Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13583) > Сторінка 55 з 227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN4603(TE85L,F) RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906(T5L,F,T) RN4906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LF(CT RN4981,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983(T5L,F,T) RN4983(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983 Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984(T5L,F,T) RN4984(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CT RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985_datasheet_en_20210824.pdf?did=18981&prodName=RN4985 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(T5L,F,T) RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(T5L,F,T) RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(T5L,F,T) RN4989(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990(T5L,F,T) RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991(T5L,F,T) RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18994&prodName=RN4991 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L) SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT(TPL3) SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J15CT Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT(TPL3) SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J16CT Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304T(TE85L,F) SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7567&prodName=SSM3J304T Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J306T(TE85L,F) SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T_datasheet_en_20140301.pdf?did=7571&prodName=SSM3J306T Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LF SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3F SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10000&prodName=SSM3J35MFV Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.39 грн
16000+2.08 грн
24000+1.96 грн
40000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3F SSM3J36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J36MFV Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.25 грн
24000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F) SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K01T Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3) SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F) SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K301T Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F) SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F) SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K309T Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F) SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K310T Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LF SSM3K318T,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LF SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L11TU(TE85L,F) SSM6L11TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L11TU Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FE(TE85L,F) SSM6L16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F) SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11256&prodName=SSM6L35FU Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LF SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13890&prodName=SSM6N58NU Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 155972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.68 грн
9000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB18(TE85L,F) TAR5SB18(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TAR5SB18 Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB30(TE85L,F) TAR5SB30(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB30_datasheet_en_20140301.pdf?did=18320&prodName=TAR5SB30 Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB33(TE85L,F) TAR5SB33(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18320&prodName=TAR5SB49 Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.46 грн
6000+9.78 грн
9000+9.64 грн
15000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4050BF(EL,N,F) TC4050BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18381&prodName=TC4050BF Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 48mA
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4584BF(EL,N,F) TC4584BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20900&prodName=TC4584BF Description: IC INV 6-CIR 1-IN 14-SOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V
Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.93 грн
4000+19.59 грн
6000+19.31 грн
10000+17.83 грн
14000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4S69F(TE85L,F) TC4S69F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20165&prodName=TC4S69F Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4SU11F(T5L,F,T) TC4SU11F(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC4SU11F Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4051AFT(EL,M TC74HC4051AFT(EL,M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=16132&prodName=TC74HC4051AP Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC27FT(ELK,M) TC74VHC27FT(ELK,M) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC74VHC27FT Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFT(EL) TC7MBL3257CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57109&prodName=TC7MBL3257CFK Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET08F,LJ TC7SET08F,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20075&prodName=TC7SET08F Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET125F(TE85L,F TC7SET125F(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=657&prodName=TC7SET125F Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET125FU,LJ(CT TC7SET125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET125FU_datasheet_en_20230410.pdf?did=53719&prodName=TC7SET125FU Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 5-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.79 грн
6000+2.59 грн
9000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH02F,LJ TC7SH02F,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH02F,fU_Rev2009.pdf Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08F,LJ TC7SH08F,LJ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20099&prodName=TC7SH08F Description: IC AND 1-CIR 2-IN SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH32F,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH32F,FU.pdf Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH34FS(TPL3) TC7SH34FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH34FS Description: IC GATE L-MOS FSV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ17FU,LJ(CT TC7SZ17FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ17FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54618&prodName=TC7SZ17FU Description: IC BUFF 1.65V 5-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.73 грн
6000+2.53 грн
9000+2.48 грн
15000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W02FK(TE85L,F) TC7W02FK(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20201&prodName=TC7W02FK Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W240FU(TE12L,F) TC7W240FU(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W240FU_datasheet_en_20141118.pdf?did=20226&prodName=TC7W240FU Description: IC BUFFER INVERT 6V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WP3125FC(TE85L) TC7WP3125FC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7WP3125FK_datasheet_en_20210721.pdf?did=6285&prodName=TC7WP3125FK Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 CST8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Supplier Device Package: CST8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WP3125FK(T5L,F) TC7WP3125FK(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC7WP3125FK_datasheet_en_20210721.pdf?did=6285&prodName=TC7WP3125FK Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FC(TE85L TC7WPN3125FC(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WPN3125FC Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK(T5L,F TC7WPN3125FK(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6287&prodName=TC7WPN3125FC Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ TK20G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13840&prodName=TK20G60W Description: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX TK39A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13494&prodName=TK39A60W Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.16 грн
