Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 55 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DF3A5.6LFU(TE85L,F DF3A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) DF3A6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT Description: TVS DIODE 5VWM CST3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F DF3A6.8LFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Applications: General Purpose
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: VESM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=351&prodName=DF5A5.6CJE Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.32 грн
8000+2.32 грн
12000+2.29 грн
20000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T DF5A6.8LJE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) HN1A01FU-Y(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 800MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF HN2A01FU-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ESV
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) HN2D02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FE.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03T(TE85L) HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN3A51F(TE85L,F) HN3A51F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SM6
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN3C51F-BL(TE85L,F HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 120V 100MA SM6
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN3C51F-GR(TE85L,F HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 120V 100MA SM6
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Supplier Device Package: ESV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B04J(TE85L,F) HN4B04J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22314&prodName=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
6000+8.31 грн
9000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22501&prodName=JDP2S02ACT Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Current - Max: 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SOD-882
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02AFS(TPL3) JDP2S02AFS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE PIN 30V FSC
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S08SC(TPL3) JDP2S08SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: RF DIODE PIN 30V SC2
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S10FS(TPL3) JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS_datasheet_en_20140301.pdf?did=6207&prodName=JDV2S10FS Description: RF DIODE STANDARD 10V FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S41FS(TPL3) JDV2S41FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE VAR 15V UHF FSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Supplier Device Package: fSC
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 2V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L) MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20TU Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM00U7U(TE85L,F) RFM00U7U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RFM00U7U Description: FET RF N-CH 20V 520MHZ USQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 16 V
Supplier Device Package: PW-MINI
Technology: MOSFET
Gain: 13.3dB
Power - Output: 4.3W
Configuration: N-Channel
Frequency: 470MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2A
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T) RN1102MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage 21311.pdf Description: TRANSISTOR NPN VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CT RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T) RN1105(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 6039.pdf Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T) RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T) RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T) RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,8,9.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T) RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(T5L,F,T) RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T) RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1130MFV,L3F RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T) RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F) RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310(TE85L,F) RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1507(TE85L,F) RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F) RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.92 грн
6000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CT RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(T5L,F,T) RN1904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902 Description: TRANSISTOR NPN US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906(T5L,F,T) RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961FE(TE85L,F) RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FE(TE85L,F) RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FE(TE85L,F) RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
DF3A5.6LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2CT
DF3A6.2CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM CST3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2F(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2F
DF3A6.2F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3VWM SMINI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.2LFU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.2LFU
DF3A6.2LFU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM USM
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A6.8CT
DF3A6.8CT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM CST3
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8LFV,L3F docget.jsp?did=6014&prodName=DF3A6.8LFV
DF3A6.8LFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM VESM
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Applications: General Purpose
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: VESM
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D6.8MFV(TL3,T) DF3D6.8MFV.pdf
DF3D6.8MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6CJE,LM DF5A5.6CJE_datasheet_en_20140301.pdf?did=351&prodName=DF5A5.6CJE
DF5A5.6CJE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM ESV
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V
Capacitance @ Frequency: 29pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.32 грн
8000+2.32 грн
12000+2.29 грн
20000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LF,LF DF5A6.8LF_datasheet_en_20140301.pdf?did=3422&prodName=DF5A6.8LF
DF5A6.8LF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SMV
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6.5V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.82 грн
6000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A6.8LJE,LM(T docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF5A6.8LJE
DF5A6.8LJE,LM(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01FU
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-GR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F
HN1C01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 800MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(T HN1D01FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3447&prodName=HN1D01FU
HN1D01FU,LF(T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2A01FU-GR(TE85LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2A01FU
HN2A01FU-GR(TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F)
HN2D01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ESV
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2D02FU
HN2D02FU(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D03F(TE85L,F) HN2D03F_datasheet_en_20140301.pdf?did=21828&prodName=HN2D03F
HN2D03F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 3 Independent
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S02JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S02JE
HN2S02JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03FE(TE85L,F) HN2S03FE.pdf
HN2S03FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN2S03T(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN2S03T
HN2S03T(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN3A51F(TE85L,F)
HN3A51F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 100MA SM6
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN3C51F-BL(TE85L,F HN3C51F.pdf
HN3C51F-BL(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 120V 100MA SM6
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN3C51F-GR(TE85L,F HN3C51F.pdf
HN3C51F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 120V 100MA SM6
Supplier Device Package: SM6
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE
HN4B01JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Supplier Device Package: ESV
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B04J(TE85L,F)
HN4B04J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SMV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) docget.jsp?did=22314&prodName=HN4C51J
HN4C51J(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.47 грн
6000+8.31 грн
9000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02ACT(TPL3) JDP2S02ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=22501&prodName=JDP2S02ACT
JDP2S02ACT(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V CST2
Current - Max: 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SOD-882
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S02AFS(TPL3)
JDP2S02AFS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V FSC
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: fSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDP2S08SC(TPL3)
JDP2S08SC(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE PIN 30V SC2
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC2
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S10FS(TPL3) JDV2S10FS_datasheet_en_20140301.pdf?did=6207&prodName=JDV2S10FS
JDV2S10FS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF DIODE STANDARD 10V FSC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JDV2S41FS(TPL3)
JDV2S41FS(TPL3)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE VAR 15V UHF FSC
Voltage - Peak Reverse (Max): 15 V
Supplier Device Package: fSC
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 2V, 1MHz
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S20TU
MT3S20TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM00U7U(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RFM00U7U
RFM00U7U(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FET RF N-CH 20V 520MHZ USQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P
RFM04U6P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI
Current - Test: 500 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 16 V
Supplier Device Package: PW-MINI
Technology: MOSFET
Gain: 13.3dB
Power - Output: 4.3W
Configuration: N-Channel
Frequency: 470MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2A
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV(TL3,T) 21311.pdf
RN1102MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1101
RN1103,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN110xMFV.pdf
RN1104MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
RN1105MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T) 6039.pdf
RN1105(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV(TL3,T) RN110xMFV.pdf
RN1106MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1108(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1108(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1109(T5L,F,T) RN1107,8,9.pdf
RN1109(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1112(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1112
RN1112(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1113(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118
RN1115,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1117(T5L,F,T)
RN1117(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1118(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1114
RN1118(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1130MFV,L3F docget.jsp?did=949&prodName=RN1130MFV
RN1130MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T)
RN1131MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F) docget.jsp?did=18776&prodName=RN1302
RN1303(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310(TE85L,F)
RN1310(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1507(TE85L,F)
RN1507(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1602(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
RN1602(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.92 грн
6000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903,LF(CT RN190x.pdf
RN1903,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902
RN1904(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANSISTOR NPN US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1906(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1961FE
RN1961FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1962FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1962FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19072&prodName=RN1965FE
RN1963FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 66 88 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]