.9V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8FUTE85LF DF5A6.8FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3419&prodName=DF5A6.8FU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LFUTE85LF DF5A6.8LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3424&prodName=DF5A6.8LFU Description: TVS DIODE 5VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
6000+4.09 грн
9000+3.81 грн
15000+3.51 грн
21000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LF HN1B01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19148&prodName=HN1B01FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LF HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19165&prodName=HN1C01F Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LF HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3639&prodName=HN1D03F Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-74
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
6000+4.32 грн
9000+4.22 грн
15000+3.87 грн
21000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LF HN1D04FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D04FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21822&prodName=HN1D04FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FEYTE85LF HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01FTE85LF HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3462&prodName=HN2D01F Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-74
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S01FUTE85LF HN2S01FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S01FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3705&prodName=HN2S01FU Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.64 грн
6000+4.97 грн
9000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FUTE85LF HN2S03FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21837&prodName=HN2S03FU Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN3C10FUTE85LF HN3C10FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51JTE85LF HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4A51J_datasheet_en_20140301.pdf?did=22329&prodName=HN4A51J Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4K03JUTE85LF HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4K03JU Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDH2S01FSTPL3 JDH2S01FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDH2S01FS Description: DIODE SCHOTTKY 4V 25MA FSC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDH2S02FSTPL3 JDH2S02FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02FS_datasheet_en_20170803.pdf?did=6616&prodName=JDH2S02FS Description: RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC
Current - Max: 10 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDH3D01STE85LF JDH3D01STE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDH3D01S Description: DIODE SCHOTTKY 4V 25MA SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S07FSTPL3 JDV2S07FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE VARICAP VCO 10V FSC
Part Status: Active
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Capacitance @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Single
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance Ratio: 2.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S09FSTPL3 JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDV2S09FS Description: DIODE STANDARD 10V FSC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412TE85LF RN1412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1441ATE85LF RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1441 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1442ATE85LF RN1442ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1441 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1444ATE85LF RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18800&prodName=RN1441 Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85LF RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FETE85LF RN1901FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1901FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902T5LFT RN1902T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FETE85LF RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19070&prodName=RN1910FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962TE85LF RN1962TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18830&prodName=RN1961 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964TE85LF RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18830&prodName=RN1961 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1971TE85LF RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18834&prodName=RN1971 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404TE85LF RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2403 Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2505TE85LF RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2501 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1954BTE85LF
2SA1954BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FV.pdf
2SA1955FVATPL3Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: CST3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1955FVBTPL3Z 2SA1955FV.pdf
2SA1955FVBTPL3Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2712-OTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.64 грн
6000+2.27 грн
9000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-BL,LF 2SC2713.pdf
2SC2713-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC2713-GR,LF docget.jsp?did=19229&prodName=2SC2713
2SC2713-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.56 грн
6000+3.07 грн
9000+2.89 грн
15000+2.52 грн
21000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3324GRTE85LF 2SC3324.pdf
2SC3324GRTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.81 грн
6000+3.29 грн
9000+3.10 грн
15000+2.70 грн
21000+2.58 грн
30000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3326-B,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.24 грн
6000+4.55 грн
9000+4.30 грн
15000+3.77 грн
21000+3.61 грн
30000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4116-BL,LF docget.jsp?did=19292&prodName=2SC4116
2SC4116-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.15A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4213BTE85LF 2SC4213_datasheet_en_20210625.pdf?did=19305&prodName=2SC4213
2SC4213BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.70 грн
6000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5087YTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5232BTE85LF
2SC5232BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 12V 0.5A SC59
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5233BTE85LF
2SC5233BTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 12V 0.5A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: USM
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6026CTGRTPL3 docget.jsp?did=713&prodName=2SC6026CT
2SC6026CTGRTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.1A CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ168TE85LF 2SJ168_datasheet_en_20140301.pdf?did=19506&prodName=2SJ168
2SJ168TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 10 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2999 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ305TE85LF 2SJ305_datasheet_en_20140301.pdf?did=19508&prodName=2SJ305
2SJ305TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 50mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 3 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.07 грн