50+505.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK10Q60W,S1VQ TK10Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13503&prodName=TK10Q60W Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4603(TE85L,F) docget.jsp?did=18926&prodName=RN4603
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4906(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4983
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CT RN4985_datasheet_en_20210824.pdf?did=18981&prodName=RN4985
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991(T5L,F,T) docget.jsp?did=18994&prodName=RN4991
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J118TU(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J15CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J16CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304T(TE85L,F) docget.jsp?did=7567&prodName=SSM3J304T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J306T(TE85L,F) SSM3J306T_datasheet_en_20140301.pdf?did=7571&prodName=SSM3J306T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LF SSM3J325F_datasheet_en_20161110.pdf?did=2054&prodName=SSM3J325F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35MFV,L3F docget.jsp?did=10000&prodName=SSM3J35MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.39 грн
16000+2.08 грн
24000+1.96 грн
40000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J36MFV,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J36MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J56MFV,L3F docget.jsp?did=7801&prodName=SSM3J56MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.25 грн
24000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K01T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K01T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16CT(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K16CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K301T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K301T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K302T(TE85L,F) SSM3K302T.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K309T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K309T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K310T(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K310T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318T,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K318T
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002BF,LF SSM3K7002BF.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L11TU(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L11TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L16FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L35FU(TE85L,F) docget.jsp?did=11256&prodName=SSM6L35FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LF docget.jsp?did=13890&prodName=SSM6N58NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 155972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.68 грн
9000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB18(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TAR5SB18
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.2A SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB30(TE85L,F) TAR5SB30_datasheet_en_20140301.pdf?did=18320&prodName=TAR5SB30
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TAR5SB33(TE85L,F) docget.jsp?did=18320&prodName=TAR5SB49
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 850 µA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 50mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.46 грн
6000+9.78 грн
9000+9.64 грн
15000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4050BF(EL,N,F) docget.jsp?did=18381&prodName=TC4050BF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 18V 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 48mA
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4584BF(EL,N,F) docget.jsp?did=20900&prodName=TC4584BF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INV 6-CIR 1-IN 14-SOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 3.75V ~ 11.6V
Input Logic Level - Low: 1.25V ~ 3.4V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 120ns @ 15V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+20.93 грн
4000+19.59 грн
6000+19.31 грн
10000+17.83 грн
14000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4S69F(TE85L,F) docget.jsp?did=20165&prodName=TC4S69F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC4SU11F(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC4SU11F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC4051AFT(EL,M docget.jsp?did=16132&prodName=TC74HC4051AP
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74VHC27FT(ELK,M) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC74VHC27FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 3CH 3-INP 14-TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7MBL3257CFT(EL) docget.jsp?did=57109&prodName=TC7MBL3257CFK
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 2:1 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET08F,LJ docget.jsp?did=20075&prodName=TC7SET08F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET125F(TE85L,F docget.jsp?did=657&prodName=TC7SET125F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SET125FU,LJ(CT TC7SET125FU_datasheet_en_20230410.pdf?did=53719&prodName=TC7SET125FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 5-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.79 грн
6000+2.59 грн
9000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH02F,LJ TC7SH02F,fU_Rev2009.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH08F,LJ docget.jsp?did=20099&prodName=TC7SH08F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC AND 1-CIR 2-IN SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH32F,LJ TC7SH32F,FU.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE OR 1CH 2-INP SMV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH34FS(TPL3) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH34FS
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS FSV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ17FU,LJ(CT TC7SZ17FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=54618&prodName=TC7SZ17FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF 1.65V 5-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.73 грн
6000+2.53 грн
9000+2.48 грн
15000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W02FK(TE85L,F) docget.jsp?did=20201&prodName=TC7W02FK
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 2CH 2-INP US8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W240FU(TE12L,F) TC7W240FU_datasheet_en_20141118.pdf?did=20226&prodName=TC7W240FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 6V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WP3125FC(TE85L) TC7WP3125FK_datasheet_en_20210721.pdf?did=6285&prodName=TC7WP3125FK
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 CST8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Supplier Device Package: CST8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WP3125FK(T5L,F) TC7WP3125FK_datasheet_en_20210721.pdf?did=6285&prodName=TC7WP3125FK
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2.7V, 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 12mA, 12mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FC(TE85L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7WPN3125FC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH SPST DUAL CST8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WPN3125FK(T5L,F docget.jsp?did=6287&prodName=TC7WPN3125FC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS SWITCH 2 X 1:1 US8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20G60W,RVQ docget.jsp?did=13840&prodName=TK20G60W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK39A60W,S4VX TK39A60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13494&prodName=TK39A60W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+657.16 грн
50+505.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK10Q60W,S1VQ docget.jsp?did=13503&prodName=TK10Q60W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.