6000+10.66 грн
9000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1828TE85LF
2SK1828TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1829TE85LF 2SK1829_datasheet_en_20140301.pdf?did=19538&prodName=2SK1829
2SK1829TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 50MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-70
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2009TE85LF 2SK2009_datasheet_en_20140301.pdf?did=19542&prodName=2SK2009
2SK2009TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 3 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2034TE85LF
2SK2034TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-70
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK880GRTE85LF 2SK880_datasheet_en_20140301.pdf?did=19699&prodName=2SK880
2SK880GRTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2FS,L3M docget.jsp?did=22218&prodName=DF2S6.2FS
DF2S6.2FS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SOD-923
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2FUTE85LF DF3A6.2FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22225&prodName=DF3A6.2FU
DF3A6.2FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM USM
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: USM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3V
Capacitance @ Frequency: 55pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.06 грн
6000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CFUTE85LF DF5A5.6CFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=350&prodName=DF5A5.6CFU
DF5A5.6CFUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6FTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A5.6F
DF5A5.6FTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM SMV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6FUTE85LF DF5A5.6FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22252&prodName=DF5A5.6FU
DF5A5.6FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM USV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Capacitance @ Frequency: 65pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.2LFUTE85LF DF5A6.2LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=22261&prodName=DF5A6.2LFU
DF5A6.2LFUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.9V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8FUTE85LF DF5A6.8FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3419&prodName=DF5A6.8FU
DF5A6.8FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: USV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LFUTE85LF DF5A6.8LFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3424&prodName=DF5A6.8LFU
DF5A6.8LFUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USV
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.54 грн
6000+4.09 грн
9000+3.81 грн
15000+3.51 грн
21000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LF docget.jsp?did=19148&prodName=HN1B01FU
HN1B01FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LF docget.jsp?did=19165&prodName=HN1C01F
HN1C01FYTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LF HN1D03F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3639&prodName=HN1D03F
HN1D03FTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-74
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.87 грн
6000+4.32 грн
9000+4.22 грн
15000+3.87 грн
21000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LF HN1D04FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21822&prodName=HN1D04FU
HN1D04FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2C01FEYTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2C01FE
HN2C01FEYTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01FTE85LF HN2D01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3462&prodName=HN2D01F
HN2D01FTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-74
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S01FUTE85LF HN2S01FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=3705&prodName=HN2S01FU
HN2S01FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 10V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.64 грн
6000+4.97 грн
9000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FUTE85LF HN2S03FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=21837&prodName=HN2S03FU
HN2S03FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V 50MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 50 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN3C10FUTE85LF
HN3C10FUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51JTE85LF HN4A51J_datasheet_en_20140301.pdf?did=22329&prodName=HN4A51J
HN4A51JTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SMV
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4K03JUTE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4K03JU
HN4K03JUTE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDH2S01FSTPL3 docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDH2S01FS
JDH2S01FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 25MA FSC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDH2S02FSTPL3 JDH2S02FS_datasheet_en_20170803.pdf?did=6616&prodName=JDH2S02FS
JDH2S02FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE SCHOTTKY 10V FSC
Current - Max: 10 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDH3D01STE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDH3D01S
JDH3D01STE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 25MA SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S07FSTPL3
JDV2S07FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VARICAP VCO 10V FSC
Part Status: Active
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Capacitance @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Single
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance Ratio: 2.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 10 V
Capacitance Ratio Condition: C1/C4
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S09FSTPL3 docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDV2S09FS
JDV2S09FSTPL3
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 10V FSC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1412TE85LF
RN1412TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1441ATE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1441
RN1441ATE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1442ATE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1441
RN1442ATE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1444ATE85LF docget.jsp?did=18800&prodName=RN1441
RN1444ATE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1605TE85LF docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
RN1605TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FETE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1901FE
RN1901FETE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902T5LFT RN190x.pdf
RN1902T5LFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FETE85LF docget.jsp?did=19070&prodName=RN1910FE
RN1911FETE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962TE85LF docget.jsp?did=18830&prodName=RN1961
RN1962TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1964TE85LF docget.jsp?did=18830&prodName=RN1961
RN1964TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1971TE85LF docget.jsp?did=18834&prodName=RN1971
RN1971TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2404TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2403
RN2404TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2505TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2501
RN2505TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]